JPH0613641A - 光検出器及びその製造方法 - Google Patents
光検出器及びその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 他のデバイスとの集積化が可能な平面構造量
子井戸赤外光検出器を提供すること。 【構成】 本発明の光検出器は、一対のコンタクト（２
４、２１）層及び対応するオーミックコンタクト（２
５、２６）の間に配置された多重量子井戸スタック（２
０）を有する型の量子井戸光検出器において、前記量子
井戸スタック及び前記コンタクト層のうちの少なくとも
一方が半導体素材内に埋め込まれていることを特徴とす
る。
子井戸赤外光検出器を提供すること。 【構成】 本発明の光検出器は、一対のコンタクト（２
４、２１）層及び対応するオーミックコンタクト（２
５、２６）の間に配置された多重量子井戸スタック（２
０）を有する型の量子井戸光検出器において、前記量子
井戸スタック及び前記コンタクト層のうちの少なくとも
一方が半導体素材内に埋め込まれていることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量子井戸フォトデテク
タ（光検出器）に関し、特に表面のトポグラフィが本質
的に平面であるようなフォトデテクタに関する。
タ（光検出器）に関し、特に表面のトポグラフィが本質
的に平面であるようなフォトデテクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトデテクタは、光通信、画像センシ
ング及び計測を含む広範な領域において興味をもたれて
いる。量子井戸赤外フォトデテクタ（ＱＷＩＰ）は、そ
の低い暗電流及び高い応答性のために、高速赤外フォト
デテクタとしてかなり有望であると目されている。
ング及び計測を含む広範な領域において興味をもたれて
いる。量子井戸赤外フォトデテクタ（ＱＷＩＰ）は、そ
の低い暗電流及び高い応答性のために、高速赤外フォト
デテクタとしてかなり有望であると目されている。
【０００３】特に有利なＱＷＩＰ構造が、シー・ジー・
ベセア（Ｃ．Ｇ．Ｂｅｔｈｅａ）らによる”赤外放射検
出器”という名称の米国特許第４，８９４，５２６号に
記載されている。その一実施例においては、ＱＷＩＰ
は、電子に対する単一の束縛状態を有する、複数個のＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸より構成されている。入
力赤外放射は電子をその束縛状態から伝導帯へと励起
し、集合電流に寄与する。
ベセア（Ｃ．Ｇ．Ｂｅｔｈｅａ）らによる”赤外放射検
出器”という名称の米国特許第４，８９４，５２６号に
記載されている。その一実施例においては、ＱＷＩＰ
は、電子に対する単一の束縛状態を有する、複数個のＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸より構成されている。入
力赤外放射は電子をその束縛状態から伝導帯へと励起
し、集合電流に寄与する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術に係るＱＷＩ
Ｐの限界は、量子井戸領域が、通常、下層に位置するｎ
+半導体コンタクト層から３μｍあるいはそれ以上突出
したメサ構造として作製されることである。このメサは
非常に大きな段差であり、同一の基板上の他の電子デバ
イスとの集積化が容易ではなくなってしまう。さらに、
デバイスの活性領域の側壁が露出しているために、汚染
や放射などの劣化の効果を受け易い構造になっている。
メサ構造というトポグラフィが集積化に適していないた
めに、従来技術に係るＱＷＩＰは、集積回路を含む他の
基板に対してアラインメントされて接着されるように充
分に大きく作製されなければならなかった。より小さな
メサが望ましいのではあるが、この接着に関する要求の
ために最小メサ径がおよそ３０μｍに制限されていた。
従って、メサ構造というトポグラフィを有さないＱＷＩ
Ｐ構造が望まれている。
Ｐの限界は、量子井戸領域が、通常、下層に位置するｎ
+半導体コンタクト層から３μｍあるいはそれ以上突出
したメサ構造として作製されることである。このメサは
非常に大きな段差であり、同一の基板上の他の電子デバ
イスとの集積化が容易ではなくなってしまう。さらに、
デバイスの活性領域の側壁が露出しているために、汚染
や放射などの劣化の効果を受け易い構造になっている。
メサ構造というトポグラフィが集積化に適していないた
めに、従来技術に係るＱＷＩＰは、集積回路を含む他の
基板に対してアラインメントされて接着されるように充
分に大きく作製されなければならなかった。より小さな
メサが望ましいのではあるが、この接着に関する要求の
ために最小メサ径がおよそ３０μｍに制限されていた。
従って、メサ構造というトポグラフィを有さないＱＷＩ
Ｐ構造が望まれている。
【０００５】図１は、従来技術の限界を理解するのに適
した、従来技術に係るメサ構造量子井戸赤外フォトデテ
クタ（ＱＷＩＰ）の断面図である。従来技術に係るＱＷ
ＩＰは、ＧａＡｓ基板１２のｎ+表面上に突出したメサ
構造をとる、多重量子井戸スタック１０と呼称される複
数個の量子井戸を有している。第二のｎ+領域１４が前
記メサ構造の上部表面上に配設されてコンタクト層とし
て機能し、上部及び下部のオーミックコンタクト１５及
び１６が、それそれ従来技術において公知の方法によ
り、各々のｎ+層上に形成されている。この種のデバイ
スの実例は、前掲のベセアらによる米国特許第４，８９
４，５２６号に記載されている。
した、従来技術に係るメサ構造量子井戸赤外フォトデテ
クタ（ＱＷＩＰ）の断面図である。従来技術に係るＱＷ
ＩＰは、ＧａＡｓ基板１２のｎ+表面上に突出したメサ
構造をとる、多重量子井戸スタック１０と呼称される複
数個の量子井戸を有している。第二のｎ+領域１４が前
記メサ構造の上部表面上に配設されてコンタクト層とし
て機能し、上部及び下部のオーミックコンタクト１５及
び１６が、それそれ従来技術において公知の方法によ
り、各々のｎ+層上に形成されている。この種のデバイ
スの実例は、前掲のベセアらによる米国特許第４，８９
４，５２６号に記載されている。
【０００６】従来技術に係る構造の限界は、図１より理
解される。表面１１上の通常４μｍの高さを有するメサ
構造は、大きな露出させられた側壁１３を有している。
このメサ構造によってもたらされた極端なトポグラフィ
は、同一チップ上の他の素子との集積化を容易ではない
ものにしている。さらに、デバイスの活性領域の側壁が
露出しているために、汚染や放射などの劣化の効果を受
け易い構造になっている。従って、本発明の目的は、他
のデバイスとの集積化が可能な平面構造量子井戸赤外光
検出器を提供することである。
解される。表面１１上の通常４μｍの高さを有するメサ
構造は、大きな露出させられた側壁１３を有している。
このメサ構造によってもたらされた極端なトポグラフィ
は、同一チップ上の他の素子との集積化を容易ではない
ものにしている。さらに、デバイスの活性領域の側壁が
露出しているために、汚染や放射などの劣化の効果を受
け易い構造になっている。従って、本発明の目的は、他
のデバイスとの集積化が可能な平面構造量子井戸赤外光
検出器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の原理に従ってメ
サ構造というトポグラフィを有さないＱＷＩＰが実現さ
れ、技術的な進歩がなされる。本発明に係る方法におい
てはイオン打ち込み素子分離技術が用いられ、露出させ
られた側壁を有さず、従来技術に係るメサ構造ＱＷＩＰ
と同程度の性能を有する実質的に平面構造の量子井戸フ
ォトデテクタが作製され得る。本発明に従って作製され
た平面構造フォトデテクタは他の電子素子との集積化に
適したトポグラフィを有しており、さらに、接着された
従来技術に係るデバイスよりも小さな大きさまで縮小さ
れ得る。
サ構造というトポグラフィを有さないＱＷＩＰが実現さ
れ、技術的な進歩がなされる。本発明に係る方法におい
てはイオン打ち込み素子分離技術が用いられ、露出させ
られた側壁を有さず、従来技術に係るメサ構造ＱＷＩＰ
と同程度の性能を有する実質的に平面構造の量子井戸フ
ォトデテクタが作製され得る。本発明に従って作製され
た平面構造フォトデテクタは他の電子素子との集積化に
適したトポグラフィを有しており、さらに、接着された
従来技術に係るデバイスよりも小さな大きさまで縮小さ
れ得る。
【０００８】
【実施例】図２は、本発明に係る、極端なメサ構造トポ
グラフィを回避し、露出させられた側壁を有さず、他の
素子との集積化を容易にする配置を実現したＱＷＩＰの
断面図である。図２のＱＷＩＰは、ＧａＡｓ基板２２の
ｎ+表面上に成長させられた多重量子井戸スタック２０
を有している。従来技術に係るメサ構造素子分離の代わ
りに、スタック２０は隣接する領域２３とイオン打ち込
みによって分離されている。第二のｎ+領域２４が前記
多重量子井戸スタックの頂部に配設されていてコンタク
ト層として機能する。貫通孔をエッチングにより形成す
る方法あるいは領域２３を通してイオン打ち込みを行な
う方法のうちのいずれかにより、表面２１への導電性経
路２７が実現され、金属コンタクト２５及び２６が形成
される。
グラフィを回避し、露出させられた側壁を有さず、他の
素子との集積化を容易にする配置を実現したＱＷＩＰの
断面図である。図２のＱＷＩＰは、ＧａＡｓ基板２２の
ｎ+表面上に成長させられた多重量子井戸スタック２０
を有している。従来技術に係るメサ構造素子分離の代わ
りに、スタック２０は隣接する領域２３とイオン打ち込
みによって分離されている。第二のｎ+領域２４が前記
多重量子井戸スタックの頂部に配設されていてコンタク
ト層として機能する。貫通孔をエッチングにより形成す
る方法あるいは領域２３を通してイオン打ち込みを行な
う方法のうちのいずれかにより、表面２１への導電性経
路２７が実現され、金属コンタクト２５及び２６が形成
される。
【０００９】本発明に係るデバイスの作製及び構造は、
以下に記述される実施例を考察することによってより詳
細に理解される。この実施例においては、デバイス構造
は、半導体基板上に多重量子井戸スタック及びコンタク
トのための層を成長させるために分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）技法を用いることによって作製されうる。
以下に記述される実施例を考察することによってより詳
細に理解される。この実施例においては、デバイス構造
は、半導体基板上に多重量子井戸スタック及びコンタク
トのための層を成長させるために分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）技法を用いることによって作製されうる。
【００１０】作製プロセスにおける第一の段階は、Ｇａ
Ａｓなどの半導体基板を用意し、１μｍ厚のｎ+型にド
ープされたＧａＡｓなどよりなるコンタクト層２１を作
製することである。
Ａｓなどの半導体基板を用意し、１μｍ厚のｎ+型にド
ープされたＧａＡｓなどよりなるコンタクト層２１を作
製することである。
【００１１】次の段階は、４０オングストローム厚のＧ
ａＡｓ量子井戸（１ｘ１０18ｃｍ-3の不純物を有するｎ
型）と５００オングストローム厚のＡｌ0.28Ｇａ0.72Ａ
ｓバリア層とを５０周期成長させることによって多重量
子井戸スタック２０を成長させる段階である。
ａＡｓ量子井戸（１ｘ１０18ｃｍ-3の不純物を有するｎ
型）と５００オングストローム厚のＡｌ0.28Ｇａ0.72Ａ
ｓバリア層とを５０周期成長させることによって多重量
子井戸スタック２０を成長させる段階である。
【００１２】スタック２０上に成長させられた頂部コン
タクト層２４は０．５μｍ厚のｎ+型にドープされたＧ
ａＡｓ層である。
タクト層２４は０．５μｍ厚のｎ+型にドープされたＧ
ａＡｓ層である。
【００１３】必要な層が成長させられた後、活性量子井
戸領域がマスクされる。ここで、活性量子井戸領域は、
上部表面上に（およそ５μｍの厚さの）厚い光レジスト
からなる円形のパターンを光リソグラフィ技法を用いて
形成することにより規定される。その後、前記パターン
をマスク材としてイオン打ち込み素子分離が形成され
る。１５、２５、５０、１００及び２００μｍの大きさ
の前記パターンを用いて相異なったサイズのデバイスが
作製された。より詳細に述べれば、スタック２０は、周
囲の領域に、それぞれ２００及び３５０ＫｅＶのエネル
ギーを有し、それぞれ８ｘ１０12及び１ｘ１０15ｃｍ-2
のドーズ量を有する、Ｆ+（あるいはＯ+）及びＨ+イオ
ンを打ち込むことにより素子分離される。
戸領域がマスクされる。ここで、活性量子井戸領域は、
上部表面上に（およそ５μｍの厚さの）厚い光レジスト
からなる円形のパターンを光リソグラフィ技法を用いて
形成することにより規定される。その後、前記パターン
をマスク材としてイオン打ち込み素子分離が形成され
る。１５、２５、５０、１００及び２００μｍの大きさ
の前記パターンを用いて相異なったサイズのデバイスが
作製された。より詳細に述べれば、スタック２０は、周
囲の領域に、それぞれ２００及び３５０ＫｅＶのエネル
ギーを有し、それぞれ８ｘ１０12及び１ｘ１０15ｃｍ-2
のドーズ量を有する、Ｆ+（あるいはＯ+）及びＨ+イオ
ンを打ち込むことにより素子分離される。
【００１４】最後の段階では、光レジストが除去され、
イオン打ち込みがなされた領域の抵抗率を最大にするた
めに、レジストが除去されたデバイスは５００℃で５分
間アニールされる。下部ｎ+コンタクト層２１への導電
性経路２７が貫通孔あるいはイオン打ち込みがなされた
領域を通じて形成され、従来技術において公知の方法に
従ってオーミック金属コンタクト２５及び２６が層２１
及び２４へのコンタクトを実現する。
イオン打ち込みがなされた領域の抵抗率を最大にするた
めに、レジストが除去されたデバイスは５００℃で５分
間アニールされる。下部ｎ+コンタクト層２１への導電
性経路２７が貫通孔あるいはイオン打ち込みがなされた
領域を通じて形成され、従来技術において公知の方法に
従ってオーミック金属コンタクト２５及び２６が層２１
及び２４へのコンタクトを実現する。
【００１５】上述の段階に従って作製されたＱＷＩＰが
テストされた。２００μｍの大きさを有するイオン打ち
込み分離を利用したＱＷＩＰが、同一の大きさ及び層構
成を有するメサ構造分離ＱＷＩＰと比較してテストされ
た。双方のＱＷＩＰの電流−電圧特性が測定され、実験
誤差内で同一であることが見い出された。図３は、双方
のデバイスに対する、Ｔ＝７７Ｋで測定された暗電流曲
線及びＴ＝２０Ｋで測定されたウィンドウ光電流曲線を
示した図である。暗電流はＡｌＧａＡｓバリア層の膜質
に非常に敏感であるため、図３は、イオン打ち込み及び
アニールプロセスがバリア層内に欠陥やトラップを実質
的に生成していないことを例示していることになる。
テストされた。２００μｍの大きさを有するイオン打ち
込み分離を利用したＱＷＩＰが、同一の大きさ及び層構
成を有するメサ構造分離ＱＷＩＰと比較してテストされ
た。双方のＱＷＩＰの電流−電圧特性が測定され、実験
誤差内で同一であることが見い出された。図３は、双方
のデバイスに対する、Ｔ＝７７Ｋで測定された暗電流曲
線及びＴ＝２０Ｋで測定されたウィンドウ光電流曲線を
示した図である。暗電流はＡｌＧａＡｓバリア層の膜質
に非常に敏感であるため、図３は、イオン打ち込み及び
アニールプロセスがバリア層内に欠陥やトラップを実質
的に生成していないことを例示していることになる。
【００１６】その後それぞれのデバイスに対して、基板
を研磨することにより、光学的結合を可能にするための
４５°のファセットが形成され、それぞれのデバイスの
応答性が波長の関数として測定された。図４はその結果
を示したグラフであり、破線が従来技術に係るメサ構造
ＱＷＩＰに対する曲線で実線が本発明に係る平面構造Ｑ
ＷＩＰに対する曲線である。ここからわかるように、正
規化された応答スペクトルはほとんど同一であり、イオ
ン打ち込みに起因する、測定可能なデバイス性能の劣化
がないことを示している。
を研磨することにより、光学的結合を可能にするための
４５°のファセットが形成され、それぞれのデバイスの
応答性が波長の関数として測定された。図４はその結果
を示したグラフであり、破線が従来技術に係るメサ構造
ＱＷＩＰに対する曲線で実線が本発明に係る平面構造Ｑ
ＷＩＰに対する曲線である。ここからわかるように、正
規化された応答スペクトルはほとんど同一であり、イオ
ン打ち込みに起因する、測定可能なデバイス性能の劣化
がないことを示している。
【００１７】次に実行されたテストは、Ｔ＝７７Ｋにお
いて電流ノイズをバイアス電圧の関数として測定するこ
とであった。図５に示されたその結果は、メサ構造デバ
イスと平面構造デバイスが同様に機能することを示して
いる。よって、本発明に従って、性能を犠牲にすること
なく、信号処理エレクトロニクスなどの他のデバイスと
のモノリシック集積化に適した平面構造ＱＷＩＰが作製
されうる。
いて電流ノイズをバイアス電圧の関数として測定するこ
とであった。図５に示されたその結果は、メサ構造デバ
イスと平面構造デバイスが同様に機能することを示して
いる。よって、本発明に従って、性能を犠牲にすること
なく、信号処理エレクトロニクスなどの他のデバイスと
のモノリシック集積化に適した平面構造ＱＷＩＰが作製
されうる。
【００１８】次に、本発明に係る作製プロセスが同等の
性能を有するより小さなデバイスを作製するために用い
られ得るか否かを決定するために、相異なった直径を有
する打ち込み分離デバイスが互いに比較された。図６
は、相異なった直径を有する打ち込み素子分離デバイス
の±０．５２Ｖ及び±２．４Ｖにおいて測定された暗電
流を示した図である。この図から判るように、暗電流の
２乗根とデバイスの直径とが直線関係で極めて良くフィ
ッティングされる。このフィッティングより、イオン打
ち込みによって分離された領域の周の長さが熱イオン電
流にほとんど寄与していないことが例示される。フィッ
ティングされた直線がｘ軸とおよそ１１μｍのところで
交わるという事実は、各々の打ち込みによって分離され
た領域の周から動径方向でおよそ５．５μｍの領域は、
イオン打ち込みとラピッドサーマルアニーリングの組み
合わせによって電気的に不活性となっていることを暗示
している。
性能を有するより小さなデバイスを作製するために用い
られ得るか否かを決定するために、相異なった直径を有
する打ち込み分離デバイスが互いに比較された。図６
は、相異なった直径を有する打ち込み素子分離デバイス
の±０．５２Ｖ及び±２．４Ｖにおいて測定された暗電
流を示した図である。この図から判るように、暗電流の
２乗根とデバイスの直径とが直線関係で極めて良くフィ
ッティングされる。このフィッティングより、イオン打
ち込みによって分離された領域の周の長さが熱イオン電
流にほとんど寄与していないことが例示される。フィッ
ティングされた直線がｘ軸とおよそ１１μｍのところで
交わるという事実は、各々の打ち込みによって分離され
た領域の周から動径方向でおよそ５．５μｍの領域は、
イオン打ち込みとラピッドサーマルアニーリングの組み
合わせによって電気的に不活性となっていることを暗示
している。
【００１９】図７は、いくつかの相異なった直径を有す
るデバイスに関して±２．４Ｖで測定されたウィンドウ
光電流を示しており、図８は、ウィンドウ電流の暗電流
に対する比を示している。デバイスの大きさの広い範囲
にわたって一定の比が実現されており、本発明に係る技
術のスケーラビリティを示している。さらに、電流ノイ
ズもデバイスの大きさと共にスケーリングされる。よっ
て、本発明に従ってイオン打ち込み分離法により作製さ
れたデバイスの検出能力はメサ構造デバイスと同程度で
あってデバイスサイズに依存せず、従って、従来技術に
かかるメサ構造デバイスと同程度の性能を有し、かつよ
り小さな大きさで集積回路作製に適したデバイスの作製
が可能になる。
るデバイスに関して±２．４Ｖで測定されたウィンドウ
光電流を示しており、図８は、ウィンドウ電流の暗電流
に対する比を示している。デバイスの大きさの広い範囲
にわたって一定の比が実現されており、本発明に係る技
術のスケーラビリティを示している。さらに、電流ノイ
ズもデバイスの大きさと共にスケーリングされる。よっ
て、本発明に従ってイオン打ち込み分離法により作製さ
れたデバイスの検出能力はメサ構造デバイスと同程度で
あってデバイスサイズに依存せず、従って、従来技術に
かかるメサ構造デバイスと同程度の性能を有し、かつよ
り小さな大きさで集積回路作製に適したデバイスの作製
が可能になる。
【００２０】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので，この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。尚、特許請求の範囲に記載した参
照番号は、発明の容易なる理解の為のもので、その権利
解釈に影響を与えるものではないと理解されたい。
もので，この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。尚、特許請求の範囲に記載した参
照番号は、発明の容易なる理解の為のもので、その権利
解釈に影響を与えるものではないと理解されたい。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、他
のデバイスとの集積化が可能な平面構造量子井戸赤外光
検出器が提供される。
のデバイスとの集積化が可能な平面構造量子井戸赤外光
検出器が提供される。
【図１】 従来技術に係るメサ構造量子井戸赤外フォト
デテクタの模式的な断面図。
デテクタの模式的な断面図。
【図２】 本発明に係る平面構造量子井戸フォトデテク
タの模式的な断面図。
タの模式的な断面図。
【図３】 図２に示された、本発明に係るデバイスの電
流−電圧特性を示したグラフ。
流−電圧特性を示したグラフ。
【図４】 図１及び図２に示されたデバイスの性能特性
を比較して示したグラフ。
を比較して示したグラフ。
【図５】 図１及び図２に示されたデバイスの性能特性
を比較して示したグラフ。
を比較して示したグラフ。
【図６】 図２に示された型の、相異なったサイズを有
するデバイスの性能特性を示したグラフ。
するデバイスの性能特性を示したグラフ。
【図７】 図２に示された型の、相異なったサイズを有
するデバイスの性能特性を示したグラフ。
するデバイスの性能特性を示したグラフ。
１０、２０ 多重量子井戸スタック １１、２１ 下部コンタクト層 １２、２２ ＧａＡｓ基板 １３ 側壁 １４、２４ 上部コンタクト層 １５、１６、２５、２６ オーミックコンタクト ２３ 隣接領域 ２７ 導電性経路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サンヒー パーク フイ アメリカ合衆国 07974 ニュージャージ ー ニュープロヴィデンス、ストーンリッ ジ ロード 152 (72)発明者 シン―シェム ペイ アメリカ合衆国 07974 ニュージャージ ー ニュープロヴィデンス、イーサン ド ライヴ 15
Claims (7)
- 【請求項１】 一対のコンタクト（２４、２１）層及び
対応するオーミックコンタクト（２５、２６）の間に配
置された多重量子井戸スタック（２０）を有する型の量
子井戸光検出器において、 前記量子井戸スタック及び前記コンタクト層のうちの少
なくとも一方が半導体素材内に埋め込まれていることを
特徴とする光検出器。 - 【請求項２】 前記量子井戸スタックが、イオン打ち込
みによって素子分離されていることを特徴とする請求項
第１項に記載の光検出器。 - 【請求項３】 前記コンタクト層が、ｎ型ＧａＡｓであ
り、 前記埋め込まれた量子井戸スタックが、ＡｌＧａＡｓバ
リア層間に配設されたＧａＡｓ量子井戸よりなることを
特徴とする請求項第１項に記載の光検出器。 - 【請求項４】 量子井戸光検出器を作製する方法におい
て、 半導体基板（２２）を準備する段階と、 下部コンタクト層（２１）、多重量子井戸スタック（２
０）、及び上部コンタクト層（２５）を形成する連続層
を前記基板上に成長させる段階と、 前記成長させられた基板の上部表面の選択された部分上
にマスクを形成する段階と、 前記マスクの下部の活性領域をイオン打ち込みによって
素子分離する段階と、 前記マスクを除去する段階と、 前記上部及び下部コンタクト層に対してオーミックコン
タクト（２５、２６）を形成する段階と、 を有することを特徴とする光検出器作製方法。 - 【請求項５】 前記マスクが、光レジストイオン打ち込
みマスクよりなることを特徴とする請求項第４項に記載
の方法。 - 【請求項６】 前記下部コンタクト層（２１）への前記
オーミックコンタクトを形成する段階が、前記下部コン
タクト層（２１）まで貫通孔（２７）をエッチングする
段階を有することを特徴とする請求項第４項に記載の方
法。 - 【請求項７】 前記下部コンタクト層への前記オーミッ
クコンタクトを形成する段階が、前記下部コンタクト層
への導電性経路（２７）をイオン打ち込みによって形成
する段階を有することを特徴とする請求項第４項に記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/860,853 US5223704A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Planar buried quantum well photodetector |
| US860853 | 1992-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613641A true JPH0613641A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2706030B2 JP2706030B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=25334180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5070776A Expired - Fee Related JP2706030B2 (ja) | 1992-03-31 | 1993-03-08 | 光検出器及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5223704A (ja) |
| EP (1) | EP0564163B1 (ja) |
| JP (1) | JP2706030B2 (ja) |
| DE (1) | DE69303094T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6668521B1 (en) * | 1989-02-24 | 2003-12-30 | Southpac Trust International, Inc. | Method for applying a band about a sheet of material and a floral grouping |
| US5539206A (en) * | 1995-04-20 | 1996-07-23 | Loral Vought Systems Corporation | Enhanced quantum well infrared photodetector |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6054718A (en) * | 1998-03-31 | 2000-04-25 | Lockheed Martin Corporation | Quantum well infrared photocathode having negative electron affinity surface |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US5990490A (en) * | 1998-06-29 | 1999-11-23 | Miracle Technology Co., Ltd. | Optical electronic IC capable of photo detection |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| JP4330210B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2009-09-16 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US6576490B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-06-10 | National Research Council Of Canada | Method for micro-fabricating a pixelless infrared imaging device |
| KR100653995B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2006-12-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조를 위한 국부적 임플란트 방법 |
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| US9076707B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-07-07 | Lightspin Technologies, Inc. | Integrated avalanche photodiode arrays |
| WO2016178678A1 (en) * | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Lightspin Technologies, Inc. | Integrated avalanche photodiode arrays |
| US10529884B2 (en) | 2017-11-09 | 2020-01-07 | LightSpin Technologies Inc. | Virtual negative bevel and methods of isolating adjacent devices |
| US11641003B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-05-02 | Northwestern University | Methods of fabricating planar infrared photodetectors |
| CN116666485B (zh) * | 2023-07-10 | 2024-01-30 | 中国科学院半导体研究所 | 近红外探测器及其制备方法 |
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| DE3047870A1 (de) * | 1980-12-18 | 1982-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | "pn-diode und verfahren zu deren herstellung" |
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| JPS61204988A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
| JPH0712100B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体発光素子 |
| FR2581482B1 (fr) * | 1985-05-03 | 1987-07-10 | Labo Electronique Physique | Photodiode pin a faible courant de fuite |
| US4764246A (en) * | 1985-08-06 | 1988-08-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Buried undercut mesa-like waveguide and method of making same |
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| JPS6313381A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Nok Corp | 光電センサ |
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-
1992
- 1992-03-31 US US07/860,853 patent/US5223704A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-08 JP JP5070776A patent/JP2706030B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-25 DE DE69303094T patent/DE69303094T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-25 EP EP93302277A patent/EP0564163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-25 US US08/036,799 patent/US5281542A/en not_active Expired - Lifetime
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| DE69303094T2 (de) | 1997-01-16 |
| EP0564163B1 (en) | 1996-06-12 |
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