JPH06151804A - Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH06151804A JPH06151804A JP4291859A JP29185992A JPH06151804A JP H06151804 A JPH06151804 A JP H06151804A JP 4291859 A JP4291859 A JP 4291859A JP 29185992 A JP29185992 A JP 29185992A JP H06151804 A JPH06151804 A JP H06151804A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大転送容量で高転送効率のＣＣＤチャンネルを
もつ固体撮像素子を提供することを目的とする。 【構成】ＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域６の端
部に厚膜シリコン酸化膜領域１５を形成した構成とし、
ＣＣＤチャンネルのポテンシャルの最大部の幅が拡大
し、その結果、転送容量が増大し、転送効率が向上す
る。
もつ固体撮像素子を提供することを目的とする。 【構成】ＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域６の端
部に厚膜シリコン酸化膜領域１５を形成した構成とし、
ＣＣＤチャンネルのポテンシャルの最大部の幅が拡大
し、その結果、転送容量が増大し、転送効率が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ等に用い
られるＣＣＤ固体撮像素子およびその製造方法に関す
る。
られるＣＣＤ固体撮像素子およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】民生用や業務用のビデオカメラで広く用
いられるようになったＣＣＤ固体撮像素子は、高解像度
化、高性能化の要求が高くなり、絵素の微細化が益々進
んでいる。図３にそのＣＣＤ撮像素子の一画素部の断面
構造の模式図を示す。図において１はｎ型シリコン基
板、２は低濃度の第１Ｐウエル、３は高濃度の第２Ｐウ
エルを示す。４はフォトダイオードのｎ型領域を示し、
５はフォトダイオードの表面暗電流抑制層であるｐ＋領
域である。６はＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域
であり、７はフォドダイオードとＣＣＤチャンネルを分
離するｐ＋領域、８はフォトダイオードとＣＣＤチャン
ネルの分離および読み出しを行うｐ−領域である。９、
１０はゲート絶縁膜のシリコン酸化膜とシリコン窒化膜
である。１１はゲート電極、１２は遮光膜１３との間の
層間絶縁膜であり、１４は保護膜である。上記ＣＣＤ固
体撮像素子において、絵素の微細化により、ＣＣＤチャ
ンネルの転送容量が減少し、ダイナミックレンジの減少
や転送効率の減少が課題になってきている。転送容量の
向上のためにはＣＣＤチャンネルの高濃度化が必要であ
り、熱処理の低温化を進めることにより、高濃度にして
も、フォトダイオードとＣＣＤ間の電気的分離が可能に
している。また、転送効率は画像が乱れない程度に必要
な９５％以上を確保するには、ＣＣＤチャンネル幅が細
くなって困難になってきている。これは、ＣＣＤチャン
ネルの幅が小さくなるとチャンネルの両側の固定電位
（通常はＧＮＤ）によってチャンネルのポテンシャルが
浅くなり、所望のポテンシャルが得られなくなる現象、
すなわちナローチャンネル効果が強くなるためである。
図４はそのＣＣＤ固体撮像素子の一画素の断面模式図
と、その駆動状態のポテンシャルを示している。このた
め、実効チャンネル幅が狭くなり、転送容量および転送
効率が劣化する。転送容量および転送効率を確保するに
は、ＣＣＤチャンネルを転送方向に真っ直ぐに広く形成
することが必要である。分離パターンをＣＣＤチャンネ
ルに影響を与えないレイアウトにしたり、熱処理の低温
化で、分離領域のｐ型不純物が、ＣＣＤチャンネル領域
まで拡散しないように、工夫されている。また、低電圧
駆動の必要から、ＣＣＤ転送ゲートにポテンシャルディ
ップができなくするために、ゲート絶縁膜にＯＮＯ（Ox
ide-Nitride-Oxide ）膜を用いて、平坦なＣＣＤチャン
ネルを形成している。
いられるようになったＣＣＤ固体撮像素子は、高解像度
化、高性能化の要求が高くなり、絵素の微細化が益々進
んでいる。図３にそのＣＣＤ撮像素子の一画素部の断面
構造の模式図を示す。図において１はｎ型シリコン基
板、２は低濃度の第１Ｐウエル、３は高濃度の第２Ｐウ
エルを示す。４はフォトダイオードのｎ型領域を示し、
５はフォトダイオードの表面暗電流抑制層であるｐ＋領
域である。６はＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域
であり、７はフォドダイオードとＣＣＤチャンネルを分
離するｐ＋領域、８はフォトダイオードとＣＣＤチャン
ネルの分離および読み出しを行うｐ−領域である。９、
１０はゲート絶縁膜のシリコン酸化膜とシリコン窒化膜
である。１１はゲート電極、１２は遮光膜１３との間の
層間絶縁膜であり、１４は保護膜である。上記ＣＣＤ固
体撮像素子において、絵素の微細化により、ＣＣＤチャ
ンネルの転送容量が減少し、ダイナミックレンジの減少
や転送効率の減少が課題になってきている。転送容量の
向上のためにはＣＣＤチャンネルの高濃度化が必要であ
り、熱処理の低温化を進めることにより、高濃度にして
も、フォトダイオードとＣＣＤ間の電気的分離が可能に
している。また、転送効率は画像が乱れない程度に必要
な９５％以上を確保するには、ＣＣＤチャンネル幅が細
くなって困難になってきている。これは、ＣＣＤチャン
ネルの幅が小さくなるとチャンネルの両側の固定電位
（通常はＧＮＤ）によってチャンネルのポテンシャルが
浅くなり、所望のポテンシャルが得られなくなる現象、
すなわちナローチャンネル効果が強くなるためである。
図４はそのＣＣＤ固体撮像素子の一画素の断面模式図
と、その駆動状態のポテンシャルを示している。このた
め、実効チャンネル幅が狭くなり、転送容量および転送
効率が劣化する。転送容量および転送効率を確保するに
は、ＣＣＤチャンネルを転送方向に真っ直ぐに広く形成
することが必要である。分離パターンをＣＣＤチャンネ
ルに影響を与えないレイアウトにしたり、熱処理の低温
化で、分離領域のｐ型不純物が、ＣＣＤチャンネル領域
まで拡散しないように、工夫されている。また、低電圧
駆動の必要から、ＣＣＤ転送ゲートにポテンシャルディ
ップができなくするために、ゲート絶縁膜にＯＮＯ（Ox
ide-Nitride-Oxide ）膜を用いて、平坦なＣＣＤチャン
ネルを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な熱処理の低温化やレイアウトの工夫だけでは、ＣＣＤ
チャンネルの微細化による転送容量の劣化や、転送効率
の劣化は避けられない状況になっている。
な熱処理の低温化やレイアウトの工夫だけでは、ＣＣＤ
チャンネルの微細化による転送容量の劣化や、転送効率
の劣化は避けられない状況になっている。
【０００４】本発明は前記従来の問題に留意し、転送容
量を拡大し、転送効率のよいＣＣＤ固体撮像素子を提供
することを目的とする。
量を拡大し、転送効率のよいＣＣＤ固体撮像素子を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＣＣＤチャンネルの周囲に厚膜ゲート酸
化膜の領域を形成し、ＣＣＤチャンネル周囲部のポテン
シャルが深く成る構成とする。
成するために、ＣＣＤチャンネルの周囲に厚膜ゲート酸
化膜の領域を形成し、ＣＣＤチャンネル周囲部のポテン
シャルが深く成る構成とする。
【０００６】
【作用】上記構成のＣＣＤ固体撮像素子は、ＣＣＤチャ
ンネルの周囲のポテンシャルが深くなってチャンネル中
心部の平坦なポテンシャルの領域が広がり、チャンネル
実効幅が増大する。
ンネルの周囲のポテンシャルが深くなってチャンネル中
心部の平坦なポテンシャルの領域が広がり、チャンネル
実効幅が増大する。
【０００７】このことにより、ＣＣＤチャンネルの実効
幅が１．３倍から１．６倍に増大し、転送容量は同様に
拡大し、転送効率は９９％以上の良好な特性が得られる
こととなる。
幅が１．３倍から１．６倍に増大し、転送容量は同様に
拡大し、転送効率は９９％以上の良好な特性が得られる
こととなる。
【０００８】
【実施例】図１に本発明の一実施例であるＣＣＤ撮像素
子の一画素部の断面構造の模式図を示す。図における符
号１〜１４の構成部は前述従来例のものと同じであり、
かつ、同じ機能をするので、その説明は省略する。
子の一画素部の断面構造の模式図を示す。図における符
号１〜１４の構成部は前述従来例のものと同じであり、
かつ、同じ機能をするので、その説明は省略する。
【０００９】本実施例の特徴的構成はＣＣＤの転送チャ
ンネルとなるｎ型領域６の端部にポテンシャル制御用の
厚膜のシリコン酸化膜領域１５を形成したことにある。
この厚膜のシリコン酸化膜領域１５を形成するには、図
示１〜７のシリコン基板中のｐ，ｎ型領域を形成したの
ち、ゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜とシリコン窒化
膜９と１０を形成する。この後、周辺回路のＭＯＳトラ
ンジスターのゲート絶縁膜を低ノイズのシリコン酸化膜
で形成する目的で、周辺回路部のシリコン窒化膜１０を
フォトエッチングで除去する。このとき、同時にＣＣＤ
の転送チャンネルとなるｎ領域６の端部のシリコン酸化
膜領域１５のシリコン窒化膜も除去する。その後、シリ
コン窒化膜１０を熱酸化する工程で、厚膜のシリコン酸
化膜領域１５が形成される。
ンネルとなるｎ型領域６の端部にポテンシャル制御用の
厚膜のシリコン酸化膜領域１５を形成したことにある。
この厚膜のシリコン酸化膜領域１５を形成するには、図
示１〜７のシリコン基板中のｐ，ｎ型領域を形成したの
ち、ゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜とシリコン窒化
膜９と１０を形成する。この後、周辺回路のＭＯＳトラ
ンジスターのゲート絶縁膜を低ノイズのシリコン酸化膜
で形成する目的で、周辺回路部のシリコン窒化膜１０を
フォトエッチングで除去する。このとき、同時にＣＣＤ
の転送チャンネルとなるｎ領域６の端部のシリコン酸化
膜領域１５のシリコン窒化膜も除去する。その後、シリ
コン窒化膜１０を熱酸化する工程で、厚膜のシリコン酸
化膜領域１５が形成される。
【００１０】図２に本発明の一実施例であるＣＣＤ撮像
素子の一画素部のＣＣＤチャンネル部の断面構造図と駆
動状態でのＣＣＤチャンネルのポテンシャルを示す。Ｃ
ＣＤチャンネルのポテンシャルはゲート絶縁膜であるシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜９、１０の膜厚に比例す
る。ＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域６の端部、
すなわちシリコン酸化膜領域１５では、シリコン酸化膜
の厚みがチャンネル中央部に比べて厚くなっているの
で、絶縁膜の厚みが通常の場合と比べてポテンシャルが
深くなる。本実施例の場合、ゲート絶縁膜であるシリコ
ン酸化膜９、シリコン窒化膜１０の厚さは、実効膜厚で
８０ｎｍであり、チャンネル周辺部であるシリコン酸化
膜領域１５の厚みは１２０ｎｍである。この場合、転送
容量は従来に比べて２０％程度拡大し、転送効率は９８
％から９９％以上に向上した。デバイスシミュレーショ
ンによる解析の結果、ＣＣＤチャンネル中のポテンシャ
ルの最大領域の幅が従来に比べて１８％広がり、その結
果、転送容量の拡大と転送効率の向上につながった。
素子の一画素部のＣＣＤチャンネル部の断面構造図と駆
動状態でのＣＣＤチャンネルのポテンシャルを示す。Ｃ
ＣＤチャンネルのポテンシャルはゲート絶縁膜であるシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜９、１０の膜厚に比例す
る。ＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域６の端部、
すなわちシリコン酸化膜領域１５では、シリコン酸化膜
の厚みがチャンネル中央部に比べて厚くなっているの
で、絶縁膜の厚みが通常の場合と比べてポテンシャルが
深くなる。本実施例の場合、ゲート絶縁膜であるシリコ
ン酸化膜９、シリコン窒化膜１０の厚さは、実効膜厚で
８０ｎｍであり、チャンネル周辺部であるシリコン酸化
膜領域１５の厚みは１２０ｎｍである。この場合、転送
容量は従来に比べて２０％程度拡大し、転送効率は９８
％から９９％以上に向上した。デバイスシミュレーショ
ンによる解析の結果、ＣＣＤチャンネル中のポテンシャ
ルの最大領域の幅が従来に比べて１８％広がり、その結
果、転送容量の拡大と転送効率の向上につながった。
【００１１】なお、本実施例で使用した各膜厚は１義的
に決定されるものではなく、発明者による実験結果から
は、中心部のゲート絶縁膜（通常は、４０ｎｍから１５
０ｎｍ程度で使用される）に比べて、チャンネル端部の
シリコン酸化膜領域１５の厚みの増大割合が、４０％か
ら１３０％までの範囲で絶縁破壊や暗電流増大などの副
作用を伴うことなくチャンネル容量の拡大と転送効率の
向上を図ることができた。
に決定されるものではなく、発明者による実験結果から
は、中心部のゲート絶縁膜（通常は、４０ｎｍから１５
０ｎｍ程度で使用される）に比べて、チャンネル端部の
シリコン酸化膜領域１５の厚みの増大割合が、４０％か
ら１３０％までの範囲で絶縁破壊や暗電流増大などの副
作用を伴うことなくチャンネル容量の拡大と転送効率の
向上を図ることができた。
【００１２】
【発明の効果】前記実施例の説明より明らかなように本
発明によれば、従来に比べて２０％以上拡大したＣＣＤ
チャンネルの転送容量を有し、９９％以上の高い転送効
率を有するＣＣＤ固体撮像素子が形成できる。
発明によれば、従来に比べて２０％以上拡大したＣＣＤ
チャンネルの転送容量を有し、９９％以上の高い転送効
率を有するＣＣＤ固体撮像素子が形成できる。
【図１】本発明の一実施例のＣＣＤ固体撮像素子の一画
素の断面模式図
素の断面模式図
【図２】ａは本発明の一実施例であるＣＣＤ固体撮像素
子の一画素の断面模式図 ｂは同ＣＣＤ固体撮像素子の駆動状態のポテンシャル図
子の一画素の断面模式図 ｂは同ＣＣＤ固体撮像素子の駆動状態のポテンシャル図
【図３】従来例のＣＣＤ固体撮像素子の一画素の断面模
式図
式図
【図４】ａは同ＣＣＤ固体撮像素子の一画素の断面模式
図 ｂは同ＣＣＤ固体撮像素子の駆動状態のポテンシャル図
図 ｂは同ＣＣＤ固体撮像素子の駆動状態のポテンシャル図
１ ｎ型シリコン基板 ２ 第１Ｐウエル ３ 第２Ｐウエル ４ フォトダイオードｎ型領域 ５ フォトダイオード表面ｐ＋領域 ６ ＣＣＤの転送チャンネルとなるｎ型領域 ７ ｐ＋分離 ８ ｐ−分離 ９ シリコン酸化膜 １０ シリコン窒化膜 １１ ゲート電極 １２ 層間絶縁膜 １３ 遮光膜 １４ 保護膜 １５ 厚膜シリコン酸化膜領域
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＣＤチャンネルの周囲に厚膜ゲート酸
化膜の領域を形成したＣＣＤ固体撮像素子。 - 【請求項２】 埋め込みフォトダイオードとＣＣＤをア
レイ上に配列したＣＣＤ固体撮像素子におけるＣＣＤ転
送チャンネルのＯＮＯゲート絶縁膜の一部の領域のシリ
コン窒化膜を除去し、前記領域に熱酸化によりシリコン
酸化膜のゲート絶縁膜を形成し、他のＣＣＤチャンネル
の領域をＯＮＯゲート絶縁膜で形成するＣＣＤ固体撮像
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291859A JP2996567B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4291859A JP2996567B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151804A true JPH06151804A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2996567B2 JP2996567B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=17774351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4291859A Expired - Fee Related JP2996567B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996567B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290883B1 (ko) * | 1998-04-22 | 2001-07-12 | 김영환 | 고체촬상소자의제조방법 |
| KR20030056322A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치형 소자분리를 갖는 이미지센서 |
| US7061030B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a camera |
| JP2007234883A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
| US7402452B2 (en) | 2002-05-16 | 2008-07-22 | Fujifilm Corporation | Gate oxide film structure for a solid state image pick-up device |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4291859A patent/JP2996567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290883B1 (ko) * | 1998-04-22 | 2001-07-12 | 김영환 | 고체촬상소자의제조방법 |
| KR20030056322A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치형 소자분리를 갖는 이미지센서 |
| US7402452B2 (en) | 2002-05-16 | 2008-07-22 | Fujifilm Corporation | Gate oxide film structure for a solid state image pick-up device |
| US7759157B2 (en) | 2002-05-16 | 2010-07-20 | Fujifilm Corporation | Gate oxide film structure for a solid state image pick-up device |
| US7061030B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a camera |
| US7411229B2 (en) | 2003-09-04 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a camera |
| CN100452413C (zh) * | 2003-09-04 | 2009-01-14 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件、其制造方法及摄影机 |
| JP2007234883A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996567B2 (ja) | 2000-01-11 |
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|---|---|---|---|
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