JPS6164174A - スイツチング素子 - Google Patents
スイツチング素子Info
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- JPS6164174A JPS6164174A JP59186095A JP18609584A JPS6164174A JP S6164174 A JPS6164174 A JP S6164174A JP 59186095 A JP59186095 A JP 59186095A JP 18609584 A JP18609584 A JP 18609584A JP S6164174 A JPS6164174 A JP S6164174A
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- Japan
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- phototransistor
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- onto
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はホトカプラとパワートランジスタとを一体化し
たスイッチング素子に関する。
たスイッチング素子に関する。
〈従来技術〉
DCモータやソレノイド等の負荷を駆動するのに、一般
にパワートランジスタが用いられる。このパワートラン
ジスタは電流増幅率hfeが10ないし100と小さい
ため、第2図に示すようにダーリントン接続を行なって
用いる。このダーリントン接続の初段のトランジスタQ
1の電流増幅率がhfe1.パワートランジスタQ2の
電流増幅率がhfe2であると、全体としての電流増幅
率はhfe1X hfe2になる。
にパワートランジスタが用いられる。このパワートラン
ジスタは電流増幅率hfeが10ないし100と小さい
ため、第2図に示すようにダーリントン接続を行なって
用いる。このダーリントン接続の初段のトランジスタQ
1の電流増幅率がhfe1.パワートランジスタQ2の
電流増幅率がhfe2であると、全体としての電流増幅
率はhfe1X hfe2になる。
実際にこのダーリントンパワートランジスタは、第3図
と第4図に示すように、1個のチップに2個のトランジ
スタが組み込まれる。第5図はこのダーリントンパワー
トランジスタの回路構成を示す。
と第4図に示すように、1個のチップに2個のトランジ
スタが組み込まれる。第5図はこのダーリントンパワー
トランジスタの回路構成を示す。
従来、このダーリントンパワートランジスタを用いて負
荷への給電を断続する場合、第6図に示すように、負荷
側の回路に発生したノイズnがダーリントンパワートラ
ンジスタDTを介してこのダーリントンパワートランジ
スタDTを制御する論理回路LCに伝わり、論理回路L
Cを誤動作させたり損傷を与えたりするという問題があ
った。
荷への給電を断続する場合、第6図に示すように、負荷
側の回路に発生したノイズnがダーリントンパワートラ
ンジスタDTを介してこのダーリントンパワートランジ
スタDTを制御する論理回路LCに伝わり、論理回路L
Cを誤動作させたり損傷を与えたりするという問題があ
った。
特に、負荷がモータやソレノイドなどの誘導性の場合に
、この問題点が多く発生していた。
、この問題点が多く発生していた。
この問題点を解決するために、第7図に示すように、パ
ワートランジスタQ2とホトカプラPCのホトトランジ
スタPTとをダーリントン接続し、ホトカプラPCの発
光ダイオードLEDに論理回路LCを接続することによ
り、負荷側回路と論理回路LCとを電気的に絶縁するこ
とが行なわれる。
ワートランジスタQ2とホトカプラPCのホトトランジ
スタPTとをダーリントン接続し、ホトカプラPCの発
光ダイオードLEDに論理回路LCを接続することによ
り、負荷側回路と論理回路LCとを電気的に絶縁するこ
とが行なわれる。
〈発明の目的〉
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、ホトカプラとパワートランジスタを1つのパッケ
ージに一体化したスイッチング素子を提供することであ
る。
的は、ホトカプラとパワートランジスタを1つのパッケ
ージに一体化したスイッチング素子を提供することであ
る。
〈発明の構成〉
本考案においては、1つの放熱板の上にホトカプラとパ
ワートランジスタを配置し、上記ホトカプラを構成する
ホトトランジスタと上記パワートランジスタとを接続し
たことを特徴とする。
ワートランジスタを配置し、上記ホトカプラを構成する
ホトトランジスタと上記パワートランジスタとを接続し
たことを特徴とする。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例について説明する。
第1図はスイッチング素子の断面構成を示す。
放熱板1の上に、ホトトランジスタ2と発光ダイオード
3からなるホトカプラと、パワートランジスタ4が配置
される。ホトトランジスタ2は導電ペースト5によって
放熱板1上に接合され、このホトトランジスタ2の上に
ガラス等の透光性絶縁物6が透明接着剤で接着される。
3からなるホトカプラと、パワートランジスタ4が配置
される。ホトトランジスタ2は導電ペースト5によって
放熱板1上に接合され、このホトトランジスタ2の上に
ガラス等の透光性絶縁物6が透明接着剤で接着される。
そして、この店先性絶縁物6の上に発光ダイオード3が
透明接着剤で接合される。パワートランジスタ4は、は
んだ7により放熱板1上に接合される。
透明接着剤で接合される。パワートランジスタ4は、は
んだ7により放熱板1上に接合される。
結線は、発光ダイオード3のアノードとカソードの配線
8,8と、ホトトランジスタ2のエミッタ電極9とパワ
ートランジスタ4のヘース電極lOとの配線11が、2
5μ金線で行なわれ、パワートランジスタ4のエミッタ
電極12には、大電流用のアルミ大径線による配線13
が行なわれる。
8,8と、ホトトランジスタ2のエミッタ電極9とパワ
ートランジスタ4のヘース電極lOとの配線11が、2
5μ金線で行なわれ、パワートランジスタ4のエミッタ
電極12には、大電流用のアルミ大径線による配線13
が行なわれる。
上述のように構成した後、全体をトランスファモールド
によって樹脂封止するかまたはキャンシールを行なうこ
とにより、パッケージングが施される。
によって樹脂封止するかまたはキャンシールを行なうこ
とにより、パッケージングが施される。
以上のプロセスを経て、1つのパッケージ内にホトカプ
ラとパワートランジスタが組み込まれ、光絶縁型のスイ
ッチング素子が形成される。
ラとパワートランジスタが組み込まれ、光絶縁型のスイ
ッチング素子が形成される。
なお、第1図の構造において、第5図に示す抵抗R1,
R2及びダイオードDも1つのチップ内に組み込むこと
は十分可能である。
R2及びダイオードDも1つのチップ内に組み込むこと
は十分可能である。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明においては、入力側と出力
側が電気的に絶縁されるので、耐ノイズ性に優れるとと
もに、入力側と出力側に大きい電位差があっても使用で
きる。また、パワートランジスタとホトカプラを1つの
パッケージ内に組み込むので、パワートランジスタとホ
トカプラを別々に配置して回路を構成する場合に比べて
、設置スペースとコストの点で有利である。
側が電気的に絶縁されるので、耐ノイズ性に優れるとと
もに、入力側と出力側に大きい電位差があっても使用で
きる。また、パワートランジスタとホトカプラを1つの
パッケージ内に組み込むので、パワートランジスタとホ
トカプラを別々に配置して回路を構成する場合に比べて
、設置スペースとコストの点で有利である。
第1図は本発明の実施例を示す断面図、第2図はトラン
ジスタのダーリントン接続の回路図、第3図はダーリン
トンパワートランジスタの平面断面図、第4図は第3図
の正面断面図、第5図はダーリントンパワートランジス
タの回路図、第6図はダーリントンパワートランジスタ
を用いた負荷の駆動回路を示す回路図、第7図はホトカ
プラを用いた負荷の駆動回路を示す回路図である。 1−放熱板 2・・−ホトトランジスタ3−発
光ダイオード 4−・パワー、トランジスタ11・・−
配線
ジスタのダーリントン接続の回路図、第3図はダーリン
トンパワートランジスタの平面断面図、第4図は第3図
の正面断面図、第5図はダーリントンパワートランジス
タの回路図、第6図はダーリントンパワートランジスタ
を用いた負荷の駆動回路を示す回路図、第7図はホトカ
プラを用いた負荷の駆動回路を示す回路図である。 1−放熱板 2・・−ホトトランジスタ3−発
光ダイオード 4−・パワー、トランジスタ11・・−
配線
Claims (1)
- (1)1つの放熱板の上にホトカプラとパワートランジ
スタを配置し、上記ホトカプラを構成するホトトランジ
スタと上記パワートランジスタとを接続したことを特徴
とするスイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59186095A JPS6164174A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スイツチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59186095A JPS6164174A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スイツチング素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6164174A true JPS6164174A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16182277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59186095A Pending JPS6164174A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スイツチング素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6164174A (ja) |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59186095A patent/JPS6164174A/ja active Pending
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