JPH0617237U - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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JPH0617237U
JPH0617237U JP6025392U JP6025392U JPH0617237U JP H0617237 U JPH0617237 U JP H0617237U JP 6025392 U JP6025392 U JP 6025392U JP 6025392 U JP6025392 U JP 6025392U JP H0617237 U JPH0617237 U JP H0617237U
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JP
Japan
Prior art keywords
lead wire
lead
soldering
bonding
jig
Prior art date
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Pending
Application number
JP6025392U
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English (en)
Inventor
雅彦 紺野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp filed Critical Pioneer Corp
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Publication of JPH0617237U publication Critical patent/JPH0617237U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半田付け時のリード線の変形を防止すること
ができ、しかもボンディング密度が極めて高い場合でも
非接触での半田付けを容易且つ確実に行うこと。 【構成】 リード線2の端部にリング状の樹脂部7を形
成し、リード線2の強度を高めるようにしたので、半田
付け時における熱によってリード線2の端部に残されて
いるポリイミドフィルム3が熱変形してもその影響によ
るリード線2の変形量を少なくすることができる。 【効果】 従来のようなリード線2の浮き上がりを抑え
るための治具6を必要としなくてもリード線2とランド
パターン9との接合状態を安定させることができるの
で、ボンディング密度が極めて高い場合でもたとえばレ
ーザ光による非接触での半田付けを行うことができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体ベアチップ実装に適し、しかもボンディング密度の極めて高 いTAB(tape automated bonding)方式の半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
TAB方式は、もとよりテープキャリア方式と呼ばれているものであり、ポリ イミド膜やポリエステル膜で作られた映画のフィルム状のテープの1コマ毎に写 真製版によりリードを形成して、そのリードの先端(フィンガ部分)に相対応す るチップのAu バンプを接合したものである。このリードは、Sn やAu めっき したCu 膜で作られている。
【0003】 チップの電極はAl パッド上にAu めっき等によりウエハ段階で形成されたバ ンプによって構成され、リード端子との接続はAu −Sn 共結晶やAu −Au 熱 圧着法によって行われる。
【0004】 テープにボンディングしたチップは、リードを切断した後、プリント基板やセ ラミック基板に取付けられる。基板とリードとは半田で接着される。
【0005】 この方式は、フリップチップ方式と違ってテープの段階で試験ができ、しかも フェイスアップボンディングではチップ裏面から放熱させることができる等の長 所がある。電極はチップ周辺に配列されるので、100〜200端子位とされて いる。更に最近では、多層のリードを用いてチップ内部にもAu バンプを設ける ことにより、多端子化に対応することも検討されている。
【0006】 図1は、上述したTAB方式の半導体素子の一例を示すものであり、半導体チ ップ1のリード線2の端部にポリイミドフィルム3を残している。
【0007】 リード線2は、厚さ35μmの銅パターンにサブミクロンオーダーのSn メッ キが施されたものである。微小ピッチ、微小幅のTCP(テープキャリアパッケ ージ)の場合、打抜き成形の際にリード線2の変形やバラケ等の問題が生じやす い。この点を考慮して、搭載直前に打抜き成形を同時に行うとともに、バラケ防 止のために、リード端部にポリイミドフィルム3を残している。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、上述したTAB方式による半導体素子は、フィルム状のテープキャ リアのインナリードとベアチップの電極との接続を行うILB(inner lead bon ding)及びテープキャリアのアウタリードと基板の電極を接続するOLB(oute r lead bonding)によって実装される。
【0009】 ところが、このようなTABは、通常のQFPと違って半導体部分が樹脂モー ルドされておらず露出状態とされており、たとえばポリイミドからなるテープの 強度によって半導体素子の形状を維持している。
【0010】 このため、OLB工程時における半田付けの際、リード線2の変形やバラケ等 の問題を解消するためにリード線2の端部にポリイミドフィルム3を残している にも拘らず、このポリイミドフィルム3の熱変形によってリード線2が浮いてし まうので、図2に示すように、治具6によってリード線2の浮き上がりを抑える ようにしている。
【0011】 したがって、治具6を上下動させるための機構が必要となるばかりか、TAB 形状に応じた治具6が必要となるので、実装装置のコストアップを招いてしまう 。更には、治具6によるリード線2の浮き上がりの抑制が必要となることから、 ボンディング密度が極めて高い場合でも局部的に加熱することによって半田付け 効率を高めることができる非接触での半田付けが不可能となってしまうという不 具合もある。
【0012】 本考案は、このような事情に対処してなされたもので、リード線の強度を高め ることにより、半田付け時のリード線の変形を防止することができ、しかもボン ディング密度が極めて高い場合でも非接触での半田付けを容易且つ確実に行うこ とができる半導体素子を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本考案は、上記目的を達成するために、面取付実装タイプの半導体素子本体の 側部に対して高密度で配設されたリード線が絶縁フィルムによって連結されてな る半導体素子において、前記リード線を樹脂によって連結してなることを特徴と する。
【0014】
【作用】
本考案の半導体素子では、リード線の強度を高めるために、リード線を樹脂に よって連結したものであり、半田付け時における熱によってリード線を連結して いる絶縁フィルムが熱変形してもその影響によるリード線の変形量を少なくする ことができる。
【0015】 したがって、従来のようなリード線の浮き上がりを抑えるための治具を必要と しなくてもリード線と基板のランドパターンとの接合状態を安定させることがで きるので、ボンディング密度が極めて高い場合でもたとえばレーザ光による非接 触での半田付けを行うことができる。
【0016】
【実施例】
以下、本考案の実施例の詳細を図面に基づいて説明する。なお、以下に説明す る図において、図1及び図2と共通する部分には同一符号を付し重複する説明を 省略する。
【0017】 図3は、本考案の半導体素子の一実施例を示すものであり、半導体チップ1の リード線2の端部にはポリイミドフィルム3が残されている。
【0018】 また、半導体チップ1のリード線2の端部にはモールド成形によってリング状 に形成された樹脂部7が設けられている。樹脂部7は、リード線2の上下面に形 成されている。これにより、リード線2の端部がリング状の樹脂部7によって一 体化される。
【0019】 このような構成の半導体素子を基板5上に実装する場合には、たとえば基板5 上のランドパターン9に予め半田コートを施しておき、更に搭載直前にプリコー ト上にフラックスを塗布する。プリコートした半田高さは10〜15μm程度で ある。
【0020】 ボンディング時においては、基板5上の実装位置に半導体チップ1を位置決め する。位置決めに際しては、CCDカメラによりたとえばセンタ位置検出のため の仮認識や実装精度確保のための本認識を行う。基板5に対しても実装ポイント 毎に認識を行い、各認識情報を基にX,Y,θを補正し実装する。
【0021】 次いで、位置決めされた半導体チップ1のそれぞれのリード線2に対して非接 触での半田付けを行う。非接触での半田付けに際しては、たとえばレーザ光の照 射によって行う。
【0022】 ここで、レーザ光は半田付け部のみを局部的に加熱することができるため、半 導体チップ1への熱による影響が少ない。また、光ファイバによってレーザ光を 導くことにより、局所的な半田付けが可能となる。
【0023】 このとき、レーザ光の熱によりリード線2の端部に残されているポリイミドフ ィルム3が熱変形し、リード線2が変形しようとするが、リング状の樹脂部7に よってリード線2の強度が高められているため、リード線2の変形量が僅かなも のとされる。
【0024】 したがって、各リード線2のランドパターン9からの浮き上がりやズレを極め て小さくすることができた。
【0025】 図4は、図3の樹脂部7の構成を変えた場合の他の実施例を示すもので、この 例ではリード線2の端部上面に塗布したエポキシ系接着剤8上に、エポキシ樹脂 7aが固着されている。
【0026】 このように、以上の各実施例では、リード線2の端部にリング状の樹脂部7又 はエポキシ樹脂7aを形成し、リード線2の強度を高めるようにしたので、半田 付け時における熱によってリード線2の端部に残されているポリイミドフィルム 3が熱変形してもその影響によるリード線2の変形量を少なくすることができる 。
【0027】 したがって、従来のようなリード線2の浮き上がりを抑えるための治具6を必 要としなくてもリード線2とランドパターン9との接合状態を安定させることが できるので、ボンディング密度が極めて高い場合でもたとえばレーザ光による非 接触での半田付けを行うことができる。
【0028】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の半導体素子によれば、リード線の強度を高める ために、リード線を樹脂によって連結したものであり、半田付け時における熱に よってリード線を連結している絶縁フィルムが熱膨張してもその影響によるリー ド線の変形量を少なくすることができる。
【0029】 したがって、従来のようなリード線の浮き上がりを抑えるための治具を必要と しなくてもリード線と基板のランドパターンとの接合状態を安定させることがで きるので、ボンディング密度が極めて高い場合でもたとえばレーザ光による非接 触での半田付けを行うことができる。
【0030】 また、治具が不要となることから、治具を上下動させるための機構が不要とな り、しかもTAB形状に応じた治具も不要となるので、実装装置のコストアップ を招いてしまうという不具合を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のTAB方式による半導体素子の一例を示
す背面図である。
【図2】図1の半導体素子の実装方法を示す図である。
【図3】本考案の半導体素子の一実施例を示す図であ
る。
【図4】図3の樹脂部の構成を変えた場合の他の実施例
を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 リード線 3 ポリイミドフィルム 5 基板 7 樹脂部 7a エポキシ樹脂 8 エポキシ系接着剤 9 ランドパターン

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 面取付実装タイプの半導体素子本体の側
    部に対して高密度で配設されたリード線が絶縁フィルム
    によって連結されてなる半導体素子において、 前記リード線を樹脂によって連結してなることを特徴と
    する半導体素子。
JP6025392U 1992-08-04 1992-08-04 半導体素子 Pending JPH0617237U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6025392U JPH0617237U (ja) 1992-08-04 1992-08-04 半導体素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6025392U JPH0617237U (ja) 1992-08-04 1992-08-04 半導体素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0617237U true JPH0617237U (ja) 1994-03-04

Family

ID=13136827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6025392U Pending JPH0617237U (ja) 1992-08-04 1992-08-04 半導体素子

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JP (1) JPH0617237U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171947A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171947A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置

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