JPH06140379A - Treatment equipment - Google Patents
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- JPH06140379A JPH06140379A JP30971792A JP30971792A JPH06140379A JP H06140379 A JPH06140379 A JP H06140379A JP 30971792 A JP30971792 A JP 30971792A JP 30971792 A JP30971792 A JP 30971792A JP H06140379 A JPH06140379 A JP H06140379A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は処理装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の処理装置において、被処理体、例
えば半導体ウエハを処理室内に収容し、この処理室内で
回転中の半導体ウエハに処理ガスを均一に作用させるこ
とにより、処理を施す処理装置が用いられている。処理
装置、例えば、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化
膜を除去する自然酸化膜除去装置では、常圧又は陽圧の
処理室内上部に所定の液体、例えばフッ酸と水の混合液
を溜めておき、ここから発生したフッ酸蒸気を処理室内
に拡散させる。そして、この処理室内の下部に被処理面
（表面）を上向きに半導体ウエハを回転可能な円状の載
置台に保持し、この載置台を回転することにより半導体
ウエハを回転させると共に、フッ酸蒸気を半導体ウエハ
の回転により発生する回転気流により半導体ウエハ表面
に作用させ、半導体ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を除去する装置が知られている。2. Description of the Related Art In a conventional processing apparatus, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer is housed in a processing chamber, and a processing gas is uniformly applied to a rotating semiconductor wafer in the processing chamber to perform processing. Is used. In a processing apparatus, for example, a natural oxide film removing apparatus that removes a natural oxide film formed on the surface of a semiconductor wafer, a predetermined liquid, for example, a mixed solution of hydrofluoric acid and water is stored in the upper part of a processing chamber under normal pressure or positive pressure. Then, the hydrofluoric acid vapor generated here is diffused into the processing chamber. Then, a semiconductor wafer is held on the lower part of the processing chamber on a rotatable circular mounting table with the surface to be processed facing upward, and by rotating the mounting table, the semiconductor wafer is rotated, and at the same time, the hydrofluoric acid vapor is vaporized. There is known an apparatus that causes a natural airflow film formed on the surface of a semiconductor wafer to be removed by causing a rotating air flow generated by the rotation of the semiconductor wafer to act on the surface of the semiconductor wafer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記被
処理体は回転可能な載置台に設けられた保持機構に保持
され処理ガス雰囲気中にて回転し処理されるが、前記被
処理体の周縁部の近傍にて前記処理ガスの渦流が発生
し、前記被処理体の上面に形成された自然酸化膜または
酸化膜等の除去処理に比べ被処理体の裏面に形成された
自然酸化膜または酸化膜等をより均一に除去処理するこ
とが出来ないという問題点があった。さらに、前記被処
理体の裏面に形成された自然酸化膜を均一に除去処理す
ることが出来ないと、後段で処理を行なう処理装置、例
えば熱処理装置において被処理体自体の熱膨張率と自然
酸化膜部分の熱膨張率が異なるため、被処理体の中心部
と周縁部で熱膨張が不均一となり熱ストレスが発生し、
歩留りを低下させるという問題点があった。However, the object to be processed is held by a holding mechanism provided on a rotatable mounting table and rotated and processed in a processing gas atmosphere, but the peripheral portion of the object to be processed is processed. A vortex of the processing gas is generated in the vicinity of, and a natural oxide film or an oxide film formed on the back surface of the object to be processed as compared with the removal processing of the natural oxide film or the oxide film formed on the upper surface of the object to be processed. However, there is a problem in that it is impossible to more uniformly remove the above. Further, if the natural oxide film formed on the back surface of the object to be processed cannot be uniformly removed, the thermal expansion coefficient and the natural oxidation of the object to be processed in a processing device, such as a heat treatment device, that performs the subsequent processing. Since the coefficient of thermal expansion of the film part is different, the thermal expansion becomes non-uniform between the central part and the peripheral part of the object to be processed, and thermal stress occurs,
There is a problem that the yield is reduced.
【０００４】本発明の目的は被処理体の回転に伴う処理
ガスの渦流の発生を抑制することにより被処理体の表面
と裏面をより均一かつ同時に処理できる処理装置を提供
するものである。An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of processing the front surface and the back surface of the object to be processed more uniformly and simultaneously by suppressing the generation of a vortex of the processing gas due to the rotation of the object to be processed.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のうち代表的なも
のの概要を説明すれば、次のとおりである。被処理体を
処理ガス雰囲気で処理する処理室と、この処理室内に前
記被処理体を保持する保持機構を設けた載置台を備えた
処理装置において、前記被処理体を回転させる回転手段
と、前記被処理体の表面及び裏面に処理ガスを供給する
供給手段と、前記被処理体の水平方向にリング状に排気
口を設けるとともに、この排気口より前記処理ガスを排
気する排気手段を設け構成されたものである。The outline of a typical one of the present invention will be described below. In a processing apparatus that includes a processing chamber that processes an object to be processed in a processing gas atmosphere, and a mounting table that includes a holding mechanism that holds the object to be processed in the processing chamber, a rotating unit that rotates the object to be processed, A supply means for supplying a processing gas to the front and back surfaces of the object to be processed, a ring-shaped exhaust port in the horizontal direction of the object to be processed, and an exhaust means for exhausting the processing gas from the exhaust port are provided. It was done.
【０００６】[0006]
【作用】本発明は、前記被処理体の表面及び裏面に処理
ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平方向に
リング状に排気口を設けるとともに、この排気口より前
記処理ガスを排気する排気手段を設けたことにより、被
処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制するこ
とができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ同時に
処理することができる。According to the present invention, a supply means for supplying the processing gas to the front and back surfaces of the object to be processed and a ring-shaped exhaust port are provided in the horizontal direction of the object to be processed, and the processing gas is supplied from the exhaust port. By providing the exhaust means for exhausting, it is possible to suppress the generation of the vortex of the processing gas due to the rotation of the object to be processed, and it is possible to more uniformly and simultaneously process the front surface and the back surface of the object.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明を自然酸化膜除去装置に適用し
た第１の実施例について添付図面に基づいて詳述する。
図１及び図２に示す如く、この自然酸化膜除去装置１
は、耐腐食性材料、例えばフッ素樹脂により気密に処理
室２が形成されている。この処理室２内側の下部には、
被処理体、例えば半導体ウエハ３を浮上させる如く保持
する保持部５が設けられ、この保持部５はリング状の載
置台４に設けられている。さらに、この載置台４はこの
載置台４を回転させる回転手段、例えば中空モーター６
にベアリング７を介して接続され、この載置台４の回転
により実質的に前記半導体ウエハ３が回転可能に構成さ
れている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment in which the present invention is applied to a natural oxide film removing apparatus will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
As shown in FIGS. 1 and 2, this natural oxide film removing apparatus 1
The processing chamber 2 is airtightly formed of a corrosion resistant material such as fluororesin. In the lower part inside this processing chamber 2,
A holding unit 5 for holding the object to be processed, for example, the semiconductor wafer 3 so as to float is provided, and the holding unit 5 is provided on the ring-shaped mounting table 4. Further, the mounting table 4 is rotated by a rotating means such as a hollow motor 6 for rotating the mounting table 4.
Is connected to the semiconductor wafer 3 via a bearing 7, and the semiconductor wafer 3 is substantially rotatable by the rotation of the mounting table 4.
【０００８】また、前記載置台４の内側に円状の固定体
８が設けられ、この固定体８の中心部には前記半導体ウ
エハ３の裏面（中央部）に不活性ガス、例えば高純度Ｎ
2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処理ガス、
例えばＨＦ蒸気を供給するための裏面処理ガス供給管９
が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より０．５ｍｍ
〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、この裏面処理
ガス供給管９は前記中空モーター６を貫通し、第１の開
閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ１０に
接続されている。また、前記処理室２の上部には、前記
半導体ウエハ３の表面（中央部）に不活性ガス、例えば
高純度Ｎ2 またはこのＮ2 をキャリアガスとして用い処
理ガス、例えばＨＦ蒸気を供給するための表面処理ガス
供給管１１が気密に設（例えば前記半導体ウエハ３より
０．５ｍｍ〜５０ｍｍの距離に配置）けられ、また、こ
の表面処理ガス供給管１１は第２の開閉弁、例えば耐腐
食性のエアーオペレートバルブ１２に接続され、以上の
如く前記半導体ウエハ３の表裏面に処理ガスを供給する
供給手段１３が構成されている。A circular fixed body 8 is provided inside the mounting table 4, and an inert gas such as high-purity N is provided at the central portion of the fixed body 8 on the back surface (central portion) of the semiconductor wafer 3.
2 or a processing gas using this N 2 as a carrier gas,
For example, a backside processing gas supply pipe 9 for supplying HF vapor
Is airtight (for example, 0.5 mm from the semiconductor wafer 3).
The backside processing gas supply pipe 9 penetrates the hollow motor 6 and is connected to a first opening / closing valve, for example, a corrosion-resistant air-operated valve 10. In addition, in order to supply a processing gas, for example, HF vapor, to the surface (central portion) of the semiconductor wafer 3 above the processing chamber 2 by using an inert gas, for example, high-purity N 2 or this N 2 as a carrier gas. The surface treatment gas supply pipe 11 is provided in an airtight manner (for example, arranged at a distance of 0.5 mm to 50 mm from the semiconductor wafer 3), and the surface treatment gas supply pipe 11 is provided with a second opening / closing valve, for example, anti-corrosion. And a supply means 13 for supplying a processing gas to the front and back surfaces of the semiconductor wafer 3 as described above.
【０００９】さらに、この、エアーオペレートバルブ１
２は前記エアーオペレートバルブ１０と耐腐食性材料、
例えばテフロンよりなる配管にて接続されるとともに、
第３の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１５に接続されている。さらに、このエアーオペレー
トバルブ１５はフィルター、例えばテフロン製で通過粒
子０．２μｍ以下のテフロンフィルター１６に接続さ
れ、このテフロンフィルター１６は、ガス流量を測定す
るための流量計１７に接続されている。さらに、この流
量計１７より２経路に配管が分かれており、第１経路は
第４の開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバル
ブ１８を介して処理液体、例えばフッ酸と水の混合液
（ＨＦ／Ｈ2 Ｏ）１９を溜めておく耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなるテフロンタンク２０のガス導入口２
１に気密に貫通され、前記混合液１９の蒸気化した処理
ガスを導入するよう構成されており、また、このテフロ
ンタンク２０の外周には前記混合液１９を一定温度、例
えば０〜５０°Ｃの温度範囲において温度制御する内部
にヒーター２１を設けた恒温槽２２が配置されている。Further, this air operated valve 1
2 is the air operated valve 10 and a corrosion resistant material,
For example, while being connected by piping made of Teflon,
It is connected to a third on-off valve, for example, a corrosion-resistant air operated valve 15. Further, the air operate valve 15 is connected to a filter, for example, a Teflon filter 16 made of Teflon and having passage particles of 0.2 μm or less, and the Teflon filter 16 is connected to a flow meter 17 for measuring a gas flow rate. Further, the pipe is divided into two paths from the flow meter 17, and the first path is provided with a processing liquid, for example, a mixed solution of hydrofluoric acid and water (e.g. HF / H 2 O) 19 for storing a corrosion-resistant material, for example, a gas inlet 2 of a Teflon tank 20 made of Teflon
1 is airtightly penetrated so that the vaporized processing gas of the mixed liquid 19 is introduced, and the mixed liquid 19 is kept at a constant temperature on the outer circumference of the Teflon tank 20, for example, 0 to 50 ° C. A constant temperature bath 22 in which a heater 21 is provided is disposed inside the temperature control unit in the temperature range.
【００１０】さらに、第２経路は第５の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２３に接続され、こ
のエアーオペレートバルブ２３からさらに、２経路に配
管が分かれており、第１経路は第６の開閉弁、例えば耐
腐食性のエアーオペレートバルブ２４を介して前記フロ
ンタンク２０のキャリアガス導入口２５に前記混合液１
９の逆流を防止する逆止弁２６を介して気密に貫通さ
れ、前記混合液１９にキャリアガスを導入するよう構成
されている。さらに、第２経路はフィルター、例えばテ
フロン製で通過粒子、例えば０．２μｍ以下のテフロン
フィルター２７に接続され、このテフロンフィルター２
７は、高純度Ｎ2 を供給するための耐腐食性材料、例え
ばテフロンよりなる供給管２８に第７の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ２９を介して接続さ
れている。Further, the second path is connected to a fifth opening / closing valve, for example, a corrosion-resistant air-operated valve 23. From this air-operated valve 23, piping is divided into two paths, and the first path is the first path. 6 through the opening / closing valve 6, for example, a corrosion-resistant air-operated valve 24, into the carrier gas inlet 25 of the CFC tank 20.
9 is gastightly penetrated through a check valve 26 for preventing the backflow of the liquid 9 and is configured to introduce a carrier gas into the mixed liquid 19. Furthermore, the second path is connected to a filter, for example, a Teflon filter 27 made of Teflon and having a particle size of 0.2 μm or less.
Reference numeral 7 is connected to a supply pipe 28 made of a corrosion resistant material, for example, Teflon, for supplying high-purity N 2 through a seventh opening / closing valve, for example, a corrosion resistant air operate valve 29.
【００１１】また、前記処理室２の上部の他端には、こ
の処理室２内に不活性ガス、例えばＮ2 を導入するため
の導入口６０が導入管６１を介して穿設されている。ま
た、前記処理室２内の側壁かつ、前記半導体ウエハ３の
水平方向には前記処理ガスを排気する排気口７０、例え
ば前記半導体ウエハ３の外周を囲む如くリング状に設け
られており、この排気口７０は耐腐食性材料、例えばテ
フロンよりなる配管７１を介して第８の開閉弁、例えば
耐腐食性のエアーオペレートバルブ７２に接続されてい
る。さらに、このエアーオペレートバルブ７２は耐腐食
性材料、例えばテフロンよりなる配管７３を介して排気
手段７４、（例えば前記処理ガスと非反応性の気体を通
流させる通流部７５とこの通流部７５に狭通流部７６を
設けたもの）の狭通流部７６に前記配管７３の排出端部
７７が気密に接続されている。At the other end of the upper portion of the processing chamber 2, an inlet port 60 for introducing an inert gas such as N 2 into the processing chamber 2 is bored through an inlet pipe 61. . Further, an exhaust port 70 for exhausting the processing gas is provided in a side wall of the processing chamber 2 and in the horizontal direction of the semiconductor wafer 3, for example, in a ring shape so as to surround the outer periphery of the semiconductor wafer 3, and the exhaust is performed. The port 70 is connected to an eighth opening / closing valve, for example, a corrosion-resistant air-operated valve 72, through a pipe 71 made of a corrosion-resistant material such as Teflon. Further, the air operated valve 72 is provided with an exhaust means 74 through a pipe 73 made of a corrosion resistant material such as Teflon (for example, a flow passage portion 75 for passing a gas which is non-reactive with the processing gas and a flow passage portion thereof). The discharge end 77 of the pipe 73 is airtightly connected to the narrow flow passage 76 (those provided with the narrow flow passage 76).
【００１２】さらに、前記排出手段７４の一端には前記
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するため
の導入口７７が設けられ、この導入口７７には耐腐食性
材料、例えばテフロンよりなる配管７８を介して第９の
開閉弁、例えば耐腐食性のエアーオペレートバルブ７９
に接続されるとともに、このエアーオペレートバルブ７
９は前記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入
するための導入管８０に接続されている。Further, at one end of the discharge means 74 is provided an inlet 77 for introducing a gas which is non-reactive with the processing gas, for example N 2, and the inlet 77 has a corrosion resistant material such as N 2. A ninth opening / closing valve, for example, a corrosion-resistant air-operated valve 79, is provided via a pipe 78 made of Teflon.
This air operated valve 7 is connected to
Reference numeral 9 is connected to an introduction pipe 80 for introducing a gas that is non-reactive with the processing gas, for example, N 2 .
【００１３】さらに、前記排出手段７４の他端には前記
処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 または前記処理
ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 と前記処理ガスの混
合ガスを排気するための排気口８１が設けられ、この排
気口８１は耐腐食性材料、例えばテフロンよりなる配管
８２を介して前記処理ガスを処理する排ガス処理装置８
３に接続されている。また、前記処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 の通流方向は矢印８４方向（前記処理
ガスを排出する前記排出端部７７と直行方向）に通流す
るよう構成されている。Further, a gas non-reactive with the processing gas, for example N 2 or a gas non-reactive with the processing gas, for example, a mixed gas of N 2 and the processing gas is exhausted to the other end of the discharge means 74. An exhaust port 81 for controlling the exhaust gas is provided, and the exhaust port 81 processes the exhaust gas through a pipe 82 made of a corrosion resistant material such as Teflon.
Connected to 3. In addition, a flow direction of a gas that is non-reactive with the processing gas, for example, N 2 is configured to flow in the direction of an arrow 84 (a direction perpendicular to the discharge end 77 that discharges the processing gas).
【００１４】また、前記処理室２の側方には、この処理
室２と気密に接続されたロードロック室３０が設けられ
ており、このロードロック室３０と前記処理室２間には
前記半導体ウエハ３を搬入または搬出するための第１の
搬入搬出通路３１が開設され、この搬入搬出通路３１を
開閉するための第１の開閉扉、例えばゲートバルブ３２
が第１の封止体、例えば腐食性材料よりなるＯリング３
３を介して前記処理室２を気密封止できるように構成さ
れている。また、前記ロードロック室３０内にはウエハ
搬送機構３４が設けられており、このウエハ搬送機構３
４の上部には、前記半導体ウエハ３を把持するととも
に、伸縮可能のアーム３４ａが設けられ、このアーム３
４ａが伸びたとき前記処理室２内に半導体ウエハ３を搬
入することができるように構成されている。A load lock chamber 30 that is hermetically connected to the processing chamber 2 is provided on the side of the processing chamber 2, and the semiconductor is provided between the load lock chamber 30 and the processing chamber 2. A first loading / unloading passage 31 for loading / unloading the wafer 3 is opened, and a first opening / closing door for opening / closing this loading / unloading passage 31, for example, a gate valve 32.
Is a first sealing body, for example, an O-ring 3 made of a corrosive material
The processing chamber 2 can be hermetically sealed via the unit 3. A wafer transfer mechanism 34 is provided in the load lock chamber 30.
An arm 34a that holds the semiconductor wafer 3 and is capable of expanding and contracting is provided on the upper part of the arm 4.
The semiconductor wafer 3 can be loaded into the processing chamber 2 when the extension 4a is extended.
【００１５】また、前記ロードロック室３０の一端には
不活性ガス、例えばＮ2 を導入するための導入管３５が
接続されており、他端には排気装置２３、例えば真空ポ
ンプが排気管３７を介して接続され前記ロードロック室
３０内を大気または減圧可能に構成されており、さら
に、このロードロック室３０の側壁には大気圧で前記半
導体ウエハ３を搬入または搬出するための第２の搬入搬
出通路３８が開設され、この搬入搬出通路３８を開閉す
るための第２の開閉扉、例えばゲートバルブ３９が第２
の封止体、例えばＯリング４０を介して図示しないウエ
ハ搬入搬出室とＮ2 雰囲気の状態で前記半導体ウエハ１
５を搬入又は搬出することができるように構成されてい
る。An inlet pipe 35 for introducing an inert gas such as N 2 is connected to one end of the load lock chamber 30, and an exhaust device 23 such as a vacuum pump is connected to the exhaust pipe 37 at the other end. The load lock chamber 30 is connected to the load lock chamber 30 via the atmosphere so that the inside of the load lock chamber 30 can be depressurized to the atmosphere or the pressure can be reduced. A carry-in / carry-out passage 38 is opened, and a second opening / closing door for opening and closing the carry-in / carry-out passage 38, for example, a gate valve 39 is a second door.
Of the semiconductor wafer 1 in the state of N 2 atmosphere with a wafer loading / unloading chamber (not shown) through a sealing body of, for example, an O ring 40.
5 can be loaded or unloaded.
【００１６】さらに、図２に示すように、このロードロ
ック室３０の側壁には他のシステム、例えば成膜処理装
置５０が設けられており、この成膜処理装置５０は、内
部に半導体ウエハ３の成膜処理領域を形成する反応容器
５１、及びこの反応容器５１の外周を囲むように配置さ
れたヒーター５２等から成り、反応容器５１内に処理ガ
スを導入して、ＣＶＤ等の成膜処理を行なうよう構成さ
れ、また、反応容器５１の下部には、ウエハ着脱室５３
が設けられ、このウエハ着脱室５３にはボールネジ５４
などにより昇降されるボート昇降機構５５に前記半導体
ウエハ３を載置、例えば最大１００枚収容可能としたウ
エハボート５６が設けられている。さらに、このウエハ
ーボート５６に前記半導体ウエハ３を搬入または搬出す
るための第３の搬入搬出通路５７が前記ロードロック室
３０に開設され、この搬入搬出通路３０を開閉するため
の第３の開閉扉、例えばゲートバルブ５８が第３の封止
体、例えばＯリング５９を介して設けられ、以上の如
く、自然酸化膜除去装置１が構成されている。Further, as shown in FIG. 2, another system, for example, a film forming processing apparatus 50 is provided on the side wall of the load lock chamber 30, and the film forming processing apparatus 50 has the semiconductor wafer 3 inside. Of the reaction container 51 and a heater 52 arranged so as to surround the outer periphery of the reaction container 51. A process gas is introduced into the reaction container 51 to perform a film forming process such as CVD. In addition, a wafer attachment / detachment chamber 53 is provided below the reaction container 51.
Is provided, and a ball screw 54 is provided in the wafer loading / unloading chamber 53.
A wafer boat 56 is provided on which the semiconductor wafers 3 can be placed, for example, a maximum of 100 wafer boats 56 can be mounted on a boat lifting mechanism 55 that is lifted up and down. Further, a third loading / unloading passage 57 for loading / unloading the semiconductor wafer 3 into / from the wafer boat 56 is opened in the load lock chamber 30, and a third opening / closing door for opening / closing the loading / unloading passage 30. For example, the gate valve 58 is provided via the third sealing body, for example, the O-ring 59, and the natural oxide film removing apparatus 1 is configured as described above.
【００１７】次に、以上のように構成された自然酸化膜
除去装置１における半導体ウエハ３の処理動作について
説明する。まず、ゲートバルブ３９を開放し、ウエハ搬
送機構３４のアーム３４ａを伸ばし、図示しないウエハ
搬入搬出室より半導体ウエハ３を前記アーム３４ａに把
持し受け取った後、このアーム３４ａは前記ロードロッ
ク室３０に縮み、前記ゲートバルブ３９を閉じる。次
に、排気装置３６にょり前記ロードロック室３０を排
気、例えば１０−６Ｔｏｒｒ以下に、排気の後、導入管
３５によりＮ２ を導入しパージするとともに大気圧に
戻し、ゲートバルブ３３を開放し、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａを伸ばし半導体ウエハ３を処理室２内に
搬入し、半導体ウエハ３は前記載置台４の保持部５によ
り前記半導体ウエハ３の周縁部を把持し、載置台４の表
面から浮上して保持され、この後、ウエハ搬送機構３４
のアーム３４ａはロードロック室３０に移動し、ゲート
バルブ３２は処理室２を気密に封止するために閉じる。Next, the processing operation of the semiconductor wafer 3 in the natural oxide film removing apparatus 1 configured as described above will be described. First, the gate valve 39 is opened, the arm 34a of the wafer transfer mechanism 34 is extended, and the semiconductor wafer 3 is gripped and received by the arm 34a from a wafer loading / unloading chamber (not shown). It contracts and closes the gate valve 39. Next, the load lock chamber 30 is exhausted by the exhaust device 36, for example, to 10 −6 Torr or less, and after exhaustion, N 2 is introduced by the introduction pipe 35 to purge and return to atmospheric pressure, and the gate valve 33 is opened. Wafer transfer mechanism 34
The arm 34a of the semiconductor wafer 3 is extended to carry the semiconductor wafer 3 into the processing chamber 2. The holding portion 5 of the mounting table 4 holds the peripheral edge of the semiconductor wafer 3 and the semiconductor wafer 3 floats above the surface of the mounting table 4. The wafer is held, and thereafter, the wafer transfer mechanism 34 is held.
Arm 34a moves to the load lock chamber 30, and the gate valve 32 is closed to hermetically seal the processing chamber 2.
【００１８】次に、開閉弁２９，２４，２３，１８，１
５，の順に開放し、その後開閉弁１０，１２を同時に開
閉し前記テフロンタンク２０の処理ガスを処理室２に導
入する。前記処理ガスを処理室２に導入と同時期、例え
ば処理ガス導入前に開閉弁７９，７２を開放し、前記排
気手段７７を動作し、処理室２内を排気（前記排出手段
７４の導入口７７より導入された処理ガスと非反応性の
気体、例えばＮ2 は狭通流部７６を通って排気口８１に
通流されるとき、前記狭通流部７６にて高速化され一種
の真空状態を形成する。この狭通流部７６の真空状態に
て前記狭通流部７６に排出端部７７が気密に接続されて
いるので、前記狭通流部７６と排出端部７７（処理室
２）の差圧の関係により処理室２内の処理ガスが排気口
８１方向に吸い出される。）する。さらに、流量計１７
の流量データにより、処理室２内に供給する処理ガス量
は、例えば０．１〜２Ｎｉ／ｍｉｎに開閉弁２４の開口
度を制御するとともに処理ガスを表面処理ガス供給管１
１及び裏面処理ガス供給管９を通して処理室２に安定供
給する。Next, the on-off valves 29, 24, 23, 18, 1
5, the opening and closing valves 10 and 12 are simultaneously opened and closed to introduce the processing gas in the Teflon tank 20 into the processing chamber 2. At the same time when the processing gas is introduced into the processing chamber 2, for example, before the processing gas is introduced, the opening / closing valves 79 and 72 are opened, the exhaust means 77 is operated, and the inside of the processing chamber 2 is exhausted (the inlet of the exhaust means 74). When the processing gas introduced from 77, which is non-reactive with the processing gas, such as N 2, is passed through the narrow flow portion 76 to the exhaust port 81, the speed is increased in the narrow flow portion 76, which is a kind of vacuum state. Since the discharge end 77 is airtightly connected to the narrow flow section 76 in the vacuum state of the narrow flow section 76, the narrow flow section 76 and the discharge end 77 (processing chamber 2) are formed. The processing gas in the processing chamber 2 is sucked toward the exhaust port 81 due to the differential pressure relationship in (1). Furthermore, the flow meter 17
The amount of processing gas supplied into the processing chamber 2 is controlled, for example, to 0.1 to 2 Ni / min by controlling the opening degree of the on-off valve 24 and the processing gas is supplied to the surface processing gas supply pipe 1 according to
1 and the backside processing gas supply pipe 9 to stably supply the processing chamber 2.
【００１９】次に、前記載置台４は前記回転手段６によ
り回転、（例えば毎分５００〜２０００回転が望まし
い）で回転させ、この載置台４の回転に同期して保持部
６により把持された半導体ウエハ３も回転する。この半
導体ウエハ３の回転により前記処理ガスが図３に示すよ
うに半導体ウエハ３面（前記表面処理ガス供給管１１か
ら噴出した処理ガスは前記半導体ウエハ３の上面の中心
部より周縁部に向けて処理ガス流９０のように流れる。
また、前記裏面処理ガス供給管９から噴出した処理ガス
は前記半導体ウエハ３の裏面の中心部より周縁部に向け
て処理ガス流９１のように流れ、処理ガスを前記半導体
ウエハ３に均一に通流させる。さらに、前記半導体ウエ
ハ３に通流された処理ガス９２ａ，９２ｂは処理室２の
側壁に設けられた排気口７０（前記半導体ウエハ３の外
周を囲むように設けられた）に吸い込まれる。しかしな
がら、図４のNext, the mounting table 4 is rotated by the rotating means 6 and rotated at (for example, preferably 500 to 2000 revolutions per minute), and is held by the holding portion 6 in synchronization with the rotation of the mounting table 4. The semiconductor wafer 3 also rotates. Due to the rotation of the semiconductor wafer 3, the processing gas is discharged from the surface of the semiconductor wafer 3 (processing gas ejected from the surface processing gas supply pipe 11 toward the peripheral portion from the central portion of the upper surface of the semiconductor wafer 3 as shown in FIG. It flows like process gas stream 90.
Further, the processing gas ejected from the back surface processing gas supply pipe 9 flows from the central portion of the back surface of the semiconductor wafer 3 toward the peripheral portion like a processing gas flow 91, and the processing gas is evenly passed through the semiconductor wafer 3. Let it flow. Further, the processing gases 92a and 92b flowing through the semiconductor wafer 3 are sucked into the exhaust port 70 (provided so as to surround the outer periphery of the semiconductor wafer 3) provided on the sidewall of the processing chamber 2. However, in FIG.
【ａ】に示すように、前記排気口を半導体ウエハ３の水
平方向かつ外周を囲むように設けられない場合におい
て、１供給口、例えば半導体ウエハ３表面の中心部かつ
上部より処理ガスを供給すると半導体ウエハ３の裏面か
つ周縁部に渦流９３が発生する。また、図４のAs shown in [a], when the exhaust port is not provided so as to surround the semiconductor wafer 3 in the horizontal direction and around the outer periphery, when the processing gas is supplied from one supply port, for example, the central portion and the upper portion of the surface of the semiconductor wafer 3. A vortex 93 is generated on the back surface and the peripheral portion of the semiconductor wafer 3. In addition, in FIG.
【ｂ】に示すように、２供給口、例えば半導体ウエハ３
表面及び裏面の中心に示すように、部にそれぞれ処理ガ
スを供給すると半導体ウエハ３の裏面及び表面の周縁部
に渦流９４が発生することになり、半導体ウエハ３を均
一に処理（例えば半導体ウエハ３の周縁部の処理がその
他の部分に比べ異常に早く処理するために）することが
困難となる。）に引き込まれ、半導体ウエハ３表面に形
成された不要な自然酸化膜、例えば１００Å以下（酸化
膜においては３０００Å以下）を前記処理ガスとの化学
反応により除去し、この除去の後、前記載置台４の回転
を停止する。As shown in [b], two supply ports, for example, the semiconductor wafer 3
As shown in the center of the front surface and the back surface, when the processing gas is supplied to each part, a vortex 94 is generated at the peripheral portion of the back surface and the front surface of the semiconductor wafer 3, and the semiconductor wafer 3 is uniformly processed (for example, the semiconductor wafer 3). It is difficult to process the peripheral edge portion of (1) abnormally faster than other portions). ), And an unnecessary natural oxide film formed on the surface of the semiconductor wafer 3, for example, 100 Å or less (in the oxide film, 3000 Å or less) is removed by a chemical reaction with the processing gas, and after the removal, Stop rotation of 4.
【００２０】さらに、前記載置台４の回転を停止と同時
期に、開閉弁１５，１８，２３，２４，２９の順に閉
じ、開閉弁１０，１２を同時に閉じ前記処理室２内に処
理ガスの供給を停止する。次に、導入口６０によりＮ2
が処理室２に供給されるとともに、前記排気手段７４に
より処理室２に残留する処理ガスを排気し、処理室内２
をＮ2 雰囲気にする。この後、ゲートバルブ３２を開放
し前記ウエハ搬送機構３４のアーム３４ａにより半導体
ウエハ３が、処理室２の外部であるロードロック室３０
に搬出され、前記ゲートバルブ３２が閉じる。Further, at the same time when the rotation of the mounting table 4 is stopped, the on-off valves 15, 18, 23, 24 and 29 are closed in this order, and the on-off valves 10 and 12 are simultaneously closed to allow the processing gas to flow into the processing chamber 2. Stop the supply. Next, N 2 is introduced through the inlet 60.
Is supplied to the processing chamber 2, and the processing gas remaining in the processing chamber 2 is exhausted by the exhaust means 74,
To N 2 atmosphere. Thereafter, the gate valve 32 is opened, and the semiconductor wafer 3 is transferred to the load lock chamber 30 outside the processing chamber 2 by the arm 34a of the wafer transfer mechanism 34.
And the gate valve 32 is closed.
【００２１】つづいて、ウエハ搬送機構３４のアーム３
４ａにより、ロードロック室３０に搬送された半導体ウ
エハ３は第３のゲートバルブ５８を介して成膜処理炉５
０のウエハボート５６に搬送され、バッチ処理枚数、例
えば１００枚になった後にボート昇降機構５５が上昇し
成膜熱処理を行う。前述同様、半導体ウエハ３の処理工
程が順次くり返される。Next, the arm 3 of the wafer transfer mechanism 34.
4a, the semiconductor wafer 3 transferred to the load lock chamber 30 is transferred through the third gate valve 58 to the film formation processing furnace 5
The wafer elevating mechanism 55 moves up to carry out film formation heat treatment after the wafers are transferred to the wafer boat 56 of 0 and the number of processed wafers reaches, for example, 100. Similar to the above, the processing steps of the semiconductor wafer 3 are sequentially repeated.
【００２２】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。 （１） 前記半導体ウエハ３の表面及び裏面に処理ガス
を供給する供給手段１３を設け、前記半導体ウエハ３の
水平方向にリング状に排気口７０を設けるとともに、こ
の排気口７０より前記処理ガスを排気する排気手段７４
を設けたことにより、図４のNext, the effect of this embodiment having the above-mentioned structure will be described. (1) A supply means 13 for supplying a processing gas to the front surface and the back surface of the semiconductor wafer 3 is provided, an exhaust port 70 is provided in a ring shape in the horizontal direction of the semiconductor wafer 3, and the processing gas is supplied from the exhaust port 70. Exhaust means 74 for exhausting
By providing the
【ａ】または[A] or
【ｂ】に示すように、半導体ウエハ３の周縁部におい
て、処理ガスの渦流９３，９４の発生を抑制することが
でき、半導体ウエハ３の表面と裏面をより均一かつ同時
に処理することができるという効果がある。 （２） 前記保持機構５の回転機構８ａにより半導体ウ
エハ３を回転させこの半導体ウエハ３の表面と裏面に同
時に処理ガスを供給可能としたので、半導体ウエハ３の
雰囲気状態を変化させることなく同一条件下で処理する
ことができ、表面、裏面それぞれに形成された自然酸化
膜を均一に処理できる。さらに、前記被処理体の裏面に
形成された自然酸化膜を均一に除去処理することができ
るので、後段で処理を行なう処理装置、例えば熱処理装
置において被処理体、例えば半導体ウエハ（Ｓｉ）の熱
膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約２．５
［１０-6ｄｅｇ-1］）と自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）部分の
熱膨張率（温度２９３［Ｋ］の時、線熱膨張率約７．４
〜１３．６［１０-6ｄｅｇ-1］）と異なるため、前記熱
処理装置の処理温度、例えば８００〜１２００度の高温
にて処理する時、被処理体の中心部と周縁部での熱膨張
を均一とすることができ、熱ストレスが発生するのを防
止することができる。 （３） また、前記排気手段７４は前記処理室２の内部
圧力と前記処理ガスと非反応性の気体の通流部７６の差
圧の作用により処理室２内を排気する排気手段７６で構
成されており、さらに、この排気手段７６は、耐腐食性
材料、例えばテフロンにより形成されているので、腐食
することなく、寿命を従来に比べはるかに長くすること
ができるので前記処理室２の排気能力の経時変化による
変化量を抑制することができる。（従来フィルターを通
して真空ポンプにより排気した場合、微量に処理ガスが
フィルターを通過してしまい、前記真空ポンプを腐食さ
せ寿命を短くしてしまい、前記処理室２の排気能力の経
時変化による変化量が大きい。） さらに、前記処理室２の排気能力の経時変化による変化
量を抑制することができるので半導体ウエハ３に通流す
る処理ガスを前記変化量に左右されることなく常に一定
量で排気できるので、前記半導体ウエハ３均一に処理す
ることができるという効果がある。As shown in [b], it is possible to suppress the generation of the vortexes 93, 94 of the processing gas at the peripheral portion of the semiconductor wafer 3 and to process the front and back surfaces of the semiconductor wafer 3 more uniformly and simultaneously. effective. (2) Since the semiconductor wafer 3 is rotated by the rotating mechanism 8a of the holding mechanism 5 and the processing gas can be supplied to the front surface and the back surface of the semiconductor wafer 3 at the same time, the same condition can be maintained without changing the atmospheric state of the semiconductor wafer 3. The natural oxide film formed on each of the front surface and the back surface can be uniformly processed. Further, since the natural oxide film formed on the back surface of the object to be processed can be uniformly removed, the object to be processed, for example, a semiconductor wafer (Si) is thermally treated in a processing device, for example, a heat treatment device, which performs a subsequent process. Expansion coefficient (when the temperature is 293 [K], the linear thermal expansion coefficient is about 2.5.
[10 −6 deg −1 ]) and the coefficient of thermal expansion of the natural oxide film (SiO 2 ) (when the temperature is 293 [K], the coefficient of linear thermal expansion is about 7.4.
˜13.6 [10 −6 deg −1 ]), the thermal expansion in the central portion and the peripheral portion of the object to be treated when treated at the treatment temperature of the heat treatment apparatus, for example, a high temperature of 800 to 1200 degrees. Can be made uniform and heat stress can be prevented from occurring. (3) Further, the evacuation unit 74 is constituted by an evacuation unit 76 that evacuates the inside of the processing chamber 2 by the action of the internal pressure of the processing chamber 2 and the differential pressure of the flow-through portion 76 of the gas that is non-reactive with the processing gas. Further, since the exhaust means 76 is made of a corrosion-resistant material such as Teflon, the exhaust means 76 can extend the life much longer than the conventional one without corroding, and thus the exhaust of the processing chamber 2 can be performed. It is possible to suppress the amount of change in the ability due to the change over time. (When exhausted by a vacuum pump through a conventional filter, a small amount of processing gas passes through the filter, corrodes the vacuum pump and shortens its life, and the amount of change in the exhaust capacity of the processing chamber 2 due to changes over time is Further, since the amount of change in the exhaust capacity of the processing chamber 2 due to the change over time can be suppressed, the processing gas flowing through the semiconductor wafer 3 can always be exhausted at a constant amount without being affected by the amount of change. Therefore, there is an effect that the semiconductor wafer 3 can be uniformly processed.
【００２３】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５のNext, the second embodiment will be described. The same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Of FIG.
【ａ】に示すように、前記処理室２の側壁に設けられた
排気口７０は半導体ウエハ３の水平延長線９９上より上
方に、例えば延長線上より１ｍｍ〜１０ｍｍ上方に前記
表面処理ガス供給管１１から噴出した処理ガスを排気す
るための排気口７０が設けられ、また、半導体ウエハ３
の水平延長線９９上より下方に、例えば延長線上より１
ｍｍ〜１０ｍｍ下方に前記裏面処理ガス供給管９から噴
出した処理ガスを排気するための排気口７０が設けられ
構成されている。このように、それぞれ排気口７０を設
けたことにより、前記半導体ウエハ３の周縁部において
半導体ウエハ３の表面及び裏面からの処理ガス９２ａ，
９２ｂを集中させることがないのでさらに、渦流の発生
を防止することができる。As shown in [a], the exhaust port 70 provided on the side wall of the processing chamber 2 is provided above the horizontal extension line 99 of the semiconductor wafer 3, for example, 1 mm to 10 mm above the extension line. An exhaust port 70 is provided for exhausting the processing gas ejected from the semiconductor wafer 11.
Below the horizontal extension line 99, for example, 1 from above the extension line
An exhaust port 70 for exhausting the processing gas ejected from the back surface processing gas supply pipe 9 is provided below the mm to 10 mm. As described above, by providing the exhaust ports 70, respectively, the processing gas 92a from the front surface and the back surface of the semiconductor wafer 3 at the peripheral portion of the semiconductor wafer 3 can be formed.
Since 92b is not concentrated, it is possible to further prevent the generation of eddy currents.
【００２４】次に、第３の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図５のNext, the third embodiment will be described. The same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Of FIG.
【ｂ】に示すように、前記処理室２の側壁に設けられた
排気口７０は、狭排気口部１００ａ（狭めて設けられて
おり）と広排気口部１００ｂにより構成されることによ
り、差圧ができこの差圧の作用により、より前記処理ガ
スを効率よく高速に排気可能となり、渦流の発生を防止
することができる。また、排気手段７４は、半導体ウエ
ハ３の水平方向に複数、例えば２箇所設けられており、
さらに、効率よく処理ガスを排気可能となる。また、前
記表面処理ガス供給管１１と前記裏面処理ガス供給管９
の先端部に円状かつ供給面に複数の供給口を放射状に設
けた平口部１０１を設けたことにより、前記半導体ウエ
ハ３に処理ガスを効率よく供給することができる。As shown in [b], the exhaust port 70 provided on the side wall of the processing chamber 2 has a narrow exhaust port portion 100a (which is narrowly provided) and a wide exhaust port portion 100b. A pressure is generated, and due to the action of this differential pressure, the processing gas can be exhausted more efficiently and at high speed, and the generation of a vortex can be prevented. Further, a plurality of, for example, two exhaust means 74 are provided in the horizontal direction of the semiconductor wafer 3,
Further, the processing gas can be efficiently exhausted. Further, the front surface processing gas supply pipe 11 and the back surface processing gas supply pipe 9
The processing gas can be efficiently supplied to the semiconductor wafer 3 by providing the flat mouth portion 101 having the circular shape at the tip end and the plurality of supply openings radially provided on the supply surface.
【００２５】次に、第４の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図６に示すように、排気手段７４は処理室
２の処理ガスを排気する排気導入口としての処理ガス排
気入口１０４とこの処理ガス排気入口１０４より導入さ
れた処理ガスを排出する処理ガス排気出口１０５が設け
られ、この処理ガス排気出口１０５と前記処理ガス排気
入口１０４の間に前記処理ガス排気出口１０５の方向に
狭められた円錐状で先端が開口したノズル１０２が設け
られ、このノズル１０２の隙間部１０７より均等に、前
記処理ガスと非反応性の気体、例えばＮ2 を導入するた
めの導入管１０３が設けられ、排気手段７４が構成され
ている。このように構成されても、前記導入管１０３よ
りＮ2 がノズル１０２に添って導入され処理ガス排気出
口１０５の方向にジェット気流が発生するとともに、前
記処理ガス排気入口１０４と前記処理ガス排気出口１０
５に差圧が生ずるので、この差圧の作用により前記処理
ガスが効率よく排気される。Next, the fourth embodiment will be described. The same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. As shown in FIG. 6, the exhaust means 74 is a processing gas exhaust inlet 104 as an exhaust inlet for exhausting the processing gas in the processing chamber 2, and a processing gas exhaust outlet for discharging the processing gas introduced from the processing gas exhaust inlet 104. 105 is provided, and between the processing gas exhaust outlet 105 and the processing gas exhaust inlet 104, there is provided a nozzle 102 having a conical shape whose tip is open and narrowed toward the processing gas exhaust outlet 105. An introducing pipe 103 for introducing a gas that is non-reactive with the processing gas, for example, N 2 is evenly provided from the gap 107, and an exhaust means 74 is configured. Even with such a configuration, N 2 is introduced from the introduction pipe 103 along the nozzle 102 to generate a jet airflow in the direction of the processing gas exhaust outlet 105, and the processing gas exhaust inlet 104 and the processing gas exhaust outlet are formed. 10
Since a differential pressure is generated in 5, the processing gas is efficiently exhausted by the action of this differential pressure.
【００２６】尚、前記実施例を半導体ウエハ表面に形成
された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去装置に適用
した場合について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、被処理体に処理用気体流を供
給し処理する工程の装置であればいずれにも適用でき、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、自然酸化膜処理に限らず、酸化膜でも窒化膜の処
理でもよいことはもちろんであり、本発明の要旨の範囲
内で種々の変形実施が可能である。また、自然酸化膜除
去装置に限らず洗浄装置、他のエッチング装置等、また
常圧，減圧または陽圧とした処理室内で被処理体を処理
ガスにより処理する処理装置であれば、あらゆる処理装
置に適用することができる。Although the above embodiment has been described as applied to a natural oxide film removing apparatus for removing a natural oxide film formed on the surface of a semiconductor wafer, the present invention is not limited to this embodiment. Applicable to any device in the process of supplying a processing gas flow to the object to be processed,
Various modifications can be made within the scope of the present invention.
Further, it is needless to say that not only the natural oxide film treatment but also an oxide film or a nitride film treatment is possible, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. Further, not only the natural oxide film removing device but also a cleaning device, another etching device, etc., and any processing device as long as it is a processing device for processing an object to be processed with a processing gas in a processing chamber under normal pressure, reduced pressure or positive pressure. Can be applied to.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明は、前記被処理体の表面及び裏面
に処理ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の水平
方向にリング状に排気口を設けるとともに、この排気口
より前記処理ガスを排気する排気手段を設けたことによ
り、被処理体の回転に伴う処理ガスの渦流の発生を抑制
することができ、被処理体の表面と裏面をより均一かつ
同時に処理することができるという顕著な効果がある。According to the present invention, a supply means for supplying a processing gas to the front and back surfaces of the object to be processed and a ring-shaped exhaust port are provided in the horizontal direction of the object to be processed, and the process is performed from the exhaust port. By providing the exhausting means for exhausting the gas, it is possible to suppress the generation of the vortex of the processing gas due to the rotation of the object to be processed, and it is possible to more uniformly and simultaneously process the front surface and the back surface of the object. It has a remarkable effect.
【００２８】[0028]
【図１】本発明に係る第１の実施例を説明するための自
然酸化膜除去装置を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a natural oxide film removing apparatus for explaining a first embodiment according to the present invention.
【図２】図１を成膜処理炉と接続したシステムに用いた
実施例を説明する概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an example in which FIG. 1 is used in a system in which a film formation processing furnace is connected.
【図３】図１の処理作用を具体的に説明する部分概略断
面図である。FIG. 3 is a partial schematic cross-sectional view for specifically explaining the processing operation of FIG.
【図４】[Figure 4]
【ａ】従来の処理作用を具体的に説明する部分概略断面
図である。[A] It is a partial schematic cross-sectional view for specifically explaining a conventional processing operation.
【ｂ】従来の処理作用を具体的に説明する部分概略断面
図である。FIG. 7B is a partial schematic cross-sectional view for specifically explaining the conventional processing operation.
【図５】[Figure 5]
【ａ】他の排気口の実施例を説明する部分概略断面図で
ある。FIG. 7A is a partial schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the exhaust port.
【ｂ】他の供給手段の実施例を説明する部分概略断面図
である。[B] It is a partial schematic cross-sectional view for explaining an embodiment of another supply means.
【図６】他の排気手段の実施例を説明する部分概略断面
図である。FIG. 6 is a partial schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the exhaust means.
１ 自然酸化膜除去装置 ２ 処理室 ３ 被処理体（半導体ウエハ） ４ 載置台 ６ 回転手段 ９ 裏面処理ガス供給管 １０ 表面処理ガス供給管 １３ 供給手段 ７０ 排気口 ７４ 排気手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Natural oxide film removing device 2 Processing chamber 3 Object to be processed (semiconductor wafer) 4 Mounting table 6 Rotating means 9 Backside processing gas supply pipe 10 Surface processing gas supply pipe 13 Supply means 70 Exhaust port 74 Exhaust means
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 9277−4Ｍ 21/31 Ｂ Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/302 B 9277-4M 21/31 B
Claims (2)
理室と、この処理室内に前記被処理体を保持する保持機
構を設けた載置台を備えた処理装置において、前記被処
理体を回転させる回転手段と、前記被処理体の表面及び
裏面に処理ガスを供給する供給手段と、前記被処理体の
水平方向にリング状に排気口を設けるとともに、この排
気口より前記処理ガスを排気する排気手段を設けたこと
を特徴とする処理装置。1. A processing apparatus including a processing chamber for processing an object to be processed in a processing gas atmosphere, and a mounting table provided with a holding mechanism for holding the object to be processed in the processing chamber, wherein the object is rotated. Rotating means, supply means for supplying processing gas to the front and back surfaces of the object to be processed, and a ring-shaped exhaust port in the horizontal direction of the object to be processed, and the processing gas is exhausted from the exhaust port. A processing apparatus comprising an exhaust means.
理室と、この処理室内を排気する排気手段を備えた処理
装置において、前記排気手段は前記処理室の内部圧力と
前記処理ガスと非反応性の気体の通流部の差圧の作用に
より処理室内を排気する排気手段としたことを特徴とす
る処理装置。2. A processing apparatus comprising a processing chamber for processing an object to be processed in a processing gas atmosphere and an exhaust means for exhausting the inside of the processing chamber, wherein the exhaust means excludes the internal pressure of the processing chamber and the processing gas. A processing apparatus comprising an exhaust means for exhausting the inside of a processing chamber by the action of a differential pressure of a reactive gas flow portion.
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|---|---|---|---|
| JP04309717A JP3118737B2 (en) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | Processing method of the object |
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