JPH06166561A - Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその形成方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその形成方法Info
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- JPH06166561A JPH06166561A JP4341647A JP34164792A JPH06166561A JP H06166561 A JPH06166561 A JP H06166561A JP 4341647 A JP4341647 A JP 4341647A JP 34164792 A JP34164792 A JP 34164792A JP H06166561 A JPH06166561 A JP H06166561A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＩＴＯ焼結体において、図１に示されるＧｅ
Ｏ2 −ＢｉＯ3 二成分系における点１，２，３，４およ
び５で囲まれる領域に相当するＧｅＯ2 及びＢｉＯ3 組
成を含有する焼結体、および同一の組成の添加剤を含む
ＩＴＯ焼結体。上記透明電導膜は、上記焼結体をターゲ
ットとし、Ａｒ−Ｏ2 −Ｈ2 混合ガス中でスパッタリン
グすることにより形成される。 【効果】 焼結体の相対密度が９０％以上と高く、それ
から形成される透明電導膜は、高い光透過率を維持しつ
つ、２×１０-4Ωｃｍより低い比抵抗値を有する。
Ｏ2 −ＢｉＯ3 二成分系における点１，２，３，４およ
び５で囲まれる領域に相当するＧｅＯ2 及びＢｉＯ3 組
成を含有する焼結体、および同一の組成の添加剤を含む
ＩＴＯ焼結体。上記透明電導膜は、上記焼結体をターゲ
ットとし、Ａｒ−Ｏ2 −Ｈ2 混合ガス中でスパッタリン
グすることにより形成される。 【効果】 焼結体の相対密度が９０％以上と高く、それ
から形成される透明電導膜は、高い光透過率を維持しつ
つ、２×１０-4Ωｃｍより低い比抵抗値を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明電導膜の形成に使
用するスパッタリングターゲット材などとして有用なＩ
ＴＯ焼結体、ならびに該焼結体から得られるＩＴＯ透明
電導膜およびその形成方法に関する。本発明のＩＴＯ焼
結体は、高い焼結体密度を有し、この焼結体から比抵抗
が小さい透明電導膜を得ることができる。この透明電導
膜は、特に液晶ディスプレー、エレクトロルミネッセン
ス、エレクトロクロミックディスプレーの透明電極に用
いるのに好適である。
用するスパッタリングターゲット材などとして有用なＩ
ＴＯ焼結体、ならびに該焼結体から得られるＩＴＯ透明
電導膜およびその形成方法に関する。本発明のＩＴＯ焼
結体は、高い焼結体密度を有し、この焼結体から比抵抗
が小さい透明電導膜を得ることができる。この透明電導
膜は、特に液晶ディスプレー、エレクトロルミネッセン
ス、エレクトロクロミックディスプレーの透明電極に用
いるのに好適である。
【０００２】
【従来の技術】透明電導膜としては金、白金等の金属あ
るいは酸化錫、酸化インジウム等の酸化物を基板上に成
膜したものが知られている。この中で液晶表示等に用い
られるのは酸化インジウムに酸化錫を添加したＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が主流である。
それはＩＴＯが高透明性、低抵抗性である他、エッチン
グ性、化学的安定性、基板への付着性等が良好なためで
ある。
るいは酸化錫、酸化インジウム等の酸化物を基板上に成
膜したものが知られている。この中で液晶表示等に用い
られるのは酸化インジウムに酸化錫を添加したＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が主流である。
それはＩＴＯが高透明性、低抵抗性である他、エッチン
グ性、化学的安定性、基板への付着性等が良好なためで
ある。
【０００３】透明電導膜の成膜方法としては、真空蒸
着、イオンプレーティング、スパッタリング等の物理蒸
着法、熱分解等の化学反応で成膜する化学蒸着法、スプ
レー、ティップ等による塗布法等がある。この中で膜の
緻密性が良く、低抵抗膜が容易に得られることから物理
蒸着法、その中でもスパッタリング法が主流となってい
る。スパッタリング法でＩＴＯ膜を形成する際、スパッ
タリングターゲットとして酸化インジウムに酸化錫を添
加したＩＴＯ焼結体が用いられる場合が多い。
着、イオンプレーティング、スパッタリング等の物理蒸
着法、熱分解等の化学反応で成膜する化学蒸着法、スプ
レー、ティップ等による塗布法等がある。この中で膜の
緻密性が良く、低抵抗膜が容易に得られることから物理
蒸着法、その中でもスパッタリング法が主流となってい
る。スパッタリング法でＩＴＯ膜を形成する際、スパッ
タリングターゲットとして酸化インジウムに酸化錫を添
加したＩＴＯ焼結体が用いられる場合が多い。
【０００４】ＩＴＯ焼結体は、通常、酸化インジウムに
酸化錫を加えた粉、あるいはそれを仮焼した粉を、コー
ルドプレス、鋳込み等で成形し、その成形体を大気中で
１２００℃以上で焼成するなどの方法によって製造され
る。しかし、ＩＴＯ粉末は焼結性が悪く、この方法では
密度が高々４．９ｇ／ｃｍ3 （理論密度を７．０ｇ／ｃ
ｍ3 としたとき相対密度７０％）程度の焼結体しか得ら
れなかった。
酸化錫を加えた粉、あるいはそれを仮焼した粉を、コー
ルドプレス、鋳込み等で成形し、その成形体を大気中で
１２００℃以上で焼成するなどの方法によって製造され
る。しかし、ＩＴＯ粉末は焼結性が悪く、この方法では
密度が高々４．９ｇ／ｃｍ3 （理論密度を７．０ｇ／ｃ
ｍ3 としたとき相対密度７０％）程度の焼結体しか得ら
れなかった。
【０００５】また、原子価制御に基づく半導体化機構に
よるＩＴＯ透明電導膜の低抵抗化技術としては、次のよ
うな例がある。特開昭５９−１６３７０７ではＩＴＯに
酸化ルテニウム、酸化鉛、酸化銅を添加し、特開昭５９
−７１２０５ではＩＴＯに酸化りんを、特開昭６１−２
９４７０３、特開昭６３−７８４０４では酸化インジウ
ム、ＩＴＯにそれぞれフッ化アルミニウムを、特開昭６
３−１７８４１４ではＩＴＯに酸化テルルを、特開昭６
４−１０５０７ではＩＴＯに酸化ケイ素を、特開平１−
２８３３６９ではＩＴＯに酸化セレンまたはフッ化スズ
を、特開平３−１９９３７３にはＩＴＯにＩ、Ｂｒをそ
れぞれ添加し透明電導膜の低抵抗化等を図っている。
よるＩＴＯ透明電導膜の低抵抗化技術としては、次のよ
うな例がある。特開昭５９−１６３７０７ではＩＴＯに
酸化ルテニウム、酸化鉛、酸化銅を添加し、特開昭５９
−７１２０５ではＩＴＯに酸化りんを、特開昭６１−２
９４７０３、特開昭６３−７８４０４では酸化インジウ
ム、ＩＴＯにそれぞれフッ化アルミニウムを、特開昭６
３−１７８４１４ではＩＴＯに酸化テルルを、特開昭６
４−１０５０７ではＩＴＯに酸化ケイ素を、特開平１−
２８３３６９ではＩＴＯに酸化セレンまたはフッ化スズ
を、特開平３−１９９３７３にはＩＴＯにＩ、Ｂｒをそ
れぞれ添加し透明電導膜の低抵抗化等を図っている。
【０００６】一方、還元に基づく半導体化により透明電
導膜の低抵抗化を図る例としては、ＵＳＰ４，３９９，
１９４がある。この例では酸化インジウムに酸化ジルコ
ニウムを４０〜６０ｗｔ％添加し、比抵抗４．４×１０
-4Ωｃｍ、光透過率８０％の特性を得ている。
導膜の低抵抗化を図る例としては、ＵＳＰ４，３９９，
１９４がある。この例では酸化インジウムに酸化ジルコ
ニウムを４０〜６０ｗｔ％添加し、比抵抗４．４×１０
-4Ωｃｍ、光透過率８０％の特性を得ている。
【０００７】低密度の焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた場合、１枚の同一寸法のターゲットで使
用できるＩＴＯ量は少なくなり、ターゲット寿命が短
く、ターゲットの交換頻度が多く、スパッタリング装置
の稼働率が低くなる。また、焼結密度が低い程、スパッ
タリング時に起こるターゲット表面の黒化現象が顕著
で、成膜速度が経時的に遅くなるとともに透明電導膜の
比抵抗が高くなる。そのため、表面の黒化物を取り除く
ため、実質的なターゲットの使用量も少なくなるととも
にスパッタリング装置の稼働率は更に低下する。
トとして用いた場合、１枚の同一寸法のターゲットで使
用できるＩＴＯ量は少なくなり、ターゲット寿命が短
く、ターゲットの交換頻度が多く、スパッタリング装置
の稼働率が低くなる。また、焼結密度が低い程、スパッ
タリング時に起こるターゲット表面の黒化現象が顕著
で、成膜速度が経時的に遅くなるとともに透明電導膜の
比抵抗が高くなる。そのため、表面の黒化物を取り除く
ため、実質的なターゲットの使用量も少なくなるととも
にスパッタリング装置の稼働率は更に低下する。
【０００８】従って、ターゲット一枚当たりのＩＴＯ使
用量を上げるとともに、スパッタリング装置の稼働率向
上、安定操業のために、ＩＴＯ焼結体ターゲットの密度
向上、少なくとも相対密度７０％を越えるものが求めら
れている。この要求に対し、従来の成形焼成工程におい
て、ホットプレス、ＨＩＰを用いたり、焼成雰囲気をコ
ントロールする方法で高密度化を図り、最高で相対密度
９８％のものも得ている（特開平３−２０７８５８）
が、設備および生産コストともに高く問題がある。
用量を上げるとともに、スパッタリング装置の稼働率向
上、安定操業のために、ＩＴＯ焼結体ターゲットの密度
向上、少なくとも相対密度７０％を越えるものが求めら
れている。この要求に対し、従来の成形焼成工程におい
て、ホットプレス、ＨＩＰを用いたり、焼成雰囲気をコ
ントロールする方法で高密度化を図り、最高で相対密度
９８％のものも得ている（特開平３−２０７８５８）
が、設備および生産コストともに高く問題がある。
【０００９】また、原料ＩＴＯ粉の粒度をコントロール
して焼結体の高密度化を図る技術が提案されている（特
開昭６２−１２００９、特開平３−２１８９２４等）
が、原料の調製が難しく、そのコストも高いものであ
る。上記のようなコスト高を考慮した焼結体の緻密化の
方法として、焼結助剤を添加する方法がある。
して焼結体の高密度化を図る技術が提案されている（特
開昭６２−１２００９、特開平３−２１８９２４等）
が、原料の調製が難しく、そのコストも高いものであ
る。上記のようなコスト高を考慮した焼結体の緻密化の
方法として、焼結助剤を添加する方法がある。
【００１０】特公平１−２１１０９では酸化インジウム
またはＩＴＯに焼結助剤としてＳｉおよび／またはＧｅ
の酸化物を添加して最大の相対密度９０％の焼結体も得
ている。しかし、本発明者が追試したところ膜特性の最
も良いものは、組成がＩＴＯにＧｅＯ2 を０．５ｗｔ％
添加したもので、膜の比抵抗は２．０×１０-4Ωｃｍで
あるが、焼結体密度は７９％に留まった。ＧｅＯ2 を１
５ｗｔ％加えると、焼結体密度は９０％となるが、膜の
比抵抗は２．９×１０-4Ωｃｍと悪化する。
またはＩＴＯに焼結助剤としてＳｉおよび／またはＧｅ
の酸化物を添加して最大の相対密度９０％の焼結体も得
ている。しかし、本発明者が追試したところ膜特性の最
も良いものは、組成がＩＴＯにＧｅＯ2 を０．５ｗｔ％
添加したもので、膜の比抵抗は２．０×１０-4Ωｃｍで
あるが、焼結体密度は７９％に留まった。ＧｅＯ2 を１
５ｗｔ％加えると、焼結体密度は９０％となるが、膜の
比抵抗は２．９×１０-4Ωｃｍと悪化する。
【００１１】また、特開昭５９−１９８６０２には、Ｉ
ＴＯに対しＡｌ，Ｗ，Ｔｈ，Ｍｏ元素を添加した透明電
導膜が記載されているが、膜抵抗も１．２×１０-2〜
２．４２×１０-2Ωｃｍと高く、本発明者が追試したと
ころ焼結体密度も理論密度に対する相対密度が７０％未
満と低い。
ＴＯに対しＡｌ，Ｗ，Ｔｈ，Ｍｏ元素を添加した透明電
導膜が記載されているが、膜抵抗も１．２×１０-2〜
２．４２×１０-2Ωｃｍと高く、本発明者が追試したと
ころ焼結体密度も理論密度に対する相対密度が７０％未
満と低い。
【００１２】また、ここ数年、ワープロ、テレビ用等に
液晶表示が多用され、その液晶画面の大型化が進んでき
た結果、従来の透明電導膜の比抵抗値を悪くすることな
く、光透過率を向上させる必要が生じてきた。この際
に、比抵抗値を低く維持することは、電極の膜厚を薄く
することができ、そのため良好なエッチング性も可能と
なる。透明電導膜の膜厚が２０００Åを越えるとエッチ
ング時間が長くなり、パターンの断線、膜表面状態の悪
化による抵抗不均一性等を起こし歩留まりの低下をきた
す。
液晶表示が多用され、その液晶画面の大型化が進んでき
た結果、従来の透明電導膜の比抵抗値を悪くすることな
く、光透過率を向上させる必要が生じてきた。この際
に、比抵抗値を低く維持することは、電極の膜厚を薄く
することができ、そのため良好なエッチング性も可能と
なる。透明電導膜の膜厚が２０００Åを越えるとエッチ
ング時間が長くなり、パターンの断線、膜表面状態の悪
化による抵抗不均一性等を起こし歩留まりの低下をきた
す。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
み、本発明の目的は、相対密度９０％以上の高密度ＩＴ
Ｏ焼結体であって、比抵抗の低い透明電導膜を得ること
ができるＩＴＯ焼結体を提供することにある。さらに、
他の目的は、従来から使用されている透明電導膜の比抵
抗値２×１０-4Ωｃｍを凌ぐ低い比抵抗値を有し、且つ
９０％を超える高い光透過率を有し、薄く、短縮された
エッチング時間をもって、高い歩留まりで製造すること
ができるＩＴＯ透明電導膜を提供することにある。
み、本発明の目的は、相対密度９０％以上の高密度ＩＴ
Ｏ焼結体であって、比抵抗の低い透明電導膜を得ること
ができるＩＴＯ焼結体を提供することにある。さらに、
他の目的は、従来から使用されている透明電導膜の比抵
抗値２×１０-4Ωｃｍを凌ぐ低い比抵抗値を有し、且つ
９０％を超える高い光透過率を有し、薄く、短縮された
エッチング時間をもって、高い歩留まりで製造すること
ができるＩＴＯ透明電導膜を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決すべ
く、種々検討した結果、ＩＴＯ焼結体において、図１に
示されるＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 二成分系図における下記
組成を示す点１，２，３，４および５で囲まれる領域に
相当するＧｅＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 組成を含有する焼結
体が高い密度を有し、低い比抵抗値を有する透明電導膜
の形成に有用なことが判明した。
く、種々検討した結果、ＩＴＯ焼結体において、図１に
示されるＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 二成分系図における下記
組成を示す点１，２，３，４および５で囲まれる領域に
相当するＧｅＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 組成を含有する焼結
体が高い密度を有し、低い比抵抗値を有する透明電導膜
の形成に有用なことが判明した。
【００１５】また、上記の組成を持つＩＴＯ焼結体をタ
ーゲットとし、真空槽内にＡｒガスとＯ2 ガスとＨ2 ガ
スとからなる混合ガスを、全圧に対しＯ2 ガス、Ｈ2 ガ
スともそれぞれ０．２ｐｐｍ〜２０％含み、残部がＡｒ
となるような割合で、全圧１×１０-3ｔｏｒｒ〜５×１
０-2ｔｏｒｒとなるように導入し、スパッタリングを行
うことによって、比抵抗値の低いＩＴＯ透明電導膜が有
利に形成できることが判明した。
ーゲットとし、真空槽内にＡｒガスとＯ2 ガスとＨ2 ガ
スとからなる混合ガスを、全圧に対しＯ2 ガス、Ｈ2 ガ
スともそれぞれ０．２ｐｐｍ〜２０％含み、残部がＡｒ
となるような割合で、全圧１×１０-3ｔｏｒｒ〜５×１
０-2ｔｏｒｒとなるように導入し、スパッタリングを行
うことによって、比抵抗値の低いＩＴＯ透明電導膜が有
利に形成できることが判明した。
【００１６】ＩＴＯ焼結体およびＩＴＯ透明電導膜にお
いては、酸化インジウムに対し錫が酸化物の混合物また
は固溶体として存在しているが、本発明の焼結体および
電導膜においてもＢｉおよびＧｅのそれぞれが酸化物と
して混合されているが、複合酸化物としてか、固溶体と
してか、またはそれらの混合状態で存在していると思わ
れる。その状態は正確に同定し難いので、本発明では、
便宜上それぞれの酸化物として組成表示した。
いては、酸化インジウムに対し錫が酸化物の混合物また
は固溶体として存在しているが、本発明の焼結体および
電導膜においてもＢｉおよびＧｅのそれぞれが酸化物と
して混合されているが、複合酸化物としてか、固溶体と
してか、またはそれらの混合状態で存在していると思わ
れる。その状態は正確に同定し難いので、本発明では、
便宜上それぞれの酸化物として組成表示した。
【００１７】本発明のＩＴＯ焼結体中の酸化錫量は０．
０５〜２５ｗｔ％が好ましい。０．０５ｗｔ％未満で
も、２５ｗｔ％を越えても、それによって造られる透明
電導膜の比抵抗は大きくなるので好ましくない。本発明
の焼結体および透明電導膜は、上記の範囲の酸化錫量を
含み、さらにＢｉ2 Ｏ3 およびＧｅＯ2 を前述の組成範
囲内で含むことを特徴としている。
０５〜２５ｗｔ％が好ましい。０．０５ｗｔ％未満で
も、２５ｗｔ％を越えても、それによって造られる透明
電導膜の比抵抗は大きくなるので好ましくない。本発明
の焼結体および透明電導膜は、上記の範囲の酸化錫量を
含み、さらにＢｉ2 Ｏ3 およびＧｅＯ2 を前述の組成範
囲内で含むことを特徴としている。
【００１８】焼結体の製造に関して、酸化インジウムの
出発原料としてはＩｎの酸化物が一般的であるが、Ｉｎ
金属、水酸化物、ふっ化物、硫酸塩、硝酸塩などを用い
てもよい。ただし、酸化物以外の原料を用いる場合は酸
化性の雰囲気で仮焼または焼成することにより酸化物系
焼結体とする。酸化錫の出発原料も酸化物が一般的であ
るが、Ｓｎ金属、水酸化物、ふっ化物、硫化物、硫酸
塩、硝酸塩等を用いてもよい。ＳｎもＩｎと同様に最終
的には酸化物とする。酸化ビスマスの出発原料も酸化物
が一般的であるが、Ｂｉ金属、水酸化物、よう化物、硫
化物、硫酸塩、硝酸塩等を用いてもよい。Ｂｉの酸化物
以外の原料を用いる場合は、焼成時に焼結の始まる９５
０℃までに酸化物となっていればよい。酸化ゲルマニウ
ムの出発原料も酸化物が一般的であるが、Ｇｅ金属、塩
化物、臭化物、よう化物、ふっ化物、硫化物等を用いて
もよい。ＧｅもＢｉと同様に焼成時の９５０℃までに酸
化物となっていればよい。
出発原料としてはＩｎの酸化物が一般的であるが、Ｉｎ
金属、水酸化物、ふっ化物、硫酸塩、硝酸塩などを用い
てもよい。ただし、酸化物以外の原料を用いる場合は酸
化性の雰囲気で仮焼または焼成することにより酸化物系
焼結体とする。酸化錫の出発原料も酸化物が一般的であ
るが、Ｓｎ金属、水酸化物、ふっ化物、硫化物、硫酸
塩、硝酸塩等を用いてもよい。ＳｎもＩｎと同様に最終
的には酸化物とする。酸化ビスマスの出発原料も酸化物
が一般的であるが、Ｂｉ金属、水酸化物、よう化物、硫
化物、硫酸塩、硝酸塩等を用いてもよい。Ｂｉの酸化物
以外の原料を用いる場合は、焼成時に焼結の始まる９５
０℃までに酸化物となっていればよい。酸化ゲルマニウ
ムの出発原料も酸化物が一般的であるが、Ｇｅ金属、塩
化物、臭化物、よう化物、ふっ化物、硫化物等を用いて
もよい。ＧｅもＢｉと同様に焼成時の９５０℃までに酸
化物となっていればよい。
【００１９】これら４元素の原料化合物は、同時に混合
してもよく、またあらかじめ２元素以上の化合物を混合
して仮焼し、仮焼した粉と他の元素の化合物とを混合し
てもよい。原料の混合には乳鉢混合、ボールミル混合等
が用いられる。原料粉末は２μｍ以下にするのが好まし
い。混合した粉を仮焼する場合は４００〜１５００℃で
行われる。
してもよく、またあらかじめ２元素以上の化合物を混合
して仮焼し、仮焼した粉と他の元素の化合物とを混合し
てもよい。原料の混合には乳鉢混合、ボールミル混合等
が用いられる。原料粉末は２μｍ以下にするのが好まし
い。混合した粉を仮焼する場合は４００〜１５００℃で
行われる。
【００２０】得られた粉にはポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などのバイン
ダーを加え、スプレードライヤーなどで１〜５０μｍに
造粒し、５００〜８０００ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力にて
成形する。またはＰＶＡなどのバインダーとともにスラ
リーとし、鋳込み成形してもよい。成形体は乾燥、脱脂
をする場合もある。得られた成形体の焼結は１２００〜
１６００℃で行われる。焼結を大気中で行うことによっ
て十分緻密化できるが、もちろんホットプレス、ＨＩ
Ｐ、雰囲気調製による焼成を行っても良い。
ＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などのバイン
ダーを加え、スプレードライヤーなどで１〜５０μｍに
造粒し、５００〜８０００ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力にて
成形する。またはＰＶＡなどのバインダーとともにスラ
リーとし、鋳込み成形してもよい。成形体は乾燥、脱脂
をする場合もある。得られた成形体の焼結は１２００〜
１６００℃で行われる。焼結を大気中で行うことによっ
て十分緻密化できるが、もちろんホットプレス、ＨＩ
Ｐ、雰囲気調製による焼成を行っても良い。
【００２１】一般に、透明電導膜を形成する方法として
は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法が採られる
が、他にイオンプレーティング法、化学蒸着法、塗布法
も用いられる。各成膜原料に適した方法が選ばれる。こ
れらの中でも、スパッタリング法は、最も広い添加量の
範囲で低抵抗膜が得られるので有利である。スパッタリ
ング法、電子ビーム蒸着法では、蒸着材（ターゲット）
としてインジウムと添加元素の酸化物の焼結体またはこ
れらの合金が用いられる。焼結体を用い、スパッタリン
グで成膜する場合には、ターゲットとして焼結体と被成
膜基板とをセットし、１×１０-5ｔｏｒｒ以下に真空引
きした後、焼結体の場合はＡｒガスのみか、Ａｒガスと
Ｏ2 ガスとからなる混合ガスか、ＡｒガスとＯ2 ガスと
Ｈ2 ガスとからなる混合ガスを導入し成膜する。
は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法が採られる
が、他にイオンプレーティング法、化学蒸着法、塗布法
も用いられる。各成膜原料に適した方法が選ばれる。こ
れらの中でも、スパッタリング法は、最も広い添加量の
範囲で低抵抗膜が得られるので有利である。スパッタリ
ング法、電子ビーム蒸着法では、蒸着材（ターゲット）
としてインジウムと添加元素の酸化物の焼結体またはこ
れらの合金が用いられる。焼結体を用い、スパッタリン
グで成膜する場合には、ターゲットとして焼結体と被成
膜基板とをセットし、１×１０-5ｔｏｒｒ以下に真空引
きした後、焼結体の場合はＡｒガスのみか、Ａｒガスと
Ｏ2 ガスとからなる混合ガスか、ＡｒガスとＯ2 ガスと
Ｈ2 ガスとからなる混合ガスを導入し成膜する。
【００２２】本発明の焼結体をターゲットとして用いス
パッタリングする場合、真空槽内に、ＡｒガスとＯ2 ガ
スとＨ2 ガスとからなる混合ガスを、Ｏ2 ガスおよびＨ
2 ガスがそれぞれ０．２ｐｐｍ〜２０％含まれ、残部が
Ａｒとなるような割合で全圧１×１０-3ｔｏｒｒ〜５×
１０-2ｔｏｒｒとなるように導入する。
パッタリングする場合、真空槽内に、ＡｒガスとＯ2 ガ
スとＨ2 ガスとからなる混合ガスを、Ｏ2 ガスおよびＨ
2 ガスがそれぞれ０．２ｐｐｍ〜２０％含まれ、残部が
Ａｒとなるような割合で全圧１×１０-3ｔｏｒｒ〜５×
１０-2ｔｏｒｒとなるように導入する。
【００２３】この際、スパッタリングガス中のＯ2 分圧
が高くなると透過率が高くなり、抵抗値は低下してくる
が、高くなりすぎると抵抗値は、逆に増加する。Ｏ2 ガ
スを加えずＡｒガスのみをスパッタリングガスとしても
酸化物中の酸素が混合スパッタリングガス中のＯ2 ガス
と同様の働きをするので、抵抗値等の膜特性はあまり悪
化しない。しかしながら、或る割合以上のＯ2 ガスが存
在するほうが有利であり、従って、本発明の電導膜形成
方法においては、Ｏ2 ガスを０．２ｐｐｍ〜２０％の割
合でスパッタリング混合ガス中に含有せしめる。
が高くなると透過率が高くなり、抵抗値は低下してくる
が、高くなりすぎると抵抗値は、逆に増加する。Ｏ2 ガ
スを加えずＡｒガスのみをスパッタリングガスとしても
酸化物中の酸素が混合スパッタリングガス中のＯ2 ガス
と同様の働きをするので、抵抗値等の膜特性はあまり悪
化しない。しかしながら、或る割合以上のＯ2 ガスが存
在するほうが有利であり、従って、本発明の電導膜形成
方法においては、Ｏ2 ガスを０．２ｐｐｍ〜２０％の割
合でスパッタリング混合ガス中に含有せしめる。
【００２４】Ｈ2 を導入しなくても低抵抗化することが
できるが、Ｈ2 を導入すると、膜の光透過率を損なうこ
と無く、低抵抗化できる。Ｈ2 分圧が１×１０-3ｔｏｒ
ｒを越えると、光透過率が低下する。従って、本発明の
電導膜形成方法においては、Ｈ2 ガスを０．２ｐｐｍ〜
２０％の割合でスパッタリング混合ガス中に含有せしめ
る。スパッタリングガスの全圧が１×１０-3ｔｏｒｒ未
満の低い圧力では安定したプラズマが発生せず、また、
５×１０-2ｔｏｒｒを越える高圧では膜の抵抗値を悪化
する。
できるが、Ｈ2 を導入すると、膜の光透過率を損なうこ
と無く、低抵抗化できる。Ｈ2 分圧が１×１０-3ｔｏｒ
ｒを越えると、光透過率が低下する。従って、本発明の
電導膜形成方法においては、Ｈ2 ガスを０．２ｐｐｍ〜
２０％の割合でスパッタリング混合ガス中に含有せしめ
る。スパッタリングガスの全圧が１×１０-3ｔｏｒｒ未
満の低い圧力では安定したプラズマが発生せず、また、
５×１０-2ｔｏｒｒを越える高圧では膜の抵抗値を悪化
する。
【００２５】また、基板温度は１５０〜５００℃、ター
ゲットの投入電力は０．５〜４Ｗ／ｃｍ2 で成膜するこ
とが好ましい。ここで投入電力はターゲット１ｃｍ2 当
たりの電力をいい、スパッタリングガスのプラズマ化と
プラズマを構成するイオンを加速するのに用いられる。
基板温度が１５０℃未満では抵抗値が劣り、５００℃を
越えると基板が変形するために使用に耐えなくなる。投
入電力が０．５Ｗ／ｃｍ2 未満では蒸着速度が遅くな
り、生産効率が悪くなり、逆に、４Ｗ／ｃｍ2 を越える
と抵抗値が劣る。
ゲットの投入電力は０．５〜４Ｗ／ｃｍ2 で成膜するこ
とが好ましい。ここで投入電力はターゲット１ｃｍ2 当
たりの電力をいい、スパッタリングガスのプラズマ化と
プラズマを構成するイオンを加速するのに用いられる。
基板温度が１５０℃未満では抵抗値が劣り、５００℃を
越えると基板が変形するために使用に耐えなくなる。投
入電力が０．５Ｗ／ｃｍ2 未満では蒸着速度が遅くな
り、生産効率が悪くなり、逆に、４Ｗ／ｃｍ2 を越える
と抵抗値が劣る。
【００２６】成膜速度は投入電力のほかスパッタリング
ガスの全圧、基板間距離等によって決まるが、同一の成
膜速度でも膜の特性に優劣がでる。以上のことを考慮し
つつ、膜の比抵抗が９０％以上で、できるだけ高く、か
つもっとも低い抵抗値をとるスパッタリング条件を選ぶ
ことが好ましい。
ガスの全圧、基板間距離等によって決まるが、同一の成
膜速度でも膜の特性に優劣がでる。以上のことを考慮し
つつ、膜の比抵抗が９０％以上で、できるだけ高く、か
つもっとも低い抵抗値をとるスパッタリング条件を選ぶ
ことが好ましい。
【００２７】また、スパッタリング法に比べると劣るが
電子ビーム蒸着法で成膜することもできる。この場合に
は、Ａｒガスは導入しないがＯ2 ガスのみか、Ｏ2 ガス
とＨ2 ガスの導入ガスを導入し、基板加熱することは、
スパッタリングと同様で、蒸着速度は電子ビームの電
圧、電流、ビーム径で決まる。水素分圧、基板温度、蒸
着速度を適当に選び、透過率９０％以上で抵抗値の最も
低い膜を得る。最初の到達真空度としては１０-5ｔｏｒ
ｒ以下とし、その後のＯ2 ガス分圧を０．１×１０-4〜
５×１０-4ｔｏｒｒ、Ｈ2 ガス分圧０．１×１０-5〜５
×１０-5ｔｏｒｒ、基板温度２００〜４００℃、蒸着速
度０．５×１０Å／ｓｅｃが適当な条件である。被成膜
基板としては、ガラス、プラスチックのシートやフィル
ムなどあるいは、それらに保護膜や機能性膜を施したも
のなどが用いられる。
電子ビーム蒸着法で成膜することもできる。この場合に
は、Ａｒガスは導入しないがＯ2 ガスのみか、Ｏ2 ガス
とＨ2 ガスの導入ガスを導入し、基板加熱することは、
スパッタリングと同様で、蒸着速度は電子ビームの電
圧、電流、ビーム径で決まる。水素分圧、基板温度、蒸
着速度を適当に選び、透過率９０％以上で抵抗値の最も
低い膜を得る。最初の到達真空度としては１０-5ｔｏｒ
ｒ以下とし、その後のＯ2 ガス分圧を０．１×１０-4〜
５×１０-4ｔｏｒｒ、Ｈ2 ガス分圧０．１×１０-5〜５
×１０-5ｔｏｒｒ、基板温度２００〜４００℃、蒸着速
度０．５×１０Å／ｓｅｃが適当な条件である。被成膜
基板としては、ガラス、プラスチックのシートやフィル
ムなどあるいは、それらに保護膜や機能性膜を施したも
のなどが用いられる。
【００２８】
【作用】酸化インジウムに酸化錫のみを添加したＩＴＯ
は焼結時蒸気圧が高いため、蒸発と凝縮とによる焼結機
構をとり、収縮が起こり難く、焼結体の緻密化は進まな
い。
は焼結時蒸気圧が高いため、蒸発と凝縮とによる焼結機
構をとり、収縮が起こり難く、焼結体の緻密化は進まな
い。
【００２９】しかしながら、驚くべきことに、Ｂｉ2 Ｏ
3 を焼結助剤として加えると約８３０℃で液相を形成
し、その液相はＩＴＯの蒸発（昇華）を阻止するため、
蒸発と凝縮とによる焼結は抑えられ、以下に述べる液相
による焼結機構によって焼結が進む。すなわち、液相焼
結は、液相の存在により、物質移動が起こり、収縮を伴
い、焼結体の高密度化が起こる。本発明の前記ＧｅＯ2
−Ｂｉ2 Ｏ3 組成においては、この液相焼結が加速さ
れ、良好な透明電導膜が形成されると考えられる。
3 を焼結助剤として加えると約８３０℃で液相を形成
し、その液相はＩＴＯの蒸発（昇華）を阻止するため、
蒸発と凝縮とによる焼結は抑えられ、以下に述べる液相
による焼結機構によって焼結が進む。すなわち、液相焼
結は、液相の存在により、物質移動が起こり、収縮を伴
い、焼結体の高密度化が起こる。本発明の前記ＧｅＯ2
−Ｂｉ2 Ｏ3 組成においては、この液相焼結が加速さ
れ、良好な透明電導膜が形成されると考えられる。
【００３０】後記実施例に実証されるように、ＩＴＯに
前記特定のＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 組成を組合せることに
よって、相対密度が９０％を超える高密度の焼結体が得
られ、さらに、この焼結体をターゲットとして用いスパ
ッタリングを行うことによって比抵抗値が非常に低く且
つ可視光透過率の大きいＩＴＯ電導膜を工業的有利に得
ることができる。
前記特定のＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 組成を組合せることに
よって、相対密度が９０％を超える高密度の焼結体が得
られ、さらに、この焼結体をターゲットとして用いスパ
ッタリングを行うことによって比抵抗値が非常に低く且
つ可視光透過率の大きいＩＴＯ電導膜を工業的有利に得
ることができる。
【００３１】前記の特定のＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 組成は
臨界的であって、例えば、Ｂｉ2 Ｏ3 を加えない場合
（比較例１０〜１３：焼結体相対密度７２〜８８、電導
膜比抵抗２．０〜２．３×１０-4Ωｃｍ）と比較して、
Ｂｉ2 Ｏ3 が所定量含まれる場合（実施例２１〜２４：
焼結体相対密度９５〜９３、電導膜比抵抗１．２〜１．
３）は、焼結体密度が高く、電導膜比抵抗はかなり低
い。
臨界的であって、例えば、Ｂｉ2 Ｏ3 を加えない場合
（比較例１０〜１３：焼結体相対密度７２〜８８、電導
膜比抵抗２．０〜２．３×１０-4Ωｃｍ）と比較して、
Ｂｉ2 Ｏ3 が所定量含まれる場合（実施例２１〜２４：
焼結体相対密度９５〜９３、電導膜比抵抗１．２〜１．
３）は、焼結体密度が高く、電導膜比抵抗はかなり低
い。
【００３２】
【実施例】以下、実施例および比較例について、本発明
の焼結体ならびに透明電導膜およびその形成方法を具体
的に説明する。 実施例１〜３３、比較例１〜２４ 酸化インジウム（同和ケミカル製酸化インジウムＮ、純
度９９．９９％、平均粒度ｄ50＝０．９３μｍ）９００
ｇと酸化錫（新日本金属製、純度９９．９％、粒度ｄ50
＝０．７２μｍ）１００ｇを容量４．８リットルのボー
ルミルにて２４時間混合した後、大気中で１４５０℃で
１５時間仮焼し、ＩＴＯ粉末を得た。このＩＴＯ粉末に
対して酸化ビスマス（三津和化学薬品製、純度９９．９
％、粒度ｄ50＝０．７８μｍ）と、酸化ゲルマニウム
（和光純薬製、純度９９．９９９９％、粒度ｄ50＝１．
１μｍ）を表１に示すような割合で混合した。表１〜３
には酸化ビスマスと酸化ゲルマニウムの混合量を重量％
で示しており、残部がＩＴＯである。混合はボールミル
で行った。これらそれぞれの混合粉末に、０．０５ｗｔ
％のＰＶＡ溶液を加えて固形分濃度２０ｗｔ％のスラリ
ーとし、このスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾
燥して平均粒径２０μｍの顆粒とした。
の焼結体ならびに透明電導膜およびその形成方法を具体
的に説明する。 実施例１〜３３、比較例１〜２４ 酸化インジウム（同和ケミカル製酸化インジウムＮ、純
度９９．９９％、平均粒度ｄ50＝０．９３μｍ）９００
ｇと酸化錫（新日本金属製、純度９９．９％、粒度ｄ50
＝０．７２μｍ）１００ｇを容量４．８リットルのボー
ルミルにて２４時間混合した後、大気中で１４５０℃で
１５時間仮焼し、ＩＴＯ粉末を得た。このＩＴＯ粉末に
対して酸化ビスマス（三津和化学薬品製、純度９９．９
％、粒度ｄ50＝０．７８μｍ）と、酸化ゲルマニウム
（和光純薬製、純度９９．９９９９％、粒度ｄ50＝１．
１μｍ）を表１に示すような割合で混合した。表１〜３
には酸化ビスマスと酸化ゲルマニウムの混合量を重量％
で示しており、残部がＩＴＯである。混合はボールミル
で行った。これらそれぞれの混合粉末に、０．０５ｗｔ
％のＰＶＡ溶液を加えて固形分濃度２０ｗｔ％のスラリ
ーとし、このスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾
燥して平均粒径２０μｍの顆粒とした。
【００３３】この顆粒を１ｔｏｎ／ｃｍ2 で一軸加圧成
形し、直径９０ｍｍφ、厚さ３．５ｍｍの円盤状成形体
を得た。この成形体を大気中にて１４５０℃で１０時間
焼成した。焼結体の組成（化学分析）および相対密度を
表１〜３に示す。
形し、直径９０ｍｍφ、厚さ３．５ｍｍの円盤状成形体
を得た。この成形体を大気中にて１４５０℃で１０時間
焼成した。焼結体の組成（化学分析）および相対密度を
表１〜３に示す。
【００３４】これら焼結体をそれぞれターゲットとし
て、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置にセットし、
１×１０-6ｔｏｒｒまで真空に引いた後、分圧真空計で
モニターしながら、Ｈ2 ガスを３×１０-7ｔｏｒｒ、Ｏ
2 ガスを３×１０-6ｔｏｒｒ導入し、その後、Ａｒガス
を全圧５×１０-3ｔｏｒｒになるまで導入した。スライ
ドグラス（寸法７６×２６×１ｍｍ）基板を３００℃に
加熱し、投入電力１００Ｗ、基板間距離６５ｍｍの条件
で透明電導膜を作成した。
て、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置にセットし、
１×１０-6ｔｏｒｒまで真空に引いた後、分圧真空計で
モニターしながら、Ｈ2 ガスを３×１０-7ｔｏｒｒ、Ｏ
2 ガスを３×１０-6ｔｏｒｒ導入し、その後、Ａｒガス
を全圧５×１０-3ｔｏｒｒになるまで導入した。スライ
ドグラス（寸法７６×２６×１ｍｍ）基板を３００℃に
加熱し、投入電力１００Ｗ、基板間距離６５ｍｍの条件
で透明電導膜を作成した。
【００３５】実施例のいずれのターゲットもスパッタリ
ングを繰り返してもターゲットの黒化は薄く、スパッタ
速度も１０Å／ｓｅｃでほとんど変化しなかった。得ら
れた透明電導膜の組成はターゲットの組成とほぼ同一で
あることをＥＰＭＡで確かめた。得られた透明電導膜の
厚さ、可視光の平均透過率および比抵抗値を表１〜３に
示す。
ングを繰り返してもターゲットの黒化は薄く、スパッタ
速度も１０Å／ｓｅｃでほとんど変化しなかった。得ら
れた透明電導膜の組成はターゲットの組成とほぼ同一で
あることをＥＰＭＡで確かめた。得られた透明電導膜の
厚さ、可視光の平均透過率および比抵抗値を表１〜３に
示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】実施例３４〜３７、比較例２５，２６ 実施例１と同じ原料粉をそれぞれ用い酸化錫量を変えて
試料を作成した。酸化インジウムおよび酸化錫の混合量
は表４の割合で行い、実施例１と同一条件で仮焼し、Ｉ
ＴＯ粉末とした。それぞれのＩＴＯ粉末に酸化ゲルマニ
ウム１．０ｗｔ％、酸化ビスマス１．５ｗｔ％の割合で
更に混合した。その他の条件は実施例１と同一にして焼
結体を得て、透明電導膜を作製した。焼結体組成、密度
および膜特性値を表４に示す。
試料を作成した。酸化インジウムおよび酸化錫の混合量
は表４の割合で行い、実施例１と同一条件で仮焼し、Ｉ
ＴＯ粉末とした。それぞれのＩＴＯ粉末に酸化ゲルマニ
ウム１．０ｗｔ％、酸化ビスマス１．５ｗｔ％の割合で
更に混合した。その他の条件は実施例１と同一にして焼
結体を得て、透明電導膜を作製した。焼結体組成、密度
および膜特性値を表４に示す。
【００４０】
【表４】
【００４１】実施例３８〜７４、比較例２７〜４１ 実施例１７で得られたターゲットを用い、表５，６に示
す量のＯ2 ガスとＨ2ガスと残部がＡｒガスとからなる
混合ガスをスパッタリングガスとした以外は実施例１と
同一条件で透明電導膜を作製した。膜特性値を表５，６
に示す。
す量のＯ2 ガスとＨ2ガスと残部がＡｒガスとからなる
混合ガスをスパッタリングガスとした以外は実施例１と
同一条件で透明電導膜を作製した。膜特性値を表５，６
に示す。
【００４２】
【表５】
【００４３】
【表６】
【００４４】
【発明の効果】上記のように前記の特定のＧｅＯ2 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 組成によれば、容易に安定して相対密度が９０
％以上の高密度ＩＴＯ焼結体が得られ、この焼結体から
低抵抗で透明度が高いＩＴＯ透明電導膜を得ることがで
きる。焼結体からスパッタリングで透明電導膜を形成す
る際、ターゲット表面の黒化現象もなく、成膜速度が経
時的に遅くなることもなく膜の比抵抗が悪化してくるこ
ともない。また工業的には、表面の黒化物を取り除く目
的でターゲットをはずすために、または、ターゲット寿
命が短く、ターゲットの交換頻度が多いためにスパッタ
リング装置の稼働率が低くなるという問題点も解決され
る。また、透明電導膜をより薄くし、エッチング時間を
短縮するとともに歩留まりを向上することができる。
ｉ2 Ｏ3 組成によれば、容易に安定して相対密度が９０
％以上の高密度ＩＴＯ焼結体が得られ、この焼結体から
低抵抗で透明度が高いＩＴＯ透明電導膜を得ることがで
きる。焼結体からスパッタリングで透明電導膜を形成す
る際、ターゲット表面の黒化現象もなく、成膜速度が経
時的に遅くなることもなく膜の比抵抗が悪化してくるこ
ともない。また工業的には、表面の黒化物を取り除く目
的でターゲットをはずすために、または、ターゲット寿
命が短く、ターゲットの交換頻度が多いためにスパッタ
リング装置の稼働率が低くなるという問題点も解決され
る。また、透明電導膜をより薄くし、エッチング時間を
短縮するとともに歩留まりを向上することができる。
【図１】ＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 の二成分系図で、特許請
求の範囲に規定されるＩＴＯ焼結体およびＩＴＯ透明電
導膜のＧｅＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 含有量を示している。
求の範囲に規定されるＩＴＯ焼結体およびＩＴＯ透明電
導膜のＧｅＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 含有量を示している。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＴＯ焼結体において、図１に示される
ＧｅＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 二成分系における下記組成を示す
点１，２，３，４および５で囲まれる領域に相当するＧ
ｅＯ2 及びＢｉ2 Ｏ3 組成を含有するＩＴＯ焼結体。 点１：ＧｅＯ2 ＝０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝９．０
ｗｔ％ 点２：ＧｅＯ2 ＝ ９．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝９．０
ｗｔ％ 点３：ＧｅＯ2 ＝１２．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝６．０
ｗｔ％ 点４：ＧｅＯ2 ＝１２．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝０．０
０１ｗｔ％ 点５：ＧｅＯ2 ＝０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝０．０
０１ｗｔ％ - 【請求項２】 ＩＴＯ透明電導膜において図１に示され
るＧｅＯ2 −Ｂｉ2Ｏ3 二成分系における下記組成を示
す点１，２，３，４および５で囲まれる領域に相当する
ＧｅＯ2 及びＢｉ2 Ｏ3 組成を含有するＩＴＯ透明電導
膜。 点１：ＧｅＯ2 ＝０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝９．０
ｗｔ％ 点２：ＧｅＯ2 ＝ ９．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝９．０
ｗｔ％ 点３：ＧｅＯ2 ＝１２．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝６．０
ｗｔ％ 点４：ＧｅＯ2 ＝１２．０ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝０．０
０１ｗｔ％ 点５：ＧｅＯ2 ＝０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ＝０．０
０１ｗｔ％ - 【請求項３】 請求項１の焼結体をターゲットとし、真
空槽内にＡｒガスとＯ2 ガスとＨ2 ガスとからなる混合
ガスを、全圧に対しＯ2 ガス、Ｈ2 ガスともそれぞれ
０．２ｐｐｍ〜２０％含み、残部がＡｒとなるような割
合で、全圧１×１０-3ｔｏｒｒ〜５×１０-2ｔｏｒｒと
なるように導入し、スパッタリングを行うことを特徴と
するＩＴＯ透明電導膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341647A JPH06166561A (ja) | 1992-11-28 | 1992-11-28 | Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341647A JPH06166561A (ja) | 1992-11-28 | 1992-11-28 | Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06166561A true JPH06166561A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18347715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341647A Pending JPH06166561A (ja) | 1992-11-28 | 1992-11-28 | Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06166561A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130206590A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-08-15 | Sinito (Shenzhen)Optoelectrical Advanced Materials Company Limited | Manufacture of High Density Indium Tin Oxide (ITO) Sputtering Target |
| CN107130217A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-05 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种低成本、高密度ito靶材的制备方法 |
-
1992
- 1992-11-28 JP JP4341647A patent/JPH06166561A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130206590A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-08-15 | Sinito (Shenzhen)Optoelectrical Advanced Materials Company Limited | Manufacture of High Density Indium Tin Oxide (ITO) Sputtering Target |
| JP2013533391A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-08-22 | シニト（シェンジェン） オプトエレクトリカル アドヴァンスト マテリアルズ カンパニー リミテッド | 高密度インジウムスズ酸化物（ｉｔｏ）スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN107130217A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-05 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种低成本、高密度ito靶材的制备方法 |
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