JPH0614385B2 - 硬貨感知装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は硬貨取扱い機構で用いる硬貨感知装置に関す
る。

背景技術 硬貨取扱い機構の分野では、硬貨の有無を検査する硬貨
感知装置の用途が多数ある。その一つは硬貨保管チユー
ブレベルを監視することがある。この分野で周知のよう
に、硬貨機構が両替のために硬貨チユーブにコインを保
管している場合、硬貨チユーブ内の硬貨のレベル（硬貨
チユーブレベル）を監視すると有利である。例えば、硬
貨チユーブ内の硬貨の数が両替には少なすぎる場合に
は、変更灯が正しく点灯する。硬貨チユーブがいつぱい
になつた場合には、硬貨を硬貨チユーブに通さずに直接
キヤツシユボツクスに送ることによつて硬貨通路のジヤ
ミングを最少限に押えることができる。硬貨チユーブ内
の硬貨のレベルを監視するのには、今まで電子機械式ス
イツチが用いられていた。しかしながら、このようなス
イツチはいつもきれいにしておかなければならず、ジヤ
ミングで故障することがある。また、光学式感知装置も
用いられていたが、ごみが付着するとか、時間経過によ
り性能が低下しやすい。硬貨チユーブの周りを巻き付け
たコイルを包含する誘導子も用いられていたが、これら
はいくつかの欠点をもつ。掃除をしたり詰まつた硬貨を
取り除くために硬貨チユーブを開けるときに邪魔になつ
たり、外部の影響、例えば隣りの硬貨チユーブ内の硬貨
などの影響を受けやすい。

発明の開示 本発明の目的は、機械的スイッチにおける場合のジャミ
ング問題のない非接触タイプであつて、光学式感知装置
の場合にその特性を劣化させるようなごみによつてもそ
の感知特性が劣化しない且つ隣接する硬貨チューブ内の
硬貨により影響されないような硬貨感知装置を提供する
ことにある。

本発明に従う硬貨感知装置は、硬貨が存在しているとき
その硬貨に平行な磁界を発生させる誘導子を含む。特に
誘導子は、中央コアとその両端の２つの端部とからなる
ダンベル型強磁性体磁気コアと中央コアに巻かれたコイ
ルとからなる点に特徴がある。この形状は、誘導子の端
から感知領域へと放射されそして該端に戻る磁界をつく
るのに有利である。即ち、硬貨感知のための限定された
小領域の感知磁界だけをつくるので、隣接する硬貨チュ
ーブ内の硬貨から影響されない。硬貨管に隣接した適当
なレベルに誘導子の面を位置させることにより、磁界が
つくられそのレベルでの硬貨の存在の指示が磁界と硬貨
の相互作用を感知することで得られる。同様に誘導子の
面は通過硬貨の感知のため硬貨通路に隣接して置かれ得
る。

図面の簡単な説明 図面において、 第１図は本発明によるダンベル状の誘導子を示す図、 第２図は本発明の第１の実施例の概略ブロツクダイアグ
ラムを示す図、 第３図は本発明の第２実施例の概略ブロツクダイアグラ
ムを示す図、 第４図は本発明の第２実施例による装置で用いる硬貨通
路センサ回路を詳しく示す図、 第５図は本発明の第２実施例による装置で用いる硬貨チ
ユーブセンサ回路を詳しく示す図、 第６図は本発明の第２実施例による装置で用いる基準セ
ンサ回路を詳しく示す図、 第７図は本発明の第２実施例による装置で用いる比較器
兼基準回路を示す図、 第８Ａ図，第８Ｂ図は本発明の第２実施例による装置で
用いるセンサボードに誘導子を取り付ける状態を示す
図、 第９図は本発明の第１，第２の実施例による装置で用い
るための３つの硬貨チユーブの背面に対して１つのセン
サボードと３つの誘導子を取り付ける状態を示す図、お
よび 第１０図は本発明の第１，第２の実施例による装置で用
いる誘導子の取り付け状態を示す図である。

本発明の原理に従つて構成した硬貨セレクタ装置は多く
の国々の硬貨セツトから選んだ任意数の硬貨を判別し受
け入れるように設計することができるが、以下、本発明
を米国５セント硬貨、１０セント硬貨、２５セント硬貨
を判別するのに応用した場合について説明する。

図面は代表的なものであつて、かならずしも尺度に合せ
て描いていない。この明細書を通じて、「硬貨」という
用語は硬貨作動式装置を用いようとしている人間が使用
し得る真正硬貨、トークン、偽造硬貨、代用硬貨、座金
その他任意の部品を含んでいる。さらに、本明細書では
ときどき簡略化のために硬貨の運動を回転運動として説
明するが、特に指摘しない限り並進運動その他の運動も
あるものとする。同様にして、以下に詳しく説明する実
施例に関連して特定の形式の論理回路を示すけれども、
発明から逸脱することなく他の論理回路を用いて同等の
結果を得ることもできる。構成要素の値は明細書で説明
している実施例についての例示である。

発明を実施するための最良の態様 第１図は本発明による硬貨感知装置の第１，第２の実施
例で用いられるダンベル形コアに巻付けたコイルを包含
する誘導子を示す。この誘導子１０１は面１０２，１０
４を有し、これらの面は中央コア１０６によつて連結し
てある。中央コアには銅線のコイル１０８が巻付けてあ
り、このコイルはリード線１０３，１０５に接続してあ
る。リード線１０３，１０５は誘導子を硬貨近接感知装
置の残りの部分に接続するのに用いられている。面１０
２，１０４は中央コア１０６と銅巻線１０８とによつて
構成される円筒形の直径よりも大きな直径を有する。

本発明のこれらの実施例においては、誘導子は第３８番
ＡＷＧ銅線を約４５０回ランダムに巻付けたフエライト
コアを有する。このコアの全長は0.９５cmである。中央
コアの長さは0.４８cmである。誘導子面の直径は0.７１
cmであり、中央コアの直径は0.２４cmである。これらの
実施例の誘導子に適したフエライトコアはトミタのタイ
プＤＲＷ８×１０である。

電流が誘導子１０１のコイル１０８を流れるとき、主と
して誘導子の面１０２，１０４に対して直角方向に磁界
が突出する。この突出した磁界を通過する、あるいはそ
の中に停止した硬貨はこの磁界と相互作用し、誘導子１
０１を流れる電流に影響を与える。この相互作用は組合
せた回路によつて検出され、誘導子を硬貨が通過あるい
はそこに接近していることを示す。

第２図は本発明による硬貨近接感知装置の第１実施例で
用いる回路１０の概略ブロツクダイアグラムである。こ
の回路１０は第１図の誘導子１０１に相当する誘導子１
１を包含する。誘導子１１と並列にコンデンサ１９が接
続してあつて共振発振回路２０を形成している。誘導子
１１の１本のリード線１５がアナログ比較器３０のプラ
ス入力に接続してあり、ダイオードＤ１を通して電源Vs
に接続してあり、スイツチＳ１を通して接地してある。
誘導子１１の他のリード線１３は電源Vsと抵抗器Ｒ１，
Ｒ２からなる分圧器１７によつて決定される基準電圧レ
ベルにある。例えば、これらの抵抗器Ｒ１，Ｒ２は同じ
値であり、アナログ比較器３０に対する入力部の中間位
置に共振回路２０の振動ベースラインをおく。

スイツチＳ１を閉じたとき、発振器回路は誘導子１１が
接地すると同時にエネルギを蓄えはじめる。誘導子電流
が所望値に達し回路２０が所望量のエネルギを蓄えたと
き、スイツチＳ１が開く、スイツチＳ１が開くと比較器
３０のプラス入力の電圧が急激に上昇する。

この上昇は電源電圧VsにダイオードＤ１間の電圧降下分
を加えたものに制限される。この最初の上昇に続いて、
回路２０がインダクタンスおよびキヤパシタンスによつ
て主として決定される共振周波数で振動するにつれて比
較器３０に対するプラス入力のところに減衰振動電圧波
形が表われる。減衰率は電圧振幅がQ/2πサイクルにお
ける初期値の1/eまで減少するように選定される。ここ
で、Ｑは２π×（共振回路によつて蓄えられるエネル
ギ）÷（１サイクル当り回路によるエネルギの損失）と
して定義される。

比較器３０のプラス入力における振動の減衰は共振回路
２０の損失および共振回路２０の外部ローデイングに左
右される。共振器１１の磁界と硬貨相互作用は共振回路
２０をロードすることになる。第１図の誘導子１０１の
面１０２または１０４のいずれかに相当する誘導子１１
の面に近接して導伝性硬貨がおかれたとき、硬貨にうず
電流が誘導されI²Rの損失が生じる。従つて、共振回路
２０および比較器３０のプラス入力に表われる振動の減
衰率は誘導子１１の１つの面への硬貨の近接程度を示す
ことになる。

第２図のＩ−Ｉ線の右にある回路は共振回路２０の振動
の減衰率を測定し、誘導子１１の一方の面に近い区域か
らの硬貨の有無を示す信号を発生する。この信号は次の
ように発生する。比較器３０のマイナス入力を抵抗器R
3,R4からなる分圧器に接続することによつて基準電圧が
このマイナス入力に印加される。この基準電圧はR3,R4
を適当に選定することによつて減衰振動の最大振幅より
も低い或る電圧に調節される。比較器３０のプラス入力
における信号の電圧振幅がそのマイナス入力における基
準電圧よりも大きいときはいつでも比較器３０の出力は
高い。従つて、比較器３０のプラス入力における振動の
サイクルが基準電圧よりも大きい振幅まで上昇するたび
ごとに比較器３０は高い出力を有する。比較器３０のプ
ラス入力の波形が減衰振動であるから、一連のパルスが
比較器３０の出力部におけるライン３１に発生する。こ
れらのライン３１上のパルスは振動が最初に基準電圧よ
り高いレベルまで上昇したときに始まり、振動が基準電
圧よりも高いレベルに上昇するのをやめたときに終る。
これらのライン３１上のパルスはカウンタ４０によつて
カウントされる。このカウンタ４０の出力はパルスのカ
ウント数を示す信号（センサカウント）である。この信
号は比較器５０の入力部に送られる。比較器５０の他方
の入力部にはデイジタル記憶手段６０が接続してあり、
このデイジタル記憶手段は例えば、誘導子１１が硬貨近
接状態から絶縁されたときにある所定の条件の下にカウ
ントされるであろうパルス数のある所定の分数、あるい
はパーセンテージを示す基準数を発生する。

誘導子１１の一つの面に硬貨が接近したときに回路２０
の１サイクル当りの損失が高まるので、回路２０のＱは
誘導子１１にコインが接近したときに減少する。その結
果、誘導子１１に硬貨が接近して回路２０の振動減衰率
を高め、振動の振幅が基準電圧よりも低いところに低下
する前に生じたサイクル数を減少させる。誘導子１１に
硬貨がないときには、カウンタ４０は最大センサカウン
ト信号を発生する。ある実施例では、記憶ユニツト６０
に格納された基準数はこの最大センサカウント信号より
も小さいが、硬貨が誘導子１１に接近したときに発生す
る減少したセンサカウント数よりは大きい。センサカウ
ントが基準カウントを越えたとき、比較器５０は硬貨が
誘導子１１の面の近くに在していないことを示す信号を
発生する。基準カウントがセンサカウントを越えたなら
ば、比較器５０は硬貨が誘導子１１の１つの面の近くに
存在するということを示す出力を発生する。

第２図の装置を硬貨チユーブレベルの感知あるいは硬貨
通知感知に用いることができるように誘導子１１を取り
付けるための適当な手段がそれぞれ第８図、第９図、第
１０図に示してある。これらの図を以下に説明する。

第３図は本発明による硬貨感知装置の第２実施例の回路
１００の概略ブロツクダイアグラムである。この実施例
において、７つの硬貨センサ回路120,220,320,420,520,
620,720および基準センサ回路８２０が用いられる。こ
れらのセンサ回路120,220,320,420,520,620,720は第３
図にブロツクで示してあり、各々硬貨の通過または硬貨
チユーブレベルを監視するための誘導子を包含する。セ
ンサ回路１２０は硬貨通過センサとして作用し、センサ
220,420,520,620,720は硬貨チユーブレベルセンサとし
て作用し、センサ回路８２０は基準センサとして作用す
る。回路１００はパルスカウンタ１４０、論理回路１５
０および記憶装置１６０も包含する。

硬貨通過センサ回路１２０を除いて、全てのセンサ回路
は第１図に関連して説明した形式の誘導子を有する。セ
ンサ回路１２０，２２０（回路２２０−７２０の代表的
なものである）および８２０の適当なものが第４図〜第
６図にそれぞれ示してある。これらのセンサ回路の代表
的な構成素子値は次の通りである。

第６図の回路８２０においては、キヤパシタンス８１
３，８３２，８３３は回路８２０が誘導子までの長いリ
ード線を必要としないためにセンサ回路１２０−７２０
よりも漂遊キヤパシタンスが小さいということを考えた
ときに必要なキヤパシタンスを表わしている。

以下、硬貨チユーブレベルセンサ２２０の選定および動
作を説明することによつて、８つのセンサ回路１２０−
８２０および回路１００の動作原理を説明する。センサ
回路１２０−８２０は第３図に示す２つのマルチプレク
サ１１０，１１１の間に接続してある。センサ回路の選
定は次のように行う。マルチプレクサ１１０（例えばナ
シヨナル・セミコンダクタのタイプ74156）は３本のラ
イン・ツー・ラインデコーダと接続してあり、普通のや
り方でピンＡ，Ｂ，Ｃ₁，Ｃ₂−Ｇ₁，Ｇ₂に与えられた信
号によつて制御される。ピンＧ₁，Ｇ₂への入力が共に低
い場合、ピンＡ，Ｂ，Ｃ₁，Ｃ₂までのラインＯ₁，Ｏ₂，
Ｏ₄上の二進信号入力は８つの出力のうちどれが低いか
を決定することになる。マルチプレクサ１１１（例え
ば、ＲＣＡのタイプ４０５１）はその８つの入力のうち
の１つを出力として選ぶように接続され、ピンＡ，Ｂ，
Ｃに与えられた信号によつて制御される。

第３図に示すように、マルチプレクサ１１０のピンＡ，
Ｂ，Ｃ₁，Ｃ₂（Ｃ₁，Ｃ₂は互いに接続してある）および
マルチプレクサ１１１のピンＡ，Ｂ，Ｃには同じ信号が
与えられる。ラインＯ₁，Ｏ₂，Ｏ₄の制御信号は論理回
路１５０によつて発生させられ、この論理回路はハード
ワイヤ式の論理回路、またはマイクプロセツサのような
プログラムデータプロセツサ、またはここに説明したよ
うな機能を果たすことのできる他の論理回路であり得
る。Intelの８７４８マイクロプロセツサがこの実施例
で論理回路として用いるのに適している。

この実施例において、センサ回路１２０−８２０の共振
回路またはタンク回路１１５−８１５は、使用していな
いときには入力マルチプレクサ１１０の出力０−７を低
く保持することによつて付勢状態に維持される。これは
選定していないタンク回路のリンギングを防ぐ。このよ
うなリンギングはセンサ回路の１つが選ばれ、そのタン
ク回路がリンギングしているときの結合の結果として生
じる可能性がある。

センサ回路１２０−７２０の代表的な動作を説明するた
めに、そのうちの１つ、例えば硬貨チユーブセンサ回路
２２０を選んだものと仮定する。これは入力マルチプレ
クサ１１０の出力部１を低レベル（設置）から高レベル
（開路）までで切り替えることによつて行われる。出力
マルチプレクサ１１１も同時に切り替えられてこの出力
マルチプレクサの入力位置にセンサ回路２２０の出力の
みを受けるようにする。さて第５図を参照して、マルチ
プレクサ１１０の出力位置における電圧は、その出力部
が低レベルから高レベルに切り替えられたのち急速に上
昇し、トランジスタ２１４をオフ状態にする。ダイオー
ド２０４と電源（ここでは、５ＶＤＣ）からなるダイオ
ードクランプがこの上昇率を電源電圧プラスダイオード
２０４前後の電圧低下に制限する。ここではトータル5.
７ＶＤＣである。この制限作用はマルチプレクサ１１１
の入力位置順方向のバイアスと伝導を防ぎ、装置１００
の他の部分で用いる回路に匹敵する最大電圧に振動の振
幅を制限するのにも用いられる。

マルチプレクサ１１０の出力１が接地状態から開放状態
に切り替わつたとき（すなわち、ドライブが除かれたと
き）、誘導子２２１の磁界はつふれ、タンク回路２１５
が減衰振動を始める。センサ回路２２０からアースまで
の電圧がマルチプレクサ１１１の入力位置に表われ、こ
れは抵抗器２１６，２１８からなる分圧器によつて決定
される電圧周りの減衰振動である。抵抗器２１６，２１
８を適切に選定すると共に先に述べべたように電源電圧
（ここでは５ＶＤＣ）とダイオード２０４を適切に選定
することによつて最大振幅およびこの振動が生じるレベ
ルを決定し、特別の保障回路を不要とする。この実施例
では分圧器抵抗器２１６，２１８ならびに他のセンサ回
路１２０，３２０−８２０の対応する抵抗器１１６，３
１６−８１６，１１８，３１８−８１８は全て同じ値
（ここでは１Ｋ）である。その結果、全ての振動のベー
スラインは電源レール（ここでは０と５ＶＤＣ）の間の
中間点にある。回路１２０，３２０−８２０およびそれ
らの対応する回路素子（第４図，第６図参照）はマルチ
プレクサ１１０，１１１に選ばれたときセンサ回路２２
０と同じ要領に作動する。

センサ２２０が質問されたとき、出力マルチプレクサ１
１１の出力部はセンサ２２０の出力部で振動を続けるこ
とになる。この出力信号は比較器回路１３０の１つの入
力として作用する。比較器回路１３０の他の入力は基準
回路１３５によつて所定のレベルにセツトされた基準電
圧である。比較器回路１３０はその入力部において各振
動サイクルごとに１つのパルスを発生する。この振動は
基準電圧より大きい振幅を発生する。

第７図は第３図の装置の比較器１３０および基準回路１
３５に適した回路を示す。出力マルチプレクサ１１１か
らの信号は保障回路１３１を通つて受け取られ、比較器
１３２のプラス入力に与えられる。ナシヨナル・セミコ
ンダクタのタイプＬＭ３３９が比較器１３２として適当
である。この比較器１３２の他（マイナス）の入力部は
基準回路１３５に接続してある。この基準回路はセンサ
回路１２０−８２０の分圧器抵抗器１１６−８１６およ
び１１８−８１８と同じ値の２つの抵抗器１３６，１３
８を包含する。好ましい形態では、これらの抵抗器は全
て環境によつて同じ影響を受けるように抵抗器組立体に
一緒にパツケージした１％抵抗器である。この実施例に
適した抵抗器組立体としては、デールのタイプＭＤＰ14
05102／102Ｆがある。分圧器抵抗器１３６，１３８は、
抵抗器１３７なしに、センサ回路１２０−８２０の振動
のベースラインと同じ基準レベルを確立することにな
る。分圧器抵抗器１つ（ここでは抵抗器１３８）と並列
の抵抗器１３７は分圧器のその側での抵抗値を減らし、
それによつて比較器１３２についての振動のベースライ
ンと基準値との間に電圧差を確立する。これは比較器１
３２による振動パルスの検出についての限界値を定め
る。シユミツト・トリガ回路インバータ１３３（ここで
はインバータとして接続されたナンド・ゲート）が用い
られて比較器１３２からの出力パルスの転換を短縮す
る。

比較器１３２からのパルスは実際に任意便利なやり方で
カウントされ、基準値と比較され得る。第３図の装置で
は、比較器１３０からのパルスはカウンタ１４０に送ら
れる。各センサ質問サイクルの完了時に論理回路１５０
はカウンタ１４０のカウント数を読み出し、カウンタ１
４０をリセツトし、このカウント数を記憶装置１６０内
の値と比較する。記憶装置１６０の値は代表的には、硬
貨のないときにセンサ２２０−７２０の１つによつて与
えられるであろうカウント数の５０％−９０％の範囲に
ある。この値は手動で記憶装置１６０に格納してもよい
し、基準センサ回路８２０を周期的に質問する結果とし
て与えられてもよい。基準センサ回路８２０を用いた場
合、基準センサ８２０からのカウント数に定数（この例
では、0.５ないし0.９の範囲にある）をかけ合わせるか
あるいは調節自在の抵抗器８１６Ｃによつて与えられた
付加抵抗値を用いて基準センサ回路８２０のベースライ
ンをオフセツトさせ、例えば硬貨のないとき代表的な硬
貨チユーブセンサ回路２２０−７２０によつて発生させ
られるであろう数から振動数を減らすことによつて減少
した記憶値が得られる。

或る実施例では、装置１００は次のように作用する。硬
貨通過センサ１２０は第１０図に示すように合格硬貨通
路１２２Ａに隣接した誘導子１２１を有し、周期的に質
問を受けてセンサ１２０を通過する全ての硬貨を検出す
るようになつている。代表的には先行の有効性判断回路
（図示せず）で硬貨が検出されたのち、基準センサ８２
０が論理回路１５０によつて質問を受け基準カウント数
が記憶され、硬貨チユーブレベルセンサ220,320,420,52
0,620,720の各各が質問を受け、適当な時間遅延の後、
検出硬貨の追加が硬貨チユーブを一杯にするかどうか、
あるいは合格硬貨に関連した販売動作に必要な両替えが
将来のための両替えを行うに充分な硬貨を硬貨チユーブ
からなくしてしまうかどうかを決定する。このような動
作は少なくとも２つの理由で優利である。まず、自動販
売器がアイドル状態にあるときに硬貨チユーブレベルの
感知を行わなくてすむ。第２に、他のセンサと同じ環境
におかれる基準センサを用いることによつて、他のセン
サが発生するカウント数が環境変化、例えば温度変化を
反映すると同じ方法で環境の変化を反映する基準カウン
ト数を生じるということである。ここに開示した装置の
動作についての他の適当な方法はこの装置の物理的な構
造の説明からあきらかとなろう。

第８図〜第１０図は誘導子１２１−８２１をどのように
取り付けるかを示し、また、第２図に示す誘導子をどの
ように取り付けるかを示している。第８Ａ図，第８Ｂ図
は７つの誘導子２２１−８２１を２つのセンサボード６
２，６４に取り付ける方法を示している。６つの誘導子
２２１−７２１は高、低、硬貨レベルセンサ２２０−７
２０の一部である。これら６つの誘導子は第９図におい
て誘導子５２１，６２１，７２１について示すように硬
貨チユーブ壁組立体６８の背面に取り付孔に挿入され
る。第９図はこれらの誘導子の硬貨チユーブ６５，６
７，６９に対する位置を示している。誘導子５２１，６
２１，７２１は、それぞれ、電流がコイルを流れている
ときに硬貨チユーブの底近くで片面が硬貨チユーブ内に
磁界を突出させるように取り付けられている。誘導子２
２１，３２１，４２１はそれぞれの硬貨チユーブの頂付
近に同じように配置されている。基準センサ８２０の一
部である誘導子８２１もセンサボード６４に装着してあ
る。誘導子８２１はその両面が共に硬貨から効果的に絶
縁されるような向きとなつている。

第１０図は硬貨通過センサ１２０の一部である第８番目
の誘導子１２１の取り付け状態を示す。この誘導子１２
１は合格ゲート１２４の後に設けた硬貨通路１２２の一
部をなす合格通路１２２Ａに隣接して装着してある。機
械的なゲート１２４は合格通路１２２Ａに沿つて合格硬
貨を移動させ不合格硬貨を拒絶通路１２２Ｒに沿つて移
動させる。ゲート１２４と同様の機械的硬貨転換用ゲー
トの作用についての詳細は１９７９年３月２６日に出願
された英国特許出願第７９−105505号ならびに米国特許
第4106610号に記載されている。この実施例に示すよう
に、誘導子１２１の磁界は通過する硬貨の面に向けられ
ており、そのため、誘導子１２１はポツトコア式の誘導
子である。

フロントページの続き (72)発明者 フラツク・ト−マス・リ− アメリカ合衆国19138ペンシルヴアニア・ フイラデルフイア・アシユレイ・ロ−ド 1961 (56)参考文献 米国特許3163818（ＵＳ，Ａ) 米国特許3242932（ＵＳ，Ａ)

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】硬貨作動装置における硬貨通路中の硬貨の
   有無を検出する硬貨感知装置であって、 第１の誘導子を含み、該第１の誘導子の近傍での硬貨の
   有無を示す出力信号を生成する第１の電子発振回路、お
   よび 該第１の発振回路の出力信号に応答し該硬貨通路中の該
   第１の誘導子の近傍の感知個所での硬貨の有無を決定す
   る回路手段とからなる硬貨感知装置において、 該第１の誘導子が、中央コアと該中央コアの両端の該中
   央コアより大きい径の２つの端部とからなるダンベル型
   の強磁性体磁気コアおよび該２つの端部間で該中央コア
   上に巻かれたコイルとからなり、 該磁気コアの該２つの端部の一方が該硬貨通路の感知個
   所近くに位置されており、そして該コイルへの通電時該
   硬貨通路中へ該一方の端部から放射される磁界を発生し
   ていることを特徴とする硬貨感知装置。
2. 【請求項２】請求の範囲第１項に記載の硬貨感知装置に
   おいて、 該ダンベル型強磁性体磁気コアは、硬貨が該第１の誘導
   子近傍の硬貨通路中の個所にあるとき硬貨の面に平行に
   該硬貨通路中へと磁界を放射するよう該硬貨通路の該感
   知個所近傍に配置されていることを特徴とする硬貨感知
   装置。
3. 【請求項３】請求の範囲第１項または第２項に記載の硬
   貨感知装置において、 該硬貨通路は硬貨が面と面を合わせて積み重ねられて保
   管されていく硬貨保管チューブであり、該ダンベル型強
   磁性体磁気コアは保管硬貨の積み重ね面に平行に硬貨保
   管チューブ内へと放射される磁界を発生するよう該硬貨
   保管チューブ近傍に配置されていることを特徴とする硬
   貨感知装置。
4. 【請求項４】請求の範囲第１項、第２項または第３項の
   １に記載の硬貨感知装置において、 さらに第２の誘導子を含む第２の電子発振回路からな
   り、該第２の誘導子は矩形断面の硬貨通路の第２の感知
   個所近傍に配置され、該矩形断面の短い辺は該装置での
   許容硬貨中最小のものの径より小さいが該許容硬貨中最
   も厚いものの厚さより大きく、そして該矩形断面の長い
   辺は該許容硬貨中最大のものの径よりも大きいことを特
   徴とする硬貨感知装置。
5. 【請求項５】請求の範囲第４項に記載の硬貨感知装置に
   おいて、 該第１と第２の電子発振回路の双方に接続され、該第１
   と第２の誘導子のコイルを選択的に通電させるためパル
   スを該第１と第２の電子発振回路のそれぞれに選択的に
   印加して発振を開始させる手段をさらに含むことを特徴
   とする硬貨感知装置。
6. 【請求項６】請求の範囲第５項に記載の硬貨感知装置に
   おいて、 該第２の誘導子を硬貨が通過したかを決定し、そして該
   第２の誘導子に対する硬貨の通過を示す信号を生成する
   手段を含み、 該パルスを選択的に印加する手段は、該第２の誘導子に
   周期的にパルスを繰り返し印加し、該第２の誘導子への
   パルスおのおのの印加に応答して該第２の誘導子に対す
   る硬貨の通過を示す信号が生成されたときは該第１の誘
   導子にパルスを印加していることを特徴とする硬貨感知
   装置。
7. 【請求項７】請求の範囲第１項に記載の硬貨感知装置に
   おいて、 複数の該第１の誘導子が複数の異なる感知個所にそれぞ
   れ設けられ、該複数の第１の誘導子おのおののコイルへ
   互いに異なる時間期間に電流が通電されていることを特
   徴とする硬貨感知装置。