JPH0616568B2 - 光電変換器に接続された増幅器を有する回路装置 - Google Patents
光電変換器に接続された増幅器を有する回路装置Info
- Publication number
- JPH0616568B2 JPH0616568B2 JP1237366A JP23736689A JPH0616568B2 JP H0616568 B2 JPH0616568 B2 JP H0616568B2 JP 1237366 A JP1237366 A JP 1237366A JP 23736689 A JP23736689 A JP 23736689A JP H0616568 B2 JPH0616568 B2 JP H0616568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- input side
- effect transistor
- photoelectric converter
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 27
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/007—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、請求項1の上位概念に記載の、光電変換器に
接続された増幅器、殊にトランスインピーダンス増幅器
を備えた回路装置に関する。
接続された増幅器、殊にトランスインピーダンス増幅器
を備えた回路装置に関する。
従来の技術 この形式の回路装置は西独国特許第3204839号明
細書から既に公知である。
細書から既に公知である。
この公知の回路装置は入力側においてホトダイオードを
有しかつエミッタ段とコレクタ段とから成るチェーン回
路を含んでいる。コレクタ段の出力側とエミッタ段の入
力側との間に、負帰還路に抵抗が設けられている。2つ
の段から成るこの回路装置は、比較的小さな入力抵抗お
よび比較的非常に低い出力抵抗を有している所謂トラン
スインピーダンス増幅器を形成する。エミッタ段のコレ
クタ抵抗に並列に電界効果トランジスタのドレイン−ソ
ース間が設けられており、電界効果トランジスタの抵抗
は制御電圧を用いて連続的に制御可能である。このよう
にして実効コレクタ抵抗は広い範囲において変化する。
これにより相対的に大きなダイナミック範囲内で第1の
増幅器段の増幅度を外部設定調整をすることができる。
しかしその際にこの増幅度の調整によって増幅器装置の
直流動作点が影響を受ける。
有しかつエミッタ段とコレクタ段とから成るチェーン回
路を含んでいる。コレクタ段の出力側とエミッタ段の入
力側との間に、負帰還路に抵抗が設けられている。2つ
の段から成るこの回路装置は、比較的小さな入力抵抗お
よび比較的非常に低い出力抵抗を有している所謂トラン
スインピーダンス増幅器を形成する。エミッタ段のコレ
クタ抵抗に並列に電界効果トランジスタのドレイン−ソ
ース間が設けられており、電界効果トランジスタの抵抗
は制御電圧を用いて連続的に制御可能である。このよう
にして実効コレクタ抵抗は広い範囲において変化する。
これにより相対的に大きなダイナミック範囲内で第1の
増幅器段の増幅度を外部設定調整をすることができる。
しかしその際にこの増幅度の調整によって増幅器装置の
直流動作点が影響を受ける。
公知の回路装置は更に、出来るだけ小さな固有雑音と共
に光電変換器から出力される電気信号の雑音指数を高め
ることのない出力結合、高い増幅度および僅かな電流消
費に関する通例の要求に答えるべきである。
に光電変換器から出力される電気信号の雑音指数を高め
ることのない出力結合、高い増幅度および僅かな電流消
費に関する通例の要求に答えるべきである。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は、冒頭に述べた形式の回路装置を、増幅
度の大きなダイナミック範囲内で増幅器雑音指数の有利
な値および増幅器の有利な周波数特性が得られるよう
に、構成することである。殊に、増幅度の比較的小さな
値への制御の際に増幅度の遮断周波数が出来るだけ低下
しないようにすべきである。
度の大きなダイナミック範囲内で増幅器雑音指数の有利
な値および増幅器の有利な周波数特性が得られるよう
に、構成することである。殊に、増幅度の比較的小さな
値への制御の際に増幅度の遮断周波数が出来るだけ低下
しないようにすべきである。
問題点を解決するための手段 本発明によればこの課題は請求項1の特徴部分に記載の
ような構成により解決される。その際、増幅度の調整が
増幅器の直流動作点に影響しないようになる。
ような構成により解決される。その際、増幅度の調整が
増幅器の直流動作点に影響しないようになる。
本発明の手段によって、増幅度の制御のために設けられ
ている手段が実際に、回路装置が最大の増幅度に設定調
整されるとき、増幅器雑音指数または増幅器の周波数特
性の劣化作用をしないという利点が生じる。本発明の有
利な別の実施例はその他の請求項に記載されている。
ている手段が実際に、回路装置が最大の増幅度に設定調
整されるとき、増幅器雑音指数または増幅器の周波数特
性の劣化作用をしないという利点が生じる。本発明の有
利な別の実施例はその他の請求項に記載されている。
請求項2および4に記載の手段はそれぞれ、電界効果ト
ランジスタのチャネル抵抗が制御電圧を用いて簡単に設
定調整されるという利点を有している。
ランジスタのチャネル抵抗が制御電圧を用いて簡単に設
定調整されるという利点を有している。
請求項3に記載の実施例では、帰還抵抗は直列に設けら
れたコンデンサによって直流に対して減結合されてい
る。
れたコンデンサによって直流に対して減結合されてい
る。
実施例 次に本発明を図示の実施例につき図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第1図は、光電変換器に接続されている、その増幅度を
制御できる増幅器を備えた回路装置を示している。
制御できる増幅器を備えた回路装置を示している。
図示の回路装置は、ホトダイオード2、例えばアバラン
シホトダイオードに接続されている増幅器6を含んでい
る。図示の回路装置は、不平衡信号入力側Eおよび不平
衡の信号出力側Aを有している増幅器6を含んでいる。
基準電位ないしアースに電圧に対抗する、信号入力側E
の接続端子eはホトダイオード2のアノードに接続され
ている。基準電位に対抗して電圧を導く、出力側Aの接
続端子aはコンデンサ10およびそれに直列接続されて
いる抵抗5を介して信号入力側Eの接続端子eに導かれ
ている。
シホトダイオードに接続されている増幅器6を含んでい
る。図示の回路装置は、不平衡信号入力側Eおよび不平
衡の信号出力側Aを有している増幅器6を含んでいる。
基準電位ないしアースに電圧に対抗する、信号入力側E
の接続端子eはホトダイオード2のアノードに接続され
ている。基準電位に対抗して電圧を導く、出力側Aの接
続端子aはコンデンサ10およびそれに直列接続されて
いる抵抗5を介して信号入力側Eの接続端子eに導かれ
ている。
更に比較器8の実際値入力側“+”が信号出力側Aの接
続端子aに接続されている。比較器8の設定値入力側
“−”に設定電圧USVが加えられる。比較器8の出力
側は抵抗7を介して信号入力側Eの接続端子eに導びか
れている。抵抗7の、比較器8の出力側とは反対側の接
続端子は場合によっては入力側eではなくて、抵抗5と
コンデンサ10との接続点に接続することができる。入
力側Eに並列に、抵抗4および電界効果トランジスタ3
のソース−ドレイン間から成る直列接続が設けられてい
る。
続端子aに接続されている。比較器8の設定値入力側
“−”に設定電圧USVが加えられる。比較器8の出力
側は抵抗7を介して信号入力側Eの接続端子eに導びか
れている。抵抗7の、比較器8の出力側とは反対側の接
続端子は場合によっては入力側eではなくて、抵抗5と
コンデンサ10との接続点に接続することができる。入
力側Eに並列に、抵抗4および電界効果トランジスタ3
のソース−ドレイン間から成る直列接続が設けられてい
る。
信号出力側Aの接続端子aにピーク値検波回路9が接続
されている。3つの調整増幅器11,12および13は
それぞれ、実際値入力側“−”がこの回路9の出力側に
接続されている。調整増幅器11,12および13の制
定値入力側“+”は共通にバイアス電圧USに接続され
ているので、調整増幅器11,12および13の調整領
域は少なくとも一部重なっている。場合に応じて調整増
幅器はそれぞれ、固有のバイアス電圧源を備えることも
できる。
されている。3つの調整増幅器11,12および13は
それぞれ、実際値入力側“−”がこの回路9の出力側に
接続されている。調整増幅器11,12および13の制
定値入力側“+”は共通にバイアス電圧USに接続され
ているので、調整増幅器11,12および13の調整領
域は少なくとも一部重なっている。場合に応じて調整増
幅器はそれぞれ、固有のバイアス電圧源を備えることも
できる。
バイアス電圧発生回路1は調整増幅器13に接続されて
いる。バイアス電圧発生回路の出力側にホトダイオード
2のカソードが接続されている。バイアス電圧発生回路
1は、ホトダイオード2の比較的高いバイアス電圧を発
生する、調整される直流電圧変換器である。調整増幅器
13は、バイアス電圧により所望のように調整される。
いる。バイアス電圧発生回路の出力側にホトダイオード
2のカソードが接続されている。バイアス電圧発生回路
1は、ホトダイオード2の比較的高いバイアス電圧を発
生する、調整される直流電圧変換器である。調整増幅器
13は、バイアス電圧により所望のように調整される。
増幅器6の増幅度は制御電圧US2を用いて制御され
る。電界効果トランジスタ3の制御電極は制御電圧U
S1に対する接続端子cに接続されている。電界効果ト
ランジスタ3のソース電極はコンデンサ14を介して交
流的にアースに接続されている。
る。電界効果トランジスタ3の制御電極は制御電圧U
S1に対する接続端子cに接続されている。電界効果ト
ランジスタ3のソース電極はコンデンサ14を介して交
流的にアースに接続されている。
図示の回路装置は、増幅度を大きな範囲内で連続的に調
整することを可能にする。その際動作点は有利には一定
に維持される。
整することを可能にする。その際動作点は有利には一定
に維持される。
増幅器6は制御可能な増幅度の増幅器段を有する増幅器
である。増幅度を制御するために増幅器段の動作抵抗、
ひいては増幅度が変化される。この形式の増幅度の変化
は、西独国特許第3204839号明細書から既に公知
である。動作抵抗の変化は、電界効果トランジスタを用
いてまたは制御電圧US2によって抵抗値が制御される
PINダイオードを用いて行うことができる。場合によ
っては増幅度の調整は、ベースが増幅器6の接続端子e
を形成する、エミッタ接地形回路で作動されるトランジ
スタの伝達コンダクタンスを使用して行うことができ
る。
である。増幅度を制御するために増幅器段の動作抵抗、
ひいては増幅度が変化される。この形式の増幅度の変化
は、西独国特許第3204839号明細書から既に公知
である。動作抵抗の変化は、電界効果トランジスタを用
いてまたは制御電圧US2によって抵抗値が制御される
PINダイオードを用いて行うことができる。場合によ
っては増幅度の調整は、ベースが増幅器6の接続端子e
を形成する、エミッタ接地形回路で作動されるトランジ
スタの伝達コンダクタンスを使用して行うことができ
る。
第1図の回路装置において有利にも、入力電流Iが増大
する際に全部の電流Iが帰還抵抗5を介して流れる必要
がなくなる。この電流は、増幅器6の入力側に並列に設
けられている電界効果トランジスタ3を介してバイパス
される。僅かな容量を有する電界効果トランジスタ3を
使用すれば、また通例の電界効果トランジスタのMΩ領
域にある逆方向抵抗によって、増幅度が最大に設定調整
された場合に、増幅度の低下を可能にする手段が回路装
置の雑音指数および周波数特性を実質的に劣化すること
がないようにされている。
する際に全部の電流Iが帰還抵抗5を介して流れる必要
がなくなる。この電流は、増幅器6の入力側に並列に設
けられている電界効果トランジスタ3を介してバイパス
される。僅かな容量を有する電界効果トランジスタ3を
使用すれば、また通例の電界効果トランジスタのMΩ領
域にある逆方向抵抗によって、増幅度が最大に設定調整
された場合に、増幅度の低下を可能にする手段が回路装
置の雑音指数および周波数特性を実質的に劣化すること
がないようにされている。
別の調整回路は、回路装置の動作点を一定に保持する、
すなわち増幅度の調整が増幅器装置の直流動作点に作用
することがないようにする。このために帰還抵抗5はコ
ンデンサ10の直列接続によって直流に対して減結合さ
れる。
すなわち増幅度の調整が増幅器装置の直流動作点に作用
することがないようにする。このために帰還抵抗5はコ
ンデンサ10の直列接続によって直流に対して減結合さ
れる。
比較器8を用いて増幅器6の出力直流電圧が設定値電圧
USVと比較される。比較器8を用いて信号入力側Eに
おけるバイアス電圧は、設定値および実際値が相互に一
致するまでの間変化される。このようにして入力電流I
が変化した場合でも増幅器6の動作点は一定に保持され
る。図示の場合と異なって、比較器8の出力側を接続端
子eに直接接続することができる。しかし抵抗7は抵抗
4と関連して、次の利点を有する。すなわち電流Iが抵
抗7と電界効果トランジスタ3との間で、電界効果トラ
ンジスタ3が常時抵抗作動を保持しかつ電界効果トラン
ジスタ3のソース電極における電圧が一定に保持される
ように、分割されるという利点である。ソース電極にお
ける電圧が一定であることで、電界効果トランジスタ3
のチャネル抵抗RDSの、ゲート−ソース電圧UGS、
すなわち制御電圧US1を用いた簡単な調整が可能であ
る。
USVと比較される。比較器8を用いて信号入力側Eに
おけるバイアス電圧は、設定値および実際値が相互に一
致するまでの間変化される。このようにして入力電流I
が変化した場合でも増幅器6の動作点は一定に保持され
る。図示の場合と異なって、比較器8の出力側を接続端
子eに直接接続することができる。しかし抵抗7は抵抗
4と関連して、次の利点を有する。すなわち電流Iが抵
抗7と電界効果トランジスタ3との間で、電界効果トラ
ンジスタ3が常時抵抗作動を保持しかつ電界効果トラン
ジスタ3のソース電極における電圧が一定に保持される
ように、分割されるという利点である。ソース電極にお
ける電圧が一定であることで、電界効果トランジスタ3
のチャネル抵抗RDSの、ゲート−ソース電圧UGS、
すなわち制御電圧US1を用いた簡単な調整が可能であ
る。
増幅度の調整は次のように簡略化して計算することがで
きる。ただし式中の記号は次の意味を有している: UA 出力電圧 RK 抵抗5の値 VO 接続されていないないしオープン増幅器の増幅
度 RDS 電界効果トランジスタ3のドレイン−ソース間
の抵抗 RON 電界効果トランジスタ3のソース−ドレイン間
の、導通制御された状態における抵抗 ωv 接続されていない増幅器6の遮断周波数 ωgp 入力回路によって形成される遮断周波数 最大増幅度は次のように表される ただしRDSは∞に近付く。
きる。ただし式中の記号は次の意味を有している: UA 出力電圧 RK 抵抗5の値 VO 接続されていないないしオープン増幅器の増幅
度 RDS 電界効果トランジスタ3のドレイン−ソース間
の抵抗 RON 電界効果トランジスタ3のソース−ドレイン間
の、導通制御された状態における抵抗 ωv 接続されていない増幅器6の遮断周波数 ωgp 入力回路によって形成される遮断周波数 最大増幅度は次のように表される ただしRDSは∞に近付く。
RDSがRONに近付くと、vo=1を有する最小増幅
度は次のように表される。
度は次のように表される。
有利な例では次のように選定されている このようにして例えば3ディケードにわたる増幅度の調
整が実現される。
整が実現される。
接続されていない増幅器の遮断周波数ωvを、それが入
力回路接続−すなわち入力容量および入力抵抗によって
形成される遮断周波数ωgpより高い所にあるように選択
すれば、比較的小さな値までの増幅度の制御の際に有利
にもこの遮断周波数が低下しないばかりでなく、むしろ
遮断周波数が上昇する。
力回路接続−すなわち入力容量および入力抵抗によって
形成される遮断周波数ωgpより高い所にあるように選択
すれば、比較的小さな値までの増幅度の制御の際に有利
にもこの遮断周波数が低下しないばかりでなく、むしろ
遮断周波数が上昇する。
接続されていない増幅器6が遮断周波数ωvを有する1
次の低減フィルタであることを前提とすれば、接続され
ていない増幅器6の周波数特性は抵抗RDSに依存して
次のように計算される: RFET が∞に向かって増大するならば、電界効果トラン
ジスタ3は電流源として作用しかつωv=ωv(1+v
o)>ωgpになり、 RFET が0に向かって減少するならば、電界効果トラン
ジスタ3は電圧源として作用しかつωg=ωvになる。
次の低減フィルタであることを前提とすれば、接続され
ていない増幅器6の周波数特性は抵抗RDSに依存して
次のように計算される: RFET が∞に向かって増大するならば、電界効果トラン
ジスタ3は電流源として作用しかつωv=ωv(1+v
o)>ωgpになり、 RFET が0に向かって減少するならば、電界効果トラン
ジスタ3は電圧源として作用しかつωg=ωvになる。
発明の効果 本発明は増幅器調整の際に増幅器の直流動作点が影響さ
れないという効果を有する。更に増幅度制御のために設
けられている手段が、最大増幅度に設定されているとき
でも増幅器雑音指数または増幅器の周波数特性を劣化す
ることがないという効果が生じる。
れないという効果を有する。更に増幅度制御のために設
けられている手段が、最大増幅度に設定されているとき
でも増幅器雑音指数または増幅器の周波数特性を劣化す
ることがないという効果が生じる。
第1図は、光電変換器に接続されている、その増幅度に
関して制御可能な増幅器を有する回路装置の回路略図で
ある。 2……ホトダイオード、3……電界効果トランジスタ、
6……増幅器、8……比較器、11,12,13……調
整増幅器、
関して制御可能な増幅器を有する回路装置の回路略図で
ある。 2……ホトダイオード、3……電界効果トランジスタ、
6……増幅器、8……比較器、11,12,13……調
整増幅器、
Claims (4)
- 【請求項1】入力側(E)が光電変換器(ホトダイオー
ド2)に接続されている増幅器(6)を備え、該増幅器
の増幅度は該増幅器(6)の動作抵抗を変化する調整素
子を用いて制御可能であり、かつ前記増幅器(6)の信
号出力側(A)と前記増幅器(6)の信号入力側(E)
との間に帰還路を備えている回路装置において、 前記増幅器(6)の信号入力側(E)に並列に電界効果
トランジスタ(3)のドレイン−ソース間が設けられて
おりかつ前記帰還路にはコンデンサ(10)が設けられ
ており、かつ前記増幅器(6)の出力直流電圧(UA)
に対する入力側および設定値電圧(USV)に対する入
力側を有する比較器の出力側が前記増幅器(6)の入力
側(E)に導かれていることを特徴とする光電変換器に
接続されている増幅器を備えた回路装置。 - 【請求項2】比較器(8)の出力側と増幅器(6)の入
力側(E)との間および前記比較器(8)の出力側と電
界効果トランジスタのソース電極との間にそれぞれ1つ
の抵抗(7,4)が設けられていることを特徴とする請
求項1記載の光電変換器に接続されている増幅器を備え
た回路装置。 - 【請求項3】帰還路はRC直列接続(5,10)によっ
て形成されていることを特徴とする請求項1または2記
載の光電変換器に接続されている増幅器を備えた回路装
置。 - 【請求項4】比較器(8)の出力側と増幅器(6)の入
力側(E)との間にある抵抗(7)はRC直列接続
(5,10)の抵抗(5)を介して入力側(E)に導か
れていることを特徴とする請求項2または3記載の光電
変換器に接続された増幅器を備えた回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP88115132A EP0359836B1 (de) | 1988-09-15 | 1988-09-15 | Schaltungsanordnung mit einem an einen opto-elektrischen Wandler angeschlossenen Verstärker |
EP88115132.8 | 1988-09-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02210901A JPH02210901A (ja) | 1990-08-22 |
JPH0616568B2 true JPH0616568B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=8199322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1237366A Expired - Lifetime JPH0616568B2 (ja) | 1988-09-15 | 1989-09-14 | 光電変換器に接続された増幅器を有する回路装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4939475A (ja) |
EP (1) | EP0359836B1 (ja) |
JP (1) | JPH0616568B2 (ja) |
AT (1) | ATE97527T1 (ja) |
DE (1) | DE3885746D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2666704A1 (fr) * | 1990-09-11 | 1992-03-13 | Philips Electronique Lab | Dispositif semiconducteur integre hyperfrequences incluant un circuit amplificateur a commande automatique de gain. |
US5113068A (en) * | 1990-12-28 | 1992-05-12 | Square D Company | Photoelectrical sensor with multistaged, filtered amplifier circuit |
JPH05122159A (ja) * | 1991-05-13 | 1993-05-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 伝送信号の信号対雑音比の改良方法及び光学的相互接続システム |
JPH04367109A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Nec Corp | 光通信用前置増幅回路 |
US5325073A (en) * | 1992-04-09 | 1994-06-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Amplifying apparatus with ac/dc feedback circuit |
DE4212933A1 (de) * | 1992-04-18 | 1993-10-21 | Sel Alcatel Ag | Schaltungsanordnung für einen optischen Empfänger |
JPH06339082A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Canon Inc | 光電変換装置 |
GB2288499A (en) * | 1994-03-08 | 1995-10-18 | Stewart Hughes Ltd | Gain control and capacitance correction for photodiode signal amplifier |
WO1999008377A1 (de) * | 1997-08-12 | 1999-02-18 | Klaus Wolter | Vorrichtung zum umsetzen kleiner, von einer nicht-idealen stromquelle an dem eingang der vorrichtung eingeprägter ströme in spannungssignale |
TWI225734B (en) * | 2003-11-04 | 2004-12-21 | Ind Tech Res Inst | Optical receiving device |
JP2007274127A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Eudyna Devices Inc | 電子回路 |
TWI688203B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-03-11 | 財團法人工業技術研究院 | 寬頻轉阻放大器電路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3631262A (en) * | 1970-03-31 | 1971-12-28 | Gen Electric | Linear variable gain circuit utilizing a field effect transistor |
GB1590826A (en) * | 1976-09-21 | 1981-06-10 | Post Office | Level stabilisers |
US4540952A (en) * | 1981-09-08 | 1985-09-10 | At&T Bell Laboratories | Nonintegrating receiver |
DE3204839C2 (de) * | 1982-02-11 | 1984-04-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Fotodiodenverstärker mit großem Dynamikbereich |
US4498001A (en) * | 1982-07-26 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier for optical receivers |
US4623786A (en) * | 1984-11-07 | 1986-11-18 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier with overload protection |
-
1988
- 1988-09-15 EP EP88115132A patent/EP0359836B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-15 DE DE88115132T patent/DE3885746D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-15 AT AT88115132T patent/ATE97527T1/de not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1237366A patent/JPH0616568B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-15 US US07/407,885 patent/US4939475A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0359836B1 (de) | 1993-11-18 |
DE3885746D1 (de) | 1993-12-23 |
EP0359836A1 (de) | 1990-03-28 |
ATE97527T1 (de) | 1993-12-15 |
JPH02210901A (ja) | 1990-08-22 |
US4939475A (en) | 1990-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4764732A (en) | Switchable mode amplifier for wide dynamic range | |
JPH0548964B2 (ja) | ||
US5216386A (en) | Transimpedance amplifier | |
US6424132B1 (en) | Adding a laplace transform zero to a linear integrated circuit for frequency stability | |
JPH0616568B2 (ja) | 光電変換器に接続された増幅器を有する回路装置 | |
JPH09130157A (ja) | プリアンプ | |
JPS6393230A (ja) | 光前置増幅器 | |
JPH01264007A (ja) | 光電変換器に接続された前置増幅器を有する回路装置 | |
US5371477A (en) | Linear amplifier | |
EP0817373B1 (en) | Negative feedback amplifier | |
US20040189387A1 (en) | Frequency characteristics-variable amplifying circuit and semiconductor integrated circuit device | |
JP5081678B2 (ja) | 光信号受信回路 | |
US6452452B1 (en) | Negative feedback gain control for common electrode transistor | |
US20100045387A1 (en) | Optical receiver-amplifier | |
KR19990042066A (ko) | 가변이득 증폭기 | |
US4853530A (en) | Reverse biased photosensing semiconductor and op amp arrangement wherein the two load resistors of the operational amplifier unbalance the two transistors | |
JP2003258580A (ja) | 光受信回路 | |
US6188283B1 (en) | Amplifier and semiconductor device therefor | |
JPH10335957A (ja) | 光受信用増幅器 | |
JP2003163544A (ja) | 帰還増幅回路及びそれを用いた受信装置 | |
US5198783A (en) | Optically controlled active impedance element particularly suited for a microwave oscillator | |
JP3826779B2 (ja) | 光受信回路 | |
JP3000795B2 (ja) | 可変減衰器 | |
EP0153250B1 (fr) | Amplificateur intégré à étage de sortie réalisé en technologie CMOS | |
JP3761298B2 (ja) | 受光回路 |