JPH06163669A

JPH06163669A - 搬送装置

Info

Publication number: JPH06163669A
Application number: JP33522392A
Authority: JP
Inventors: Teruo Asakawa; 輝雄浅川; Toru Ikeda; 亨池田; Teruo Iwata; 輝夫岩田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1992-11-20
Filing date: 1992-11-20
Publication date: 1994-06-10
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP3514391B2

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体の搬送に伴う搬送路内の気体の気流
の発生を抑制することにより被処理体の表面にパーティ
クルの付着を未然に防止する搬送装置を提供するもので
ある。【構成】被処理体２０を搬送する搬送手段３０と、前
記被処理体２０が前記搬送手段３０により搬送される気
密にされた搬送路３，４，５，８を備えた搬送装置１に
おいて、前記搬送路３，４，５，８を空気の比重より重
い比重の気体により充満させるとともに、前記搬送路
３，４，５，８に前記気体を供給する供給手段１００を
設け構成されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の被処理体、例えば半導体ウエハを
搬送手段により搬送する搬送装置において、前記半導体
ウエハを前記搬送手段により搬送する際の搬送路におい
ては、半導体ウエハ上への不純物の付着又は自然酸化膜
の形成を防止する等の目的で前記搬送路に不活性ガス、
例えば一般的にＮ₂ガスを前記搬送路に充満させている
搬送装置が知られている。また、前記搬送手段により前
記半導体ウエハを処理する処理室に半導体ウエハを搬入
又は搬出する際、搬入又は搬出作業前に前記搬送手段を
設けた気密に構成される気密室を前記処理室と同等の圧
力、例えば１０^-3Ｔｏｒｒ以下に排気手段、例えば真空
ポンプにより減圧した後、前記処理室と気密室間に設け
られた開閉扉、例えばゲートバルブを開放し前記半導体
ウエハを前記搬送手段により処理室に搬入又は搬出して
いた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記被
処理体、例えば半導体ウエハを搬送させる搬送路を空気
の比重より軽い比重の気体、例えばＮ₂により充満さ
せ、空気雰囲気より前記半導体ウエハを前記搬送路に搬
入する際、空気が微量にも混入するとともに、搬送路に
充満するＮ₂ガスが気流の流れより大きく乱れるので、
搬送路内の底面や側面に堆積あるいは付着していたパー
ティクルが吹き上げられて飛散し、前記半導体ウエハ上
に重金属等の不純物が付着するという問題点があった。
また、前記搬送路より減圧室、例えば前記半導体ウエハ
を処理する処理室に搬入又は搬出するが、前記搬送路を
気密に構成し前記処理室と同等の圧力、例えば１０^-3Ｔ
ｏｒｒ以下に排気手段、例えば真空ポンプにより減圧す
る際、気流の乱れが生じ搬送路内の底面や側面に堆積あ
るいは付着していたパーティクルを舞い上がらせ、前記
半導体ウエハ上に重金属等の不純物が付着するという問
題点があった。

【０００４】本発明の目的は被処理体の搬送に伴う搬送
路内の気体の気流の発生を抑制することにより被処理体
の表面にパーティクルの付着を未然に防止する搬送装置
を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
被処理体を搬送する搬送手段と、前記被処理体が前記搬
送手段により搬送される気密にされた搬送路を備えた搬
送装置において、前記搬送路を空気の比重より重い比重
の気体により充満させるとともに、前記搬送路に前記気
体を供給する供給手段を設け構成されたものである。請
求項２記載の発明は、被処理体を搬送する搬送手段と、
この搬送手段を備え、かつ減圧に設定される空間を構成
する気密室を設けた搬送装置において、前記気密室内
に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の冷却
温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体を充満さ
せておくとともに、この気密室内における前記気体の凝
結及び蒸発を行なわせるための手段を設け構成されたも
のである。請求項３記載の発明は、前記気体はＣＯ₂ガ
スであることを特徴としている。

【０００６】

【作用】本発明は、被処理体を搬送手段により搬送され
る気密にされた搬送路において、前記搬送路を空気の比
重より重い比重の気体により充満させることにより被処
理体の搬送に伴う搬送路内の気体の気流の発生を抑制す
ることができる。また、減圧に設定され気密に構成され
る搬送路に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未
満の冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体
を充満させておくとともに、この気密室内における前記
気体の凝結及び蒸発を行なわせるための手段を設けたこ
とにより、大気圧から減圧または減圧から大気圧の変化
に伴う搬送路内の気体の気流の発生を抑制することがで
きる。

【０００７】

【実施例】以下、図１乃至図６において、本発明の詳細
を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の搬送装
置が適用される搬送システム１の全体構成を示す配置図
であり、被処理体、例えば半導体ウエハは搬送方向２の
方向に沿って上流側から、搬送路であるカセットステー
ション室（センダー側）３、前記半導体ウエハの移替え
ロードロック室（センダー側）４、前記半導体ウエハの
浮上搬送室５、前記半導体ウエハの移替えロードロック
室（レシーバー側）４、カセットステーション室（レシ
ーバー側）３へと前記半導体ウエハが搬送されるよう構
成されており、また、前記半導体ウエハの浮上搬送室５
の途中には大気と減圧を繰り返す前記半導体ウエハの移
替え気密室８、前記半導体ウエハを処理する処理室９が
設けられ、また、前記半導体ウエハの浮上搬送室５の途
中には他の前記半導体ウエハの浮上搬送室５に前記半導
体ウエハを受け渡しする前記半導体ウエハの移替えロー
ドロック室４が配置されており、これら各部は、その連
結部に開閉扉、例えばゲートバルブＧが設けられ、前記
半導体ウエハを隣合う部位へ移送する際に、このゲート
バルブＧを開放するよう構成されている。

【０００８】前述したカセットステーション室３は図２
に示すように、前記半導体ウエハ２０はこの半導体ウエ
ハ２０を最大２５枚収納可能としたカセット２１に収納
され、このカセット２１は前記カセットステーション室
３の底部に設けられた前記カセット２１を保持する保持
機構（図示しない）を備えたカセット載置台２２に保持
されている。また、前記カセットステーション室３の上
部には、前記カセット２１を空気雰囲気に搬入または搬
出するためのカセット搬入搬出口２３が設けられ、この
カセット搬入搬出口２３を開閉するための開閉扉、例え
ばゲートバルブＧが前記カセットステーション室３を気
密に封止する封止体、例えばＯリング２４を介して設け
られ、図示しないカセット搬入搬出手段により前記カセ
ットステーション室３の前記カセット載置台２２に前記
カセット２１を搬入又は搬出するよう構成されている。

【０００９】また、前記カセットステーション室３の側
壁の一端には、前記カセット２１に前記半導体ウエハ２
０を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬出口２５
が設けられ、このウエハ搬入搬出口２５を開閉するため
のゲートバルブＧがＯリング２４を介して設けられてお
り、また、前記カセットステーション３の側壁の他端に
は、このカセットステーション室３内に空気の比重より
重い比重の気体、例えばＣＯ₂を供給する供給する手段
としての供給管２６が開閉弁、例えばエアーオペレート
バルブ２７を介して気密に設けられ、以上の如く前記カ
セットステーション３が構成されている。

【００１０】また、前述した前記半導体ウエハ２０の移
替えロードロック室４は図３に示すように、移替えロー
ドロック室４内には前記半導体ウエハ２０を搬入または
搬出するための搬送手段３０が気密に設けられており、
この搬送手段３０は、回転方向θ、上下方向Ｚにそれぞ
れ独立して移動する機構を備えた機構台３３を備え、ま
た、この機構台３３には上部に伸縮（図３中伸縮方向
Ｘ）可能としたアーム３５が設けられ、このアーム３５
の先端には前記半導体ウエハ２０を保持する保持部３６
を有し、また前記機構台３３内には前記アーム３５を伸
縮させる伸縮機構も備え、前記搬送手段３０が構成され
ている。また、前記ロードロック室４の側壁の一端には
空気の比重より重い比重の気体、例えばＣＯ₂を供給す
るための供給口３７が気密に設けられ、この供給口３７
には開閉弁、例えばエアーオペレートバルブ３８を介し
て供給管３９に接続され、また、前記ロードロック室４
の側壁の他端には、前記半導体ウエハ２０を一枚ずつ出
し入れするためのウエハ搬入搬出口２５が設けられ、こ
のウエハ搬入搬出口２５を開閉するためのゲートバルブ
ＧがＯリング（図示しない）を介して設けられており、
また、前記ウエハ搬入搬出口２５と対向する前記ロード
ロック室４の側壁（図示しない）にも同様に前記半導体
ウエハ２０を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬
出口２５（図示しない）が設けられ、このウエハ搬入搬
出口２５を開閉するためのゲートバルブＧ（図示しな
い）がＯリング（図示しない）を介して設けられてお
り、前記ロードロック室４が構成されている。

【００１１】また、前述した浮上搬送室５は、下部に前
記半導体ウエハ２０の裏面に空気の比重より重い比重の
気体、例えばＣＯ₂を均等に（図４中Ａ）吹き出すとと
もに、図示しない吹出し方向機構を設けた吹出し口４０
をライン状に備えた中空構造の第１のプレート４１が設
けられている。さらに、このプレート４１の中空部４２
には、この中空部４２に前記ＣＯ₂を供給する供給管４
３が気密に接続され、さらに、この供給管４３は前記浮
上搬送室５の側壁に気密に貫通され開閉弁、例えばエア
ーオペレートバルブ４４を介して供給管４３に接続され
ている。また、前記プレート４１の両端部には前記半導
体ウエハ２０を案内するガイド４５が設けられている。

【００１２】また、前記浮上搬送室５の上部には、前記
半導体ウエハ２０の表面に空気の比重より重い比重の気
体を供給する手段としての、例えばＣＯ₂を均等に（図
４中Ｂ）吹き出すとともに、図示しない吹出し方向機構
を設けた吹出し口４６をライン状に備えた中空構造の第
２のプレート４７が設けられている。さらに、このプレ
ート４７の中空部４８には、この中空部４８に前記ＣＯ
₂を供給する供給する手段としての供給管４９が気密に
接続され、さらに、この供給管４９は前記浮上搬送室５
の上壁に気密に貫通され開閉弁、例えばエアーオペレー
トバルブ５０を介して供給管４９に接続されている。以
上により、前記半導体ウエハ２０は、この半導体ウエハ
２０の表面及び裏面に前記吹出し口４０，４６より吹出
されるＣＯ₂に均等に押圧され浮上状態を保つととも
に、前記それぞれの吹出し方向機構により浮上状態を保
ったまま図４の奥方向と手前方向に自在に移動又は停止
可能に前記浮上搬送室５が構成されている。

【００１３】また、前述した移替え気密室８は、図５に
示すように、この移替え気密室８内には前記半導体ウエ
ハ２０を搬入または搬出するための搬送手段３０が気密
に設けられており、この搬送手段３０は、回転方向θ、
上下方向Ｚにそれぞれ独立して移動する機構を備えた機
構台３３を備え、また、この機構台３３には上部に伸縮
（図５中伸縮方向Ｘ）可能としたアーム３５が設けら
れ、このアーム３５の先端には前記半導体ウエハ２０を
保持する保持部３６を有し、また前記機構台３３内には
前記アーム３５を伸縮させる伸縮機構も備え、前記搬送
手段３０が構成されている。

【００１４】また、前記気密室８の側壁の一端には常温
で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の冷却温度下で
蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体、例えばＣＯ₂を
供給する手段としての供給口３７が気密に設けられてい
る。前記常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の
冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体とし
て、本実施例ではＣＯ₂を採用しており、このＣＯ
₂は、表１に示すように、例えば１０５°Ｋにて平衡蒸
気圧が１０^-3Ｔｏｒｒとなる。この１０５°Ｋでは、前
記気密室８内の水分（Ｈ₂Ｏ）の平衡蒸気圧が１０^-3Ｔ
ｏｒｒよりはるかに低いので、水分が前記半導体ウエハ
２０に付着することがない。さらに、この供給口３７に
は開閉弁、例えばエアーオペレートバルブ３８を介して
供給管３９に接続され、また、前記気密室８の側壁の他
端には、この気密室８の圧力値をモニターする導入口６
８が気密に設けられ、この導入口６８は配管を介して圧
力計６９に接続されている。また、前記気密室８の側壁
の他端には、前記半導体ウエハ２０を一枚ずつ出し入れ
するためのウエハ搬入搬出口２５が設けられ、このウエ
ハ搬入搬出口２５を開閉するためのゲートバルブＧがＯ
リング（図示しない）を介して設けられており、さら
に、前記ウエハ搬入搬出口２５と対向する前記気密室８
の側壁（図示しない）にも同様に前記半導体ウエハ２０
を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬出口２５
（図示しない）が設けられ、このウエハ搬入搬出口２５
を開閉するためのゲートバルブＧ（図示しない）がＯリ
ング（図示しない）を介して設けられている。

【００１５】また、前記移替え気密室８内の側壁の近傍
のそれぞれ対向する位置には、トラップ取付板５１、５
１ａが設けられており、このトラップ取付板５１側の表
面には、前記ＣＯ₂の凝結及び蒸発を行なわせるための
手段としてのトラップ機構５２が設けられている。この
トラップ機構５２は図６に示すように、前記トラップ取
付板５１の内面に一体化された、複数のラジエータ状を
なす蛇行パイプ６１，６２により構成され、これら蛇行
パイプ６１，６２のうち、前記トラップ取付板５１面側
の蛇行パイプ６１には、前記ＣＯ₂を凝結させるべく冷
媒、例えば、−１９６℃以下の液体窒素（ＬＮ₂）が通
流され、また前記蛇行パイプ６２には、前記ＣＯ₂を蒸
発させるべく温媒、例えば常温のＮ₂、空気または温水
等が通流するよう構成されている。

【００１６】さらに、前記蛇行パイプ６１，６２の外周
面には前述のＣＯ₂凝結または蒸発を効率良く行なうた
めの複数のフィン６３がそれぞれ設けられている。ま
た、前記蛇行パイプ６１の初端は前記移替え気密室８の
底壁の貫通部５３で気密に貫通され開閉弁、例えば電磁
弁５４を介して前記液体窒素（ＬＮ₂）の導入管５５に
接続され、また、前記蛇行パイプ６１の終端は前記移替
え気密室８の底壁の貫通部５６で気密に貫通され排出管
５７に接続されている。また、前記蛇行パイプ６２の初
端は前記移替え気密室８の底壁の貫通部５８で気密に貫
通され開閉弁、例えば電磁弁５９を介して前記窒素（Ｎ
₂）の導入管６０に接続され、また、前記蛇行パイプ６
２の終端は前記移替え気密室８の底壁の貫通部６５で気
密に貫通され排出管６６に接続され前記ＣＯ₂の凝結及
び蒸発を行なわせるための手段が構成されている。ま
た、前記トラップ取付板５１ａ側も前述トラップ取付板
５１と同様に構成されるとともに、以上気密室８が構成
されている。

【００１７】また、前述した半導体ウエハ２０を処理す
る処理室９は、処理装置、例えば前記半導体ウエハ２０
をプラズマ等によりエッチング処理するプラズマエッチ
ング装置、前記半導体ウエハの自然酸化膜等を除去する
自然酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付けする酸
化炉、ＣＶＤ等の熱処理装置等が組合せ自在に接続さ
れ、前記気密室８より減圧雰囲気、例えば１０^-3Ｔｏｒ
ｒ以下で前記半導体ウエハ２０が受渡し可能に構成され
るとともに、以上搬送システム１が構成されている。

【００１８】次に、以上のように構成された搬送システ
ム１における半導体ウエハ２０の搬送動作について説明
する。まず、図２に示すように、前記カセット２１に収
容された半導体ウエハ２０はカセットステーション室３
の上部のゲートバルブＧが開放し、図示しないカセット
搬入搬出手段により前記カセットステーション室３の前
記カセット載置台２２に前記カセット２１を搬入する。
この際、前記カセットステーション室３内には、空気の
比重より重い比重の気体のＣＯ₂が充満しており、前記
カセット２１がカセット搬入搬出手段により前記カセッ
トステーション室３内に搬入されてもＣＯ₂が空気の比
重より重い比重の気体であるので空気の混入を阻止する
とともに、ＣＯ₂が前記カセットステーション室３に漏
れだし、気流の乱れにより、パーティクルを飛散させる
こともないので、カセット２１の搬入又は搬出時に半導
体ウエハ２０の表面にパーティクルの付着を未然に防ぐ
ことになる。さらに、このカセット２１の搬入の後、前
記カセット載置台２２の保持機構によりカセット２１を
保持し、前記カセット搬入搬出手段がカセットステーシ
ョン室３の外部に移動するとともに、ＣＯ₂を前記カセ
ットステーション室３に供給するためにエアーオペレー
トバルブ２７を開放し、前記カセットステーション室３
に、ＣＯ₂を充満させた後、前記カセットステーション
室３の上部のゲートバルブＧを閉じる。

【００１９】次に、前記カセットステーション室３の側
方のゲートバルブＧを開放し、図３に示す移替えロード
ロック室４内の搬送手段３０により半導体ウエハ２０が
一枚前記カセット２１より取出され、前記搬送手段３０
は半導体ウエハ２０を保持したまま、前記カセットステ
ーション室３と対向する位置に回転し、前記移替えロー
ドロック室４と前記浮上搬送室５の間に設けられたゲー
トバルブＧの開放の後、前記浮上搬送室５に半導体ウエ
ハ２０を搬入する。また、移替えロードロック室４内に
は予め空気の比重より重い比重の気体であるＣＯ₂が前
記エアーオペレートバルブ３８を開放し供給口３７より
充満しているものとする。次に、前記浮上搬送室５に移
載された半導体ウエハ２０は、図４に示す如くこの半導
体ウエハ２０の表面及び裏面に前記吹出し口４０，４６
より吹出されるＣＯ₂に均等に押圧され浮上状態に保た
れ、前記吹出し方向機構により浮上状態を保たれたまま
図１に示す前記浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲー
トバルブＧ位置まで移動し浮上停止するとともに、前記
浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲートバルブＧが開
放する。

【００２０】次に、図５に示す移替え気密室８内に設け
られた搬送手段３０により半導体ウエハ２０が前記浮上
搬送室５より取出され、前記移替え気密室８内に搬入す
るとともに前記浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲー
トバルブＧを閉じる。次に、前記移替え気密室８内に設
けられたトラップ取付板５１に設けられた前記ＣＯ₂の
凝結及び蒸発を行なわせるための手段としてのトラップ
機構５２の複数のラジエータ状をなす蛇行パイプ６１に
前記電磁弁５４を開放するとともに前記移替え気密室８
内に充満するＣＯ₂を凝結すべく液体窒素（ＬＮ₂）を
通流させる。これによって、気密室８内のＣＯ₂分子は
蛇行パイプ６１及び蛇行パイプ６１の外周面の複数のフ
ィン６３に凝結し、前記移替え気密室８内の圧力値が１
０^-3Ｔｏｒｒ以下に設定される。なお、この時、気密室
８内に存在する水分は、前述したように、ＣＯ₂ガスの
設定温度と同じ温度を設定した場合には、ＣＯ₂ガスの
蒸気圧よりも低い圧力に達しているので、気密室８内の
圧力を所定の真空度にする際の障害にはならない。ま
た、気密室８内の圧力は前記圧力計６９によって監視さ
れ、所定の圧力値以下に達するまで前記液体窒素（ＬＮ
₂）を蛇行パイプ６１に通流させ、その圧力値に達した
時点で前記電磁弁５４を閉じ、液体窒素（ＬＮ₂）の通
流を停止する。

【００２１】次に、前記気密室８と処理室９間に設けら
れたゲートバルブＧを開放し、前記気密室８内に設けら
れた搬送手段３０により半導体ウエハ２０を処理室９内
に搬入するとともに引き渡され、前記気密室８内に搬送
手段３０が移動し、前記気密室８と処理室９間に設けら
れたゲートバルブＧを閉じる。さらに、処理室９で半導
体ウエハ２０を処理の後、前記気密室８と処理室９間に
設けられたゲートバルブＧを開放し、前記気密室８内に
設けられた搬送手段３０により半導体ウエハ２０を処理
室９内より搬出するとともに、前記気密室８と処理室９
間に設けられたゲートバルブＧを閉じる。

【００２２】次に、前記移替え気密室８内に設けられた
トラップ取付板５１に設けられた前記ＣＯ₂の凝結及び
蒸発を行なわせるための手段としてのトラップ機構５２
の複数のラジエータ状をなす蛇行パイプ６２に前記電磁
弁５９を開放するとともに、蛇行パイプ６１及び蛇行パ
イプ６１の外周面の複数のフィン６３に凝結したＣＯ₂
を蒸発させるための常温以上の温媒、例えば常温のＮ₂
を供給する。これによって、蛇行パイプ６１及び蛇行パ
イプ６１の外周面の複数のフィン６３に凝結していたＣ
Ｏ₂分子が蒸発して気密室８内に放出され、気密室８内
の圧力を大気圧又は大気圧以上に移行させる。そして、
前記圧力計６９によって気密室８内を監視し、気密室８
内の圧力が大気圧又は大気圧以上に達した時点で、電磁
弁５９を閉じ、蛇行パイプ６２へのＮ₂の供給を停止す
る。この後、前記浮上搬送室５と前記移替え気密室８間
のゲートバルブＧを開放し、前記移替え気密室８内に設
けられた搬送手段３０により半導体ウエハ２０が前記浮
上搬送室５内に搬入かつ引き渡される。

【００２３】次に、前記浮上搬送室５内に搬入された半
導体ウエハ２０は、前記吹出し方向機構により浮上状態
を保たれたまま図１に示す前記浮上搬送室５と前記移替
えロードロック室（レシーバー側）４間のゲートバルブ
Ｇの位置まで移動し浮上停止させるとともに、このゲー
トバルブＧを開放する。さらに、図３に示す前記移替え
ロードロック室（レシーバー側）４内の搬送手段３０に
より半導体ウエハ２０が前記浮上搬送室５より取出さ
れ、前記搬送手段３０は半導体ウエハ２０を保持したま
ま、前記移替えロードロック室（レシーバー側）４内に
搬入し、前記浮上搬送室５と前記移替えロードロック室
（レシーバー側）４間のゲートバルブＧを閉じる。さら
に、前記移替えロードロック室（レシーバー側）４内の
搬送手段３０は、前記浮上搬送室５と対向する位置の図
２に示すカセットステーション室（レシーバー側）３側
に回転し、移替えロードロック室（レシーバー側）４と
カセットステーション室（レシーバー側）３間のゲート
バルブＧを開放し、カセットステーション室（レシーバ
ー側）３内のカセット２１に半導体ウエハ２０を搬出す
る。この搬出の後、搬送手段３０は移替えロードロック
室（レシーバー側）４に移動し、移替えロードロック室
（レシーバー側）４とカセットステーション室（レシー
バー側）３間のゲートバルブＧを閉じ、前述同様、半導
体ウエハ２０の搬送工程が順次くり返される。

【００２４】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。（１）移替え気密室８の減圧動作および大気圧への復
帰の際に、真空ポンプ等の給排装置を用いていないの
で、この給排装置を用いた場合に設けられる配管を必要
とせず、これによって、給排気が配管内を通過する際の
流路抵抗を生ずる事態を回避でき、迅速な圧力変換が可
能となるとともに、装置をコンパクトにすることができ
る。（２）また、被処理体を空気中にさらすことなく一定
の雰囲気にて搬送するするとともに、この被処理体にパ
ーティクルの付着の防止が可能となり、この被処理体の
処理後の搬送においても外気にさらされないので、大規
模のクリーンルームでなくても十分に前記被処理体への
汚染を防止することができる。

【００２５】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図７の

【ａ】に示すように、前記トラップ機構５２の複数のラ
ジエータ状をなす蛇行パイプは２重構造に構成されてお
り、内側の蛇行パイプ８１内に前記ＣＯ₂を蒸発させる
べく温媒、例えば常温のＮ₂、空気または温水等が通流
するよう構成され、外側の蛇行パイプ８０と内側の蛇行
パイプ８１間にＣＯ₂を凝結させるべく冷媒、例えば、
−１９６℃以下の液体窒素（ＬＮ₂）が通流されるよう
構成されている。このように、蛇行パイプを２重構造に
構成したことにより、熱伝導率が向上し、さらに効率よ
くＣＯ₂の凝結を蒸発させることができ、短時間で減圧
状態から大気圧にすることができる。

【００２６】次に、第３の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図７の

【ｂ】に示すように、前記トラップ機構５２の複数のラ
ジエータ状をなす蛇行パイプ９０はＣＯ₂を凝結させる
べく冷媒、例えば、−１９６℃以下の液体窒素（Ｌ
Ｎ₂）が通流されるよう構成され、この蛇行パイプ９０
の両近傍にヒーター９１を内蔵した、ホットプレート９
２が設けられており、このホットプレート９２のヒータ
ー９１の発熱により、さらに効率よくＣＯ₂の凝結を蒸
発させることができ、短時間で減圧状態から大気圧にす
ることができる。

【００２７】尚、空気の比重より重い比重の気体に本実
施例では、ＣＯ₂を取り上げたが、空気の比重より重い
比重の気体、例えばＮｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の
気体でもよいことは勿論であり、さらに、常圧において
Ｏ−Ｓｉ（１９２Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅ）の原子分子間の
結合エネルギーより大きな結合エネルギーの気体であれ
ばさらに自然酸化膜の形成を防止することができる。ま
た、前記搬送装置において、搬送路は各々ブロック化さ
れており自在に接続又は構成されることは言うまでもな
く、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、処理室はエッチング処理するプラズマエッチング
装置、前記半導体ウエハの自然酸化膜等を除去する自然
酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付けする酸化
炉、ＣＶＤ等の熱処理装置に限らず、また常圧，減圧ま
たは陽圧とした処理室等でのあらゆる処理装置に接続す
ることができる。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、被処理体を搬送手段により搬
送される気密にされた搬送路において、前記搬送路を空
気の比重より重い比重の気体により充満させることによ
り被処理体の搬送に伴う搬送路内の気体の気流の発生を
抑制し、被処理体の表面にパーティクルの付着を未然に
防止する。また、減圧に設定され気密に構成される搬送
路に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の冷
却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体を充満
させておくとともに、この気密室内における前記気体の
凝結及び蒸発を行なわせるための手段を設けたことによ
り、大気圧から減圧または減圧から大気圧の変化に伴う
搬送路内の気体の気流の発生を抑制し、被処理体の表面
にパーティクルの付着を未然に防止できるという顕著な
効果がある。

【００２９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施例の搬送路が適用され
る搬送装置の全体構成を説明するための配置図である。

【図２】図１の搬送路の構成を示すカセットステーショ
ン室の概略断面図である。

【図３】図１の搬送路の構成を示す移替えロードロック
室の概略斜視図である。

【図４】図１の搬送路の構成を示す浮上搬送室の概略断
面図である。

【図５】図１の搬送路の構成を示す移替え気密室の概略
斜視図である。

【図６】図５の移替え気密室のトラップ機構の要部構成
を示す部分概略断面図である。

【図７】

【ａ】図６に示す他の蛇行パイプの実施例を説明する部
分概略断面図である。

【ｂ】図６に示す他の凝結及び蒸発を行なわせるための
手段の実施例を説明する部分概略断面図である。

【符合の説明】

１搬送システム３搬送路（カセットステーション室）４搬送路（移替えロードロック室）５搬送路（浮上搬送室）８搬送路（移替え気密室）２０被処理体（半導体ウエハ）５２凝結及び蒸発を行なわせるための手段（トラッ
プ機構）１００供給手段

【表１】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を搬送する搬送手段と、前記被
処理体が前記搬送手段により搬送される気密にされた搬
送路を備えた搬送装置において、前記搬送路を空気の比重より重い比重の気体により充満
させるとともに、前記搬送路に前記気体を供給する供給
手段を設けたことを特徴とする搬送装置。
【請求項２】被処理体を搬送する搬送手段と、この搬
送手段を備え、かつ減圧に設定される空間を構成する気
密室を設けた搬送装置において、前記気密室内に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常
温未満の冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる
気体を充満させておくとともに、この気密室内における
前記気体の凝結及び蒸発を行なわせるための手段を設け
たことを特徴とする搬送装置。
【請求項３】前記気体はＣＯ₂ガスであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の搬送装置または特許
請求の範囲第２項記載の搬送装置。