JPH06160892A - 液晶表示装置及びその欠陥修正法 - Google Patents
液晶表示装置及びその欠陥修正法Info
- Publication number
- JPH06160892A JPH06160892A JP30999192A JP30999192A JPH06160892A JP H06160892 A JPH06160892 A JP H06160892A JP 30999192 A JP30999192 A JP 30999192A JP 30999192 A JP30999192 A JP 30999192A JP H06160892 A JPH06160892 A JP H06160892A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tft
- liquid crystal
- gate
- source
- display device
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大面積ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、パネル内部の
ＴＦＴに冗長性を持たせることなしに、補完用ＴＦＴを
取り付けて欠陥救済をすること。 【構成】液晶パネル上に形成されたＴＦＴの平面構成で
各ＴＦＴの３端子であるソース１０，ゲート１１，ドレ
イン１２にそれぞれソース・パッド部１３，ソース・カ
ット部１４，ゲート・パッド部１５，ゲート・カット部
１６，ドレイン・パッド部１７，ドレイン・カット部１
８を設け、欠陥ＴＦＴの場合各カット部をレーザで切り
離す。別なシリコン基板上に補完用ＴＦＴを作り、この
補完用ＴＦＴを各パッド部で接合し、画素欠陥の発生を
救済する。 【効果】本発明によれば、液晶パネル上のＴＦＴの構成
を複雑にすることなく、欠陥を修正できる。
ＴＦＴに冗長性を持たせることなしに、補完用ＴＦＴを
取り付けて欠陥救済をすること。 【構成】液晶パネル上に形成されたＴＦＴの平面構成で
各ＴＦＴの３端子であるソース１０，ゲート１１，ドレ
イン１２にそれぞれソース・パッド部１３，ソース・カ
ット部１４，ゲート・パッド部１５，ゲート・カット部
１６，ドレイン・パッド部１７，ドレイン・カット部１
８を設け、欠陥ＴＦＴの場合各カット部をレーザで切り
離す。別なシリコン基板上に補完用ＴＦＴを作り、この
補完用ＴＦＴを各パッド部で接合し、画素欠陥の発生を
救済する。 【効果】本発明によれば、液晶パネル上のＴＦＴの構成
を複雑にすることなく、欠陥を修正できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対角サイズが１メート
ル以上の画面を有し、薄膜トランジスタを用いた液晶表
示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
ル以上の画面を有し、薄膜トランジスタを用いた液晶表
示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】対角サイズが１メートル以上の画面を有
するＴＦＴ−ＬＣＤは、高精細表示が可能なＨＤＴＶ
（High Definition Television）の主要な表示装置にな
ると期待される。ＴＦＴはガラス基板上に半導体技術を
用いて形成されるが、ＴＦＴ−ＬＣＤでは、各画素に最
低１個のＴＦＴを必要とする。このために、ＨＤＴＶ用
のカラーＴＦＴ−ＬＣＤでは、１枚のガラス基板上に約
６００万個近くのＴＦＴが形成される。この時、欠陥の
あるＴＦＴが形成された場合、画素の欠陥や線状の欠陥
となってしまう。一般的に、基板サイズが大きくなるほ
ど、またＴＦＴの数が多くなるほど欠陥の発生数は多く
なる。したがって、対角サイズが１メートル以上の基板
上に、上記のように多数のＴＦＴを配置し、それらを薄
膜の配線で組み合わせたパネルを、無欠陥で形成するこ
とは非常に困難である。このために、欠陥の修正技術が
必要となる。発生する欠陥の原因により、用いられる修
正技術が変わる。ＴＦＴに起因する欠陥に対しては、ジ
ャパン・ディスプレイ８６予稿集、第２０４頁から第２
０７頁(１９８６年)(Japan Display ８６，pp.２０４−
２０７，１９８６）に記載されている。この従来技術で
は、予め１つの画素電極に付属するＴＦＴを２個形成
し、不良を起こしたＴＦＴへの配線をレーザによって切
断する方法が用いられている。
するＴＦＴ−ＬＣＤは、高精細表示が可能なＨＤＴＶ
（High Definition Television）の主要な表示装置にな
ると期待される。ＴＦＴはガラス基板上に半導体技術を
用いて形成されるが、ＴＦＴ−ＬＣＤでは、各画素に最
低１個のＴＦＴを必要とする。このために、ＨＤＴＶ用
のカラーＴＦＴ−ＬＣＤでは、１枚のガラス基板上に約
６００万個近くのＴＦＴが形成される。この時、欠陥の
あるＴＦＴが形成された場合、画素の欠陥や線状の欠陥
となってしまう。一般的に、基板サイズが大きくなるほ
ど、またＴＦＴの数が多くなるほど欠陥の発生数は多く
なる。したがって、対角サイズが１メートル以上の基板
上に、上記のように多数のＴＦＴを配置し、それらを薄
膜の配線で組み合わせたパネルを、無欠陥で形成するこ
とは非常に困難である。このために、欠陥の修正技術が
必要となる。発生する欠陥の原因により、用いられる修
正技術が変わる。ＴＦＴに起因する欠陥に対しては、ジ
ャパン・ディスプレイ８６予稿集、第２０４頁から第２
０７頁(１９８６年)(Japan Display ８６，pp.２０４−
２０７，１９８６）に記載されている。この従来技術で
は、予め１つの画素電極に付属するＴＦＴを２個形成
し、不良を起こしたＴＦＴへの配線をレーザによって切
断する方法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来方法によ
る欠陥修正技術では、予め１つの画素電極に２個のTFT
を形成するために、基板上に形成されるＴＦＴの数は、
画素を駆動するために必要とするＴＦＴの数の２倍にな
る。この結果、ＴＦＴを形成するためのパターンが複雑
になり、設計に要する時間が増加してしまう。また、液
晶ディスプレイの重要な評価指数である画素部の開口率
の低下を引き起こす等の問題が有った。
る欠陥修正技術では、予め１つの画素電極に２個のTFT
を形成するために、基板上に形成されるＴＦＴの数は、
画素を駆動するために必要とするＴＦＴの数の２倍にな
る。この結果、ＴＦＴを形成するためのパターンが複雑
になり、設計に要する時間が増加してしまう。また、液
晶ディスプレイの重要な評価指数である画素部の開口率
の低下を引き起こす等の問題が有った。
【０００４】本発明の目的は、開口率の低下を引き起こ
さず、また基板上のＴＦＴの数を最小限に抑えかつ、Ｔ
ＦＴに起因する欠陥の修正可能な液晶表示装置を提供す
ることに有る。
さず、また基板上のＴＦＴの数を最小限に抑えかつ、Ｔ
ＦＴに起因する欠陥の修正可能な液晶表示装置を提供す
ることに有る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、液晶表
示装置のＴＦＴ基板を、補完用ＴＦＴを欠陥が発生した
ＴＦＴの替わりに取り付けることのできる構造とするこ
とによって達成される。
示装置のＴＦＴ基板を、補完用ＴＦＴを欠陥が発生した
ＴＦＴの替わりに取り付けることのできる構造とするこ
とによって達成される。
【０００６】
【作用】補完用ＴＦＴの特性は、液晶表示装置の基板に
形成されるＴＦＴと同一の特性を有している。また、補
完用ＴＦＴの３つの端子には、ＴＦＴ基板に取り付ける
際に用いられるパッドが付いている。基板側のＴＦＴに
は、この補完用ＴＦＴのパッドに対応する位置に取り付
け用のパッドが同様に形成されている。ＴＦＴ基板検査
によって発見された欠陥ＴＦＴの替わりに、補完用ＴＦ
Ｔを取り付けることによって、そのＴＦＴの欠陥によっ
て生じた画像欠陥を救済する。
形成されるＴＦＴと同一の特性を有している。また、補
完用ＴＦＴの３つの端子には、ＴＦＴ基板に取り付ける
際に用いられるパッドが付いている。基板側のＴＦＴに
は、この補完用ＴＦＴのパッドに対応する位置に取り付
け用のパッドが同様に形成されている。ＴＦＴ基板検査
によって発見された欠陥ＴＦＴの替わりに、補完用ＴＦ
Ｔを取り付けることによって、そのＴＦＴの欠陥によっ
て生じた画像欠陥を救済する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説
明する。図２は、液晶表示装置の構成を示す。ＴＦＴを
用いた液晶パネル１は、２枚のガラス基板の間に液晶物
質が層状に挟まれている。２枚のガラス基板の内、１枚
のガラス基板にはＡ1 からＡm のｍ本の信号側配線２
と、この信号側配線２と直交してＢ1 からＢn のｎ本の
走査側配線３が形成されている。信号側配線２と走査側
配線３の交差部にはＴＦＴ４が形成され、液晶５を駆動
する電圧のスイッチングを行っている。信号側配線２に
は、信号側回路６が接続されている。走査側配線３に
は、走査側回路７が接続されている。信号側回路６，走
査側回路７には、外部よりそれぞれの制御信号が入力端
子８より入力される。
明する。図２は、液晶表示装置の構成を示す。ＴＦＴを
用いた液晶パネル１は、２枚のガラス基板の間に液晶物
質が層状に挟まれている。２枚のガラス基板の内、１枚
のガラス基板にはＡ1 からＡm のｍ本の信号側配線２
と、この信号側配線２と直交してＢ1 からＢn のｎ本の
走査側配線３が形成されている。信号側配線２と走査側
配線３の交差部にはＴＦＴ４が形成され、液晶５を駆動
する電圧のスイッチングを行っている。信号側配線２に
は、信号側回路６が接続されている。走査側配線３に
は、走査側回路７が接続されている。信号側回路６，走
査側回路７には、外部よりそれぞれの制御信号が入力端
子８より入力される。
【０００８】液晶パネル上のＴＦＴを図１に、補完用Ｔ
ＦＴを図３に拡大して示す。液晶パネル上のＴＦＴは、
信号側配線２とソース１０，走査側配線３とゲート１
１、及び画素電極９とドレイン１２が接続されている。
信号側配線２とソース１０の接続部には、ソース・パッ
ド部１３とソース・カット部１４が有る。走査側配線３
とゲート１１の接続部には、ゲート・パッド部１５とゲ
ート・カット部が有る。画素電極９とドレイン１２の接
続部には、ドレイン・パッド部１７とドレイン・カット
部１８が有る。検査によってＴＦＴの欠陥が判明した場
合、レーザを用いて接続部の各カット部を切断し、欠陥
ＴＦＴを電気的に切り離す。次に図３に示すような補完
用ＴＦＴを接続する。補完用ＴＦＴ２１は、シリコン基
板１９上に酸化シリコン薄膜２０が形成され、その酸化
シリコン薄膜２０上に形成されている。補完用ＴＦＴ２
１には、ソース・パッド２２，ゲート・パッド２３，ド
レイン・パッド２４が形成され、各パッドは液晶パネル
上の切り離された欠陥ＴＦＴの各パッド部と接続され
る。図４は、図３の補完用ＴＦＴ２１のＡ−Ａ′部の断
面構造を示す。シリコン基板１９上に酸化シリコン膜２
０を成膜している。
ＦＴを図３に拡大して示す。液晶パネル上のＴＦＴは、
信号側配線２とソース１０，走査側配線３とゲート１
１、及び画素電極９とドレイン１２が接続されている。
信号側配線２とソース１０の接続部には、ソース・パッ
ド部１３とソース・カット部１４が有る。走査側配線３
とゲート１１の接続部には、ゲート・パッド部１５とゲ
ート・カット部が有る。画素電極９とドレイン１２の接
続部には、ドレイン・パッド部１７とドレイン・カット
部１８が有る。検査によってＴＦＴの欠陥が判明した場
合、レーザを用いて接続部の各カット部を切断し、欠陥
ＴＦＴを電気的に切り離す。次に図３に示すような補完
用ＴＦＴを接続する。補完用ＴＦＴ２１は、シリコン基
板１９上に酸化シリコン薄膜２０が形成され、その酸化
シリコン薄膜２０上に形成されている。補完用ＴＦＴ２
１には、ソース・パッド２２，ゲート・パッド２３，ド
レイン・パッド２４が形成され、各パッドは液晶パネル
上の切り離された欠陥ＴＦＴの各パッド部と接続され
る。図４は、図３の補完用ＴＦＴ２１のＡ−Ａ′部の断
面構造を示す。シリコン基板１９上に酸化シリコン膜２
０を成膜している。
【０００９】ＴＦＴ２１は、この酸化シリコン膜２０上
に形成される。酸化シリコン膜２０上にゲート２５が形
成される。ゲート２５は、クロミウム，アルミニウム，
多結晶シリコン等の電気伝導性の有る単膜あるいはこれ
らの複合膜で形成され、所定の形状にパターニングされ
ている。ゲート２５を被うように絶縁膜２６が形成され
る。絶縁膜２６は、酸化シリコン，窒化シリコン，酸化
タンタル等の単膜あるいはこれらの複合膜で構成され
る。絶縁膜２６の上に前記ゲート２５を被うようにパタ
ーニングされた非晶質シリコン層２７とｎ+ 非晶質シリ
コン層２８とソース電極２９とドレイン電極３０が形成
されている。ソース電極２９とドレイン電極３０は、ク
ロミウム，アルミニウム等の電気導電性の有る単膜ある
いはこれらの複合膜で形成される。ソース電極２９に
は、ソース・パッド２２がつけられ、ドレイン電極３０
には、ドレイン・パッド２４が形成されている。ソース
・パッド２２とドレイン・パッド２４の高さは、ＴＦＴ
の高さ以上にすることが必要であり、１〜３ミクロン程
度の高さとなる。補完用ＴＦＴのシリコン基板のもとも
との厚さは、通常０.３〜０.７ミリ程度である。この厚
いシリコン基板をＴＦＴが形成された面の反対側の面を
エッチングし、補完用ＴＦＴの部分を前記の酸化シリコ
ン膜のみとする。前記の各パッドを欠陥ＴＦＴの補完Ｔ
ＦＴとして接合した後、補完ＴＦＴの周辺の酸化シリコ
ン膜を切り離す。切り離し時には、レーザを用いてもよ
い。
に形成される。酸化シリコン膜２０上にゲート２５が形
成される。ゲート２５は、クロミウム，アルミニウム，
多結晶シリコン等の電気伝導性の有る単膜あるいはこれ
らの複合膜で形成され、所定の形状にパターニングされ
ている。ゲート２５を被うように絶縁膜２６が形成され
る。絶縁膜２６は、酸化シリコン，窒化シリコン，酸化
タンタル等の単膜あるいはこれらの複合膜で構成され
る。絶縁膜２６の上に前記ゲート２５を被うようにパタ
ーニングされた非晶質シリコン層２７とｎ+ 非晶質シリ
コン層２８とソース電極２９とドレイン電極３０が形成
されている。ソース電極２９とドレイン電極３０は、ク
ロミウム，アルミニウム等の電気導電性の有る単膜ある
いはこれらの複合膜で形成される。ソース電極２９に
は、ソース・パッド２２がつけられ、ドレイン電極３０
には、ドレイン・パッド２４が形成されている。ソース
・パッド２２とドレイン・パッド２４の高さは、ＴＦＴ
の高さ以上にすることが必要であり、１〜３ミクロン程
度の高さとなる。補完用ＴＦＴのシリコン基板のもとも
との厚さは、通常０.３〜０.７ミリ程度である。この厚
いシリコン基板をＴＦＴが形成された面の反対側の面を
エッチングし、補完用ＴＦＴの部分を前記の酸化シリコ
ン膜のみとする。前記の各パッドを欠陥ＴＦＴの補完Ｔ
ＦＴとして接合した後、補完ＴＦＴの周辺の酸化シリコ
ン膜を切り離す。切り離し時には、レーザを用いてもよ
い。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、液晶パネル上のＴＦＴ
の構成を複雑にすることなく、欠陥を修正できる。
の構成を複雑にすることなく、欠陥を修正できる。
【図１】液晶パネル上のＴＦＴを示す図である。
【図２】液晶表示装置の構成図である。
【図３】補完用ＴＦＴを示す図である。
【図４】補完用ＴＦＴの断面構造図である。
１…液晶パネル、２…信号側配線、３…走査側配線、４
…ＴＦＴ、５…液晶、６…信号側回路、７…走査側回
路、８…入力端子、９…画素電極、１０…ソース、１１
…ゲート、１２…ドレイン、１３…ソース・パッド部、
１４…ソース・カット部、１５…ゲート・パッド部、１
６…ゲート・カット部、１７…ドレイン・パッド部、１
８…ドレイン・カット部、１９…シリコン基板、２０…
酸化シリコン薄膜、２１…補完用ＴＦＴ、２２…ソース
・パッド、２３…ゲート・パッド、２４…ドレイン・パ
ッド、２５…ゲート、２６…絶縁膜、２７…非晶質シリ
コン層、２８…ｎ+ 非晶質シリコン層、２９…ソース電
極、３０…ドレイン電極。
…ＴＦＴ、５…液晶、６…信号側回路、７…走査側回
路、８…入力端子、９…画素電極、１０…ソース、１１
…ゲート、１２…ドレイン、１３…ソース・パッド部、
１４…ソース・カット部、１５…ゲート・パッド部、１
６…ゲート・カット部、１７…ドレイン・パッド部、１
８…ドレイン・カット部、１９…シリコン基板、２０…
酸化シリコン薄膜、２１…補完用ＴＦＴ、２２…ソース
・パッド、２３…ゲート・パッド、２４…ドレイン・パ
ッド、２５…ゲート、２６…絶縁膜、２７…非晶質シリ
コン層、２８…ｎ+ 非晶質シリコン層、２９…ソース電
極、３０…ドレイン電極。
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に
おいて、前記薄膜トランジスタのソース，ゲート，ドレ
インの各端子に細線部とパッド部を形成したことを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に
おいて、前記薄膜トランジスタのソース，ゲート，ドレ
インの各端子に細線部とパッド部を形成し、前記ソー
ス，ゲート，ドレインの各端子の細線部を切断し、前記
ソース，ゲート，ドレインの各端子のパッド部に、前記
液晶表示装置とは独立した基板上に形成されたトランジ
スタを接続することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修
正法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30999192A JPH06160892A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 液晶表示装置及びその欠陥修正法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30999192A JPH06160892A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 液晶表示装置及びその欠陥修正法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160892A true JPH06160892A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=17999827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30999192A Pending JPH06160892A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 液晶表示装置及びその欠陥修正法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160892A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024910A (ko) * | 1997-09-09 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화소 결함 제거 방법 |
| KR20190063349A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 충남대학교산학협력단 | 트랜지스터의 특성 테스트를 위한 반도체 장치 및 테스트 방법 |
| US11088138B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-08-10 | The Industry & Academic Cooperation In Chungnam National University (Iac) | Semiconductor device for testing characteristics of transistors and method for testing semiconductor device |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP30999192A patent/JPH06160892A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024910A (ko) * | 1997-09-09 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화소 결함 제거 방법 |
| KR20190063349A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 충남대학교산학협력단 | 트랜지스터의 특성 테스트를 위한 반도체 장치 및 테스트 방법 |
| US11088138B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-08-10 | The Industry & Academic Cooperation In Chungnam National University (Iac) | Semiconductor device for testing characteristics of transistors and method for testing semiconductor device |
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