JPH0617282Y2 - リアクティブイオンエッチング装置 - Google Patents
リアクティブイオンエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0617282Y2 JPH0617282Y2 JP7163487U JP7163487U JPH0617282Y2 JP H0617282 Y2 JPH0617282 Y2 JP H0617282Y2 JP 7163487 U JP7163487 U JP 7163487U JP 7163487 U JP7163487 U JP 7163487U JP H0617282 Y2 JPH0617282 Y2 JP H0617282Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- rod lens
- chamber
- reactive ion
- ion etching
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、被エッチング材料である基板のエッチング面
全域を均一に加熱してリアクティブイオンエッチングを
施す装置に関する。
全域を均一に加熱してリアクティブイオンエッチングを
施す装置に関する。
〈従来の技術〉 半導体の製造等に利用されるエッチング法であるリアク
ティブイオンエッチング（以下ＲＩＥと略記する）で
は、ウェハー等の被エッチング材料を加熱することによ
り、エッチング速度を高めるなどエッチング特性を向上
させることができる。
ティブイオンエッチング（以下ＲＩＥと略記する）で
は、ウェハー等の被エッチング材料を加熱することによ
り、エッチング速度を高めるなどエッチング特性を向上
させることができる。
従来、この種の加熱機能を備えたＲＩＥ装置としては、
Record of Alloy Semiconductor Electronics Symposiu
m ”REACTIVE ION ETCHING FORINTEGRATED OPTO−ELEC
TRONIC DEVICES USINGIII−V ALLOY SEMI−CONDUCTOR
S”及び1986春季第33回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集p.597，2a−S−6に記載されたものがあった。
Record of Alloy Semiconductor Electronics Symposiu
m ”REACTIVE ION ETCHING FORINTEGRATED OPTO−ELEC
TRONIC DEVICES USINGIII−V ALLOY SEMI−CONDUCTOR
S”及び1986春季第33回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集p.597，2a−S−6に記載されたものがあった。
上記ＲＩＥ装置は、第２図の構成図で示す様に、チャン
バー１の内部に平板状の上部電極２と下部電極３とを互
いに平行に設けるとともに、チャンバー１の外部にアル
ゴンレーザー装置４と、レーザー光41をチャンバー１の
上部よりチャンバー１内に導く為の複数のミラーＭ１，
Ｍ２，Ｍ３及び集光レンズＬを設けて構成されている。
即ち下部電極３に載置してＲＩＥを施すウェハー等の基
板５のエッチング面51に、集光レンズＬで集光させたレ
ーザー光41を照射することによりそのエッチング面51を
加熱するものである。
バー１の内部に平板状の上部電極２と下部電極３とを互
いに平行に設けるとともに、チャンバー１の外部にアル
ゴンレーザー装置４と、レーザー光41をチャンバー１の
上部よりチャンバー１内に導く為の複数のミラーＭ１，
Ｍ２，Ｍ３及び集光レンズＬを設けて構成されている。
即ち下部電極３に載置してＲＩＥを施すウェハー等の基
板５のエッチング面51に、集光レンズＬで集光させたレ
ーザー光41を照射することによりそのエッチング面51を
加熱するものである。
そして、流量制御装置であるＭＦＣ（マスフローコント
ロール）によりバルブＶ１，Ｖ２を制御して所定量のア
ルゴンArと塩素Cl2の混合ガスをチャンバー１内へ導入
するとともに、電源Ｅにより上下の電極２，３間に高周
波電圧をかけてプラズマを形成する。すると、このプラ
ズマ中に生成された化学的に活性なイオン等により基板
５のエッチング面51にエッチングが施される。即ちＲＩ
Ｅが行われる。
ロール）によりバルブＶ１，Ｖ２を制御して所定量のア
ルゴンArと塩素Cl2の混合ガスをチャンバー１内へ導入
するとともに、電源Ｅにより上下の電極２，３間に高周
波電圧をかけてプラズマを形成する。すると、このプラ
ズマ中に生成された化学的に活性なイオン等により基板
５のエッチング面51にエッチングが施される。即ちＲＩ
Ｅが行われる。
〈考案が解決しようとする問題点〉 しかし上述の如き従来のＲＩＥ装置では、チャンバー１
内全体を加熱することなくエッチング面51を直接加熱す
ることができるものの、集光させたレーザー光41により
加熱する為に、エッチング面51全域を均一に加熱するこ
とが困難であった。即ち施されるエッチングが不均一に
なるという欠点があった。
内全体を加熱することなくエッチング面51を直接加熱す
ることができるものの、集光させたレーザー光41により
加熱する為に、エッチング面51全域を均一に加熱するこ
とが困難であった。即ち施されるエッチングが不均一に
なるという欠点があった。
又、光学系即ちミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３と集光レンズＬ
の調整が煩雑である。しかも、チャンバー１の外部にア
ルゴンレーザー装置４及び上記光学系を設置する為に大
きなスペースが必要であった。
の調整が煩雑である。しかも、チャンバー１の外部にア
ルゴンレーザー装置４及び上記光学系を設置する為に大
きなスペースが必要であった。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案は上記問題点を解決すべく案出されたもので、チ
ャンバーの天板とチャンバー内の上部電極とに貫通させ
た状態で略鉛直にロッドレンズを設けるとともに、該ロ
ッドレンズの上方に赤外光源を設けて成るリアクティブ
イオンエッチング装置である。そして該赤外光源からの
赤外光線を前記ロッドレンズで導いてウェハー等の基板
のエッチング面全域を照射するものである。
ャンバーの天板とチャンバー内の上部電極とに貫通させ
た状態で略鉛直にロッドレンズを設けるとともに、該ロ
ッドレンズの上方に赤外光源を設けて成るリアクティブ
イオンエッチング装置である。そして該赤外光源からの
赤外光線を前記ロッドレンズで導いてウェハー等の基板
のエッチング面全域を照射するものである。
〈作用〉 即ち、赤外光源から放射された赤外光線は、ロッドレン
ズの上端面からロッドレンズ内へ入射し、その下端面か
ら射出する。その際、赤外光線はロッドレンズの下端面
においてエッチング面全域を均一に照射すべく屈折す
る。よってエッチング面全域が均一に加熱される。
ズの上端面からロッドレンズ内へ入射し、その下端面か
ら射出する。その際、赤外光線はロッドレンズの下端面
においてエッチング面全域を均一に照射すべく屈折す
る。よってエッチング面全域が均一に加熱される。
〈実施例〉 以下、図面に基づいて本考案の一実施例を説明する。
尚、従来例と相違ない構成部品には同一の番号を付して
説明する。
尚、従来例と相違ない構成部品には同一の番号を付して
説明する。
第１図は、本考案のＲＩＥ装置を説明する構成図であ
る。
る。
図で示す様に、チャンバー１の内部に平板状の上部電極
２と下部電極３とが互いに平行に設けられ、下部電極３
には被エッチング材料であるウェハー等の基板５が載置
されている。又チャンバー１の天板11と上部電極２とに
貫通させた状態で略鉛直にロッドレンズ６が設けられ、
更にそのロッドレンズ６の上方には赤外光源として赤外
線ランプ７が配設されている。
２と下部電極３とが互いに平行に設けられ、下部電極３
には被エッチング材料であるウェハー等の基板５が載置
されている。又チャンバー１の天板11と上部電極２とに
貫通させた状態で略鉛直にロッドレンズ６が設けられ、
更にそのロッドレンズ６の上方には赤外光源として赤外
線ランプ７が配設されている。
ロッドレンズ６は赤外線ランプ７からの赤外光線を導く
為のもので、耐熱性の高い石英により例えば円柱状に形
成されている。その側面61は赤外光線を効率よく導く様
に、内側を鏡面とした遮光膜で覆われている。又ロッド
レンズ６の上端面６２は赤外光線を効率よく入射させる
べく例えば球面に形成される。下端面63は、射出する赤
外光線が基板５のエッチング面51の全域を効率よくしか
も均一に照射する様な形状とする。例えばロッドレンズ
６の直径がエッチング面51の大きさより大きい場合に
は、下端面63を凸レンズの如く球面に形成する。これに
よりロッドレンズ６から射出する赤外光線を下端面63で
屈折させてエッチング面51の大きさに集光できる。この
下端面63の曲率、及び下端面63と基板５のエッチング面
51との距離は、エッチング面51の大きさ，加熱温度等を
考慮して設定される。
為のもので、耐熱性の高い石英により例えば円柱状に形
成されている。その側面61は赤外光線を効率よく導く様
に、内側を鏡面とした遮光膜で覆われている。又ロッド
レンズ６の上端面６２は赤外光線を効率よく入射させる
べく例えば球面に形成される。下端面63は、射出する赤
外光線が基板５のエッチング面51の全域を効率よくしか
も均一に照射する様な形状とする。例えばロッドレンズ
６の直径がエッチング面51の大きさより大きい場合に
は、下端面63を凸レンズの如く球面に形成する。これに
よりロッドレンズ６から射出する赤外光線を下端面63で
屈折させてエッチング面51の大きさに集光できる。この
下端面63の曲率、及び下端面63と基板５のエッチング面
51との距離は、エッチング面51の大きさ，加熱温度等を
考慮して設定される。
又、赤外線ランプ７から放射される赤外光線を効率よく
ロッドレンズ６に入射させるべく、内側上部に赤外線ラ
ンプ７を配設した反射板８がロッドレンズ６の上端面62
に取付けられている。
ロッドレンズ６に入射させるべく、内側上部に赤外線ラ
ンプ７を配設した反射板８がロッドレンズ６の上端面62
に取付けられている。
上記構成により、赤外線ランプ７から放射された赤外光
線は、ロッドレンズ６に導かれて基板５のエッチング面
51全域を照射し、よってエッチング面51全域が均一に加
熱される。しかも赤外線ランプ７の出力を上げれば、エ
ッチング面51の温度を500度以上に上昇させることがで
きる。
線は、ロッドレンズ６に導かれて基板５のエッチング面
51全域を照射し、よってエッチング面51全域が均一に加
熱される。しかも赤外線ランプ７の出力を上げれば、エ
ッチング面51の温度を500度以上に上昇させることがで
きる。
斯かる状態において、流量制御装置であるＭＦＣ（マス
フローコントロール）によりバルブＶ１，Ｖ２を制御し
て所定量のアルゴンAr，塩素Cl2等の混合ガスをチャン
バー１内へ導入するとともに、電源Ｅにより上下の電極
２，３間に高周波電圧をかけて基板５のエッチング面51
にエッチングを施す。すると、ＲＩＥの特性がエッチン
グ面51全域で均一に向上し、よって均一なエッチングが
施されることになる。
フローコントロール）によりバルブＶ１，Ｖ２を制御し
て所定量のアルゴンAr，塩素Cl2等の混合ガスをチャン
バー１内へ導入するとともに、電源Ｅにより上下の電極
２，３間に高周波電圧をかけて基板５のエッチング面51
にエッチングを施す。すると、ＲＩＥの特性がエッチン
グ面51全域で均一に向上し、よって均一なエッチングが
施されることになる。
〈考案の効果〉 以上述べた様に本考案のＲＩＥ装置によれば、エッチン
グ特性を基板のエッチング面でエッチング特性を均一に
向上させて、全域に均一なエッチングを施すことができ
る。
グ特性を基板のエッチング面でエッチング特性を均一に
向上させて、全域に均一なエッチングを施すことができ
る。
しかも構成が単純で、光学系の調整は不要となり、チャ
ンバー外部のスペースを取ることもない。
ンバー外部のスペースを取ることもない。
又本考案のＲＩＥ装置では、エッチングの際に沸点の高
い反応生成物、例えばインジウムＩｎ等が生成される材
料に対してエッチングを施しても、反応生成物がエッチ
ング面に再付着することがなく、それによりエッチング
が進まないということがない。
い反応生成物、例えばインジウムＩｎ等が生成される材
料に対してエッチングを施しても、反応生成物がエッチ
ング面に再付着することがなく、それによりエッチング
が進まないということがない。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本考案のＲＩＥ装置を説明する構成図、 第２図は、従来のＲＩＥ装置を説明する構成図である。 １……チャンバー，11……天板， ２……上部電極，３……下部電極， ５……基板，51……エッチング面， ６……ロッドレンズ，７……赤外線ランプ。
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバーの内部に平板状の上部電極と下
部電極とを互いに平行に設けて、該下部電極に載置した
基板にリアクティブイオンエッチングを施す装置におい
て、 前記チャンバーの天板と前記上部電極とに貫通させた状
態で略鉛直にロッドレンズを設けると共に、該ロッドレ
ンズの上方に赤外光源を設け、該赤外光源からの赤外光
線を前記ロッドレンズで導いて前記基板のエッチング面
全域を照射することを特徴とするリアクティブイオンエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163487U JPH0617282Y2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | リアクティブイオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163487U JPH0617282Y2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | リアクティブイオンエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63180924U JPS63180924U (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0617282Y2 true JPH0617282Y2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=30914364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163487U Expired - Lifetime JPH0617282Y2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | リアクティブイオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617282Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP7163487U patent/JPH0617282Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63180924U (ja) | 1988-11-22 |
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