JPH06163996A - 熱電材料の製造方法 - Google Patents
熱電材料の製造方法Info
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- JPH06163996A JPH06163996A JP4311525A JP31152592A JPH06163996A JP H06163996 A JPH06163996 A JP H06163996A JP 4311525 A JP4311525 A JP 4311525A JP 31152592 A JP31152592 A JP 31152592A JP H06163996 A JPH06163996 A JP H06163996A
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Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、熱を電気に変換する熱電材料の製造
方法に関するもので、特に高性能の複合熱電材料の製造
方法を提供することを目的とする。 【構成】本発明による熱電材料の製造方法は、金属塩化
物およびアセチルアセトンおよびシリコンアルコキシド
を主な出発原料として、金属アセチルアセトネートの生
成、シリコンアルコキシドの加水分解、脱塩素反応を経
て、窒素−水素混合ガス中で熱処理を行う熱電材料の製
造方法とする。 【効果】ゼーベック係数と電気伝導率が増大し、熱伝導
率が低減された高性能の複合熱電材料を得ることがで
き、各種の違った形状の熱電材料を得ることができる。
方法に関するもので、特に高性能の複合熱電材料の製造
方法を提供することを目的とする。 【構成】本発明による熱電材料の製造方法は、金属塩化
物およびアセチルアセトンおよびシリコンアルコキシド
を主な出発原料として、金属アセチルアセトネートの生
成、シリコンアルコキシドの加水分解、脱塩素反応を経
て、窒素−水素混合ガス中で熱処理を行う熱電材料の製
造方法とする。 【効果】ゼーベック係数と電気伝導率が増大し、熱伝導
率が低減された高性能の複合熱電材料を得ることがで
き、各種の違った形状の熱電材料を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱を電気に変換する熱
電材料の製造方法に関する。
電材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電材料の熱電性能は性能指数Ｚで表さ
れる。 Ｚ＝Ｓ2 σ／λ ここで、Ｓはゼーベック係数，σは電気伝導率、λは熱
伝導率を表す。すなわち、性能指数が高いのは、ゼーベ
ック係数が大きく、電気伝導率が高く、熱伝導率が低い
状態である。半導体の熱電現象理論ではゼーベック係数
と電気伝導率とは逆相関関係にあるので、平衡状態で作
製される安定で均質な材料においては、なかなか性能向
上が難しい状況であった。現状では、性能指数Ｚ＝２×
１０-3／Ｋ程度の値が最高値であり、実用化、応用化の
面においては、一層の性能向上が必要とされている。
れる。 Ｚ＝Ｓ2 σ／λ ここで、Ｓはゼーベック係数，σは電気伝導率、λは熱
伝導率を表す。すなわち、性能指数が高いのは、ゼーベ
ック係数が大きく、電気伝導率が高く、熱伝導率が低い
状態である。半導体の熱電現象理論ではゼーベック係数
と電気伝導率とは逆相関関係にあるので、平衡状態で作
製される安定で均質な材料においては、なかなか性能向
上が難しい状況であった。現状では、性能指数Ｚ＝２×
１０-3／Ｋ程度の値が最高値であり、実用化、応用化の
面においては、一層の性能向上が必要とされている。
【０００３】しかし近年、半導体微粒子分散ガラスの非
線形光学効果といった例に示されるように、微粒子また
は微結晶状態にすることにより、それまでには得られな
かった新たな性質が顕著に現われるといった現象が報告
されている。また、熱電材料においても、イオンクラス
タービーム等のイオン工学的手法によってＦｅ−Ｓｉ−
Ｏ系のアモルファス薄膜材料が、新たな熱電材料として
提案されている（たとえば特公平１−３１４５３号公
報）。それによると、前記熱電材料は４００℃近傍の比
較的高い温度の狭い温度範囲において高ゼーベック係数
を持ち、性能指数Ｚは２×１０-2／Ｋに達している。
線形光学効果といった例に示されるように、微粒子また
は微結晶状態にすることにより、それまでには得られな
かった新たな性質が顕著に現われるといった現象が報告
されている。また、熱電材料においても、イオンクラス
タービーム等のイオン工学的手法によってＦｅ−Ｓｉ−
Ｏ系のアモルファス薄膜材料が、新たな熱電材料として
提案されている（たとえば特公平１−３１４５３号公
報）。それによると、前記熱電材料は４００℃近傍の比
較的高い温度の狭い温度範囲において高ゼーベック係数
を持ち、性能指数Ｚは２×１０-2／Ｋに達している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな薄膜材料の熱電性能発現のメカニズムが解明されて
いないことから、製膜時のプロセス制御に高い精度が要
求され、製膜条件によっては高い熱電性能を持つ薄膜を
得ることが困難であった。また、この薄膜熱電材料で
は、現在のところ電気伝導率σが、１.０Ｓ／ｃｍ程度
と低いので、熱発電デバイスや冷却素子に応用した場
合、最大効率を得ることのできる電流密度が小さく、実
用化への大きな障害となっている。
うな薄膜材料の熱電性能発現のメカニズムが解明されて
いないことから、製膜時のプロセス制御に高い精度が要
求され、製膜条件によっては高い熱電性能を持つ薄膜を
得ることが困難であった。また、この薄膜熱電材料で
は、現在のところ電気伝導率σが、１.０Ｓ／ｃｍ程度
と低いので、熱発電デバイスや冷却素子に応用した場
合、最大効率を得ることのできる電流密度が小さく、実
用化への大きな障害となっている。
【０００５】そこで、応用デバイスの用途に応じた温度
領域で、ゼーベック係数と電気伝導率を改善し、さらに
熱伝導率を低減し、性能指数Ｚのもっと高い材料を安定
で簡便な方法で作製できるようになることが課題となっ
ている。
領域で、ゼーベック係数と電気伝導率を改善し、さらに
熱伝導率を低減し、性能指数Ｚのもっと高い材料を安定
で簡便な方法で作製できるようになることが課題となっ
ている。
【０００６】本発明は、上記課題を解決し、制御性良く
ゼーベック係数と電気伝導率の増大と熱伝導率の低減を
達成できる熱電材料の製造方法を提供することを目的と
している。
ゼーベック係数と電気伝導率の増大と熱伝導率の低減を
達成できる熱電材料の製造方法を提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、金属塩化物およびアセチルアセトンおよび
シリコンアルコキシドを主な出発原料として、金属アセ
チルアセトネートの生成、シリコンアルコキシドの加水
分解、脱塩素反応を経て、窒素−水素混合ガス中で熱処
理を行う熱電材料の製造方法とする。
するために、金属塩化物およびアセチルアセトンおよび
シリコンアルコキシドを主な出発原料として、金属アセ
チルアセトネートの生成、シリコンアルコキシドの加水
分解、脱塩素反応を経て、窒素−水素混合ガス中で熱処
理を行う熱電材料の製造方法とする。
【０００８】
【作用】上記の熱電材料の製造方法によって、ＳｉＯ2
ガラスの作製とともに熱電材料の微結晶を析出させた構
造、または、微結晶熱電材料の極表面にＳｉＯ2ガラス
がコーティングされた構造が得られることとなる。
ガラスの作製とともに熱電材料の微結晶を析出させた構
造、または、微結晶熱電材料の極表面にＳｉＯ2ガラス
がコーティングされた構造が得られることとなる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例について図を参照しな
がら説明する。 （実施例１）図１は本発明による熱電材料の製造方法の
一実施例の工程図である。
がら説明する。 （実施例１）図１は本発明による熱電材料の製造方法の
一実施例の工程図である。
【００１０】出発原料としてＢｉＣｌ3 、ＴｅＣｌ4 、
ＴＥＯＳ（テトラエトキシオルソシリケイト）、ａｃａ
ｃ（アセチルアセトン）を使用した。原料比は、Ｂｉ：
Ｔｅ＝２：３と固定し、Ｂｉ2 Ｔｅ3 ／Ｓｉは、１／３
０から３０／１へと大幅に変化させた。
ＴＥＯＳ（テトラエトキシオルソシリケイト）、ａｃａ
ｃ（アセチルアセトン）を使用した。原料比は、Ｂｉ：
Ｔｅ＝２：３と固定し、Ｂｉ2 Ｔｅ3 ／Ｓｉは、１／３
０から３０／１へと大幅に変化させた。
【００１１】まず、図に示すようにＢｉＣｌ3 およびＴ
ｅＣｌ4 をそれぞれａｃａｃに溶解させた。一方、ＴＥ
ＯＳは、Ｈ2 Ｏ、ＨＣｌ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨと混合、攪拌し
て、加水分解を行った。次に、ＢｉＣｌ3 のａｃａｃ溶
液、ＴｅＣｌ4 のａｃａｃ溶液、そしてＴＥＯＳの加水
分解溶液をそれぞれ混合し、攪拌を行った。続いて、さ
らに加水分解を進行させるために、Ｈ2 ＯとＣ2 Ｈ5 Ｏ
Ｈを適量加えて攪拌を行った。次に、７０〜８０℃のウ
ォーターバス中で加熱して脱塩素を行い、ゾル状態とし
た。その後、室温で一週間から１０日間放置し、乾燥ゲ
ル粉体とした。続いて、その乾燥ゲル粉体をＮ2 −Ｈ2
混合ガス（Ｎ2：９５％、Ｈ2：５％）気流中で熱処理を
行った。
ｅＣｌ4 をそれぞれａｃａｃに溶解させた。一方、ＴＥ
ＯＳは、Ｈ2 Ｏ、ＨＣｌ、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨと混合、攪拌し
て、加水分解を行った。次に、ＢｉＣｌ3 のａｃａｃ溶
液、ＴｅＣｌ4 のａｃａｃ溶液、そしてＴＥＯＳの加水
分解溶液をそれぞれ混合し、攪拌を行った。続いて、さ
らに加水分解を進行させるために、Ｈ2 ＯとＣ2 Ｈ5 Ｏ
Ｈを適量加えて攪拌を行った。次に、７０〜８０℃のウ
ォーターバス中で加熱して脱塩素を行い、ゾル状態とし
た。その後、室温で一週間から１０日間放置し、乾燥ゲ
ル粉体とした。続いて、その乾燥ゲル粉体をＮ2 −Ｈ2
混合ガス（Ｎ2：９５％、Ｈ2：５％）気流中で熱処理を
行った。
【００１２】この粉末を透過型電子顕微鏡および粉末Ｘ
線回折法で観察したところ、ＳｉＯ 2 ガラス中に、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 の熱電材料の微結晶（粒径数１０〜数１００ｎ
ｍ）が析出していた。
線回折法で観察したところ、ＳｉＯ 2 ガラス中に、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 の熱電材料の微結晶（粒径数１０〜数１００ｎ
ｍ）が析出していた。
【００１３】この理由として、液相の分子状態から合成
する方法で微結晶粒子を析出させる製造方法を用いてい
るために、微結晶を析出させることができたとともに、
Ｎ2−Ｈ2 混合ガス気流中という還元雰囲気で熱処理を
行ったことにより、金属原子は酸素や塩素と結合するこ
となく、金属間化合物を形成することができたと考えら
れる。
する方法で微結晶粒子を析出させる製造方法を用いてい
るために、微結晶を析出させることができたとともに、
Ｎ2−Ｈ2 混合ガス気流中という還元雰囲気で熱処理を
行ったことにより、金属原子は酸素や塩素と結合するこ
となく、金属間化合物を形成することができたと考えら
れる。
【００１４】最後に、粉末に加圧成形を行い板状試料と
し、再び、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理を行い、
板状の熱電材料を得ることができた。この板状熱電材料
の熱起電力を測定したところ、熱電材料が微結晶となり
絶縁物中に分散されていても熱起電力は、バルク材料と
ほぼ同等である約−２００μＶ／Ｋの値を示すことがわ
かった。
し、再び、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理を行い、
板状の熱電材料を得ることができた。この板状熱電材料
の熱起電力を測定したところ、熱電材料が微結晶となり
絶縁物中に分散されていても熱起電力は、バルク材料と
ほぼ同等である約−２００μＶ／Ｋの値を示すことがわ
かった。
【００１５】この実施例では、以下のような効果が存在
する。このような複合熱電材料の構造では、通常の熱電
性能を持つＢｉ2 Ｔｅ3 が、微粒子となっているので、
粒子内では格子欠陥やフォノンによる散乱が問題になら
ない（つまり単結晶中と同じ状態となっている）ので、
電気伝導率はより高くなっており、界面では電子および
ホールは活性化状態にある。さらに、ゼーベック係数が
大きく電気伝導率が小さいＳｉＯ2 ガラス中にこの微粒
子が分散されているので、粒子間をトンネル伝導やホッ
ピング伝導などの電子およびホール伝導が可能となって
いる。すなわち、このような構造が達成されているの
で、この熱電材料はゼーベック係数は大きく、電気伝導
率も大きくなっている。さらに、このような微粒子の分
散した状態は、電子およびホール伝導のような微小キャ
リアの移動には有利であるが、熱のような集団的なフォ
ノンの拡散ではあらゆるところで散乱が起こって熱伝導
率が低減される。つまり、ゼーベック係数と電気伝導率
が向上し、かつ熱伝導率が低減するという熱電特性の良
好な熱電素子が得られる。さらに、微結晶熱電材料の作
製条件を変えて、分散させる微結晶の平均粒径や量を制
御することにより、ゼーベック係数や電気伝導率の制御
が簡単に行える。
する。このような複合熱電材料の構造では、通常の熱電
性能を持つＢｉ2 Ｔｅ3 が、微粒子となっているので、
粒子内では格子欠陥やフォノンによる散乱が問題になら
ない（つまり単結晶中と同じ状態となっている）ので、
電気伝導率はより高くなっており、界面では電子および
ホールは活性化状態にある。さらに、ゼーベック係数が
大きく電気伝導率が小さいＳｉＯ2 ガラス中にこの微粒
子が分散されているので、粒子間をトンネル伝導やホッ
ピング伝導などの電子およびホール伝導が可能となって
いる。すなわち、このような構造が達成されているの
で、この熱電材料はゼーベック係数は大きく、電気伝導
率も大きくなっている。さらに、このような微粒子の分
散した状態は、電子およびホール伝導のような微小キャ
リアの移動には有利であるが、熱のような集団的なフォ
ノンの拡散ではあらゆるところで散乱が起こって熱伝導
率が低減される。つまり、ゼーベック係数と電気伝導率
が向上し、かつ熱伝導率が低減するという熱電特性の良
好な熱電素子が得られる。さらに、微結晶熱電材料の作
製条件を変えて、分散させる微結晶の平均粒径や量を制
御することにより、ゼーベック係数や電気伝導率の制御
が簡単に行える。
【００１６】なお、金属塩化物としてＢｉＣｌ3 とＴｅ
Ｃｌ4 のみを使用して、不純物を含まずにＮ型半導性の
熱電材料としたが、さらに、ＳｂＣｌ3 、ＳｅＣｌ4 を
適量用いることにより、Ｐ型半導性の熱電材料や導電性
の向上、熱伝導率の低減等を行うことが可能である。さ
らに、熱電材料としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系材料に限定さ
れることなくＢｉ−Ｓｂ系材料、Ｚｎ−Ｓｂ系材料、Ｓ
ｉ−Ｇｅ系材料、Ｆｅ−Ｓｉ系材料等の熱電材料が使用
可能であることも言うまでもない。 （実施例２）以下に本発明の他の実施例について図２を
参照しながら説明する。
Ｃｌ4 のみを使用して、不純物を含まずにＮ型半導性の
熱電材料としたが、さらに、ＳｂＣｌ3 、ＳｅＣｌ4 を
適量用いることにより、Ｐ型半導性の熱電材料や導電性
の向上、熱伝導率の低減等を行うことが可能である。さ
らに、熱電材料としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 系材料に限定さ
れることなくＢｉ−Ｓｂ系材料、Ｚｎ−Ｓｂ系材料、Ｓ
ｉ−Ｇｅ系材料、Ｆｅ−Ｓｉ系材料等の熱電材料が使用
可能であることも言うまでもない。 （実施例２）以下に本発明の他の実施例について図２を
参照しながら説明する。
【００１７】ゾルを形成するまでは、実施例１で示した
のと同様の製造工程を行い、続いて、増粘剤としてヒド
ロキシプロピルセルロースを適量加えて粘度を調節し、
絶縁性基板の表面にコーティングを行った。その後、絶
縁性基板の表面でゲルコーティング膜とし、さらにＮ2
−Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理を行うことによって、熱
電材料コーティング膜を形成した。
のと同様の製造工程を行い、続いて、増粘剤としてヒド
ロキシプロピルセルロースを適量加えて粘度を調節し、
絶縁性基板の表面にコーティングを行った。その後、絶
縁性基板の表面でゲルコーティング膜とし、さらにＮ2
−Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理を行うことによって、熱
電材料コーティング膜を形成した。
【００１８】この実施例の場合、先ほどの効果に加え
て、必要な部分に任意の形状でコーティング膜を形成す
ることができ、ゾル溶液の段階で、絶縁性基板に付着さ
せているので、接触性も良好な状態で形成することがで
きる。さらに、フォトレジスト等を用いた微細加工技術
と組み合わせることにより、マイクロエレクトロニクス
素子の構成部品として熱電材料を使用することも可能と
なる。 （実施例３）以下に本発明の他の実施例について図３を
参照しながら説明する。
て、必要な部分に任意の形状でコーティング膜を形成す
ることができ、ゾル溶液の段階で、絶縁性基板に付着さ
せているので、接触性も良好な状態で形成することがで
きる。さらに、フォトレジスト等を用いた微細加工技術
と組み合わせることにより、マイクロエレクトロニクス
素子の構成部品として熱電材料を使用することも可能と
なる。 （実施例３）以下に本発明の他の実施例について図３を
参照しながら説明する。
【００１９】ゾルを形成するまでは、実施例１で示した
のと同様の製造工程を行い、続いて、増粘剤としてヒド
ロキシプロピルセルロースを適量加えて粘度を調節し、
えい糸性を持たせた。粘性ゾルの状態で線引きを行って
ゲルファイバーとした後に、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中
で熱処理を行い、ファイバー形状の熱電材料を作製する
ことができた。
のと同様の製造工程を行い、続いて、増粘剤としてヒド
ロキシプロピルセルロースを適量加えて粘度を調節し、
えい糸性を持たせた。粘性ゾルの状態で線引きを行って
ゲルファイバーとした後に、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中
で熱処理を行い、ファイバー形状の熱電材料を作製する
ことができた。
【００２０】この実施例の場合、実施例１で示した効果
に加えて材料性能を向上させたファイバーを用いること
により、熱センサーとして使用することができる。ま
た、練り合わせることにより、繊維状の熱電材料を形成
し、温度差方向に対する断熱性を増加することも可能と
なる。 （実施例４）以下に本発明の他の実施例について図４を
参照しながら説明する。
に加えて材料性能を向上させたファイバーを用いること
により、熱センサーとして使用することができる。ま
た、練り合わせることにより、繊維状の熱電材料を形成
し、温度差方向に対する断熱性を増加することも可能と
なる。 （実施例４）以下に本発明の他の実施例について図４を
参照しながら説明する。
【００２１】ゾルを形成するまでは、実施例１で示した
のと同様の製造工程を行い、ゲル化させるときに、充分
に乾燥させることなくゲル中に蒸発成分を微量残留する
ようにしておいて、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理
を行った。熱処理により微量蒸発成分がゲル中で蒸発し
て発泡した。結果として、内部が空隙だらけの発泡体熱
電材料を作製することができた。
のと同様の製造工程を行い、ゲル化させるときに、充分
に乾燥させることなくゲル中に蒸発成分を微量残留する
ようにしておいて、Ｎ2 −Ｈ2 混合ガス気流中で熱処理
を行った。熱処理により微量蒸発成分がゲル中で蒸発し
て発泡した。結果として、内部が空隙だらけの発泡体熱
電材料を作製することができた。
【００２２】この実施例の場合、実施例１で示した効果
に加えて材料性能を向上させた発泡体をたとえば、建築
材料として壁材、床材、天井材そのものもしくは、内部
に発泡体熱電材料を含んだ材料を使用することにより、
断熱材として使用したり、部屋の内部の輻射冷却を行っ
たりすることができるといったことも可能となる。
に加えて材料性能を向上させた発泡体をたとえば、建築
材料として壁材、床材、天井材そのものもしくは、内部
に発泡体熱電材料を含んだ材料を使用することにより、
断熱材として使用したり、部屋の内部の輻射冷却を行っ
たりすることができるといったことも可能となる。
【００２３】なお、この実施例では上記のように、蒸発
成分を残留させるといった製造方法をとったが、より積
極的に発泡を制御するために、適当な発泡剤を添加して
も構わない。
成分を残留させるといった製造方法をとったが、より積
極的に発泡を制御するために、適当な発泡剤を添加して
も構わない。
【００２４】
【発明の効果】以上の各実施例の説明より明らかなよう
に、本発明による熱電材料の製造方法は、金属塩化物お
よびアセチルアセトンおよびシリコンアルコキシドを主
な出発原料として、金属アセチルアセトネートの生成、
シリコンアルコキシドの加水分解、脱塩素反応を経て、
窒素−水素混合ガス中で熱処理を行うといった熱電材料
の製造方法を用いているので、ゼーベック係数と電気伝
導率が増大し、熱伝導率が低減された高性能の複合熱電
材料を得ることができ、各種の違った形状の熱電材料を
得ることができる。
に、本発明による熱電材料の製造方法は、金属塩化物お
よびアセチルアセトンおよびシリコンアルコキシドを主
な出発原料として、金属アセチルアセトネートの生成、
シリコンアルコキシドの加水分解、脱塩素反応を経て、
窒素−水素混合ガス中で熱処理を行うといった熱電材料
の製造方法を用いているので、ゼーベック係数と電気伝
導率が増大し、熱伝導率が低減された高性能の複合熱電
材料を得ることができ、各種の違った形状の熱電材料を
得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の熱電材料の製造方法の工程
図
図
【図２】本発明の他の実施例の熱電材料の製造方法の工
程図
程図
【図３】本発明の他の実施例の熱電材料の製造方法の工
程図
程図
【図４】本発明の他の実施例の熱電材料の製造方法の工
程図
程図
Claims (5)
- 【請求項１】 ２種以上の金属塩化物およびアセチルア
セトンおよびシリコンアルコキシドを主な出発原料とし
て用いて、金属アセチルアセトネートの生成、シリコン
アルコキシドの加水分解、脱塩素反応を起こしてゾル状
態を経て、乾燥ゲル化させた状態の粉末を、窒素−水素
混合ガス中で熱処理することにより、ＳｉＯ2 ガラスの
作製とともに２種以上の金属による金属間化合物の微結
晶を析出させ、さらに、粉末に加圧成形を行い、再び窒
素−水素混合ガス中で熱処理して任意の形状のバルク体
にすることを特徴とする熱電材料の製造方法。 - 【請求項２】 ２種以上の金属塩化物およびアセチルア
セトンおよびシリコンアルコキシドを主な出発原料とし
て用いて、金属アセチルアセトネートの生成、シリコン
アルコキシドの加水分解、脱塩素反応を起こしてゾル化
させた状態で、絶縁性基板表面にコーティングを行い、
ゲルコーティング膜を形成し、窒素−水素混合ガス中で
熱処理することによりＳｉＯ2 ガラスの作製とともに２
種以上の金属による金属間化合物の微結晶を析出させた
コーティング膜を形成することを特徴とする熱電材料の
製造方法。 - 【請求項３】 ２種以上の金属塩化物およびアセチルア
セトンおよびシリコンアルコキシドを主な出発原料とし
て用いて、金属アセチルアセトネートの生成、シリコン
アルコキシドの加水分解、脱塩素反応を起こした粘性ゾ
ルの状態で、線引きを行い、ゲルファイバーとした後、
窒素−水素混合ガス中で熱処理することによりＳｉＯ2
ガラスの作製とともに２種以上の金属による金属間化合
物の微結晶を析出させたファイバーを形成することを特
徴とする熱電材料の製造方法。 - 【請求項４】 ２種以上の金属塩化物およびアセチルア
セトンおよびシリコンアルコキシドを主な出発原料とし
て用いて、金属アセチルアセトネートの生成、シリコン
アルコキシドの加水分解、脱塩素反応を起こしてゾル状
態からゲル状態へと変化させ、窒素−水素混合ガス中で
熱処理することにより発泡させ、ＳｉＯ2 ガラスの作製
とともに２種以上の金属による金属間化合物の微結晶を
析出させた発泡体を形成することを特徴とする熱電材料
の製造方法。 - 【請求項５】 金属塩化物としてＢｉＣｌ3 、ＳｂＣｌ
3 、ＴｅＣｌ4 、ＳｅＣｌ4 を用いて金属間化合物の微
結晶を（Ｂｉ、Ｓｂ）2 （Ｔｅ、Ｓｅ）3 、としてＰ型
およびＮ型の半導体性を制御することを特徴とする請求
項１、２、３、４のいずれかに記載の熱電材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311525A JPH06163996A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 熱電材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311525A JPH06163996A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 熱電材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163996A true JPH06163996A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18018291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311525A Pending JPH06163996A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 熱電材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163996A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105101A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱電素子およびその製造方法 |
| JP2011035259A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toyota Motor Corp | ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法 |
| US8394284B2 (en) | 2007-06-06 | 2013-03-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric converter and method of manufacturing same |
| US8617918B2 (en) | 2007-06-05 | 2013-12-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric converter and method thereof |
| US8828277B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-09-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same |
| WO2015005065A1 (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311525A patent/JPH06163996A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8617918B2 (en) | 2007-06-05 | 2013-12-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric converter and method thereof |
| US8394284B2 (en) | 2007-06-06 | 2013-03-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric converter and method of manufacturing same |
| JP2009105101A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱電素子およびその製造方法 |
| US8828277B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-09-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same |
| JP2011035259A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toyota Motor Corp | ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法 |
| WO2015005065A1 (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
| JP2015018954A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
| CN104885242A (zh) * | 2013-07-11 | 2015-09-02 | 丰田自动车株式会社 | 纳米复合热电转换材料的制造方法 |
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