JPH06177118A - 被処理物用被膜焼き付け処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低酸素濃度の維持及び焼き付け温度安定化に
より、被膜面に亀裂等のない優れた被処理物、例えば半
導体ウェハーを得ることのできる焼き付け処理装置を提
供する。 【構成】 半導体ウェハーＷを積層してストックするた
めのカセットケース１、この半導体ウェハーＷを１枚ず
つ冷却するためのクーリングプレート２、半導体ウェハ
ーＷ上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー
１８を備えた塗布装置３、低酸素濃度下で半導体ウェハ
ーＷを焼き付け処理することのできる外気と遮断された
金属隔壁内に納められたホットプレート４、及びＳiＯ₂
被膜の形成された半導体ウェハーＷを積層してストック
するためのカセットケース５等の装置を搬送ライン上に
一体化した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被処理物表面に酸化ケ
イ素被膜を形成するための焼き付け処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハー表面に酸化ケイ素被膜を
焼き付けによって形成するには、先ず塗布装置のケース
内に設けたスピンナーに被処理物を載置し、スピンナー
上方に配置したノズルからＳＯＧ（Spin-On-Glass）原
料を滴下して回転塗布する。このＳＯＧ原料は、テトラ
ヒドロキシシラン等のケイ素化合物を水又は有機溶剤に
溶解したものである。

【０００３】上記回転塗布後、ＳＯＧ原料を塗布した半
導体ウェハーの裏面をチャックで吸着固定してホットプ
レート上へ搬送・載置し、約４５０℃で焼き付け処理を
行う。この焼き付け処理によって被処理物上に塗布され
た前記ケイ素化合物の脱水縮合反応が起こり、酸化ケイ
素膜（ＳＯＧ）が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記ホットプレートに
よる焼き付け処理において、酸素存在下でこの処理を行
うと形成される被膜に微細な亀裂が生じ、被処理物とし
て使用できなくなるため、窒素等の不活性ガス雰囲気中
で行うのが普通である。しかし、ホットプレート周辺に
は、被処理物の出入りに伴って外部の空気が流入するた
め、酸素濃度を低下させることは非常に困難であった。

【０００５】またホットプレートの代わりに縦型炉或い
は横型炉を用いて熱処理する方法もあるが、炉の入口及
び出口周辺では温度が低下し、炉の中央部では温度が高
くなり過ぎる。従って、熱処理条件が不安定となる難点
があり、また炉の周辺は被処理物の出入りに伴って外部
の空気が流入するため、上記ホットプレートの場合と同
じく酸素濃度を低下させることは困難であった。

【０００６】本発明は、従来の技術が有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、被処理物を安定した温度及び低酸素下で焼き付
け処理し、良好なＳＯＧ被覆被処理物が得られる装置を
提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明の被膜焼き付け処理装置は、ケイ素化合物溶液を被
処理物上に塗布するためのスピンナーと、前記ケイ素化
合物を焼き付け処理してＳiＯ2被膜とするための複数の
ホットプレートとを備えたものであって、夫々のホット
プレート上部に不活性ガスを散布するためのスパージン
グエレメントを配置した。

【０００８】ホットプレートの温度に影響を与えないた
めに、散布する不活性ガスは予備加熱装置によって２０
０℃前後に加熱して、マニホールドを通じてスパージン
グエレメントへ供給することが好ましい。上記加熱した
不活性ガスが冷えないように、予備加熱装置はマニホー
ルド及びスパージングエレメントと近接して配置され、
且つマニホールドと直結されていることが好ましい。

【０００９】外気の流入を避けるため、前記複数のホッ
トプレートの第１段目上流側（即ち、被処理物が搬入さ
れる側）に前記スパージングエレメントと同様のスパー
ジングエレメントを設け、また最終段目下流側（即ち、
被処理物が搬出される側）に、前記スパージングエレメ
ントを上部に配置したダミープレートを設けることが好
ましい。

【００１０】またホットプレート周辺を低酸素状態に保
つため並びに処理温度を安定して保つために、前記スパ
ージングエレメント、ホットプレート、及びダミープレ
ートを一括して収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断
した第１層、前記予備加熱装置及びマニホールドを収納
し金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上
部に隣接する第２層、及びこの第２層の上面部及び側面
部を金属製隔壁で覆い且つ外気を流通させる第３層構造
とすることが好ましい。

【００１１】上記に加え、更に外気との遮断を完全にす
るために前記第１層の被処理物搬入口及び搬出口の周辺
に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置するこ
とも好ましい。

【００１２】

【作用】本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置は、
被処理物を積層してストックするためのカセットケー
ス、このカセットより搬送された被処理物を１枚ずつ冷
却するためのクーリングプレート、このクーリングプレ
ートから搬入された被処理物上にケイ素化合物溶液を塗
布するための塗布装置、その下流に配置される被処理物
を低酸素濃度状態で焼き付け処理するためのスパージン
グエレメントを備えた複数のホットプレート、及びＳi
Ｏ₂被膜の形成された被処理物を積層してストックする
ためのカセットケースが搬送ライン上に一体化されてい
る。

【００１３】

【実施例】以下に本発明に基づく実施例を図１乃至図６
に基づいて説明する。ここにおいて図１は本発明の焼き
付け処理装置の一例を示す概要図であり、図２は本発明
に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を示す平面工程図
（ａ）及び側面工程図（ｂ）、図３は同、クーリングプ
レートの一例を示す断面図（ａ）及び平面図（ｂ）、図
４は同、クーリングプレートからの被処理物の移送機構
の一例を説明する部分断面図、図５は同、塗布装置の一
例を示す断面図、図６は同、塗布装置からホットプレー
トまでの搬送機構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイ
クル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）、図７は従来の塗布
装置からホットプレートまでの搬送方法の例を示す平面
工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図
（ｃ）、図８は本発明に係るホットプレート周辺の一例
を示す側面断面図、図９は同、ホットプレート周辺の一
例を示す正面断面図、図１０は同、スパージングエレメ
ントの一例を示す部分拡大断面図、図１１は同、ホット
プレート上の被処理物の搬送機構の一例を説明する部分
断面図（ａ）及びホットプレートの一例を示す平面図
（ｂ）である。

【００１４】本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置
は図１に示すように、被処理物、例えば半導体ウェハー
Ｗを積層してストックするためのカセットケース１、こ
の半導体ウェハーＷを１枚ずつ冷却するためのクーリン
グプレート２、更に半導体ウェハーＷ上にケイ素化合物
溶液を塗布するためのスピンナー１８を備えた塗布装置
３、半導体ウェハーＷを焼き付け処理するための複数の
ホットプレート４及びＳiＯ₂被膜の形成された半導体ウ
ェハーＷを積層してストックするためのカセットケース
５等の装置が搬送ライン上に一体化されている。

【００１５】図１及び図２に示すように、半導体ウェハ
ーＷを目的の温度にまで冷却するためのクーリングプレ
ート２は塗布装置３と近接して設けられている。クーリ
ングプレート２と塗布装置３との間には半導体ウェハー
Ｗを搬送するためのチャック１４が配置されている。ま
た塗布装置３の周辺には同じく半導体ウェハーＷを搬送
するための搬送フォーク１５が配置されており、この搬
送フォーク１５には爪１６、爪２２及びフック１７が設
けられている。

【００１６】クーリングプレート２は図３に示すよう
に、上部に半導体ウェハーＷを載置するための冷却プレ
ート６を備え、熱伝導性の良い金属で一体的に形成され
ており、内部には一定の温度に制御された水、エチレン
グリコール等の冷媒が循環する熱交換器（図示せず）を
備えている。また冷却プレート６には、クーリングプレ
ート２の前後、即ちカセットケースからクーリングプレ
ート２へ、及びクーリングプレート２から塗布装置３方
向へ半導体ウェハーＷを搬送するための搬送フォーク７
を通すために溝８が２本穿設されており、更に、半導体
ウェハーＷの裏面を汚さないための４本の突起９が突設
されている。

【００１７】図４は、上記半導体ウェハーＷをクーリン
グプレート２から塗布装置３へ搬送するための機構を示
している。搬送フォーク７は、シリンダ１０によって上
下方向に駆動するロッド１１、及びシリンダ１０に固着
されたスライダ１２を前後に摺動させるためのガイドロ
ッド１３によって作動する。

【００１８】また図５には塗布装置３が示されており、
この塗布装置３には温度及び湿度を調整された窒素、空
気等の気体が導入されるガス通路１９が設けられ、この
ガス通路１９は筒状ケース２０内のスピンナー１８上面
に開口するガス噴出孔２１につながっている。ガス噴出
孔２１は周方向に等間隔で多数設けられ、且つガス噴出
孔２１の向きは噴出された気体が半導体ウェハーＷの上
面を覆うように半導体ウェハーＷの中心部上方に向けら
れている。

【００１９】図６（ａ）に示すように、スピンナー１８
とホットプレート４との間には半導体ウェハーＷを搬送
するためのチャック２３が配置されている。

【００２０】また図８及び図９に示すように、ホットプ
レート４周辺の焼き付け処理部は第１層、第２層及び第
３層に分割してある。このうち第１層は５個のホットプ
レート４ａ〜４ｅ（ホットプレート４の数は５又は６が
好ましい）、スパージングエレメント２７及びダミープ
レート４６を収納し、ＳＵＳ等の金属製隔壁２５で包囲
して外気と遮断してある。また第２層は第１層上部に隣
接して金属製隔壁２５で遮蔽した形体で設けてあり、窒
素等の不活性ガスの予備加熱装置２８及びマニホールド
２９を収納している。この第２層も全体が金属製隔壁で
包囲されて外気と遮断されている。更に第３層は、第２
層の上面部及び側面部を覆う金属製隔壁３０、３１、金
属製上部外面隔壁３２及び金属製側部外面隔壁３３に囲
まれて形成された外気の通路である。また上記第１層の
前後には、不活性ガスが噴射されるシャワー室３４、３
５が設置されている。

【００２１】上述の焼き付け処理部は、第１層内の修理
及び点検を簡便に行うために、第２層及び第３層を持ち
上げてホットプレート４を露出できるように、図８に示
すように蝶番部５２及び取っ手５３が設けられている。
また第１層内の半導体ウェハーＷ上面の酸素濃度を測定
するためのガス採取管５４、第３層内に外気を通すため
の吸気孔５５及び排気孔５６も設けられている。

【００２２】更に、スパージングエレメント２７と半導
体ウェハーＷとの間隔を自在に変更できるように、スパ
ージングエレメント２７にはマニホールド２９を介して
第３層上外面を貫通するロッド４７が取り付けてあり、
このロッド４７に付設したプレート４８の位置を第３層
上外面部に取り付けたボルト４９及びナット５０、５１
で調節できるようにしてある。

【００２３】ホットプレート４は基本的に前記クーリン
グプレート２と同様の構成を有しており、上部に半導体
ウェハーＷを載置する加熱プレート３６を備え、熱伝導
性の良い金属で一体的に形成されており、内部にはヒー
タ又は熱媒が循環する熱交換器（図示せず）を備えてい
る。また加熱プレート３６には搬送フォーク３７を通す
ために溝３８が２本穿設されており、更に、半導体ウェ
ハーＷの裏面を汚さないための４本の突起３９が突設さ
れている。

【００２４】図１０はスパージングエレメント２７の部
分拡大断面図であり、ＳＵＳを焼結した不活性ガス散布
部４０と、同じくＳＵＳ板で形成された背面部４１とが
嵌着されてスパージングエレメント２７を形成してい
る。

【００２５】また図１１（ａ）には、半導体ウェハーＷ
を複数のホットプレート４上で順次搬送するための機構
を示してある。搬送フォーク３７は、シリンダ４２によ
って上下方向に駆動するロッド４３、及びシリンダ４２
に固着されたスライダ４４を前後に摺動させるためのガ
イドロッド４５によって作動する。更に図１１（ｂ）に
は、ホットプレート４上面部の半導体ウェハーＷ、加熱
プレート３６、溝３８及び突起３９の位置関係を示して
ある。

【００２６】上記構成の、本発明に係る焼き付け処理装
置は以下のようにして操作する。即ち、先ず図２に示す
ようにカセットケース１に積層された高温の半導体ウェ
ハーＷを１枚ずつクーリングプレート２に運び、クーリ
ングプレート２上で目的の温度にまで冷却する。

【００２７】冷却された半導体ウェハーＷをクーリング
プレート２から塗布装置３へ搬送するには、先ず図４に
示すように上下方向に駆動するシリンダ１０によってロ
ッド１１を上昇させる。するとロッド１１に連結した前
記２本の搬送フォーク７は溝８内から出て上昇し半導体
ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シリンダ１０に固着
されたスライダ１２をモータ等によりガイドロッド１３
に沿って摺動させる。すると搬送フォーク７もスライダ
１２と一体的に動作し、半導体ウェハーＷを進行方向
（図２のＡ点）へ移動させることができる。

【００２８】Ａ点においては、図２に示すチャック１４
を上昇して半導体ウェハーＷの裏面を吸着させる。その
後、ロッド１１を下降させることによって搬送フォーク
７から半導体ウェハーＷを分離し、半導体ウェハーＷは
チャック１４上に残す。一方、搬送フォーク７は後退さ
せて当初の位置に戻し、次の半導体ウェハーＷを搬送す
るために待機させる。

【００２９】前記Ａ点に残留した半導体ウェハーＷを、
今度はチャック１４に吸着したままＢ点へ移動する。Ｂ
点においては、塗布装置３に係る搬送フォーク１５の爪
１６が移動してきたときに、前記チャック１４を下降さ
せてこの爪１６上へ半導体ウェハーＷを載せる。そして
チャック１４の下降が完了した後、爪１６をＣ点へ移動
させる。このとき、爪１６の端部に設けたフック１７に
半導体ウェハーＷの端部を掛けることによって、塗布装
置３に設けられたスピンナー１８の中心との位置合わせ
（センタリング）が容易となる。

【００３０】前記Ｃ点に移動した半導体ウェハーＷの下
方からスピンナー１８を上昇させて搬送フォーク１５の
爪１６よりも高い位置に押し上げ、半導体ウェハーＷを
吸着させる。この状態で、半導体ウェハーＷが下降して
も掛からない位置に爪１６を更に移動させておいてスピ
ンナー１８を下降させる。こうして回転塗布の態勢が整
う。搬送フォーク１５は中央位置に戻しておく。クーリ
ングプレート２と塗布装置３とは近接して設置してある
ため、搬送中の半導体ウェハーＷの温度変化はそれ程大
きくないが、クーリングプレート２と塗布装置３との間
を恒温に保つ手段を講じることも好ましい。

【００３１】塗布装置３は図５に示すように、前記温度
及び湿度を調整済みの噴出された気体が半導体ウェハー
Ｗの上面を覆うように、複数のガス噴出孔２１の向きは
半導体ウェハーＷの中心部上方に向けられているが、塗
布装置３への気体の供給方法には特に制限はなく、ガス
噴出孔２１を用いる上記方法の他、塗布液に影響を与え
ない程度の風速で半導体ウェハーＷ上方から半導体ウェ
ハーＷへ向けて噴射する等の手段をとってもよい。また
気体の温度及び湿度を調整する装置としては公知のもの
が使用でき、また本発明の塗布設備専用である必要もな
く、例えば工場内に配設された窒素ラインから供給され
る窒素を熱交換器を通して温度調整して用いてもよい。

【００３２】半導体ウェハーＷはクーリングプレート２
によって既に目的の温度に調整してあるため、塗布装置
３内で上述の温度及び湿度を調整された気体雰囲気中に
この半導体ウェハーＷを載置すれば、改めて温度が安定
するまで待つ無駄がなくなる。また湿度については、湿
気の影響を受けやすいＳＯＧ、ＢＳＯＧ等の塗布液の場
合は脱湿を十分に行い、また乾燥し過ぎないほうがよい
水溶性塗布液等の場合は適度な湿度にコントロールする
等、塗布液の種類に応じた湿度調整を行うことが必要で
ある。

【００３３】上記の温度及び湿度を調整した雰囲気中で
半導体ウェハーＷを回転塗布した後、スピンナー１８が
上昇しても掛からないように爪２２をＢ点側に移動させ
てから、スピンナー１８を上昇させる。そして搬送フォ
ーク１５の爪２２をスピンナー１８の下に移動し、スピ
ンナー１８を下降させて半導体ウェハーＷを爪２２に移
す。次に爪２２をＤ点のチャック２３上に移動し、チャ
ック２３を上昇させて半導体ウェハーＷを吸着させ、搬
送フォーク１５は中央位置（Ｃ点）に戻す。

【００３４】図６に示すように、Ｄ点でチャック２３に
吸着された半導体ウェハーＷはＦ点に搬送され、ホット
プレート４ａの入口に置かれる。このチャック２３によ
る搬送機構を説明すると、Ｄ点において上昇状態で半導
体ウェハーＷを吸着したチャック２３は、図６（ｂ）の
サイクル図に示すように上昇状態のままＥ点を通過し、
Ｆ点に達して下降する。この結果、半導体ウェハーＷは
ホットプレート４を縦貫する搬送フォーク２４の一端に
移載される。一方、空になったチャック２３はＦ点上で
再度上昇され、Ｅ点に移動してから下降される。その後
下降状態のままＤ点に戻り、次の半導体ウェハーＷを待
機する状態に入る。

【００３５】上記Ｅ点とＦ点との間は、前記金属製隔壁
２５で隔てられており、Ｆ点は前記第１層の中に在る。
従って、図７に示す従来法のように、ｄ点（本願発明の
Ｄ点に対応）で上昇して半導体ウェハーＷを吸着したチ
ャック１２３を上昇状態のまま金属製隔壁１２５を通過
してｆ点（本願発明のＦ点に対応）に運び、ここで下降
して半導体ウェハーＷを搬送フォーク１２４の一端に移
載し、この下降状態のまま再度金属製隔壁１２５を通過
してｄ点に戻る機構では、図７（ｃ）に示すように金属
製隔壁１２５にチャック１２３を通すための大きな開口
部１２６（斜線で表示）が必要となる。この開口部１２
６が大きいと、外気が流入し易くなるため第１層内を低
酸素状態に保つことが困難となる。

【００３６】これに対して、上述の本願の方法ではＥ点
とＦ点との間の移動は往復とも上昇状態で行うため、図
６（ｃ）に示すように金属製隔壁２５の開口部２６（斜
線で表示）は従来に比較して非常に小さくて済む。従っ
て、外気は流入し難くなるため第１層内を低酸素状態に
保つことが容易となる。

【００３７】上述の外気の流入を更に完全に防ぐため
に、Ｅ点とＦ点との間の第１層入口近辺にシャワー室３
４が配置され、この中に不活性ガスが吹き出るようにな
っている。シャワー室３４で使用する不活性ガスはマニ
ホールド２９から供給されるものであっても、或いは別
のラインから供給されるものであってもよい。

【００３８】前記Ｆ点において搬送フォーク２４の一端
に移載された半導体ウェハーＷの上面へは、スパージン
グエレメント２７から不活性ガスが散布される。スパー
ジングエレメント２７を用いた不活性ガスの散布はＦ点
の他、ホットプレート４及びダミープレート４６におい
ても行う。スパージングエレメント２７への不活性ガス
の供給は、図９に示すように外部供給源から送られた不
活性ガスを予備加熱装置２８で例えば２００℃に加熱
し、これをマニホールド２９に送り、ここから各スパー
ジングエレメント２７へ分配する。

【００３９】上記外部供給源の例としては、工場内に配
設されたラインから供給される窒素等が挙げられる。ま
た予備加熱装置２８は加熱時に粉塵等を生じず、半導体
レベルの清浄な不活性ガスを供給できるものであること
が必要である。予備加熱装置２８及びマニホールド２９
は近接されて外気の出入りのない第２層に配置されてい
るため、加熱された不活性ガスの温度が低下することが
ない。

【００４０】スパージングエレメント２７は図１０に示
すように焼結金属（ＳＵＳ）で形成された散布部４０か
ら不活性ガスが散布される方式になっている。本発明に
おいては、図１１に示すように半導体ウェハーＷの表面
積（又は外径）よりも１〜３割大きい外径のスパージン
グエレメント２７を使用する。このため半導体ウェハー
Ｗを十分な不活性ガス雰囲気に置くことができ、特に各
ホットプレート４に載置され半導体ウェハーＷの周辺に
おいては、酸素濃度２０ｐｐｍ以下に調整することが可
能である。

【００４１】上述のように搬送フォーク２４の一端に載
せられてスパージングエレメント２７から不活性ガスを
散布された状態の半導体ウェハーＷは、次にホットプレ
ート４に搬送される。この搬送方法は、上記クーリング
プレート２周辺の搬送機構と本質的に同じであるが、先
ず図１１（ａ）に示すように上下方向に駆動するシリン
ダ４２によってロッド４３を上昇させる。するとロッド
４３に連結した２本の搬送フォーク３７は溝３８内から
出て上昇し半導体ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シ
リンダ４２に固着されたスライダ４４をモータ等により
ガイドロッド４５に沿って摺動させる。すると搬送フォ
ーク３７もスライダ４４と一体的に動作し、半導体ウェ
ハーＷを進行方向へ、即ちホットプレート４ａ、４ｂ、
４ｃ、４ｄ、４ｅの順に移動させることができる。

【００４２】焼き付け処理を終了した半導体ウェハーＷ
はダミープレート４６へ搬送される。このダミープレー
ト４６は第１層の半導体ウェハーＷの搬出口に隣接して
設けてあり、ホットプレート４への外気の影響を避ける
ためのものである。また上記半導体ウェハーＷの搬出口
外側に設けたシャワー室３５も目的は同じくホットプレ
ート４への外気の影響を避けることにある。

【００４３】上記によって焼き付け処理部を経た半導体
ウェハーＷは、カセットケース５へ搬送される。

【００４４】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の被処理
物用被膜焼き付け処理装置は、複数のホットプレートを
備え且つ夫々のホットプレート上部に不活性ガスを散布
するためのスパージングエレメントを配置したため、被
処理物を安定した温度及び低酸素状態で焼き付け処理す
ることができる。また前記ホットプレートの数を５又は
６の複数とすれば、安定した温度を確保することがで
き、且つ前記スピンナーとの処理時間差を調整すること
ができる。

【００４５】また散布する不活性ガスを予備加熱装置に
よって２００℃前後に加熱してマニホールドを通じてス
パージングエレメントへ供給すれば、ホットプレートの
温度が低下する等の影響を受けることがない。更に、上
記予備加熱装置をマニホールド及びスパージングエレメ
ントと近接して配置し且つマニホールドと直結すれば、
加熱した不活性ガスが冷えることがない。

【００４６】前記ホットプレートの第１段目下流側に前
記スパージングエレメントと同様のスパージングエレメ
ントを設け、また最終段目上流側に、前記スパージング
エレメントを上部に配置したダミープレートを設ければ
外気の流入を避けることができ、ホットプレート周辺を
低酸素状態に置くことが可能である。

【００４７】また前記スパージングエレメント、ホット
プレート、及びダミープレートを一括して収納し金属製
隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装
置及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気
と遮断し且つ前記第１層上部に隣接する第２層、及びこ
の第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外
気を流通させる第３層構造とした場合にも、ホットプレ
ート周辺を低酸素状態に保ち且つ焼き付け処理温度を安
定させることができる。

【００４８】前記第１層の被処理物入口及び出口の外部
に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置した場
合には、更に外気との遮断を完全にすることができる。

【００４９】上記複数の手段による、低酸素濃度の維持
及び焼き付け温度安定化の効果により、被膜面に亀裂等
のない優れた被処理物を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の焼き付け処理装置の一例を示す概要図

【図２】本発明に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を
示す平面工程図（ａ）及び側面工程図（ｂ）

【図３】同、クーリングプレートの一例を示す断面図
（ａ）及び平面図（ｂ）

【図４】同、クーリングプレートからの被処理物の移送
機構の一例を説明する部分断面図

【図５】同、塗布装置の一例を示す断面図

【図６】同、塗布装置からホットプレートまでの搬送機
構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及
び側面工程図（ｃ）

【図７】従来の塗布装置からホットプレートまでの搬送
方法の例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及
び側面工程図（ｃ）

【図８】本発明に係るホットプレート周辺の一例を示す
側面断面図

【図９】同、ホットプレート周辺の一例を示す正面断面
図

【図１０】同、スパージングエレメントの一例を示す部
分拡大断面図

【図１１】同、ホットプレート上の被処理物の搬送機構
一例を説明する部分断面図（ａ）及びホットプレートの
一例を示す平面図（ｂ）

【符号の説明】

２…クーリングプレート、３…塗布装置、４…ホットプ
レート、６…冷却プレート、７、１５、２４、３７…搬
送フォーク、８、３８…溝、９、３９…突起、１０、４
２…シリンダ、１１、４３、４７…ロッド、１２、４４
…スライダ、１３、４５…ガイドロッド、１４、２３…
チャック、１８…スピンナー、２０…筒状ケース、２
５、３０、３１…金属製隔壁、２６…開口部、２７…ス
パージングエレメント、２８…予備加熱装置、２９…マ
ニホールド、３２…金属製上部外面隔壁、３３…金属製
側部外面隔壁、３４、３５…シャワー室、３６…加熱プ
レート、４０…不活性ガス散布部、４１…背面部、４６
…ダミープレート。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 猛 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布す
   るためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け
   処理してＳiＯ₂被膜とするための複数のホットプレート
   を備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前
   記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するため
   の、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、
   スパージングエレメントを配置したことを特徴とする被
   処理物用被膜焼き付け処理装置。
2. 【請求項２】 前記不活性ガスを昇温して前記スパージ
   ングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備
   加熱装置を備えたことを特徴とする請求項１に記載の焼
   き付け処理装置。
3. 【請求項３】 前記予備加熱装置は前記マニホールド及
   びスパージングエレメントと近接して配置され、且つ前
   記マニホールドに直結されていることを特徴とする請求
   項１又は２に記載の焼き付け処理装置。
4. 【請求項４】 前記ホットプレートは複数あり、第１段
   目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメ
   ントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側に
   ダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部
   にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれか１項に記載の焼き付け処理装
   置。
5. 【請求項５】 前記スパージングエレメント、ホットプ
   レート、及びダミープレートを一括して収納し金属製隔
   壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置
   及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気と
   遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこ
   の第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外
   気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴と
   する請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼き付け処理
   装置。
6. 【請求項６】 前記第１層の被処理物搬入口及び搬出口
   周辺に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置し
   たことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
   の焼き付け処理装置。