JPH06164034A - 固体レーザー - Google Patents
固体レーザーInfo
- Publication number
- JPH06164034A JPH06164034A JP31543592A JP31543592A JPH06164034A JP H06164034 A JPH06164034 A JP H06164034A JP 31543592 A JP31543592 A JP 31543592A JP 31543592 A JP31543592 A JP 31543592A JP H06164034 A JPH06164034 A JP H06164034A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- laser
- state laser
- electron
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 広範囲のレーザー媒体を使用可能とすること
により、青色等の各種の色の発光を得ることを可能とす
る電子線励起固体レーザーを提供する。 【構成】 この発明にかかる固体レーザーは、電子線源
として半導体微細加工技術により得られた極微小の四角
錘１１を多数有し、これらの電子線源から固体媒体２１
に電子線を照射することによりレーザー発振させるとい
う構成をとっている。
により、青色等の各種の色の発光を得ることを可能とす
る電子線励起固体レーザーを提供する。 【構成】 この発明にかかる固体レーザーは、電子線源
として半導体微細加工技術により得られた極微小の四角
錘１１を多数有し、これらの電子線源から固体媒体２１
に電子線を照射することによりレーザー発振させるとい
う構成をとっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体レーザーの一種
である、固体レーザーに関する。
である、固体レーザーに関する。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザーには、光励起によるルビー
レーザーやキャリア注入型半導体レーザーがある。固体
レーザーは高効率小型化が可能なことから、現在、特に
半導体レーザーなどを中心に研究開発が活発である。
レーザーやキャリア注入型半導体レーザーがある。固体
レーザーは高効率小型化が可能なことから、現在、特に
半導体レーザーなどを中心に研究開発が活発である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この半導体レ
ーザーは、ｐｎ接合が可能な材料が限られているため、
青色発光が困難である。そこで、この発明は、広範囲の
レーザー媒体を使用可能とすることにより、青色等の各
種の色の発光を可能とする電子線励起方式の固体レーザ
ーを提供することを課題とするものである。
ーザーは、ｐｎ接合が可能な材料が限られているため、
青色発光が困難である。そこで、この発明は、広範囲の
レーザー媒体を使用可能とすることにより、青色等の各
種の色の発光を可能とする電子線励起方式の固体レーザ
ーを提供することを課題とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明にかかる固体レーザーは、電子線源として
半導体微細加工技術により得られた極微小の四角錘を多
数有し、これらの電子線源から固体媒体に電子線を照射
することによりレーザー発振させるようになっている。
め、この発明にかかる固体レーザーは、電子線源として
半導体微細加工技術により得られた極微小の四角錘を多
数有し、これらの電子線源から固体媒体に電子線を照射
することによりレーザー発振させるようになっている。
【０００５】
【作用】この発明にかかる固体レーザーでは、電子線源
は、シリコン極微細加工技術を用いて形成された極微小
の多数の四角錐からなる。これらの四角錘では、それぞ
れの先端の曲率が極めて小さいため、電界が集中し、有
効な電子線源となる。そして、電子線源の数に比例して
励起される光子数が増えるため、四角錐からなる電子線
源の数が多数あるこの発明の固体レーザからは、非常に
強いレーザー光が発振されることになる。
は、シリコン極微細加工技術を用いて形成された極微小
の多数の四角錐からなる。これらの四角錘では、それぞ
れの先端の曲率が極めて小さいため、電界が集中し、有
効な電子線源となる。そして、電子線源の数に比例して
励起される光子数が増えるため、四角錐からなる電子線
源の数が多数あるこの発明の固体レーザからは、非常に
強いレーザー光が発振されることになる。
【０００６】
【実施例】図１は、この発明にかかる固体レーザーを示
している。この固体レーザーでは、（メタリックな）Ｓ
ｉ基板１上には、極微細加工技術を用いて極微小の四角
錐１１が多数形成されている。これらの四角錘１１・・
・は、シリコンの異方性エッチングにより形成される。
これらの四角錐１１・・・は、電子線源となっており、
これらから、メタルや（メタリックな）Ｓｉなどからな
る支持体２の一面に形成された固体媒体２１に向けて、
図に矢印で示すように電子線を照射することにより、レ
ーザー媒体２１を発光させるようにする。
している。この固体レーザーでは、（メタリックな）Ｓ
ｉ基板１上には、極微細加工技術を用いて極微小の四角
錐１１が多数形成されている。これらの四角錘１１・・
・は、シリコンの異方性エッチングにより形成される。
これらの四角錐１１・・・は、電子線源となっており、
これらから、メタルや（メタリックな）Ｓｉなどからな
る支持体２の一面に形成された固体媒体２１に向けて、
図に矢印で示すように電子線を照射することにより、レ
ーザー媒体２１を発光させるようにする。
【０００７】図２にその製造工程を示す。１０19ｃｍ-3
程度にｎ型ドープされたメタリックｎ−Ｓｉ（１００）
基板１の表面に、図２の（ａ）にみるように、ＳｉＯ2
膜３を１．０μｍの厚みで付け、その上にポジレジスト
層４を１．２μｍ程度の厚みで付ける。このポジレジス
ト層４をマスクにしてＣＨＦ3 系ガスを用いてＳｉＯ 2
膜３をリアクティブ・イオン・エッチングする。次に、
図２の（ｂ）にみるように、このパターン形成されたＳ
ｉＯ2 膜５をマスクにして、ＫＯＨ溶液を用いてＳｉ基
板１を異方性エッチングする。このとき、エッチングを
過剰ぎみにして深さｈが５μｍ程度になるように掘り下
げる。これによって、図２の（ｃ）にみるように、基板
１の陥没部分６の底部に極微小な四角錘１１が多数形成
される。その高さは、彫り深さによって調整される。そ
の上に、図２の（ｄ）にみるように、レーザー媒体２１
を備えたメタルまたは（メタリックな）ｎ−Ｓｉ支持体
２を乗せる。この際、ＳｉＯ2 膜３は、基板１と支持体
２からなるアノードとカソード間の絶縁体として働く。
最後に、これをガラス管（図示省略）に入れて管内を真
空に引く。
程度にｎ型ドープされたメタリックｎ−Ｓｉ（１００）
基板１の表面に、図２の（ａ）にみるように、ＳｉＯ2
膜３を１．０μｍの厚みで付け、その上にポジレジスト
層４を１．２μｍ程度の厚みで付ける。このポジレジス
ト層４をマスクにしてＣＨＦ3 系ガスを用いてＳｉＯ 2
膜３をリアクティブ・イオン・エッチングする。次に、
図２の（ｂ）にみるように、このパターン形成されたＳ
ｉＯ2 膜５をマスクにして、ＫＯＨ溶液を用いてＳｉ基
板１を異方性エッチングする。このとき、エッチングを
過剰ぎみにして深さｈが５μｍ程度になるように掘り下
げる。これによって、図２の（ｃ）にみるように、基板
１の陥没部分６の底部に極微小な四角錘１１が多数形成
される。その高さは、彫り深さによって調整される。そ
の上に、図２の（ｄ）にみるように、レーザー媒体２１
を備えたメタルまたは（メタリックな）ｎ−Ｓｉ支持体
２を乗せる。この際、ＳｉＯ2 膜３は、基板１と支持体
２からなるアノードとカソード間の絶縁体として働く。
最後に、これをガラス管（図示省略）に入れて管内を真
空に引く。
【０００８】
【発明の効果】この発明にかかる固体レーザーは、上述
の構成からなるから、従来の固体レーザーに比べて広い
範囲のレーザー媒体を選択可能となり、これによって様
々な色の発光を実現し得る。また、この固体レーザー
は、光励起レーザーに比べて小型化が可能となり、使用
しやすくなる。この発明にかかる固体レーザーは、上述
のごとく各種の色が得られるため、応用範囲が広く、デ
ィスプレイ装置や光記憶装置、通信分野等、レーザーを
使う全分野に利用可能である。
の構成からなるから、従来の固体レーザーに比べて広い
範囲のレーザー媒体を選択可能となり、これによって様
々な色の発光を実現し得る。また、この固体レーザー
は、光励起レーザーに比べて小型化が可能となり、使用
しやすくなる。この発明にかかる固体レーザーは、上述
のごとく各種の色が得られるため、応用範囲が広く、デ
ィスプレイ装置や光記憶装置、通信分野等、レーザーを
使う全分野に利用可能である。
【図１】この発明にかかる固体レーザーの斜視図であ
る。
る。
【図２】この発明にかかる固体レーザーの製造工程を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 基板 １１ 四角錘 ２１ 固体媒体
Claims (1)
- 【請求項１】 電子線源として半導体微細加工技術によ
り得られた極微小の四角錘を多数有し、これらの電子線
源から固体媒体に電子線を照射することによりレーザー
発振させるようにしてなる固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31543592A JPH06164034A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31543592A JPH06164034A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164034A true JPH06164034A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18065342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31543592A Pending JPH06164034A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164034A (ja) |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31543592A patent/JPH06164034A/ja active Pending
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