JPH0613646A - ソリッドステートリレー - Google Patents
ソリッドステートリレーInfo
- Publication number
- JPH0613646A JPH0613646A JP16659192A JP16659192A JPH0613646A JP H0613646 A JPH0613646 A JP H0613646A JP 16659192 A JP16659192 A JP 16659192A JP 16659192 A JP16659192 A JP 16659192A JP H0613646 A JPH0613646 A JP H0613646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- light emitting
- pair
- emitting diode
- lead terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】部品点数を少なくし、組立が容易で低コストの
ソリッドステートリレーを提供する。 【構成】一対のラテラル構造のサイリスタを並列接続
し、両サイリスタのゲート部に発光ダイオードの発光部
を光結合したソリッドステートリレー。サイリスタ取着
部と発光ダイオード取着部とを各一対の入出力用リード
端子板の一方の先端部に形成する。サイリスタ取着部に
一対のサイリスタチップを絶縁性接着剤にて取着すると
ともに、発光ダイオード取着部に発光ダイオードチップ
を取着する。両サイリスタチップおよび発光ダイオード
チップをカップリング用合成樹脂でモールディングす
る。
ソリッドステートリレーを提供する。 【構成】一対のラテラル構造のサイリスタを並列接続
し、両サイリスタのゲート部に発光ダイオードの発光部
を光結合したソリッドステートリレー。サイリスタ取着
部と発光ダイオード取着部とを各一対の入出力用リード
端子板の一方の先端部に形成する。サイリスタ取着部に
一対のサイリスタチップを絶縁性接着剤にて取着すると
ともに、発光ダイオード取着部に発光ダイオードチップ
を取着する。両サイリスタチップおよび発光ダイオード
チップをカップリング用合成樹脂でモールディングす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交流制御用の制御部品
として用いられるソリッドステートリレーに関するもの
である。
として用いられるソリッドステートリレーに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のソリッドステートリレー
は、図３に示すように、ゲート部への光照射によってオ
ン、オフされる一対のラテラル構造のサイリスタＱａ，
Ｑｂを並列接続し、両サイリスタＱａ，Ｑｂのゲート部
に発光ダイオードＬＥＤの発光部を光結合して形成され
ていた。
は、図３に示すように、ゲート部への光照射によってオ
ン、オフされる一対のラテラル構造のサイリスタＱａ，
Ｑｂを並列接続し、両サイリスタＱａ，Ｑｂのゲート部
に発光ダイオードＬＥＤの発光部を光結合して形成され
ていた。
【０００３】図４ないし図６は構成を示すもので、リー
ド端子板１ａ〜１ｄが形成されたリードフレームに絶縁
性のセラミック基板７を接着し、セラミック基板７に両
サイリスタチップＱａ，Ｑｂを取着するとともに、リー
ドフレーム１ａの先端部に設けられた発光ダイオード取
着部４に発光ダイオードチップＬＥＤを取着し、両サイ
リスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬ
ＥＤの各端子を各リード端子板１ａ〜１ｄにボンディン
グし、両サイリスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオ
ードチップＬＥＤをカップリング用合成樹脂５でモール
ディングし、発光ダイオードチップＬＥＤの発光部から
の光をカップリング用合成樹脂５を介して両サイリスタ
チップＱａ，Ｑｂのゲート部に入力させている。また、
素子部全体をモールド樹脂６にてモールドしている。
ド端子板１ａ〜１ｄが形成されたリードフレームに絶縁
性のセラミック基板７を接着し、セラミック基板７に両
サイリスタチップＱａ，Ｑｂを取着するとともに、リー
ドフレーム１ａの先端部に設けられた発光ダイオード取
着部４に発光ダイオードチップＬＥＤを取着し、両サイ
リスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬ
ＥＤの各端子を各リード端子板１ａ〜１ｄにボンディン
グし、両サイリスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオ
ードチップＬＥＤをカップリング用合成樹脂５でモール
ディングし、発光ダイオードチップＬＥＤの発光部から
の光をカップリング用合成樹脂５を介して両サイリスタ
チップＱａ，Ｑｂのゲート部に入力させている。また、
素子部全体をモールド樹脂６にてモールドしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例にあっては、ラテラル構造（ＰＮＰＮ構造）のサ
イリスタＱａ，Ｑｂの場合、裏面がＮ層となっているの
で、サイリスタＱａ，Ｑｂをリード端子板１ｃ，１ｄと
絶縁して取着する必要があり、そのため絶縁性セラミッ
ク板７を用いていた。したがって、絶縁性セラミック板
７を用いているために部品点数が多くなるとともに、組
立が面倒になり、コストが高くなってしまうという問題
があった。
従来例にあっては、ラテラル構造（ＰＮＰＮ構造）のサ
イリスタＱａ，Ｑｂの場合、裏面がＮ層となっているの
で、サイリスタＱａ，Ｑｂをリード端子板１ｃ，１ｄと
絶縁して取着する必要があり、そのため絶縁性セラミッ
ク板７を用いていた。したがって、絶縁性セラミック板
７を用いているために部品点数が多くなるとともに、組
立が面倒になり、コストが高くなってしまうという問題
があった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、絶縁性セラミック板を
用いることなくサイリスタチップをリード端子板に対し
て絶縁して取着でき、従来例に比べて部品点数が少なく
なるとともに、組立が容易になり、コスト低減を図るこ
とができるソリッドステートリレーを提供することにあ
る。
あり、その目的とするところは、絶縁性セラミック板を
用いることなくサイリスタチップをリード端子板に対し
て絶縁して取着でき、従来例に比べて部品点数が少なく
なるとともに、組立が容易になり、コスト低減を図るこ
とができるソリッドステートリレーを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のソリッドステー
トリレーは、ゲート部への光照射によってオン、オフさ
れる一対のラテラル構造のサイリスタを並列接続し、両
サイリスタのゲート部に発光ダイオードの発光部を光結
合したソリッドステートリレーにおいて、サイリスタ取
着部と発光ダイオード取着部とをリードフレームよりな
る各一対の入出力用リード端子板の一方の先端部に形成
し、サイリスタ取着部に一対のサイリスタチップを絶縁
性接着剤にて取着するとともに、発光ダイオード取着部
に発光ダイオードチップを取着し、両サイリスタチップ
および発光ダイオードチップの各端子を各リード端子板
にボンディングし、両サイリスタチップおよび発光ダイ
オードチップをカップリング用合成樹脂でモールディン
グし、発光ダイオードチップの発光部からの光をカップ
リング用合成樹脂を介して両サイリスタチップのゲート
部に入力させるようにしたものである。
トリレーは、ゲート部への光照射によってオン、オフさ
れる一対のラテラル構造のサイリスタを並列接続し、両
サイリスタのゲート部に発光ダイオードの発光部を光結
合したソリッドステートリレーにおいて、サイリスタ取
着部と発光ダイオード取着部とをリードフレームよりな
る各一対の入出力用リード端子板の一方の先端部に形成
し、サイリスタ取着部に一対のサイリスタチップを絶縁
性接着剤にて取着するとともに、発光ダイオード取着部
に発光ダイオードチップを取着し、両サイリスタチップ
および発光ダイオードチップの各端子を各リード端子板
にボンディングし、両サイリスタチップおよび発光ダイ
オードチップをカップリング用合成樹脂でモールディン
グし、発光ダイオードチップの発光部からの光をカップ
リング用合成樹脂を介して両サイリスタチップのゲート
部に入力させるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明は上述のように、一対の出力用リード端
子板１ｃ，１ｄの一方１ｄの先端部に形成されたサイリ
スタ取着部２に一対のサイリスタチップＱａ，Ｑｂを絶
縁性接着剤３にて取着しているので、従来例のように絶
縁性セラミック板７を用いることなく、サイリスタチッ
プＱａ，Ｑｂをリード端子板１ｄに対して絶縁して取着
できる。
子板１ｃ，１ｄの一方１ｄの先端部に形成されたサイリ
スタ取着部２に一対のサイリスタチップＱａ，Ｑｂを絶
縁性接着剤３にて取着しているので、従来例のように絶
縁性セラミック板７を用いることなく、サイリスタチッ
プＱａ，Ｑｂをリード端子板１ｄに対して絶縁して取着
できる。
【０００８】
【実施例】図１および図２は本発明一実施例を示すもの
で、従来例と同様のソリッドステートリレーにおいて、
サイリスタ取着部２を一対の出力用リード端子板１ｃ，
１ｄのうちの一方のリード端子板１ｄの先端に形成する
とともに、発光ダイオード取着部４を一対の入力用リー
ド端子板１ａ，１ｂの一方のリード端子板１ａの先端部
に形成し、サイリスタ取着部２に一対のサイリスタチッ
プＱａ，Ｑｂをポリイミド樹脂よりなる絶縁性接着剤３
にて取着するとともに、発光ダイオード取着部４に発光
ダイオードチップＬＥＤを取着し、両サイリスタチップ
Ｑａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬＥＤの各端子
を各リード端子板１ａ〜１ｄにボンディングし、両サイ
リスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬ
ＥＤをカップリング用合成樹脂５でモールディングして
いる。なお、サイリスタ取着部２はサイリスタＱａ，Ｑ
ｂの放熱板を兼ねている。
で、従来例と同様のソリッドステートリレーにおいて、
サイリスタ取着部２を一対の出力用リード端子板１ｃ，
１ｄのうちの一方のリード端子板１ｄの先端に形成する
とともに、発光ダイオード取着部４を一対の入力用リー
ド端子板１ａ，１ｂの一方のリード端子板１ａの先端部
に形成し、サイリスタ取着部２に一対のサイリスタチッ
プＱａ，Ｑｂをポリイミド樹脂よりなる絶縁性接着剤３
にて取着するとともに、発光ダイオード取着部４に発光
ダイオードチップＬＥＤを取着し、両サイリスタチップ
Ｑａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬＥＤの各端子
を各リード端子板１ａ〜１ｄにボンディングし、両サイ
リスタチップＱａ，Ｑｂおよび発光ダイオードチップＬ
ＥＤをカップリング用合成樹脂５でモールディングして
いる。なお、サイリスタ取着部２はサイリスタＱａ，Ｑ
ｂの放熱板を兼ねている。
【０００９】いま、出力リード端子板１ｄの先端部に形
成されたサイリスタ取着部２に取着されるサイリスタチ
ップＱａ，Ｑｂは、ポリイミド樹脂よりなる絶縁性接着
剤３を用いて取着しており、リード端子板１ｄとサイリ
スタＱａ，Ｑｂとが確実に絶縁できる。この場合、従来
例のような絶縁性セラミック板７を用いる必要がなく、
従来例に比べて部品点数が少なくなるとともに、組立が
容易になり、コスト低減を図ることができる。
成されたサイリスタ取着部２に取着されるサイリスタチ
ップＱａ，Ｑｂは、ポリイミド樹脂よりなる絶縁性接着
剤３を用いて取着しており、リード端子板１ｄとサイリ
スタＱａ，Ｑｂとが確実に絶縁できる。この場合、従来
例のような絶縁性セラミック板７を用いる必要がなく、
従来例に比べて部品点数が少なくなるとともに、組立が
容易になり、コスト低減を図ることができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明は上述のように、一対の出力リー
ド端子板の一方の先端部に形成されたサイリスタ取着部
に一対のサイリスタチップを絶縁性接着剤にて取着して
おり、絶縁性セラミック板を用いることなくサイリスタ
チップをリード端子板に対して絶縁して取着できるの
で、従来例に比べて部品点数が少なくなるとともに、組
立が容易になり、コスト低減を図ることができるという
効果がある。
ド端子板の一方の先端部に形成されたサイリスタ取着部
に一対のサイリスタチップを絶縁性接着剤にて取着して
おり、絶縁性セラミック板を用いることなくサイリスタ
チップをリード端子板に対して絶縁して取着できるの
で、従来例に比べて部品点数が少なくなるとともに、組
立が容易になり、コスト低減を図ることができるという
効果がある。
【図１】本発明一実施例を示す正面図である。
【図２】同上の断面図である。
【図３】本発明に係るソリッドステートリレーの回路図
である。
である。
【図４】（ａ）（ｂ）は従来例の正面図および断面図で
ある。
ある。
【図５】同上の断面図である。
【図６】同上の要部拡大断面図である。
１ａ〜１ｄ リード端子板 ２ サイリスタ取着部 ３ 絶縁性接着剤 ４ 発光ダイオード取着部 ５ カップリング用合成樹脂 ６ モールド樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】ゲート部への光照射によってオン、オフさ
れる一対のラテラル構造のサイリスタを並列接続し、両
サイリスタのゲート部に発光ダイオードの発光部を光結
合したソリッドステートリレーにおいて、サイリスタ取
着部と発光ダイオード取着部とをリードフレームよりな
る各一対の入出力用リード端子板の一方の先端部に形成
し、サイリスタ取着部に一対のサイリスタチップを絶縁
性接着剤にて取着するとともに、発光ダイオード取着部
に発光ダイオードチップを取着し、両サイリスタチップ
および発光ダイオードチップの各端子を各リード端子板
にボンディングし、両サイリスタチップおよび発光ダイ
オードチップをカップリング用合成樹脂でモールディン
グし、発光ダイオードチップの発光部からの光をカップ
リング用合成樹脂を介して両サイリスタチップのゲート
部に入力させるようにしたことを特徴とするソリッドス
テートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16659192A JPH0613646A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | ソリッドステートリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16659192A JPH0613646A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | ソリッドステートリレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613646A true JPH0613646A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15834124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16659192A Withdrawn JPH0613646A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | ソリッドステートリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187523A3 (en) * | 2000-09-07 | 2005-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | High-frequency module and manufacturing method of the same |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16659192A patent/JPH0613646A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187523A3 (en) * | 2000-09-07 | 2005-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | High-frequency module and manufacturing method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |