JPH06160657A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH06160657A JPH06160657A JP31325992A JP31325992A JPH06160657A JP H06160657 A JPH06160657 A JP H06160657A JP 31325992 A JP31325992 A JP 31325992A JP 31325992 A JP31325992 A JP 31325992A JP H06160657 A JPH06160657 A JP H06160657A
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- vapor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来より低い温度で形成できるため、プロセ
スが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変化
してしまう基板をも用いることができ、しかも特性の優
れた光導波路の製造方法を得ることができる。 【構成】 基板温度を４００℃とし、基板１にＳｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）4（ＴＥＯＳ）の蒸気のみを供給し、クラッド
の一部を構成する石英膜１０１を形成する。次に、Ｔｉ
のアルコキシドとしてＴｉ（Ｏ―ｉ―Ｃ3Ｈ7）4とＴＥ
ＯＳとを基板１に供給して、光導波路のコア部となる高
屈折率層１０２を形成した。さらに、上部のクラッド部
となる石英膜１０１を、ＴＥＯＳのみの原料蒸気を基板
１に供給して形成し、ＲＩＥ法により石英多層膜をエッ
チングする。
スが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変化
してしまう基板をも用いることができ、しかも特性の優
れた光導波路の製造方法を得ることができる。 【構成】 基板温度を４００℃とし、基板１にＳｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）4（ＴＥＯＳ）の蒸気のみを供給し、クラッド
の一部を構成する石英膜１０１を形成する。次に、Ｔｉ
のアルコキシドとしてＴｉ（Ｏ―ｉ―Ｃ3Ｈ7）4とＴＥ
ＯＳとを基板１に供給して、光導波路のコア部となる高
屈折率層１０２を形成した。さらに、上部のクラッド部
となる石英膜１０１を、ＴＥＯＳのみの原料蒸気を基板
１に供給して形成し、ＲＩＥ法により石英多層膜をエッ
チングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野、特に周波
数多重光伝送技術において重要な部品である光合分波
器、方向性結合器等を構成する特に石英系の光導波路の
製造方法に関するものである。
数多重光伝送技術において重要な部品である光合分波
器、方向性結合器等を構成する特に石英系の光導波路の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、石英を主成分とする薄膜堆積型光
導波路形成のための基板として、Ｓｉ基板が使用されて
きた。Ｓｉは高屈折率であるため、直接、薄膜を堆積し
て屈折率の高い導波路とすることはできないので、光学
的バッファ層として表面に屈折率の低いＳｉＯ2層を形
成することが必要である。このＳｉ基板上に形成された
石英系の光導波路が、熔融石英や光学ガラスに金属イオ
ンを拡散するなどの方法で形成した他の光導波路に比べ
て伝搬損失・散乱が小さいことが報告されている。また
石英系光導波路は、光通信で使用される石英の光ファイ
バと同じ石英系材料であるため、接続損失を極めて小さ
くできる点でも優れた導波路である。しかし、以下に述
べる従来の製造方法では、全てのプロセス中の最高温度
を７００℃以下に下げる事は難しく、その結果、高温で
形状や成分が変化する基板上には形成することは困難で
あった。
導波路形成のための基板として、Ｓｉ基板が使用されて
きた。Ｓｉは高屈折率であるため、直接、薄膜を堆積し
て屈折率の高い導波路とすることはできないので、光学
的バッファ層として表面に屈折率の低いＳｉＯ2層を形
成することが必要である。このＳｉ基板上に形成された
石英系の光導波路が、熔融石英や光学ガラスに金属イオ
ンを拡散するなどの方法で形成した他の光導波路に比べ
て伝搬損失・散乱が小さいことが報告されている。また
石英系光導波路は、光通信で使用される石英の光ファイ
バと同じ石英系材料であるため、接続損失を極めて小さ
くできる点でも優れた導波路である。しかし、以下に述
べる従来の製造方法では、全てのプロセス中の最高温度
を７００℃以下に下げる事は難しく、その結果、高温で
形状や成分が変化する基板上には形成することは困難で
あった。
【０００３】この導波路を作製する代表的な方法として
は、火炎堆積法、スパッタ法とＣＶＤ法等がある。最も
一般的に用いられるのは、火炎堆積法で、図３は火炎堆
積法による導波路作製装置の構成図であり、１は基板、
２はキャリアガス導入口、５は原料容器、６は流量調節
器、９は水素ガスおよび水素ガス導入口、１０はバーナ
ー、１１は回転試料台である。即ち、流量調節器６によ
り流量を調節しながらキャリアガス導入口２からアルゴ
ンガスを原料容器５中へ導入し、原料容器５中のＳｉＣ
ｌ4などの出発原料を酸水素バーナー１０へ輸送し、火
炎中にて加水分解して粉末状のＳｉＯ2を作製し、これ
を基板１へ吹き付けて堆積する。基板１は、回転試料台
１１に配置され、一定の速度で回転できるため、一度に
数１０枚の火炎堆積が施せる。光導波路膜の厚み方向の
屈折率分布は、ガラスの組成制御によって形成される。
即ち、火炎堆積の当初はＳｉＯ2のみを吹き付け、その
後コア層の屈折率に応じてＴｉなどを所定量ドープす
る。そして、最後に再びＳｉＯ2のみとして、上部クラ
ッド層を形成する。このように、屈折率分布の形状は輸
送原料の組成を時間的に変化させる事で制御するため、
ステップ型のみならずグレーデッド型の導波路作製が可
能となる。ただし、ＳｉＯ2膜形成後、１２５０から１
３５０℃の温度で透明化のための熱処理を行う必要があ
る。その際、熱処理雰囲気を低温時には酸素ガス、高温
時にはヘリウムガスと切り替えなくてはならない。これ
は、低温時に膜中に残留している炭化物、塩化物を酸化
させ、高温時に膜中に残留している微小な気泡を取り除
くためである。光導波路の屈折率・光伝送損失は、これ
らの残留物に大きく依存するため、この透明化熱処理は
重要なプロセスである。このプロセスで作製した石英系
光導波路の基本特性は、刊行物｛ＮＴＴ、Ｒ＆Ｄ（ｖｏ
ｌ．４０，Ｎｏ．２，ｐ．１９９）｝によると損失０．
１ｄＢ／ｃｍ、比屈折率差０．７５％、許容曲げ半径５
ｍｍとなっている。
は、火炎堆積法、スパッタ法とＣＶＤ法等がある。最も
一般的に用いられるのは、火炎堆積法で、図３は火炎堆
積法による導波路作製装置の構成図であり、１は基板、
２はキャリアガス導入口、５は原料容器、６は流量調節
器、９は水素ガスおよび水素ガス導入口、１０はバーナ
ー、１１は回転試料台である。即ち、流量調節器６によ
り流量を調節しながらキャリアガス導入口２からアルゴ
ンガスを原料容器５中へ導入し、原料容器５中のＳｉＣ
ｌ4などの出発原料を酸水素バーナー１０へ輸送し、火
炎中にて加水分解して粉末状のＳｉＯ2を作製し、これ
を基板１へ吹き付けて堆積する。基板１は、回転試料台
１１に配置され、一定の速度で回転できるため、一度に
数１０枚の火炎堆積が施せる。光導波路膜の厚み方向の
屈折率分布は、ガラスの組成制御によって形成される。
即ち、火炎堆積の当初はＳｉＯ2のみを吹き付け、その
後コア層の屈折率に応じてＴｉなどを所定量ドープす
る。そして、最後に再びＳｉＯ2のみとして、上部クラ
ッド層を形成する。このように、屈折率分布の形状は輸
送原料の組成を時間的に変化させる事で制御するため、
ステップ型のみならずグレーデッド型の導波路作製が可
能となる。ただし、ＳｉＯ2膜形成後、１２５０から１
３５０℃の温度で透明化のための熱処理を行う必要があ
る。その際、熱処理雰囲気を低温時には酸素ガス、高温
時にはヘリウムガスと切り替えなくてはならない。これ
は、低温時に膜中に残留している炭化物、塩化物を酸化
させ、高温時に膜中に残留している微小な気泡を取り除
くためである。光導波路の屈折率・光伝送損失は、これ
らの残留物に大きく依存するため、この透明化熱処理は
重要なプロセスである。このプロセスで作製した石英系
光導波路の基本特性は、刊行物｛ＮＴＴ、Ｒ＆Ｄ（ｖｏ
ｌ．４０，Ｎｏ．２，ｐ．１９９）｝によると損失０．
１ｄＢ／ｃｍ、比屈折率差０．７５％、許容曲げ半径５
ｍｍとなっている。
【０００４】次に、他の従来例として、ＣＶＤ法による
石英系導波路作製装置の構成図を図４に示す。なお、図
中３は反応管、４は排気口である。この装置は、通常の
ホットウォール型の熱分解ＣＶＤ装置で、酸素ガスをキ
ャリアガスとしている。即ち、流量調節器６により流量
を調節しながらキャリアガス導入口２から酸素ガスを原
料容器５中へ導入し、原料容器５中のＳｉＣｌ4、Ｔｉ
Ｃｌ4、ＧｅＣｌ4、ＰＣｌ3およびＢＢｒ3等の液体原料
などの出発原料を反応管３に輸送し、１０００℃の高温
で輸送原料を分解・反応させ、微粉末を基板１に堆積さ
せる。ここでも、光導波路膜の厚み方向の屈折率分布
は、輸送原料の組成制御によって行われる。即ち、Ｓｉ
Ｃｌ4のみを原料として供給し、その後コア層の屈折率
に応じてＧｅＣｌ4、ＴｉＣｌ4、ＰＣｌ3およびＢＣｌ3
などを所定量ドープする。そして、最後に再びＳｉＣｌ
4のみとして、上部クラッド層を形成する。このよう
に、屈折率分布の形状は輸送原料の組成を時間的に変化
させる事で制御するため、ステップ型のみならずグレー
デッド型の導波路作製が可能となる。ただし、このＣＶ
Ｄ法によるＳｉＯ2膜形成も火炎堆積法と同様に、１２
５０から１５００℃の温度で透明化のための熱処理を行
う必要がある。
石英系導波路作製装置の構成図を図４に示す。なお、図
中３は反応管、４は排気口である。この装置は、通常の
ホットウォール型の熱分解ＣＶＤ装置で、酸素ガスをキ
ャリアガスとしている。即ち、流量調節器６により流量
を調節しながらキャリアガス導入口２から酸素ガスを原
料容器５中へ導入し、原料容器５中のＳｉＣｌ4、Ｔｉ
Ｃｌ4、ＧｅＣｌ4、ＰＣｌ3およびＢＢｒ3等の液体原料
などの出発原料を反応管３に輸送し、１０００℃の高温
で輸送原料を分解・反応させ、微粉末を基板１に堆積さ
せる。ここでも、光導波路膜の厚み方向の屈折率分布
は、輸送原料の組成制御によって行われる。即ち、Ｓｉ
Ｃｌ4のみを原料として供給し、その後コア層の屈折率
に応じてＧｅＣｌ4、ＴｉＣｌ4、ＰＣｌ3およびＢＣｌ3
などを所定量ドープする。そして、最後に再びＳｉＣｌ
4のみとして、上部クラッド層を形成する。このよう
に、屈折率分布の形状は輸送原料の組成を時間的に変化
させる事で制御するため、ステップ型のみならずグレー
デッド型の導波路作製が可能となる。ただし、このＣＶ
Ｄ法によるＳｉＯ2膜形成も火炎堆積法と同様に、１２
５０から１５００℃の温度で透明化のための熱処理を行
う必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
火炎堆積法およびＣＶＤ法により光導波路膜を成膜した
後、透明化させて所望の屈折率・伝搬損失を得るために
は、１２００℃から１５００℃の高温で基板を熱処理す
る必要があった。そのため、例えば安価な低融点ガラス
等のように、高温熱処理により形状や成分が変化する基
板には形成することが困難である。また、比較的低温で
ＳｉＯ2膜を形成する方法として、スパッタ法やＳｉＨ4
とＯ2ガスを使用する低温ＣＶＤ法があるが、膜の組成
ずれが大きく、膜応力が大きく、不純物が入りやすいな
どの理由により、光損失の小さい光導波路を形成するこ
とが困難であった。
火炎堆積法およびＣＶＤ法により光導波路膜を成膜した
後、透明化させて所望の屈折率・伝搬損失を得るために
は、１２００℃から１５００℃の高温で基板を熱処理す
る必要があった。そのため、例えば安価な低融点ガラス
等のように、高温熱処理により形状や成分が変化する基
板には形成することが困難である。また、比較的低温で
ＳｉＯ2膜を形成する方法として、スパッタ法やＳｉＨ4
とＯ2ガスを使用する低温ＣＶＤ法があるが、膜の組成
ずれが大きく、膜応力が大きく、不純物が入りやすいな
どの理由により、光損失の小さい光導波路を形成するこ
とが困難であった。
【０００６】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、従来より低い温度で形成できるため、プ
ロセスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が
変化してしまう基板をも用いることができ、しかも実用
レベル以上の特性を有する光導波路の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。本発明の別の発明は、上記
効果に加えて特性の優れた光導波路の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。本発明の別の発明は、上記
効果に加えて屈折率の制御が可能となるので、より特性
の向上した光導波路の製造方法を得ることを目的とする
ものである。本発明のさらに別の発明は、上記効果に加
えて光の増幅作用のある光導波路の製造方法を得ること
を目的とするものである。
されたもので、従来より低い温度で形成できるため、プ
ロセスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が
変化してしまう基板をも用いることができ、しかも実用
レベル以上の特性を有する光導波路の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。本発明の別の発明は、上記
効果に加えて特性の優れた光導波路の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。本発明の別の発明は、上記
効果に加えて屈折率の制御が可能となるので、より特性
の向上した光導波路の製造方法を得ることを目的とする
ものである。本発明のさらに別の発明は、上記効果に加
えて光の増幅作用のある光導波路の製造方法を得ること
を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路の製造
方法は、Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオ
ゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主成分とす
る膜を形成する方法である。本発明の別の発明の光導波
路の製造方法は、Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料
蒸気とオゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主
成分とする膜を形成する工程、基板に形成したＳｉＯ2
を主成分とする膜を加工する工程、並びに酸化性雰囲気
でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中の温度より高く、
上記基板の融点より低い温度で熱処理する工程を施す方
法である。本発明の別の発明の光導波路の製造方法は、
上記発明において、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気
を主として、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ等の非金属元素のアルコキシ
ド蒸気並びにＴｉ、Ａｌ、Ｚｒ等の金属アルコキシド蒸
気の少なくとも１種を含有することを特徴とする方法で
ある。本発明の別の発明の光導波路の製造方法は、上記
発明において、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気を主
として、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等
の希土類元素の有機金属化合物のアルコキシド蒸気の少
なくとも１種を含有することを特徴とする方法である。
方法は、Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオ
ゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主成分とす
る膜を形成する方法である。本発明の別の発明の光導波
路の製造方法は、Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料
蒸気とオゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主
成分とする膜を形成する工程、基板に形成したＳｉＯ2
を主成分とする膜を加工する工程、並びに酸化性雰囲気
でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中の温度より高く、
上記基板の融点より低い温度で熱処理する工程を施す方
法である。本発明の別の発明の光導波路の製造方法は、
上記発明において、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気
を主として、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ等の非金属元素のアルコキシ
ド蒸気並びにＴｉ、Ａｌ、Ｚｒ等の金属アルコキシド蒸
気の少なくとも１種を含有することを特徴とする方法で
ある。本発明の別の発明の光導波路の製造方法は、上記
発明において、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気を主
として、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等
の希土類元素の有機金属化合物のアルコキシド蒸気の少
なくとも１種を含有することを特徴とする方法である。
【０００８】
【作用】本発明において、反応ガスであるオゾンガスは
強い酸化能力を持ち、また主原料であるＳｉアルコキシ
ドが比較的低温での分解が可能なため、比較的低い基板
温度でも、原料が分解し反応して透明なＳｉＯ2を主成
分とする膜が形成される。 本発明の別の発明におい
て、酸化性雰囲気でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中
の温度より高く、上記基板の融点より低い温度で熱処理
することにより、アニール効果が得られる。本発明の別
の発明において、原料上記にＳｉのアルコキシド蒸気お
よび上記元素のアルコキシド蒸気を用いることにより屈
折率の制御をすることができる。本発明のさらに別の発
明において、原料上記にＳｉのアルコキシド蒸気および
上記元素のアルコキシド蒸気を用いることにより光の増
幅が可能となる。
強い酸化能力を持ち、また主原料であるＳｉアルコキシ
ドが比較的低温での分解が可能なため、比較的低い基板
温度でも、原料が分解し反応して透明なＳｉＯ2を主成
分とする膜が形成される。 本発明の別の発明におい
て、酸化性雰囲気でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中
の温度より高く、上記基板の融点より低い温度で熱処理
することにより、アニール効果が得られる。本発明の別
の発明において、原料上記にＳｉのアルコキシド蒸気お
よび上記元素のアルコキシド蒸気を用いることにより屈
折率の制御をすることができる。本発明のさらに別の発
明において、原料上記にＳｉのアルコキシド蒸気および
上記元素のアルコキシド蒸気を用いることにより光の増
幅が可能となる。
【０００９】
実施例１．図１に本発明の別の発明の一実施例に用いら
れるオゾン酸化を用いたＣＶＤ法による石英膜の光導波
路の製造装置の構成図を示す。図中、７はオゾナイザ
ー、１２は酸素ガス導入口である。この装置では４個の
原料容器５を備えており、４種類のＣＶＤ原料蒸気を同
時に基板１上に供給できる。キャリアガスは、高純度ア
ルゴンガスとした。各原料容器ごとに流量調節器６が付
属しており、それぞれの蒸気の流量を独立に制御でき
る。従って４種類のアルコキシド原料を任意の割合で反
応管３内の基板１上へ輸送することが可能である。反応
管３へは、オゾナイザー７から１０％のオゾンを含む酸
素ガスを導入すると共に、基板温度を４００℃として、
原料の分解と反応を促進させ、反応管３内に設置した基
板１に成膜する。基板１は一辺が３インチの正方形ガラ
ス基板を使用した。
れるオゾン酸化を用いたＣＶＤ法による石英膜の光導波
路の製造装置の構成図を示す。図中、７はオゾナイザ
ー、１２は酸素ガス導入口である。この装置では４個の
原料容器５を備えており、４種類のＣＶＤ原料蒸気を同
時に基板１上に供給できる。キャリアガスは、高純度ア
ルゴンガスとした。各原料容器ごとに流量調節器６が付
属しており、それぞれの蒸気の流量を独立に制御でき
る。従って４種類のアルコキシド原料を任意の割合で反
応管３内の基板１上へ輸送することが可能である。反応
管３へは、オゾナイザー７から１０％のオゾンを含む酸
素ガスを導入すると共に、基板温度を４００℃として、
原料の分解と反応を促進させ、反応管３内に設置した基
板１に成膜する。基板１は一辺が３インチの正方形ガラ
ス基板を使用した。
【００１０】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の別の発明
の一実施例による光導波路製造のプロセスを示す工程図
である。図中１０１はクラッド部となる膜、１０２はコ
ア部となる膜、１０３はマスクである。光導波路の製造
は、まず基板上にＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4｛Tetraethyl Orth
osilicate（ＴＥＯＳ）｝の蒸気のみを供給し、石英膜
１０１を形成する。この石英膜１０１は、クラッドの一
部を構成するもので、厚さ１５μｍ程度とした。次に、
ＴＥＯＳとＴｉのアルコキシドを同時に基板上に供給し
て、光導波路のコア部となる高屈折率層１０２を形成し
た。ＴｉのアルコキシドとしてＴｉ（Ｏ―ｉ―Ｃ3Ｈ7）
4（Titanium Tetra―isopropoxide）を使用した。コア
部形成では、Ｔｉ酸化物の含有量が約２ｍｏｌ％となる
ように、Ｔｉアルコキシドの蒸気の流量調整を行った。
基板温度は、ＴＥＯＳのみの場合と同一とした。このコ
ア部の厚さは６μｍとした。さらに、上部のクラッド部
となる約１５μｍの厚みの石英膜１０１を、ＴＥＯＳの
みの原料蒸気を基板上に供給して形成した｛図２
（ａ）｝。次に、コア部のマスク１０３をａ（アモルフ
ァス）―Ｓｉ膜で作製し｛図２（ｂ）｝、ＲＩＥ法によ
り石英多層膜をエッチングした｛図２（ｃ）｝。最後
に、この導波路を囲むクラッド層１０１（屈折率ｎ２）
をＴＥＯＳのみの原料で厚さ４０μｍ程度作製した｛図
２（ｄ）｝。
の一実施例による光導波路製造のプロセスを示す工程図
である。図中１０１はクラッド部となる膜、１０２はコ
ア部となる膜、１０３はマスクである。光導波路の製造
は、まず基板上にＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4｛Tetraethyl Orth
osilicate（ＴＥＯＳ）｝の蒸気のみを供給し、石英膜
１０１を形成する。この石英膜１０１は、クラッドの一
部を構成するもので、厚さ１５μｍ程度とした。次に、
ＴＥＯＳとＴｉのアルコキシドを同時に基板上に供給し
て、光導波路のコア部となる高屈折率層１０２を形成し
た。ＴｉのアルコキシドとしてＴｉ（Ｏ―ｉ―Ｃ3Ｈ7）
4（Titanium Tetra―isopropoxide）を使用した。コア
部形成では、Ｔｉ酸化物の含有量が約２ｍｏｌ％となる
ように、Ｔｉアルコキシドの蒸気の流量調整を行った。
基板温度は、ＴＥＯＳのみの場合と同一とした。このコ
ア部の厚さは６μｍとした。さらに、上部のクラッド部
となる約１５μｍの厚みの石英膜１０１を、ＴＥＯＳの
みの原料蒸気を基板上に供給して形成した｛図２
（ａ）｝。次に、コア部のマスク１０３をａ（アモルフ
ァス）―Ｓｉ膜で作製し｛図２（ｂ）｝、ＲＩＥ法によ
り石英多層膜をエッチングした｛図２（ｃ）｝。最後
に、この導波路を囲むクラッド層１０１（屈折率ｎ２）
をＴＥＯＳのみの原料で厚さ４０μｍ程度作製した｛図
２（ｄ）｝。
【００１１】上記本発明の別の発明の一実施例により製
造した石英系の光導波路の特性は、直線での光損失が
０．２５ｄＢ／ｃｍ（波長＝１．５５μｍ）と従来のＣ
ＶＤプロセスの１から２ｄＢ／ｃｍと比較して１０分の
１程度に小さくなった。火炎堆積法による導波路の光損
失０．１ｄＢ／ｃｍと比較すると若干高いが実用レベル
を有している。また、石英膜の屈折率は、ＴＥＯＳのみ
の膜で、１．４４８、Ｔｉをドープした石英膜で１．４
５５であり、屈折率差は約０．５％であった。この結果
から、本発明の別の発明の一実施例の光導波路の製造方
法では、従来のＣＶＤ法、火炎堆積法では用いることが
できなかった基板上にも低損失な石英系の光導波路を形
成できることが解る。
造した石英系の光導波路の特性は、直線での光損失が
０．２５ｄＢ／ｃｍ（波長＝１．５５μｍ）と従来のＣ
ＶＤプロセスの１から２ｄＢ／ｃｍと比較して１０分の
１程度に小さくなった。火炎堆積法による導波路の光損
失０．１ｄＢ／ｃｍと比較すると若干高いが実用レベル
を有している。また、石英膜の屈折率は、ＴＥＯＳのみ
の膜で、１．４４８、Ｔｉをドープした石英膜で１．４
５５であり、屈折率差は約０．５％であった。この結果
から、本発明の別の発明の一実施例の光導波路の製造方
法では、従来のＣＶＤ法、火炎堆積法では用いることが
できなかった基板上にも低損失な石英系の光導波路を形
成できることが解る。
【００１２】なお本実施例ではＳｉのアルコキシドとし
てＴＥＯＳを使用したが、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4（silicon
tetra―methoxide）、Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）4（silicon tet
ra―propoxide）、Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）4（silicon tetra
―butoxide）等を使用しても同様の効果が得られる。ま
たＴｉのアルコキシドとしてＴｉ（ＯＣ2Ｈ5）4（Titan
ium Tetra―ethoxide）、Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ7）4（Titanium
Tetra―butoxide）等を使用しても同様の効果がある。
てＴＥＯＳを使用したが、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4（silicon
tetra―methoxide）、Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）4（silicon tet
ra―propoxide）、Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）4（silicon tetra
―butoxide）等を使用しても同様の効果が得られる。ま
たＴｉのアルコキシドとしてＴｉ（ＯＣ2Ｈ5）4（Titan
ium Tetra―ethoxide）、Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ7）4（Titanium
Tetra―butoxide）等を使用しても同様の効果がある。
【００１３】実施例２．実施例１で製造した光導波路を
酸化性雰囲気として例えばオゾンを含む酸素ガス中で、
６００℃で４時間のアニール熱処理を行った。この熱処
理の温度と時間は、ガラス基板が熱処理によるダメージ
を受けない最高温度（基板の融点）と時間を考慮して決
定した。このアニール処理により、導波路の光損失は、
直線で０．１ｄＢ／ｃｍとほぼ火炎堆積法により作製し
た導波路の損失と同等のレベルにまで下がった。このア
ニール処理は、ＴＥＯＳを原料としたオゾン酸化による
石英膜中に残留しているＨ2Ｏおよび炭化水素などを膜
から取り除く効果がある。しかし、屈折率に関しては、
大きな変化はなかった。また、この熱処理の温度を成膜
中の温度より低くした場合は光損失を低下させる効果が
見られなかった。
酸化性雰囲気として例えばオゾンを含む酸素ガス中で、
６００℃で４時間のアニール熱処理を行った。この熱処
理の温度と時間は、ガラス基板が熱処理によるダメージ
を受けない最高温度（基板の融点）と時間を考慮して決
定した。このアニール処理により、導波路の光損失は、
直線で０．１ｄＢ／ｃｍとほぼ火炎堆積法により作製し
た導波路の損失と同等のレベルにまで下がった。このア
ニール処理は、ＴＥＯＳを原料としたオゾン酸化による
石英膜中に残留しているＨ2Ｏおよび炭化水素などを膜
から取り除く効果がある。しかし、屈折率に関しては、
大きな変化はなかった。また、この熱処理の温度を成膜
中の温度より低くした場合は光損失を低下させる効果が
見られなかった。
【００１４】実施例３．実施例１において用いた装置を
用い、実施例１とは異なる元素をドープして光導波路を
製造した。即ち、基板としてガラス基板を用い、基板温
度は３８０℃とした。また、酸素ガス中のオゾンガスの
濃度は、高出力オゾナイザーを用いて、１２％とした。
まず底部のクラッド部は原料としてＴＥＯＳのみを用い
て厚さ１５μｍの石英膜で作製した。次に、コア部とな
るＰ（リン）を８％ドープした高屈折率層を厚さ８μｍ
作製した。ＰのドープはＴＥＯＳと同時にＰのアルコキ
シドＰ（ＯＣ2Ｈ5）3（Triethyl Phosphite）を基板に
供給することで行った。この状態で、導波路のマスクを
Ｔｉで作製し、反応性イオンエッチングにより導波路の
パターニングを行った。導波路幅は、８μｍとした。次
いで、コア部を形成した方法と同様だがＰのドープ量を
２％と少なくした石英膜を、コア部を囲むクラッド層と
して形成した。この導波路の光損失は、０．０５ｄＢ／
ｃｍと実施例１の様にコア部にＴｉドープしたものより
も４分の１ほど小さくなった。
用い、実施例１とは異なる元素をドープして光導波路を
製造した。即ち、基板としてガラス基板を用い、基板温
度は３８０℃とした。また、酸素ガス中のオゾンガスの
濃度は、高出力オゾナイザーを用いて、１２％とした。
まず底部のクラッド部は原料としてＴＥＯＳのみを用い
て厚さ１５μｍの石英膜で作製した。次に、コア部とな
るＰ（リン）を８％ドープした高屈折率層を厚さ８μｍ
作製した。ＰのドープはＴＥＯＳと同時にＰのアルコキ
シドＰ（ＯＣ2Ｈ5）3（Triethyl Phosphite）を基板に
供給することで行った。この状態で、導波路のマスクを
Ｔｉで作製し、反応性イオンエッチングにより導波路の
パターニングを行った。導波路幅は、８μｍとした。次
いで、コア部を形成した方法と同様だがＰのドープ量を
２％と少なくした石英膜を、コア部を囲むクラッド層と
して形成した。この導波路の光損失は、０．０５ｄＢ／
ｃｍと実施例１の様にコア部にＴｉドープしたものより
も４分の１ほど小さくなった。
【００１５】この実施例以外にもＰのアルコキシドとし
てＰ（ＯＣＨ3）3（Trimethyl Phosphite）を用いた場
合や、ＰＯ（ＯＣＨ3）3（Phosphorus trimethoxid
e）、ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）3（Phosphorus triethoxide）な
どのアルコキシリン酸を用いた場合も同様の効果があ
る。また他のドープ元素のアルコキシドでは、Ａｌの場
合Ａｌ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3（Aluminum tri―isopropoxi
de）、Ａｌ（Ｏ―sec―Ｃ4Ｈ9）3（Aluminum tri―sec
―butoxide）など、Ｇｅの場合Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4（Ger
manium tetra-ethoxide）、Germanium tetra―propoxid
e｛Ｇｅ（ＯＣ3Ｈ7）4｝など、Ｂの場合Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）
3（boron triethoxide）、Ｂ（ＯＣ3Ｈ7）3（boron tri
―propoxide）、Ｂ（ＯＣ4Ｈ9）3（boron tri―butoxid
e）など、Ｚｒの場合Ｚｒ（Ｏ―t―Ｃ4Ｈ9）4（zirconi
um tetra―t―butoxide）等を用いることにより同程度
の効果を得ることが出来る。また、これらの物質以外で
も、適当なキャリアガスにより蒸気を配管により輸送が
可能であるアルコキシドで同様の効果が得られることが
容易に予想できる。
てＰ（ＯＣＨ3）3（Trimethyl Phosphite）を用いた場
合や、ＰＯ（ＯＣＨ3）3（Phosphorus trimethoxid
e）、ＰＯ（ＯＣ2Ｈ5）3（Phosphorus triethoxide）な
どのアルコキシリン酸を用いた場合も同様の効果があ
る。また他のドープ元素のアルコキシドでは、Ａｌの場
合Ａｌ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3（Aluminum tri―isopropoxi
de）、Ａｌ（Ｏ―sec―Ｃ4Ｈ9）3（Aluminum tri―sec
―butoxide）など、Ｇｅの場合Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4（Ger
manium tetra-ethoxide）、Germanium tetra―propoxid
e｛Ｇｅ（ＯＣ3Ｈ7）4｝など、Ｂの場合Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）
3（boron triethoxide）、Ｂ（ＯＣ3Ｈ7）3（boron tri
―propoxide）、Ｂ（ＯＣ4Ｈ9）3（boron tri―butoxid
e）など、Ｚｒの場合Ｚｒ（Ｏ―t―Ｃ4Ｈ9）4（zirconi
um tetra―t―butoxide）等を用いることにより同程度
の効果を得ることが出来る。また、これらの物質以外で
も、適当なキャリアガスにより蒸気を配管により輸送が
可能であるアルコキシドで同様の効果が得られることが
容易に予想できる。
【００１６】実施例４．ガラスや石英のファイバにＥ
ｒ、Ｎｄ、Ｐｒ等の希土類をドープすると、適当な波長
の光源を入力することにより別の波長の光強度を増幅で
きるレーザ媒体となる。近年、光ファイバにこれら元素
をドープして、光通信で使用される１．３μｍ、１．５
５μｍの波長の増幅を行う光ファイバ増幅が注目されて
いる。ただし、これらの光ファイバ増幅では増幅特性の
温度変化が大きいという点が問題であった。そこで光フ
ァイバを低損失な平面状の光導波路に希土類元素をドー
プすれば、平面状のため温度制御が容易で、かつコンパ
クトな光増幅器が実現できる。その様な光増幅様の石英
光導波路を、本発明のさらに別の発明の一実施例により
製造した。増幅のためには、ある程度長い光導波路が必
要であるため、基板には比較的大きな４インチ径のＳｉ
基板を使用した。底部および上部のクラッド部はＴＥＯ
Ｓのみを原料とする石英膜とし、コア部はＴＥＯＳとＡ
ｌのアルコキシドとＥｒのアルコキシドを同時に基板に
供給した高屈折率石英膜とした。Ａｌのアルコキシドと
してはＡｌ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3（Aluminum tri―isopro
poxide）、ＥｒのアルコキシドとしてはＥｒ（Ｏ―i―
Ｃ3Ｈ7）3（Erbium tri―isopropoxide）を使用した。
Ｅｒのドープ量は約８００ｐｐｍとなるようにした。光
導波路の形状は基板上で緩やかな曲線から構成して全長
１ｍとなるようにした。得られた導波路の波長１．５５
μｍでの光の挿入損失は全体で２７ｄＢであった。この
光導波路に強度一定の波長１．５５μｍのレーザ光およ
び強度可変の波長０．９８μｍの励起用レーザ光を入力
し、励起光強度を大きくすることにより１．５５μｍの
光強度が増幅される現象を確認した。
ｒ、Ｎｄ、Ｐｒ等の希土類をドープすると、適当な波長
の光源を入力することにより別の波長の光強度を増幅で
きるレーザ媒体となる。近年、光ファイバにこれら元素
をドープして、光通信で使用される１．３μｍ、１．５
５μｍの波長の増幅を行う光ファイバ増幅が注目されて
いる。ただし、これらの光ファイバ増幅では増幅特性の
温度変化が大きいという点が問題であった。そこで光フ
ァイバを低損失な平面状の光導波路に希土類元素をドー
プすれば、平面状のため温度制御が容易で、かつコンパ
クトな光増幅器が実現できる。その様な光増幅様の石英
光導波路を、本発明のさらに別の発明の一実施例により
製造した。増幅のためには、ある程度長い光導波路が必
要であるため、基板には比較的大きな４インチ径のＳｉ
基板を使用した。底部および上部のクラッド部はＴＥＯ
Ｓのみを原料とする石英膜とし、コア部はＴＥＯＳとＡ
ｌのアルコキシドとＥｒのアルコキシドを同時に基板に
供給した高屈折率石英膜とした。Ａｌのアルコキシドと
してはＡｌ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3（Aluminum tri―isopro
poxide）、ＥｒのアルコキシドとしてはＥｒ（Ｏ―i―
Ｃ3Ｈ7）3（Erbium tri―isopropoxide）を使用した。
Ｅｒのドープ量は約８００ｐｐｍとなるようにした。光
導波路の形状は基板上で緩やかな曲線から構成して全長
１ｍとなるようにした。得られた導波路の波長１．５５
μｍでの光の挿入損失は全体で２７ｄＢであった。この
光導波路に強度一定の波長１．５５μｍのレーザ光およ
び強度可変の波長０．９８μｍの励起用レーザ光を入力
し、励起光強度を大きくすることにより１．５５μｍの
光強度が増幅される現象を確認した。
【００１７】実施例４では希土類元素としてＥｒを選ん
だが、他の希土類元素Ｌｎ（Ｌｎ：Ｎｄ、Ｐｄ等）にお
いても、アルコキシドとして、Ｌｎ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3
（tri―isopropoxide）を使用することにより同様な効
果が得られる。
だが、他の希土類元素Ｌｎ（Ｌｎ：Ｎｄ、Ｐｄ等）にお
いても、アルコキシドとして、Ｌｎ（Ｏ―i―Ｃ3Ｈ7）3
（tri―isopropoxide）を使用することにより同様な効
果が得られる。
【００１８】上記実施例は、各原料容器から１種類の元
素のアルコキシドまたは有機金属化合物の蒸気を基板上
に供給した例であるが、１個の原料容器に複数の元素の
アルコキシドまたは有機金属化合物、これらを溶解する
ための溶剤を入れることにより、複数の元素の蒸気を基
板上に供給して、その酸化物膜を形成する方法でもよ
い。
素のアルコキシドまたは有機金属化合物の蒸気を基板上
に供給した例であるが、１個の原料容器に複数の元素の
アルコキシドまたは有機金属化合物、これらを溶解する
ための溶剤を入れることにより、複数の元素の蒸気を基
板上に供給して、その酸化物膜を形成する方法でもよ
い。
【００１９】なお、Ｓｉのアルコキシドおよび上記他の
元素のアルコキシドと例えばメタノールおよびエタノー
ル等のアルコールとを混合したものを気化して原料蒸気
とすると、さらに低温で蒸気アルコキシドを安定に気化
させることができるので好ましい。
元素のアルコキシドと例えばメタノールおよびエタノー
ル等のアルコールとを混合したものを気化して原料蒸気
とすると、さらに低温で蒸気アルコキシドを安定に気化
させることができるので好ましい。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したとおり、Ｓｉア
ルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反
応させて、基板にＳｉＯ2を主成分とする膜を形成する
ことにより、従来より低い温度で形成できるため、プロ
セスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変
化してしまう基板をも用いることができ、しかも実用レ
ベル以上の特性を有する光導波路の製造方法を得ること
が出来る。
ルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反
応させて、基板にＳｉＯ2を主成分とする膜を形成する
ことにより、従来より低い温度で形成できるため、プロ
セスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変
化してしまう基板をも用いることができ、しかも実用レ
ベル以上の特性を有する光導波路の製造方法を得ること
が出来る。
【００２１】本発明の別の発明は、Ｓｉアルコキシド蒸
気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反応させて、基
板にＳｉＯ2を主成分とする膜を形成する工程、基板に
形成したＳｉＯ2を主成分とする膜を加工する工程、並
びに酸化性雰囲気でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中
の温度より高く、上記基板の融点より低い温度で熱処理
する工程を施すことにより、上記効果に加えて特性の優
れた光導波路の製造方法を得ることが出来る。
気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反応させて、基
板にＳｉＯ2を主成分とする膜を形成する工程、基板に
形成したＳｉＯ2を主成分とする膜を加工する工程、並
びに酸化性雰囲気でＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中
の温度より高く、上記基板の融点より低い温度で熱処理
する工程を施すことにより、上記効果に加えて特性の優
れた光導波路の製造方法を得ることが出来る。
【００２２】本発明の別の発明は、上記発明の原料蒸気
がＳｉのアルコキシド蒸気を主として、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ等
の非金属元素のアルコキシド蒸気並びにＴｉ、Ａｌ、Ｚ
ｒ等の金属アルコキシド蒸気の少なくとも１種を含有す
る物を用いることにより、上記効果に加えて屈折率の制
御が可能となるので、より特性の向上した光導波路の製
造方法を得ることが出来る。
がＳｉのアルコキシド蒸気を主として、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ等
の非金属元素のアルコキシド蒸気並びにＴｉ、Ａｌ、Ｚ
ｒ等の金属アルコキシド蒸気の少なくとも１種を含有す
る物を用いることにより、上記効果に加えて屈折率の制
御が可能となるので、より特性の向上した光導波路の製
造方法を得ることが出来る。
【００２３】本発明のさらに別の発明は、上記発明の原
料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気を主として、Ｅｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類元素の有
機金属化合物のアルコキシド蒸気の少なくとも１種を含
有する物を用いることにより、上記効果に加えて光の増
幅作用のある光導波路の製造方法を得ることが出来る。
料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気を主として、Ｅｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類元素の有
機金属化合物のアルコキシド蒸気の少なくとも１種を含
有する物を用いることにより、上記効果に加えて光の増
幅作用のある光導波路の製造方法を得ることが出来る。
【図１】本発明の別の発明の一実施例に用いられる光導
波路の製造装置の構成図である。
波路の製造装置の構成図である。
【図２】本発明の別の発明の一実施例による光導波路の
製造方法のプロセスを示す工程図である。
製造方法のプロセスを示す工程図である。
【図３】従来の火炎堆積法による導波路作製装置の構成
図である。
図である。
【図４】従来のＣＶＤ法による石英系導波路作製装置の
構成図である。
構成図である。
１ 基板 ２ キャリアガス導入口 ３ 反応管 ５ 原料容器 ７ オゾナイザー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内川 英興 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 渡井 久男 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 北山 忠善 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株式 会社通信システム研究所内 (72)発明者 水落 隆司 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株式 会社通信システム研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料蒸
気とオゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主成
分とする膜を形成する光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｉアルコキシド蒸気を主とする原料蒸
気とオゾンガスとを反応させて、基板にＳｉＯ2を主成
分とする膜を形成する工程、基板に形成したＳｉＯ2を
主成分とする膜を加工する工程、並びに酸化性雰囲気で
ＳｉＯ2を主成分とする膜を成膜中の温度より高く、上
記基板の融点より低い温度で熱処理する工程を施す光導
波路の製造方法。 - 【請求項３】 請求項第１項または第２項記載のものに
おいて、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気を主とし
て、Ｂ、Ｇｅ、Ｐ等の非金属元素のアルコキシド蒸気並
びにＴｉ、Ａｌ、Ｚｒ等の金属アルコキシド蒸気の少な
くとも１種を含有することを特徴とする光導波路の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項第１項ないし第３項の何れかに記
載のものにおいて、原料蒸気がＳｉのアルコキシド蒸気
を主として、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ等の希土類元素の有機金属化合物のアルコキシド蒸気
の少なくとも１種を含有することを特徴とする光導波路
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325992A JP2900732B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325992A JP2900732B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160657A true JPH06160657A (ja) | 1994-06-07 |
| JP2900732B2 JP2900732B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18039055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31325992A Expired - Fee Related JP2900732B2 (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900732B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09133827A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Nec Corp | 光導波路の製造方法 |
| WO1999054259A1 (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Corning Incorporated | Methods for making ultra-low expansion silica-titania glasses |
| US6192712B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-02-27 | Nec Corporation | Optical waveguide fabrication method |
| US6844234B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JPWO2004078668A1 (ja) * | 2003-03-03 | 2006-06-08 | 日本板硝子株式会社 | 凹凸のある表面を有する物品の製造方法 |
| KR100936800B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2010-01-14 | 주식회사 큐닉스 | 평면형 광도파로 구조체 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31325992A patent/JP2900732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09133827A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Nec Corp | 光導波路の製造方法 |
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| WO1999054259A1 (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Corning Incorporated | Methods for making ultra-low expansion silica-titania glasses |
| US6844234B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US7101775B2 (en) | 2002-01-08 | 2006-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US7282774B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US7858536B2 (en) | 2002-01-08 | 2010-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JPWO2004078668A1 (ja) * | 2003-03-03 | 2006-06-08 | 日本板硝子株式会社 | 凹凸のある表面を有する物品の製造方法 |
| KR100936800B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2010-01-14 | 주식회사 큐닉스 | 평면형 광도파로 구조체 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2900732B2 (ja) | 1999-06-02 |
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