JPH06157191A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH06157191A JPH06157191A JP32848492A JP32848492A JPH06157191A JP H06157191 A JPH06157191 A JP H06157191A JP 32848492 A JP32848492 A JP 32848492A JP 32848492 A JP32848492 A JP 32848492A JP H06157191 A JPH06157191 A JP H06157191A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電気的特性を有し、かつ再現性の良い
均一な薄膜を容易に成膜することができる薄膜の製造方
法の提供。 【構成】 まず、恒温槽３内にあって、シクロペンタジ
エン系有機金属錯体の付加化合物１（ビス−ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のテトラヒドロフラン
付加化合物）が１ｇ充填された原料容器２（SUS316製、
100℃の恒温に保持）に、不活性キャリアーガス４（ア
ルゴンガス）を、フローメーター５を経て流量を 200ml
／min に調節して導入し、このガス４に上記有機金属錯
体の付加化合物１を同伴、昇華させる。次いで、このガ
スを熱分解炉６内に設けられ内部に基板９を載置した石
英反応管７（ヒーター８によって 500℃に加熱保持され
ている）に導入させ、基板９上への金属薄膜の成膜を行
う（１時間）。
均一な薄膜を容易に成膜することができる薄膜の製造方
法の提供。 【構成】 まず、恒温槽３内にあって、シクロペンタジ
エン系有機金属錯体の付加化合物１（ビス−ペンタメチ
ルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のテトラヒドロフラン
付加化合物）が１ｇ充填された原料容器２（SUS316製、
100℃の恒温に保持）に、不活性キャリアーガス４（ア
ルゴンガス）を、フローメーター５を経て流量を 200ml
／min に調節して導入し、このガス４に上記有機金属錯
体の付加化合物１を同伴、昇華させる。次いで、このガ
スを熱分解炉６内に設けられ内部に基板９を載置した石
英反応管７（ヒーター８によって 500℃に加熱保持され
ている）に導入させ、基板９上への金属薄膜の成膜を行
う（１時間）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法によって薄
膜を製造する方法に関し、さらに詳しくは、超電導材
料、強誘電体材料、半導体薄膜材料等として有用な特定
組成を有する金属薄膜を製造することができるシクロペ
ンタジエン系有機化合物の金属錯体の付加化合物を用い
る薄膜の製造方法に関する。
膜を製造する方法に関し、さらに詳しくは、超電導材
料、強誘電体材料、半導体薄膜材料等として有用な特定
組成を有する金属薄膜を製造することができるシクロペ
ンタジエン系有機化合物の金属錯体の付加化合物を用い
る薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶薄膜や多結晶薄膜の形成方法とし
ては、ドライプロセスとウエットプロセスといった２種
類の方法があるが、一般にウエットプロセスと比べてド
ライプロセスによって形成された薄膜のほうが品質面で
優れるため、ドライプロセスが多用さているのが現状で
ある。
ては、ドライプロセスとウエットプロセスといった２種
類の方法があるが、一般にウエットプロセスと比べてド
ライプロセスによって形成された薄膜のほうが品質面で
優れるため、ドライプロセスが多用さているのが現状で
ある。
【０００３】上記ドライプロセスには、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法およびスパッタリング法等の物理
的成膜法と、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的
成膜法とがあるが、中でもＣＶＤ法は、成膜速度の制御
が容易である上、成膜を高真空下で行う必要がなく、し
かも高速成膜が可能であることなどから量産向きである
ため広く用いられている。
オンプレーティング法およびスパッタリング法等の物理
的成膜法と、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的
成膜法とがあるが、中でもＣＶＤ法は、成膜速度の制御
が容易である上、成膜を高真空下で行う必要がなく、し
かも高速成膜が可能であることなどから量産向きである
ため広く用いられている。
【０００４】このようなＣＶＤ法においては、有機金属
錯体の蒸気を分解させて金属薄膜を形成する場合、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法などが採用
され、原料化合物としては、一般的に有機部分（配位
子）がジピバロイルメタン、ヘキサフルオロアセチルア
セトンまたは1,1,1,2,2-ペンタフルオロ-8,6- ジメチル
-3,5- ヘキサンジオン等である1,3-ジケトン系有機金属
錯体が使用されてきた。
錯体の蒸気を分解させて金属薄膜を形成する場合、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法などが採用
され、原料化合物としては、一般的に有機部分（配位
子）がジピバロイルメタン、ヘキサフルオロアセチルア
セトンまたは1,1,1,2,2-ペンタフルオロ-8,6- ジメチル
-3,5- ヘキサンジオン等である1,3-ジケトン系有機金属
錯体が使用されてきた。
【０００５】しかしながら、上記のように1,3-ジケトン
系有機金属錯体を原料化合物とし、気相成長法（熱ＣＶ
Ｄ法など）によって薄膜の製造を行うと、満足な薄膜形
成速度を得ることができず、量産化ベースの薄膜を形成
することができないという問題点があった。また、該有
機金属錯体は、昇華性が低くしかも熱安定性が悪いた
め、成膜制御のコントロールが難しかった。そのため満
足な薄膜が形成される前に分解してしまうことがあり、
均一な薄膜を再現性良く成膜することが極めて困難であ
るという問題点があった。
系有機金属錯体を原料化合物とし、気相成長法（熱ＣＶ
Ｄ法など）によって薄膜の製造を行うと、満足な薄膜形
成速度を得ることができず、量産化ベースの薄膜を形成
することができないという問題点があった。また、該有
機金属錯体は、昇華性が低くしかも熱安定性が悪いた
め、成膜制御のコントロールが難しかった。そのため満
足な薄膜が形成される前に分解してしまうことがあり、
均一な薄膜を再現性良く成膜することが極めて困難であ
るという問題点があった。
【０００６】一方、上記低昇華性の改善を図るため、有
機部分（配位子）の水素を弗素で置換した有機金属錯体
を原料化合物として用いた薄膜の製造方法が開発されて
いるが、有機部分（配位子）の水素を弗素で置換した有
機金属錯体を用いると、成膜中に弗化物が生成するた
め、薄膜の電気的特性が劣化してしまうという問題点が
あった。
機部分（配位子）の水素を弗素で置換した有機金属錯体
を原料化合物として用いた薄膜の製造方法が開発されて
いるが、有機部分（配位子）の水素を弗素で置換した有
機金属錯体を用いると、成膜中に弗化物が生成するた
め、薄膜の電気的特性が劣化してしまうという問題点が
あった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述従来の
技術の問題点を解決し、優れた電気的特性を有し、かつ
再現性の良い均一な薄膜を容易に成膜することができる
薄膜の製造方法を提供することを目的する。
技術の問題点を解決し、優れた電気的特性を有し、かつ
再現性の良い均一な薄膜を容易に成膜することができる
薄膜の製造方法を提供することを目的する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、ペンタメチルシク
ロペンタジエンまたはペンタエチルシクロペンタジエン
とIIＡ族金属との錯体に対し、テトラヒドロフランが付
加した付加化合物が、安定性に優れる上、高昇華性を有
し、しかも蒸発温度（昇華温度）と分解温度とが大きく
離れていることを見い出し、本発明を達成することがで
きた。
を解決するために鋭意研究した結果、ペンタメチルシク
ロペンタジエンまたはペンタエチルシクロペンタジエン
とIIＡ族金属との錯体に対し、テトラヒドロフランが付
加した付加化合物が、安定性に優れる上、高昇華性を有
し、しかも蒸発温度（昇華温度）と分解温度とが大きく
離れていることを見い出し、本発明を達成することがで
きた。
【０００９】すなわち、本発明は、気相成長法による薄
膜の製造方法であって、化２で示されるシクロペンタジ
エン系有機化合物と、IIＡ族金属との錯体の付加化合
物、好ましくは、前記錯体に対して脂肪族エーテル化合
物、複素環状系エーテル化合物または複素環状窒素化合
物が付加した付加化合物を原料として用いることを特徴
とする薄膜の製造方法を提供するものである。
膜の製造方法であって、化２で示されるシクロペンタジ
エン系有機化合物と、IIＡ族金属との錯体の付加化合
物、好ましくは、前記錯体に対して脂肪族エーテル化合
物、複素環状系エーテル化合物または複素環状窒素化合
物が付加した付加化合物を原料として用いることを特徴
とする薄膜の製造方法を提供するものである。
【００１０】
【化２】 （ただし、式中Ｒはメチル基またはエチル基を表す。）
【００１１】
【作用】本発明の薄膜の製造方法について、熱ＣＶＤ法
を利用した場合を例にあげ、図１を用いて以下に説明す
る。なお、図１は熱ＣＶＤ法の概略を模式的に示した図
である。
を利用した場合を例にあげ、図１を用いて以下に説明す
る。なお、図１は熱ＣＶＤ法の概略を模式的に示した図
である。
【００１２】まず、恒温槽３内にあって、シクロペンタ
ジエン系有機金属錯体の付加化合物１が充填された原料
容器２（50〜 150℃の恒温に保持）に、不活性キャリア
ーガス４をフローメーター５を経て流量を 5〜 500ml／
min に調節して導入し、このガス４に有機金属錯体の付
加化合物１を同伴、昇華させ、熱分解炉６内に設けた石
英反応管７に導入させる。上記石英反応管７は、ヒータ
ー８によって所定の温度（ 250〜 750℃）に加熱保持さ
れており、その内部には基板９が載置されている。
ジエン系有機金属錯体の付加化合物１が充填された原料
容器２（50〜 150℃の恒温に保持）に、不活性キャリア
ーガス４をフローメーター５を経て流量を 5〜 500ml／
min に調節して導入し、このガス４に有機金属錯体の付
加化合物１を同伴、昇華させ、熱分解炉６内に設けた石
英反応管７に導入させる。上記石英反応管７は、ヒータ
ー８によって所定の温度（ 250〜 750℃）に加熱保持さ
れており、その内部には基板９が載置されている。
【００１３】上記のようにして石英反応管７に導入され
た有機金属錯体同伴ガスは、基板９上において有機金属
錯体を熱分解し、金属薄膜を生成させる。なお、原料容
器２から熱分解炉６までの配管は、凝縮を防ぐために保
温層１０または加熱保温手段により50〜 250℃に保温維
持されている。また、図中１１は冷却トラップ、１２は
バルブ、１３はロータリーポンプであり、矢印は昇華し
た有機金属錯体が移送される方向あるいは分解ガスの排
出方向を示している。
た有機金属錯体同伴ガスは、基板９上において有機金属
錯体を熱分解し、金属薄膜を生成させる。なお、原料容
器２から熱分解炉６までの配管は、凝縮を防ぐために保
温層１０または加熱保温手段により50〜 250℃に保温維
持されている。また、図中１１は冷却トラップ、１２は
バルブ、１３はロータリーポンプであり、矢印は昇華し
た有機金属錯体が移送される方向あるいは分解ガスの排
出方向を示している。
【００１４】本発明法において原料化合物として用いら
れるシクロペンタジエン系有機金属錯体の付加化合物
は、優れた安定性および高い昇華性を有し、しかも昇華
温度と分解温度とがかなり離れているため、不活性ガス
に同伴される錯体量が従来品よりも多い。そのため、不
純物混入のない均質な膜が、速い成膜速度で得られるよ
うになる。
れるシクロペンタジエン系有機金属錯体の付加化合物
は、優れた安定性および高い昇華性を有し、しかも昇華
温度と分解温度とがかなり離れているため、不活性ガス
に同伴される錯体量が従来品よりも多い。そのため、不
純物混入のない均質な膜が、速い成膜速度で得られるよ
うになる。
【００１５】また、上記シクロペンタジエン系有機金属
錯体の付加化合物は、従来の薄膜の製造方法において原
料化合物として用いられていた有機金属錯体のように、
弗素による置換部分を有していないため、電気的特性が
劣化することがない。
錯体の付加化合物は、従来の薄膜の製造方法において原
料化合物として用いられていた有機金属錯体のように、
弗素による置換部分を有していないため、電気的特性が
劣化することがない。
【００１６】さらに、シクロペンタジエン系有機金属錯
体の付加化合物は、光劣化することがない上、通常の使
用温度において熱分解することもなく、極めて安定性に
優れている。このように原料化合物の安定性が優れてい
ると、成膜時間と成膜量との相関がとりやすくなるた
め、成膜条件がつかみやすくなる。また、分解して副生
する不純物が少なくなるため、仕込み材料を有効に利用
することができるようになる。
体の付加化合物は、光劣化することがない上、通常の使
用温度において熱分解することもなく、極めて安定性に
優れている。このように原料化合物の安定性が優れてい
ると、成膜時間と成膜量との相関がとりやすくなるた
め、成膜条件がつかみやすくなる。また、分解して副生
する不純物が少なくなるため、仕込み材料を有効に利用
することができるようになる。
【００１７】本発明法においては、シクロペンタジエン
系有機化合物とIIＡ族金属との錯体の付加化合物が原料
化合物として用いられるが、その具体例としては、ペン
タメチルシクロペンタジエン（化３）、またはペンタエ
チルシクロペンタジエン（化４）と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
等のIIＡ族元素との錯体に対し、エチルエーテルやアミ
ルエーテル等の脂肪族エーテル化合物、テトラヒドロフ
ランやジオキサン等の複素環状系エーテル化合物、また
はフェナントロリン等の複素環状窒素化合物が付加した
付加化合物などがあげられる。
系有機化合物とIIＡ族金属との錯体の付加化合物が原料
化合物として用いられるが、その具体例としては、ペン
タメチルシクロペンタジエン（化３）、またはペンタエ
チルシクロペンタジエン（化４）と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
等のIIＡ族元素との錯体に対し、エチルエーテルやアミ
ルエーテル等の脂肪族エーテル化合物、テトラヒドロフ
ランやジオキサン等の複素環状系エーテル化合物、また
はフェナントロリン等の複素環状窒素化合物が付加した
付加化合物などがあげられる。
【００１８】
【化３】
【００１９】
【化４】 なお、上記シクロペンタジエン系有機金属錯体は、上記
シクロペンタジエン系有機化合物と、IIＡ族金属の無機
酸塩（ハロゲン化物、硝酸塩、硫化物等）とを、例えば
エーテル系化合物等の溶媒系内で反応させることにより
得ることができる。
シクロペンタジエン系有機化合物と、IIＡ族金属の無機
酸塩（ハロゲン化物、硝酸塩、硫化物等）とを、例えば
エーテル系化合物等の溶媒系内で反応させることにより
得ることができる。
【００２０】上述のように、本発明法は従来法にはない
格段優れた効果を示すが、この効果はシクロペンタジエ
ン系有機金属錯体の付加化合物という特定の化合物を原
料として用いることにより初めて得られるものであっ
て、すなわちシクロペンタジエン系有機金属錯体の代わ
りに弗素による置換部分を有する有機金属錯体などを用
いたのでは、優れた電気的特性を得ることができず、脂
肪族エーテル化合物、複素環状系エーテル化合物、また
は複素環状窒素化合物などを付加していないシクロペン
タジエン系有機金属錯体を用いたのでは、優れた昇華性
および安定性を得ることができないのである。
格段優れた効果を示すが、この効果はシクロペンタジエ
ン系有機金属錯体の付加化合物という特定の化合物を原
料として用いることにより初めて得られるものであっ
て、すなわちシクロペンタジエン系有機金属錯体の代わ
りに弗素による置換部分を有する有機金属錯体などを用
いたのでは、優れた電気的特性を得ることができず、脂
肪族エーテル化合物、複素環状系エーテル化合物、また
は複素環状窒素化合物などを付加していないシクロペン
タジエン系有機金属錯体を用いたのでは、優れた昇華性
および安定性を得ることができないのである。
【００２１】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
【００２２】
【実施例１】本発明法の一実施例として、熱ＣＶＤ法に
よる薄膜の製造方法を以下に示す。なお、図１は熱ＣＶ
Ｄ法の概略を模式的に示した図である。
よる薄膜の製造方法を以下に示す。なお、図１は熱ＣＶ
Ｄ法の概略を模式的に示した図である。
【００２３】まず、恒温槽３内にあって、シクロペンタ
ジエン系有機金属錯体の付加化合物１（ビス−ペンタメ
チルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のテトラヒドロフラ
ン付加化合物）が１ｇ充填された原料容器２（SUS316
製、 150℃の恒温に保持）に、不活性キャリアーガス４
（アルゴンガス）を、フローメーター５を経て流量を 2
00ml／min に調節して導入し、このガス４に上記有機金
属錯体の付加化合物１を同伴、昇華させた。次いで、こ
のガスを、熱分解炉６内に設けられ内部に基板９を載置
した石英反応管７（ヒーター８によって 500℃に加熱保
持されている）に導入させ、基板９上への金属薄膜の成
膜を行った（図１）。
ジエン系有機金属錯体の付加化合物１（ビス−ペンタメ
チルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のテトラヒドロフラ
ン付加化合物）が１ｇ充填された原料容器２（SUS316
製、 150℃の恒温に保持）に、不活性キャリアーガス４
（アルゴンガス）を、フローメーター５を経て流量を 2
00ml／min に調節して導入し、このガス４に上記有機金
属錯体の付加化合物１を同伴、昇華させた。次いで、こ
のガスを、熱分解炉６内に設けられ内部に基板９を載置
した石英反応管７（ヒーター８によって 500℃に加熱保
持されている）に導入させ、基板９上への金属薄膜の成
膜を行った（図１）。
【００２４】なお、反応容器内の圧力は１torrに保持し
た。また、原料容器２から熱分解炉６までの配管は、凝
縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段により50
〜 150℃に保温維持されている。さらに、図中１１は冷
却トラップ、１２はバルブ、１３はロータリーポンプで
あり、矢印は昇華した有機金属錯体が移送される方向あ
るいは分解ガスの排出方向を示している。
た。また、原料容器２から熱分解炉６までの配管は、凝
縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段により50
〜 150℃に保温維持されている。さらに、図中１１は冷
却トラップ、１２はバルブ、１３はロータリーポンプで
あり、矢印は昇華した有機金属錯体が移送される方向あ
るいは分解ガスの排出方向を示している。
【００２５】上記のようにして１時間成膜を行い、基板
９上に厚さ2000オングストロームの再現性の良い均一な
Ｓｒ薄膜を得た。
９上に厚さ2000オングストロームの再現性の良い均一な
Ｓｒ薄膜を得た。
【００２６】
【実施例２】ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニル
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物に代えてビス
−ペンタメチルシクロペンタジエニルＣａ錯体のテトラ
ヒドロフラン付加化合物を用いたこと以外は実施例１と
同様にして薄膜の成膜を行ったところ、基板上に厚さ21
00オングストロームの再現性の良い均一なＣａ薄膜が得
られた。
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物に代えてビス
−ペンタメチルシクロペンタジエニルＣａ錯体のテトラ
ヒドロフラン付加化合物を用いたこと以外は実施例１と
同様にして薄膜の成膜を行ったところ、基板上に厚さ21
00オングストロームの再現性の良い均一なＣａ薄膜が得
られた。
【００２７】
【実施例３】ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニル
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりにビ
ス−ペンタメチルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のエチ
ルエーテル付加化合物を用いたこと以外は実施例１と同
様にして薄膜の成膜を行ったところ、基板上に厚さ1800
オングストロームの再現性の良い均一なＳｒ薄膜が得ら
れた。
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりにビ
ス−ペンタメチルシクロペンタジエニルＳｒ錯体のエチ
ルエーテル付加化合物を用いたこと以外は実施例１と同
様にして薄膜の成膜を行ったところ、基板上に厚さ1800
オングストロームの再現性の良い均一なＳｒ薄膜が得ら
れた。
【００２８】
【実施例４】本実施例では、シクロペンタジエン系有機
金属錯体の一例（Ｓｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ）と、本
発明法において原料化合物として用いられるシクロペン
タジエン系有機金属錯体の付加化合物の一例（Ｓｒ
（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦ）について昇華性お
よび安定性の比較を行った。
金属錯体の一例（Ｓｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ）と、本
発明法において原料化合物として用いられるシクロペン
タジエン系有機金属錯体の付加化合物の一例（Ｓｒ
（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦ）について昇華性お
よび安定性の比較を行った。
【００２９】その結果、Ｓｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）
2 は、 0.1torrにおける昇華温度が 130℃、 1.5torrに
おける昇華温度が 140℃であったのに対し、本発明法に
おいて原料化合物として用いられるＳｒ（（ＣＨ3 ）5
Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦは、 0.1torrにおける昇華温度が 1
15℃、 1.5torrにおける昇華温度が 125℃であり、高い
昇華性を有することが確認された。
2 は、 0.1torrにおける昇華温度が 130℃、 1.5torrに
おける昇華温度が 140℃であったのに対し、本発明法に
おいて原料化合物として用いられるＳｒ（（ＣＨ3 ）5
Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦは、 0.1torrにおける昇華温度が 1
15℃、 1.5torrにおける昇華温度が 125℃であり、高い
昇華性を有することが確認された。
【００３０】一方、 115℃の下で30日間放置による安定
性は、本発明法において原料化合物として用いられるＳ
ｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦの場合、微黄白色
のまま変化しなかったのに対し、Ｓｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ
5 ）2 の場合、微黄白色から黄色に変化してしまい安定
性が悪かった。
性は、本発明法において原料化合物として用いられるＳ
ｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ5 ）2 ・２ＴＨＦの場合、微黄白色
のまま変化しなかったのに対し、Ｓｒ（（ＣＨ3 ）5 Ｃ
5 ）2 の場合、微黄白色から黄色に変化してしまい安定
性が悪かった。
【００３１】
【比較例１】ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニル
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりに、
従来より用いられてきたビス−ジピバロイルメタナトＳ
ｒ錯体を用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜の
成膜を行ったところ、基板上においてＳｒ薄膜の形成は
ほとんど行われなかった。
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりに、
従来より用いられてきたビス−ジピバロイルメタナトＳ
ｒ錯体を用いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜の
成膜を行ったところ、基板上においてＳｒ薄膜の形成は
ほとんど行われなかった。
【００３２】
【比較例２】ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニル
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりに、
ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニルＳｒ錯体を用
いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜の成膜を行っ
たところ、基板上に 200オングストロームのＳｒ薄膜が
得られた。しかしながら、この薄膜は再現性が悪く、薄
膜形成速度も遅かった。
Ｓｒ錯体のテトラヒドロフラン付加化合物の代わりに、
ビス−ペンタメチルシクロペンタジエニルＳｒ錯体を用
いたこと以外は実施例１と同様にして薄膜の成膜を行っ
たところ、基板上に 200オングストロームのＳｒ薄膜が
得られた。しかしながら、この薄膜は再現性が悪く、薄
膜形成速度も遅かった。
【００３３】
【発明の効果】本発明法において原料化合物として用い
られるシクロペンタジエン系有機金属錯体の付加化合物
は、高い昇華性を有する上、昇華温度と分解温度とが明
らかに離れているため、速い成膜速度で、均質かつ再現
性に優れた薄膜を得ることができる。また、シクロペン
タジエン系有機金属錯体の付加化合物は、安定性に優れ
ているため、成膜条件をつかみやすく、しかも分解して
副生する不純物が少ない。そのため、仕込み材料を有効
に利用することができる。さらに、本発明法によると、
成膜中に弗化物が生成してしまうことがないため、薄膜
の電気的特性劣化がない。
られるシクロペンタジエン系有機金属錯体の付加化合物
は、高い昇華性を有する上、昇華温度と分解温度とが明
らかに離れているため、速い成膜速度で、均質かつ再現
性に優れた薄膜を得ることができる。また、シクロペン
タジエン系有機金属錯体の付加化合物は、安定性に優れ
ているため、成膜条件をつかみやすく、しかも分解して
副生する不純物が少ない。そのため、仕込み材料を有効
に利用することができる。さらに、本発明法によると、
成膜中に弗化物が生成してしまうことがないため、薄膜
の電気的特性劣化がない。
【図１】熱ＣＶＤ法の概略を模式的に示す図である。
１‥‥‥有機金属錯体の付加化合物 ２‥‥‥原料容器 ３‥‥‥恒温槽 ４‥‥‥不活性キャリヤーガス ５‥‥‥フローメーター ６‥‥‥熱分解炉 ７‥‥‥石英反応管 ８‥‥‥ヒーター ９‥‥‥基板 １０‥‥保温層 １１‥‥冷却トラップ １２‥‥バルブ １３‥‥ロータリーポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 気相成長法による薄膜の製造方法であっ
て、化１で示されるシクロペンタジエン系有機化合物
と、IIＡ族金属との錯体の付加化合物を原料として用い
ることを特徴とする薄膜の製造方法。 【化１】 （ただし、式中Ｒはメチル基またはエチル基を表す。） - 【請求項２】 前記付加化合物が、前記錯体に対して脂
肪族エーテル化合物、複素環状系エーテル化合物または
複素環状窒素化合物が付加したものである請求項１記載
の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32848492A JPH06157191A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32848492A JPH06157191A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157191A true JPH06157191A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18210794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32848492A Pending JPH06157191A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06157191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025222A (en) * | 1994-03-09 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Vapor phase growth of a dielectric film and a fabrication process of a semiconductor device having such a dielectric film |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP32848492A patent/JPH06157191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025222A (en) * | 1994-03-09 | 2000-02-15 | Fujitsu Limited | Vapor phase growth of a dielectric film and a fabrication process of a semiconductor device having such a dielectric film |
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