JPH06140379A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH06140379A JPH06140379A JP30971792A JP30971792A JPH06140379A JP H06140379 A JPH06140379 A JP H06140379A JP 30971792 A JP30971792 A JP 30971792A JP 30971792 A JP30971792 A JP 30971792A JP H06140379 A JPH06140379 A JP H06140379A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生
を抑制することにより被処理体の表面と裏面をより均一
かつ同時に処理できる処理装置を提供するものである。 【構成】 被処理体３を処理ガス雰囲気で処理する処理
室２と、この処理室２内に前記被処理体３を保持する保
持機構５を設けた載置台４を備えた処理装置１におい
て、前記被処理体３を回転させる回転手段６と、前記被
処理体３の表面及び裏面に処理ガスを供給する供給手段
１３と、前記被処理体３の水平方向にリング状に排気口
７０を設けるとともに、この排気口７０より前記処理ガ
スを排気する排気手段７４を設け構成されたものであ
る。
を抑制することにより被処理体の表面と裏面をより均一
かつ同時に処理できる処理装置を提供するものである。 【構成】 被処理体３を処理ガス雰囲気で処理する処理
室２と、この処理室２内に前記被処理体３を保持する保
持機構５を設けた載置台４を備えた処理装置１におい
て、前記被処理体３を回転させる回転手段６と、前記被
処理体３の表面及び裏面に処理ガスを供給する供給手段
１３と、前記被処理体３の水平方向にリング状に排気口
７０を設けるとともに、この排気口７０より前記処理ガ
スを排気する排気手段７４を設け構成されたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の処理装置において、被処理体、例
えば半導体ウエハを処理室内に収容し、この処理室内で
回転中の半導体ウエハに処理ガスを均一に作用させるこ
とにより、処理を施す処理装置が用いられている。処理
装置、例えば、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化
膜を除去する自然酸化膜除去装置では、常圧又は陽圧の
処理室内上部に所定の液体、例えばフッ酸と水の混合液
を溜めておき、ここから発生したフッ酸蒸気を処理室内
に拡散させる。そして、この処理室内の下部に被処理面
（表面）を上向きに半導体ウエハを回転可能な円状の載
置台に保持し、この載置台を回転することにより半導体
ウエハを回転させると共に、フッ酸蒸気を半導体ウエハ
の回転により発生する回転気流により半導体ウエハ表面
に作用させ、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を除去する装置が知られている。
えば半導体ウエハを処理室内に収容し、この処理室内で
回転中の半導体ウエハに処理ガスを均一に作用させるこ
とにより、処理を施す処理装置が用いられている。処理
装置、例えば、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化
膜を除去する自然酸化膜除去装置では、常圧又は陽圧の
処理室内上部に所定の液体、例えばフッ酸と水の混合液
を溜めておき、ここから発生したフッ酸蒸気を処理室内
に拡散させる。そして、この処理室内の下部に被処理面
（表面）を上向きに半導体ウエハを回転可能な円状の載
置台に保持し、この載置台を回転することにより半導体
ウエハを回転させると共に、フッ酸蒸気を半導体ウエハ
の回転により発生する回転気流により半導体ウエハ表面
に作用させ、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を除去する装置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記被
処理体は回転可能な載置台に設けられた保持機構に保持
され処理ガス雰囲気中にて回転し処理されるが、前記被
処理体の周縁部の近傍にて前記処理ガスの渦流が発生
し、前記被処理体の上面に形成された自然酸化膜または
酸化膜等の除去処理に比べ被処理体の裏面に形成された
自然酸化膜または酸化膜等をより均一に除去処理するこ
とが出来ないという問題点があった。さらに、前記被処
理体の裏面に形成された自然酸化膜を均一に除去処理す
ることが出来ないと、後段で処理を行なう処理装置、例
えば熱処理装置において被処理体自体の熱膨張率と自然
酸化膜部分の熱膨張率が異なるため、被処理体の中心部
と周縁部で熱膨張が不均一となり熱ストレスが発生し、
歩留りを低下させるという問題点があった。
処理体は回転可能な載置台に設けられた保持機構に保持
され処理ガス雰囲気中にて回転し処理されるが、前記被
処理体の周縁部の近傍にて前記処理ガスの渦流が発生
し、前記被処理体の上面に形成された自然酸化膜または
酸化膜等の除去処理に比べ被処理体の裏面に形成された
自然酸化膜または酸化膜等をより均一に除去処理するこ
とが出来ないという問題点があった。さらに、前記被処
理体の裏面に形成された自然酸化膜を均一に除去処理す
ることが出来ないと、後段で処理を行なう処理装置、例
えば熱処理装置において被処理体自体の熱膨張率と自然
酸化膜部分の熱膨張率が異なるため、被処理体の中心部
と周縁部で熱膨張が不均一となり熱ストレスが発生し、
歩留りを低下させるという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は被処理体の回転に伴う処理
ガスの渦流の発生を抑制することにより被処理体の表面
と裏面をより均一かつ同時に処理できる処理装置を提供
するものである。
ガスの渦流の発生を抑制することにより被処理体の表面
と裏面をより均一かつ同時に処理できる処理装置を提供
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のうち代表的なも
のの概要を説明すれば、次のとおりである。被処理体を
処理ガス雰囲気で処理する処理室と、この処理室内に前
記被処理体を保持する保持機構を設けた載置台を備えた
処理装置において、前記被処理体を回転させる回転手段
と、前記被処理体の表面及び裏面に処理ガスを供給する
供給手段と、前記被処理体の水平方向にリング状に排気
口を設けるとともに、この排気口より前記処理ガスを排
気する排気手段を設け構成されたものである。
のの概要を説明すれば、次のとおりである。被処理体を
処理ガス雰囲気で処理する処理室と、この処理室内に前
記被処理体を保持する保持機構を設けた載置台を備えた
処理装置において、前記被処理体を回転させる回転手段
と、前記被処理体の表面及び裏面に処理ガスを供給する
供給手段と、前記被処理体の水平方向にリング状に排気
口を設けるとともに、この排気口より前記処理ガスを排
気する排気手段を設け構成されたものである。
【０００６】
【作用】本発明は、前記被処理体の表面及び裏面に処理
ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平方向に
リング状に排気口を設けるとともに、この排気口より前
記処理ガスを排気する排気手段を設けたことにより、被
処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制するこ
とができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ同時に
処理することができる。
ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平方向に
リング状に排気口を設けるとともに、この排気口より前
記処理ガスを排気する排気手段を設けたことにより、被
処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制するこ
とができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ同時に
処理することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を自然酸化膜除去装置に適用し
た第１の実施例について添付図面に基づいて詳述する。
図１及び図２に示す如く、この自然酸化膜除去装置１
は、耐腐食性材料、例えばフッ素樹脂により気密に処理
室２が形成されている。この処理室２内側の下部には、
被処理体、例えば半導体ウエハ３を浮上させる如く保持
する保持部５が設けられ、この保持部５はリング状の載
置台４に設けられている。さらに、この載置台４はこの
載置台４を回転させる回転手段、例えば中空モーター６
にベアリング７を介して接続され、この載置台４の回転
により実質的に前記半導体ウエハ３が回転可能に構成さ
れている。
た第１の実施例について添付図面に基づいて詳述する。
図１及び図２に示す如く、この自然酸化膜除去装置１
は、耐腐食性材料、例えばフッ素樹脂により気密に処理
室２が形成されている。この処理室２内側の下部には、
被処理体、例えば半導体ウエハ３を浮上させる如く保持
する保持部５が設けられ、この保持部５はリング状の載
置台４に設けられている。さらに、この載置台４はこの
載置台４を回転させる回転手段、例えば中空モーター６
にベアリング７を介して接続され、この載置台４の回転
により実質的に前記半導体ウエハ３が回転可能に構成さ
れている。
【０００８】また、前記載置台４の内側に円状の固定体
８が設けられ、この固定体８の中心部には前記半導体ウ
エハ３の裏面（中央部）に不活性ガス、例えば高純度Ｎ
2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処理ガス、
例えばＨＦ蒸気を供給するための裏面処理ガス供給管９
が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より０．５ｍｍ
〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、この裏面処理
ガス供給管９は前記中空モーター６を貫通し、第１の開
閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ１０に
接続されている。また、前記処理室２の上部には、前記
半導体ウエハ３の表面（中央部）に不活性ガス、例えば
高純度Ｎ2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処
理ガス、例えばＨＦ蒸気を供給するための表面処理ガス
供給管１１が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より
０．５ｍｍ〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、こ
の表面処理ガス供給管１１は第２の開閉弁、例えば耐腐
食性のエアーオペレートバルブ１２に接続され、以上の
如く前記半導体ウエハ３の表裏面に処理ガスを供給する
供給手段１３が構成されている。
８が設けられ、この固定体８の中心部には前記半導体ウ
エハ３の裏面（中央部）に不活性ガス、例えば高純度Ｎ
2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処理ガス、
例えばＨＦ蒸気を供給するための裏面処理ガス供給管９
が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より０．５ｍｍ
〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、この裏面処理
ガス供給管９は前記中空モーター６を貫通し、第１の開
閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ１０に
接続されている。また、前記処理室２の上部には、前記
半導体ウエハ３の表面（中央部）に不活性ガス、例えば
高純度Ｎ2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処
理ガス、例えばＨＦ蒸気を供給するための表面処理ガス
供給管１１が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より
０．５ｍｍ〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、こ
の表面処理ガス供給管１１は第２の開閉弁、例えば耐腐
食性のエアーオペレートバルブ１２に接続され、以上の
如く前記半導体ウエハ３の表裏面に処理ガスを供給する
供給手段１３が構成されている。
【０００９】さらに、この、エアーオペレートバルブ１
２は前記エアーオペレートバルブ１０と耐腐食性材料、
例えばテフロンよりなる配管にて接続されるとともに、
第３の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１５に接続されている。さらに、このエアーオペレー
トバルブ１５はフィルター、例えばテフロン製で通過粒
子０．２μｍ以下のテフロンフィルター１６に接続さ
れ、このテフロンフィルター１６は、ガス流量を測定す
るための流量計１７に接続されている。さらに、この流
量計１７より２経路に配管が分かれており、第１経路は
第４の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１８を介して処理液体、例えばフッ酸と水の混合液
（ＨＦ／Ｈ2 Ｏ）１９を溜めておく耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなるテフロンタンク２０のガス導入口２
１に気密に貫通され、前記混合液１９の蒸気化した処理
ガスを導入するよう構成されており、また、このテフロ
ンタンク２０の外周には前記混合液１９を一定温度、例
えば０〜５０°Ｃの温度範囲において温度制御する内部
にヒーター２１を設けた恒温槽２２が配置されている。
２は前記エアーオペレートバルブ１０と耐腐食性材料、
例えばテフロンよりなる配管にて接続されるとともに、
第３の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１５に接続されている。さらに、このエアーオペレー
トバルブ１５はフィルター、例えばテフロン製で通過粒
子０．２μｍ以下のテフロンフィルター１６に接続さ
れ、このテフロンフィルター１６は、ガス流量を測定す
るための流量計１７に接続されている。さらに、この流
量計１７より２経路に配管が分かれており、第１経路は
第４の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１８を介して処理液体、例えばフッ酸と水の混合液
（ＨＦ／Ｈ2 Ｏ）１９を溜めておく耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなるテフロンタンク２０のガス導入口２
１に気密に貫通され、前記混合液１９の蒸気化した処理
ガスを導入するよう構成されており、また、このテフロ
ンタンク２０の外周には前記混合液１９を一定温度、例
えば０〜５０°Ｃの温度範囲において温度制御する内部
にヒーター２１を設けた恒温槽２２が配置されている。
【００１０】さらに、第２経路は第５の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２３に接続され、こ
のエアーオペレートバルブ２３からさらに、２経路に配
管が分かれており、第１経路は第６の開閉弁、例えば耐
腐食性のエアーオペレートバルブ２４を介して前記フロ
ンタンク２０のキャリアガス導入口２５に前記混合液１
９の逆流を防止する逆止弁２６を介して気密に貫通さ
れ、前記混合液１９にキャリアガスを導入するよう構成
されている。さらに、第２経路はフィルター、例えばテ
フロン製で通過粒子、例えば０．２μｍ以下のテフロン
フィルター２７に接続され、このテフロンフィルター２
７は、高純度Ｎ2 を供給するための耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなる供給管２８に第７の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２９を介して接続さ
れている。
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２３に接続され、こ
のエアーオペレートバルブ２３からさらに、２経路に配
管が分かれており、第１経路は第６の開閉弁、例えば耐
腐食性のエアーオペレートバルブ２４を介して前記フロ
ンタンク２０のキャリアガス導入口２５に前記混合液１
９の逆流を防止する逆止弁２６を介して気密に貫通さ
れ、前記混合液１９にキャリアガスを導入するよう構成
されている。さらに、第２経路はフィルター、例えばテ
フロン製で通過粒子、例えば０．２μｍ以下のテフロン
フィルター２７に接続され、このテフロンフィルター２
７は、高純度Ｎ2 を供給するための耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなる供給管２８に第７の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２９を介して接続さ
れている。
【００１１】また、前記処理室２の上部の他端には、こ
の処理室２内に不活性ガス、例えばＮ2 を導入するため
の導入口６０が導入管６１を介して穿設されている。ま
た、前記処理室２内の側壁かつ、前記半導体ウエハ３の
水平方向には前記処理ガスを排気する排気口７０、例え
ば前記半導体ウエハ３の外周を囲む如くリング状に設け
られており、この排気口７０は耐腐食性材料、例えばテ
フロンよりなる配管７１を介して第８の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ７２に接続されてい
る。さらに、このエアーオペレートバルブ７２は耐腐食
性材料、例えばテフロンよりなる配管７３を介して排気
手段７４、（例えば前記処理ガスと非反応性の気体を通
流させる通流部７５とこの通流部７５に狭通流部７６を
設けたもの）の狭通流部７６に前記配管７３の排出端部
７７が気密に接続されている。
の処理室２内に不活性ガス、例えばＮ2 を導入するため
の導入口６０が導入管６１を介して穿設されている。ま
た、前記処理室２内の側壁かつ、前記半導体ウエハ３の
水平方向には前記処理ガスを排気する排気口７０、例え
ば前記半導体ウエハ３の外周を囲む如くリング状に設け
られており、この排気口７０は耐腐食性材料、例えばテ
フロンよりなる配管７１を介して第８の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ７２に接続されてい
る。さらに、このエアーオペレートバルブ７２は耐腐食
性材料、例えばテフロンよりなる配管７３を介して排気
手段７４、（例えば前記処理ガスと非反応性の気体を通
流させる通流部７５とこの通流部７５に狭通流部７６を
設けたもの）の狭通流部７６に前記配管７３の排出端部
７７が気密に接続されている。
【００１２】さらに、前記排出手段７４の一端には前記
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するため
の導入口７７が設けられ、この導入口７７には耐腐食性
材料、例えばテフロンよりなる配管７８を介して第９の
開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ７９
に接続されるとともに、このエアーオペレートバルブ７
９は前記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入
するための導入管８０に接続されている。
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するため
の導入口７７が設けられ、この導入口７７には耐腐食性
材料、例えばテフロンよりなる配管７８を介して第９の
開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ７９
に接続されるとともに、このエアーオペレートバルブ７
９は前記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入
するための導入管８０に接続されている。
【００１３】さらに、前記排出手段７４の他端には前記
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 または前記処理
ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 と前記処理ガスの混
合ガスを排気するための排気口８１が設けられ、この排
気口８１は耐腐食性材料、例えばテフロンよりなる配管
８２を介して前記処理ガスを処理する排ガス処理装置８
３に接続されている。また、前記処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 の通流方向は矢印８４方向（前記処理
ガスを排出する前記排出端部７７と直行方向）に通流す
るよう構成されている。
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 または前記処理
ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 と前記処理ガスの混
合ガスを排気するための排気口８１が設けられ、この排
気口８１は耐腐食性材料、例えばテフロンよりなる配管
８２を介して前記処理ガスを処理する排ガス処理装置８
３に接続されている。また、前記処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 の通流方向は矢印８４方向（前記処理
ガスを排出する前記排出端部７７と直行方向）に通流す
るよう構成されている。
【００１４】また、前記処理室２の側方には、この処理
室２と気密に接続されたロードロック室３０が設けられ
ており、このロードロック室３０と前記処理室２間には
前記半導体ウエハ３を搬入または搬出するための第１の
搬入搬出通路３１が開設され、この搬入搬出通路３１を
開閉するための第１の開閉扉、例えばゲートバルブ３２
が第１の封止体、例えば腐食性材料よりなるＯリング３
３を介して前記処理室２を気密封止できるように構成さ
れている。また、前記ロードロック室３０内にはウエハ
搬送機構３４が設けられており、このウエハ搬送機構３
４の上部には、前記半導体ウエハ３を把持するととも
に、伸縮可能のアーム３４ａが設けられ、このアーム３
４ａが伸びたとき前記処理室２内に半導体ウエハ３を搬
入することができるように構成されている。
室２と気密に接続されたロードロック室３０が設けられ
ており、このロードロック室３０と前記処理室２間には
前記半導体ウエハ３を搬入または搬出するための第１の
搬入搬出通路３１が開設され、この搬入搬出通路３１を
開閉するための第１の開閉扉、例えばゲートバルブ３２
が第１の封止体、例えば腐食性材料よりなるＯリング３
３を介して前記処理室２を気密封止できるように構成さ
れている。また、前記ロードロック室３０内にはウエハ
搬送機構３４が設けられており、このウエハ搬送機構３
４の上部には、前記半導体ウエハ３を把持するととも
に、伸縮可能のアーム３４ａが設けられ、このアーム３
４ａが伸びたとき前記処理室２内に半導体ウエハ３を搬
入することができるように構成されている。
【００１５】また、前記ロードロック室３０の一端には
不活性ガス、例えばＮ2 を導入するための導入管３５が
接続されており、他端には排気装置２３、例えば真空ポ
ンプが排気管３７を介して接続され前記ロードロック室
３０内を大気または減圧可能に構成されており、さら
に、このロードロック室３０の側壁には大気圧で前記半
導体ウエハ３を搬入または搬出するための第２の搬入搬
出通路３８が開設され、この搬入搬出通路３８を開閉す
るための第２の開閉扉、例えばゲートバルブ３９が第２
の封止体、例えばＯリング４０を介して図示しないウエ
ハ搬入搬出室とＮ2 雰囲気の状態で前記半導体ウエハ１
５を搬入又は搬出することができるように構成されてい
る。
不活性ガス、例えばＮ2 を導入するための導入管３５が
接続されており、他端には排気装置２３、例えば真空ポ
ンプが排気管３７を介して接続され前記ロードロック室
３０内を大気または減圧可能に構成されており、さら
に、このロードロック室３０の側壁には大気圧で前記半
導体ウエハ３を搬入または搬出するための第２の搬入搬
出通路３８が開設され、この搬入搬出通路３８を開閉す
るための第２の開閉扉、例えばゲートバルブ３９が第２
の封止体、例えばＯリング４０を介して図示しないウエ
ハ搬入搬出室とＮ2 雰囲気の状態で前記半導体ウエハ１
５を搬入又は搬出することができるように構成されてい
る。
【００１６】さらに、図２に示すように、このロードロ
ック室３０の側壁には他のシステム、例えば成膜処理装
置５０が設けられており、この成膜処理装置５０は、内
部に半導体ウエハ３の成膜処理領域を形成する反応容器
５１、及びこの反応容器５１の外周を囲むように配置さ
れたヒーター５２等から成り、反応容器５１内に処理ガ
スを導入して、ＣＶＤ等の成膜処理を行なうよう構成さ
れ、また、反応容器５１の下部には、ウエハ着脱室５３
が設けられ、このウエハ着脱室５３にはボールネジ５４
などにより昇降されるボート昇降機構５５に前記半導体
ウエハ３を載置、例えば最大１００枚収容可能としたウ
エハボート５６が設けられている。さらに、このウエハ
ーボート５６に前記半導体ウエハ３を搬入または搬出す
るための第３の搬入搬出通路５７が前記ロードロック室
３０に開設され、この搬入搬出通路３０を開閉するため
の第３の開閉扉、例えばゲートバルブ５８が第３の封止
体、例えばＯリング５９を介して設けられ、以上の如
く、自然酸化膜除去装置１が構成されている。
ック室３０の側壁には他のシステム、例えば成膜処理装
置５０が設けられており、この成膜処理装置５０は、内
部に半導体ウエハ３の成膜処理領域を形成する反応容器
５１、及びこの反応容器５１の外周を囲むように配置さ
れたヒーター５２等から成り、反応容器５１内に処理ガ
スを導入して、ＣＶＤ等の成膜処理を行なうよう構成さ
れ、また、反応容器５１の下部には、ウエハ着脱室５３
が設けられ、このウエハ着脱室５３にはボールネジ５４
などにより昇降されるボート昇降機構５５に前記半導体
ウエハ３を載置、例えば最大１００枚収容可能としたウ
エハボート５６が設けられている。さらに、このウエハ
ーボート５６に前記半導体ウエハ３を搬入または搬出す
るための第３の搬入搬出通路５７が前記ロードロック室
３０に開設され、この搬入搬出通路３０を開閉するため
の第３の開閉扉、例えばゲートバルブ５８が第３の封止
体、例えばＯリング５９を介して設けられ、以上の如
く、自然酸化膜除去装置１が構成されている。
【００１７】次に、以上のように構成された自然酸化膜
除去装置１における半導体ウエハ３の処理動作について
説明する。まず、ゲートバルブ３９を開放し、ウエハ搬
送機構３４のアーム３４ａを伸ばし、図示しないウエハ
搬入搬出室より半導体ウエハ３を前記アーム３４ａに把
持し受け取った後、このアーム３４ａは前記ロードロッ
ク室３０に縮み、前記ゲートバルブ３９を閉じる。次
に、排気装置３６にょり前記ロードロック室３０を排
気、例えば１０−６Ｔｏｒｒ以下に、排気の後、導入管
３５によりＮ２ を導入しパージするとともに大気圧に
戻し、ゲートバルブ３３を開放し、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａを伸ばし半導体ウエハ３を処理室２内に
搬入し、半導体ウエハ３は前記載置台４の保持部５によ
り前記半導体ウエハ３の周縁部を把持し、載置台４の表
面から浮上して保持され、この後、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａはロードロック室３０に移動し、ゲート
バルブ３２は処理室２を気密に封止するために閉じる。
除去装置１における半導体ウエハ３の処理動作について
説明する。まず、ゲートバルブ３９を開放し、ウエハ搬
送機構３４のアーム３４ａを伸ばし、図示しないウエハ
搬入搬出室より半導体ウエハ３を前記アーム３４ａに把
持し受け取った後、このアーム３４ａは前記ロードロッ
ク室３０に縮み、前記ゲートバルブ３９を閉じる。次
に、排気装置３６にょり前記ロードロック室３０を排
気、例えば１０−６Ｔｏｒｒ以下に、排気の後、導入管
３５によりＮ２ を導入しパージするとともに大気圧に
戻し、ゲートバルブ３３を開放し、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａを伸ばし半導体ウエハ３を処理室２内に
搬入し、半導体ウエハ３は前記載置台４の保持部５によ
り前記半導体ウエハ３の周縁部を把持し、載置台４の表
面から浮上して保持され、この後、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａはロードロック室３０に移動し、ゲート
バルブ３２は処理室２を気密に封止するために閉じる。
【００１８】次に、開閉弁２９，２４，２３，１８，１
５，の順に開放し、その後開閉弁１０，１２を同時に開
閉し前記テフロンタンク２０の処理ガスを処理室２に導
入する。前記処理ガスを処理室２に導入と同時期、例え
ば処理ガス導入前に開閉弁７９，７２を開放し、前記排
気手段７７を動作し、処理室２内を排気（前記排出手段
７４の導入口７７より導入された処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 は狭通流部７６を通って排気口８１に
通流されるとき、前記狭通流部７６にて高速化され一種
の真空状態を形成する。この狭通流部７６の真空状態に
て前記狭通流部７６に排出端部７７が気密に接続されて
いるので、前記狭通流部７６と排出端部７７（処理室
２）の差圧の関係により処理室２内の処理ガスが排気口
８１方向に吸い出される。）する。さらに、流量計１７
の流量データにより、処理室２内に供給する処理ガス量
は、例えば０．１〜２Ｎｉ／ｍｉｎに開閉弁２４の開口
度を制御するとともに処理ガスを表面処理ガス供給管１
１及び裏面処理ガス供給管９を通して処理室２に安定供
給する。
５，の順に開放し、その後開閉弁１０，１２を同時に開
閉し前記テフロンタンク２０の処理ガスを処理室２に導
入する。前記処理ガスを処理室２に導入と同時期、例え
ば処理ガス導入前に開閉弁７９，７２を開放し、前記排
気手段７７を動作し、処理室２内を排気（前記排出手段
７４の導入口７７より導入された処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 は狭通流部７６を通って排気口８１に
通流されるとき、前記狭通流部７６にて高速化され一種
の真空状態を形成する。この狭通流部７６の真空状態に
て前記狭通流部７６に排出端部７７が気密に接続されて
いるので、前記狭通流部７６と排出端部７７（処理室
２）の差圧の関係により処理室２内の処理ガスが排気口
８１方向に吸い出される。）する。さらに、流量計１７
の流量データにより、処理室２内に供給する処理ガス量
は、例えば０．１〜２Ｎｉ／ｍｉｎに開閉弁２４の開口
度を制御するとともに処理ガスを表面処理ガス供給管１
１及び裏面処理ガス供給管９を通して処理室２に安定供
給する。
【００１９】次に、前記載置台４は前記回転手段６によ
り回転、（例えば毎分５００〜２０００回転が望まし
い）で回転させ、この載置台４の回転に同期して保持部
６により把持された半導体ウエハ３も回転する。この半
導体ウエハ３の回転により前記処理ガスが図３に示すよ
うに半導体ウエハ３面（前記表面処理ガス供給管１１か
ら噴出した処理ガスは前記半導体ウエハ３の上面の中心
部より周縁部に向けて処理ガス流９０のように流れる。
また、前記裏面処理ガス供給管９から噴出した処理ガス
は前記半導体ウエハ３の裏面の中心部より周縁部に向け
て処理ガス流９１のように流れ、処理ガスを前記半導体
ウエハ３に均一に通流させる。さらに、前記半導体ウエ
ハ３に通流された処理ガス９２ａ，９２ｂは処理室２の
側壁に設けられた排気口７０（前記半導体ウエハ３の外
周を囲むように設けられた）に吸い込まれる。しかしな
がら、図４の
り回転、（例えば毎分５００〜２０００回転が望まし
い）で回転させ、この載置台４の回転に同期して保持部
６により把持された半導体ウエハ３も回転する。この半
導体ウエハ３の回転により前記処理ガスが図３に示すよ
うに半導体ウエハ３面（前記表面処理ガス供給管１１か
ら噴出した処理ガスは前記半導体ウエハ３の上面の中心
部より周縁部に向けて処理ガス流９０のように流れる。
また、前記裏面処理ガス供給管９から噴出した処理ガス
は前記半導体ウエハ３の裏面の中心部より周縁部に向け
て処理ガス流９１のように流れ、処理ガスを前記半導体
ウエハ３に均一に通流させる。さらに、前記半導体ウエ
ハ３に通流された処理ガス９２ａ，９２ｂは処理室２の
側壁に設けられた排気口７０（前記半導体ウエハ３の外
周を囲むように設けられた）に吸い込まれる。しかしな
がら、図４の
【ａ】に示すように、前記排気口を半導体ウエハ３の水
平方向かつ外周を囲むように設けられない場合におい
て、１供給口、例えば半導体ウエハ３表面の中心部かつ
上部より処理ガスを供給すると半導体ウエハ３の裏面か
つ周縁部に渦流９３が発生する。また、図４の
平方向かつ外周を囲むように設けられない場合におい
て、１供給口、例えば半導体ウエハ３表面の中心部かつ
上部より処理ガスを供給すると半導体ウエハ３の裏面か
つ周縁部に渦流９３が発生する。また、図４の
【ｂ】に示すように、２供給口、例えば半導体ウエハ３
表面及び裏面の中心に示すように、部にそれぞれ処理ガ
スを供給すると半導体ウエハ３の裏面及び表面の周縁部
に渦流９４が発生することになり、半導体ウエハ３を均
一に処理（例えば半導体ウエハ３の周縁部の処理がその
他の部分に比べ異常に早く処理するために）することが
困難となる。）に引き込まれ、半導体ウエハ３表面に形
成された不要な自然酸化膜、例えば１００Å以下（酸化
膜においては３０００Å以下）を前記処理ガスとの化学
反応により除去し、この除去の後、前記載置台４の回転
を停止する。
表面及び裏面の中心に示すように、部にそれぞれ処理ガ
スを供給すると半導体ウエハ３の裏面及び表面の周縁部
に渦流９４が発生することになり、半導体ウエハ３を均
一に処理（例えば半導体ウエハ３の周縁部の処理がその
他の部分に比べ異常に早く処理するために）することが
困難となる。）に引き込まれ、半導体ウエハ３表面に形
成された不要な自然酸化膜、例えば１００Å以下（酸化
膜においては３０００Å以下）を前記処理ガスとの化学
反応により除去し、この除去の後、前記載置台４の回転
を停止する。
【００２０】さらに、前記載置台４の回転を停止と同時
期に、開閉弁１５，１８，２３，２４，２９の順に閉
じ、開閉弁１０，１２を同時に閉じ前記処理室２内に処
理ガスの供給を停止する。次に、導入口６０によりＮ2
が処理室２に供給されるとともに、前記排気手段７４に
より処理室２に残留する処理ガスを排気し、処理室内２
をＮ2 雰囲気にする。この後、ゲートバルブ３２を開放
し前記ウエハ搬送機構３４のアーム３４ａにより半導体
ウエハ３が、処理室２の外部であるロードロック室３０
に搬出され、前記ゲートバルブ３２が閉じる。
期に、開閉弁１５，１８，２３，２４，２９の順に閉
じ、開閉弁１０，１２を同時に閉じ前記処理室２内に処
理ガスの供給を停止する。次に、導入口６０によりＮ2
が処理室２に供給されるとともに、前記排気手段７４に
より処理室２に残留する処理ガスを排気し、処理室内２
をＮ2 雰囲気にする。この後、ゲートバルブ３２を開放
し前記ウエハ搬送機構３４のアーム３４ａにより半導体
ウエハ３が、処理室２の外部であるロードロック室３０
に搬出され、前記ゲートバルブ３２が閉じる。
【００２１】つづいて、ウエハ搬送機構３４のアーム３
４ａにより、ロードロック室３０に搬送された半導体ウ
エハ３は第３のゲートバルブ５８を介して成膜処理炉５
０のウエハボート５６に搬送され、バッチ処理枚数、例
えば１００枚になった後にボート昇降機構５５が上昇し
成膜熱処理を行う。前述同様、半導体ウエハ３の処理工
程が順次くり返される。
４ａにより、ロードロック室３０に搬送された半導体ウ
エハ３は第３のゲートバルブ５８を介して成膜処理炉５
０のウエハボート５６に搬送され、バッチ処理枚数、例
えば１００枚になった後にボート昇降機構５５が上昇し
成膜熱処理を行う。前述同様、半導体ウエハ３の処理工
程が順次くり返される。
【００２２】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。 （１） 前記半導体ウエハ３の表面及び裏面に処理ガス
を供給する供給手段１３を設け、前記半導体ウエハ３の
水平方向にリング状に排気口７０を設けるとともに、こ
の排気口７０より前記処理ガスを排気する排気手段７４
を設けたことにより、図４の
効果について説明する。 （１） 前記半導体ウエハ３の表面及び裏面に処理ガス
を供給する供給手段１３を設け、前記半導体ウエハ３の
水平方向にリング状に排気口７０を設けるとともに、こ
の排気口７０より前記処理ガスを排気する排気手段７４
を設けたことにより、図４の
【ａ】または
【ｂ】に示すように、半導体ウエハ３の周縁部におい
て、処理ガスの渦流９３，９４の発生を抑制することが
でき、半導体ウエハ３の表面と裏面をより均一かつ同時
に処理することができるという効果がある。 （２） 前記保持機構５の回転機構８ａにより半導体ウ
エハ３を回転させこの半導体ウエハ３の表面と裏面に同
時に処理ガスを供給可能としたので、半導体ウエハ３の
雰囲気状態を変化させることなく同一条件下で処理する
ことができ、表面、裏面それぞれに形成された自然酸化
膜を均一に処理できる。さらに、前記被処理体の裏面に
形成された自然酸化膜を均一に除去処理することができ
るので、後段で処理を行なう処理装置、例えば熱処理装
置において被処理体、例えば半導体ウエハ（Ｓｉ）の熱
膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約２．５
［１０-6ｄｅｇ-1］）と自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）部分の
熱膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約７．４
〜１３．６［１０-6ｄｅｇ-1］）と異なるため、前記熱
処理装置の処理温度、例えば８００〜１２００度の高温
にて処理する時、被処理体の中心部と周縁部での熱膨張
を均一とすることができ、熱ストレスが発生するのを防
止することができる。 （３） また、前記排気手段７４は前記処理室２の内部
圧力と前記処理ガスと非反応性の気体の通流部７６の差
圧の作用により処理室２内を排気する排気手段７６で構
成されており、さらに、この排気手段７６は、耐腐食性
材料、例えばテフロンにより形成されているので、腐食
することなく、寿命を従来に比べはるかに長くすること
ができるので前記処理室２の排気能力の経時変化による
変化量を抑制することができる。（従来フィルターを通
して真空ポンプにより排気した場合、微量に処理ガスが
フィルターを通過してしまい、前記真空ポンプを腐食さ
せ寿命を短くしてしまい、前記処理室２の排気能力の経
時変化による変化量が大きい。） さらに、前記処理室２の排気能力の経時変化による変化
量を抑制することができるので半導体ウエハ３に通流す
る処理ガスを前記変化量に左右されることなく常に一定
量で排気できるので、前記半導体ウエハ３均一に処理す
ることができるという効果がある。
て、処理ガスの渦流９３，９４の発生を抑制することが
でき、半導体ウエハ３の表面と裏面をより均一かつ同時
に処理することができるという効果がある。 （２） 前記保持機構５の回転機構８ａにより半導体ウ
エハ３を回転させこの半導体ウエハ３の表面と裏面に同
時に処理ガスを供給可能としたので、半導体ウエハ３の
雰囲気状態を変化させることなく同一条件下で処理する
ことができ、表面、裏面それぞれに形成された自然酸化
膜を均一に処理できる。さらに、前記被処理体の裏面に
形成された自然酸化膜を均一に除去処理することができ
るので、後段で処理を行なう処理装置、例えば熱処理装
置において被処理体、例えば半導体ウエハ（Ｓｉ）の熱
膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約２．５
［１０-6ｄｅｇ-1］）と自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）部分の
熱膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約７．４
〜１３．６［１０-6ｄｅｇ-1］）と異なるため、前記熱
処理装置の処理温度、例えば８００〜１２００度の高温
にて処理する時、被処理体の中心部と周縁部での熱膨張
を均一とすることができ、熱ストレスが発生するのを防
止することができる。 （３） また、前記排気手段７４は前記処理室２の内部
圧力と前記処理ガスと非反応性の気体の通流部７６の差
圧の作用により処理室２内を排気する排気手段７６で構
成されており、さらに、この排気手段７６は、耐腐食性
材料、例えばテフロンにより形成されているので、腐食
することなく、寿命を従来に比べはるかに長くすること
ができるので前記処理室２の排気能力の経時変化による
変化量を抑制することができる。（従来フィルターを通
して真空ポンプにより排気した場合、微量に処理ガスが
フィルターを通過してしまい、前記真空ポンプを腐食さ
せ寿命を短くしてしまい、前記処理室２の排気能力の経
時変化による変化量が大きい。） さらに、前記処理室２の排気能力の経時変化による変化
量を抑制することができるので半導体ウエハ３に通流す
る処理ガスを前記変化量に左右されることなく常に一定
量で排気できるので、前記半導体ウエハ３均一に処理す
ることができるという効果がある。
【００２３】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５の
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５の
【ａ】に示すように、前記処理室２の側壁に設けられた
排気口７０は半導体ウエハ３の水平延長線９９上より上
方に、例えば延長線上より１ｍｍ〜１０ｍｍ上方に前記
表面処理ガス供給管１１から噴出した処理ガスを排気す
るための排気口７０が設けられ、また、半導体ウエハ３
の水平延長線９９上より下方に、例えば延長線上より１
ｍｍ〜１０ｍｍ下方に前記裏面処理ガス供給管９から噴
出した処理ガスを排気するための排気口７０が設けられ
構成されている。このように、それぞれ排気口７０を設
けたことにより、前記半導体ウエハ３の周縁部において
半導体ウエハ３の表面及び裏面からの処理ガス９２ａ，
９２ｂを集中させることがないのでさらに、渦流の発生
を防止することができる。
排気口７０は半導体ウエハ３の水平延長線９９上より上
方に、例えば延長線上より１ｍｍ〜１０ｍｍ上方に前記
表面処理ガス供給管１１から噴出した処理ガスを排気す
るための排気口７０が設けられ、また、半導体ウエハ３
の水平延長線９９上より下方に、例えば延長線上より１
ｍｍ〜１０ｍｍ下方に前記裏面処理ガス供給管９から噴
出した処理ガスを排気するための排気口７０が設けられ
構成されている。このように、それぞれ排気口７０を設
けたことにより、前記半導体ウエハ３の周縁部において
半導体ウエハ３の表面及び裏面からの処理ガス９２ａ，
９２ｂを集中させることがないのでさらに、渦流の発生
を防止することができる。
【００２４】次に、第３の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５の
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５の
【ｂ】に示すように、前記処理室２の側壁に設けられた
排気口７０は、狭排気口部１００ａ（狭めて設けられて
おり）と広排気口部１００ｂにより構成されることによ
り、差圧ができこの差圧の作用により、より前記処理ガ
スを効率よく高速に排気可能となり、渦流の発生を防止
することができる。また、排気手段７４は、半導体ウエ
ハ３の水平方向に複数、例えば２箇所設けられており、
さらに、効率よく処理ガスを排気可能となる。また、前
記表面処理ガス供給管１１と前記裏面処理ガス供給管９
の先端部に円状かつ供給面に複数の供給口を放射状に設
けた平口部１０１を設けたことにより、前記半導体ウエ
ハ３に処理ガスを効率よく供給することができる。
排気口７０は、狭排気口部１００ａ（狭めて設けられて
おり）と広排気口部１００ｂにより構成されることによ
り、差圧ができこの差圧の作用により、より前記処理ガ
スを効率よく高速に排気可能となり、渦流の発生を防止
することができる。また、排気手段７４は、半導体ウエ
ハ３の水平方向に複数、例えば２箇所設けられており、
さらに、効率よく処理ガスを排気可能となる。また、前
記表面処理ガス供給管１１と前記裏面処理ガス供給管９
の先端部に円状かつ供給面に複数の供給口を放射状に設
けた平口部１０１を設けたことにより、前記半導体ウエ
ハ３に処理ガスを効率よく供給することができる。
【００２５】次に、第４の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図６に示すように、排気手段７４は処理室
２の処理ガスを排気する排気導入口としての処理ガス排
気入口１０４とこの処理ガス排気入口１０４より導入さ
れた処理ガスを排出する処理ガス排気出口１０５が設け
られ、この処理ガス排気出口１０５と前記処理ガス排気
入口１０４の間に前記処理ガス排気出口１０５の方向に
狭められた円錐状で先端が開口したノズル１０２が設け
られ、このノズル１０２の隙間部１０７より均等に、前
記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するた
めの導入管１０３が設けられ、排気手段７４が構成され
ている。このように構成されても、前記導入管１０３よ
りＮ2 がノズル１０２に添って導入され処理ガス排気出
口１０５の方向にジェット気流が発生するとともに、前
記処理ガス排気入口１０４と前記処理ガス排気出口１０
５に差圧が生ずるので、この差圧の作用により前記処理
ガスが効率よく排気される。
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図６に示すように、排気手段７４は処理室
２の処理ガスを排気する排気導入口としての処理ガス排
気入口１０４とこの処理ガス排気入口１０４より導入さ
れた処理ガスを排出する処理ガス排気出口１０５が設け
られ、この処理ガス排気出口１０５と前記処理ガス排気
入口１０４の間に前記処理ガス排気出口１０５の方向に
狭められた円錐状で先端が開口したノズル１０２が設け
られ、このノズル１０２の隙間部１０７より均等に、前
記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するた
めの導入管１０３が設けられ、排気手段７４が構成され
ている。このように構成されても、前記導入管１０３よ
りＮ2 がノズル１０２に添って導入され処理ガス排気出
口１０５の方向にジェット気流が発生するとともに、前
記処理ガス排気入口１０４と前記処理ガス排気出口１０
５に差圧が生ずるので、この差圧の作用により前記処理
ガスが効率よく排気される。
【００２６】尚、前記実施例を半導体ウエハ表面に形成
された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去装置に適用
した場合について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、被処理体に処理用気体流を供
給し処理する工程の装置であればいずれにも適用でき、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、自然酸化膜処理に限らず、酸化膜でも窒化膜の処
理でもよいことはもちろんであり、本発明の要旨の範囲
内で種々の変形実施が可能である。また、自然酸化膜除
去装置に限らず洗浄装置、他のエッチング装置等、また
常圧，減圧または陽圧とした処理室内で被処理体を処理
ガスにより処理する処理装置であれば、あらゆる処理装
置に適用することができる。
された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去装置に適用
した場合について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、被処理体に処理用気体流を供
給し処理する工程の装置であればいずれにも適用でき、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、自然酸化膜処理に限らず、酸化膜でも窒化膜の処
理でもよいことはもちろんであり、本発明の要旨の範囲
内で種々の変形実施が可能である。また、自然酸化膜除
去装置に限らず洗浄装置、他のエッチング装置等、また
常圧，減圧または陽圧とした処理室内で被処理体を処理
ガスにより処理する処理装置であれば、あらゆる処理装
置に適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、前記被処理体の表面及び裏面
に処理ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平
方向にリング状に排気口を設けるとともに、この排気口
より前記処理ガスを排気する排気手段を設けたことによ
り、被処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制
することができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ
同時に処理することができるという顕著な効果がある。
に処理ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平
方向にリング状に排気口を設けるとともに、この排気口
より前記処理ガスを排気する排気手段を設けたことによ
り、被処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制
することができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ
同時に処理することができるという顕著な効果がある。
【００２８】
【図１】本発明に係る第１の実施例を説明するための自
然酸化膜除去装置を示す概略断面図である。
然酸化膜除去装置を示す概略断面図である。
【図２】図１を成膜処理炉と接続したシステムに用いた
実施例を説明する概略断面図である。
実施例を説明する概略断面図である。
【図３】図１の処理作用を具体的に説明する部分概略断
面図である。
面図である。
【図４】
【ａ】従来の処理作用を具体的に説明する部分概略断面
図である。
図である。
【ｂ】従来の処理作用を具体的に説明する部分概略断面
図である。
図である。
【図５】
【ａ】他の排気口の実施例を説明する部分概略断面図で
ある。
ある。
【ｂ】他の供給手段の実施例を説明する部分概略断面図
である。
である。
【図６】他の排気手段の実施例を説明する部分概略断面
図である。
図である。
１ 自然酸化膜除去装置 ２ 処理室 ３ 被処理体（半導体ウエハ） ４ 載置台 ６ 回転手段 ９ 裏面処理ガス供給管 １０ 表面処理ガス供給管 １３ 供給手段 ７０ 排気口 ７４ 排気手段
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 9277−4Ｍ 21/31 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処
理室と、この処理室内に前記被処理体を保持する保持機
構を設けた載置台を備えた処理装置において、前記被処
理体を回転させる回転手段と、前記被処理体の表面及び
裏面に処理ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の
水平方向にリング状に排気口を設けるとともに、この排
気口より前記処理ガスを排気する排気手段を設けたこと
を特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を処理ガス雰囲気で処理する処
理室と、この処理室内を排気する排気手段を備えた処理
装置において、前記排気手段は前記処理室の内部圧力と
前記処理ガスと非反応性の気体の通流部の差圧の作用に
より処理室内を排気する排気手段としたことを特徴とす
る処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP04309717A JP3118737B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 被処理体の処理方法 |
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|---|---|---|---|
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ID=17996453
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|---|---|---|---|
| JP04309717A Expired - Fee Related JP3118737B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 被処理体の処理方法 |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2008270748A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| JP2013038442A (ja) * | 2004-09-30 | 2013-02-21 | Lam Research Corporation | エッジホイール構造 |
| JP5800972B1 (ja) * | 2014-09-10 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、ガス供給ユニット、カートリッジヘッド及びプログラム |
| WO2016190006A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
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-
1992
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212789B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-04-10 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device manufacturing system |
| JP2013038442A (ja) * | 2004-09-30 | 2013-02-21 | Lam Research Corporation | エッジホイール構造 |
| JP2008270748A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| JP5800972B1 (ja) * | 2014-09-10 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、ガス供給ユニット、カートリッジヘッド及びプログラム |
| CN107614750A (zh) * | 2015-05-26 | 2018-01-19 | 株式会社日本制钢所 | 原子层成长装置及原子层成长装置排气部 |
| JP2016222940A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| WO2016190006A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
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| CN107614750B (zh) * | 2015-05-26 | 2020-04-24 | 株式会社日本制钢所 | 原子层成长装置及原子层成长装置排气部 |
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