JPH0613637A - 大面積薄膜太陽電池 - Google Patents
大面積薄膜太陽電池Info
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- JPH0613637A JPH0613637A JP4193126A JP19312692A JPH0613637A JP H0613637 A JPH0613637 A JP H0613637A JP 4193126 A JP4193126 A JP 4193126A JP 19312692 A JP19312692 A JP 19312692A JP H0613637 A JPH0613637 A JP H0613637A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積薄膜太陽電池の光電変換領域の面積割
合の減少を最小限に押えながら、電極膜の抵抗成分を低
減することにより、高い光電変換効率が得られる大面積
薄膜太陽電池を提供する。 【構成】 絶縁性基板上１に、第１電極膜２、光電変換
半導体層３及び第２電極層４がこの順で積層されている
光電変換体５が複数配列されるとともに、それらの光電
変換体５の端部において、隣接する光電変換体５が直列
接続されている大面積薄膜太陽電池において、光電変換
体５の電極膜２（または４）から接触グリッド８，８，
・・・を隣の光電変換体５の内部に延伸せしめて電極膜
４（または２）と直列接続してなるものである。
合の減少を最小限に押えながら、電極膜の抵抗成分を低
減することにより、高い光電変換効率が得られる大面積
薄膜太陽電池を提供する。 【構成】 絶縁性基板上１に、第１電極膜２、光電変換
半導体層３及び第２電極層４がこの順で積層されている
光電変換体５が複数配列されるとともに、それらの光電
変換体５の端部において、隣接する光電変換体５が直列
接続されている大面積薄膜太陽電池において、光電変換
体５の電極膜２（または４）から接触グリッド８，８，
・・・を隣の光電変換体５の内部に延伸せしめて電極膜
４（または２）と直列接続してなるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光エネルギーを直接電気
に変換する大面積薄膜太陽電池に関する。さらに詳しく
は、透明電極と裏面電極との接続構造が改善されてなる
大面積薄膜太陽電池に関する。
に変換する大面積薄膜太陽電池に関する。さらに詳しく
は、透明電極と裏面電極との接続構造が改善されてなる
大面積薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、大面積薄膜太陽電池として、
図９〜１０に示すように、絶縁性の基板上にいくつかの
光電変換領域を形成し、これを直列接続してなるものが
用いられている。すなわち、ガラスなどの透光性絶縁基
板１０１上に、透光性の第１電極膜１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｃ、アモルファスシリコンのＰＩＮ接合など
の光電変換半導体膜１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃおよ
び第２電極膜１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを各々積層
せしめてなる光電変換領域１０５ａ，１０５ｂ，１０５
ｃを電気的に直列接続することによって太陽電池を形成
するものである。かかる大面積薄膜太陽電池において
は、光電変換領域１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃで発生
した光起電力が加算された起電力が得られる。
図９〜１０に示すように、絶縁性の基板上にいくつかの
光電変換領域を形成し、これを直列接続してなるものが
用いられている。すなわち、ガラスなどの透光性絶縁基
板１０１上に、透光性の第１電極膜１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｃ、アモルファスシリコンのＰＩＮ接合など
の光電変換半導体膜１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃおよ
び第２電極膜１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを各々積層
せしめてなる光電変換領域１０５ａ，１０５ｂ，１０５
ｃを電気的に直列接続することによって太陽電池を形成
するものである。かかる大面積薄膜太陽電池において
は、光電変換領域１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃで発生
した光起電力が加算された起電力が得られる。
【０００３】ところで、最近環境保護の観点からクリー
ンエネルギーである太陽光エネルギーのより一層の有効
利用が検討されている。その一環として、大面積薄膜太
陽電池の効率改善が検討されている。
ンエネルギーである太陽光エネルギーのより一層の有効
利用が検討されている。その一環として、大面積薄膜太
陽電池の効率改善が検討されている。
【０００４】ちなみに、かかる構成を有する大面積薄膜
太陽電池の光電変換効率を左右する要因は、次のとおり
である。
太陽電池の光電変換効率を左右する要因は、次のとおり
である。
【０００５】（１）光電変換領域１０５の面積の合計が
素子全体の総面積に占める割合である。すなわち、この
割合が大きい程、光電変換効率が高い。
素子全体の総面積に占める割合である。すなわち、この
割合が大きい程、光電変換効率が高い。
【０００６】（２）接続部１０６ａｂ，１０６ｂｃの抵
抗成分である。すなわち、この抵抗成分が小さい程、光
電変換効率が高い。
抗成分である。すなわち、この抵抗成分が小さい程、光
電変換効率が高い。
【０００７】（３）透光性の第１電極膜１０２による直
列抵抗成分である。すなわち、この抵抗成分が小さい
程、光電変換効率が高い。
列抵抗成分である。すなわち、この抵抗成分が小さい
程、光電変換効率が高い。
【０００８】したがって、理論的には、前記要件を同時
に望ましい方向に持って行けば、大面積薄膜太陽電池の
光電変換効率を改善することができることになる
に望ましい方向に持って行けば、大面積薄膜太陽電池の
光電変換効率を改善することができることになる
【０００９】ところで、（２）の接続部の抵抗成分１０
６を低減するためには、第１電極膜１０２と第２電極膜
１０４の接触面積を拡大する必要がある。しかしなが
ら、そうすると光電変換領域１０５の面積が減少し
（１）の要因の改善とトレードオフの関係が発生する。
また、透光性の第１電極膜１０２の面積抵抗を小さくし
ようとすると、電極膜の厚みを増やさねばならない。し
かしながら、そうすると光の透過率が下がるというトレ
ードオフの関係が発生する。また、透光性の第１電極膜
の抵抗のみかけじょうの影響を少なくするために、１個
の大面積薄膜太陽電池をより数多くの光電変換領域に分
離する試みもなされているが、この場合も接続部の数が
増加し、（１）の光電変換領域面積の素子全体の総面積
における割合が減少する。これらの問題は、仮に加工技
術および電極膜同士の接続技術の問題が充分解決された
としてもなお残る構造本来の問題である。
６を低減するためには、第１電極膜１０２と第２電極膜
１０４の接触面積を拡大する必要がある。しかしなが
ら、そうすると光電変換領域１０５の面積が減少し
（１）の要因の改善とトレードオフの関係が発生する。
また、透光性の第１電極膜１０２の面積抵抗を小さくし
ようとすると、電極膜の厚みを増やさねばならない。し
かしながら、そうすると光の透過率が下がるというトレ
ードオフの関係が発生する。また、透光性の第１電極膜
の抵抗のみかけじょうの影響を少なくするために、１個
の大面積薄膜太陽電池をより数多くの光電変換領域に分
離する試みもなされているが、この場合も接続部の数が
増加し、（１）の光電変換領域面積の素子全体の総面積
における割合が減少する。これらの問題は、仮に加工技
術および電極膜同士の接続技術の問題が充分解決された
としてもなお残る構造本来の問題である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、大面積薄膜太
陽電池の光電変換領域の面積割合の減少を最小限に押え
ながら、電極膜の接続部の抵抗成分を低減することによ
り、高い光電変換効率が得られる大面積薄膜太陽電池を
提供することを目的としている。
術の問題点に鑑みなされたものであって、大面積薄膜太
陽電池の光電変換領域の面積割合の減少を最小限に押え
ながら、電極膜の接続部の抵抗成分を低減することによ
り、高い光電変換効率が得られる大面積薄膜太陽電池を
提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の大面積薄膜太陽
電池は、絶縁性基板上に、第１電極膜、半導体層および
第２電極層がこの順で積層されている光電変換体が複数
配設されるとともに、それらの光電変換体の端部におい
て、隣接する光電変換体と直列接続されてなる大面積薄
膜太陽電池であって、前記光電変換体の内部においても
隣接する光電変換体との直列接続部が形成されてなるこ
とを特徴としている。
電池は、絶縁性基板上に、第１電極膜、半導体層および
第２電極層がこの順で積層されている光電変換体が複数
配設されるとともに、それらの光電変換体の端部におい
て、隣接する光電変換体と直列接続されてなる大面積薄
膜太陽電池であって、前記光電変換体の内部においても
隣接する光電変換体との直列接続部が形成されてなるこ
とを特徴としている。
【００１２】本発明の大面積薄膜太陽電池の第１態様
は、前記光電変換体の内部における隣接する光電変換体
との直列接続が、前記第２電極膜表面から前記第１電極
の表面にまで到達する溝部を、前記光電変換体の内部に
形成し、該溝部に隣接する光電変換体の第２電極膜の一
部を延伸せしめて、前記第１電極膜と接続することによ
りなされることを特徴としている。
は、前記光電変換体の内部における隣接する光電変換体
との直列接続が、前記第２電極膜表面から前記第１電極
の表面にまで到達する溝部を、前記光電変換体の内部に
形成し、該溝部に隣接する光電変換体の第２電極膜の一
部を延伸せしめて、前記第１電極膜と接続することによ
りなされることを特徴としている。
【００１３】また、本発明の大面積薄膜太陽電池の第２
態様は、前記光電変換体の内部における隣接する光電変
換体との直列接続が、前記第２電極膜下面にまで到達す
る空洞部を、前記第１電極および前記光電変換体の内部
に形成し、該空洞部に隣接する光電変換体の第１電極膜
の一部を延伸せしめて、前記第２電極膜と接続すること
によりなされることを特徴としている。
態様は、前記光電変換体の内部における隣接する光電変
換体との直列接続が、前記第２電極膜下面にまで到達す
る空洞部を、前記第１電極および前記光電変換体の内部
に形成し、該空洞部に隣接する光電変換体の第１電極膜
の一部を延伸せしめて、前記第２電極膜と接続すること
によりなされることを特徴としている。
【００１４】本発明の大面積薄膜太陽電池においては、
前記光電変換体の半導体層が、非晶質シリコンまたは薄
膜多結晶シリコンなどの薄膜半導体を含んでなるのが好
ましい。
前記光電変換体の半導体層が、非晶質シリコンまたは薄
膜多結晶シリコンなどの薄膜半導体を含んでなるのが好
ましい。
【００１５】
【作用】本発明の大面積薄膜太陽電池は、各々の光電変
換領域の第２電極膜及び光電変換半導体膜にストライプ
状に除去し第１電極が露出した領域を設けて、その部分
に隣接した光電変換領域の第２電極膜をストリング状に
延ばして接続することで、接続面積の増大と結晶太陽電
池で言われている電流収集グリッド電極の働きをもたせ
る構成にある。したがって、光電変換体の面積の減少を
最小限に押えながら、全直列抵抗値を低減することがで
きる。
換領域の第２電極膜及び光電変換半導体膜にストライプ
状に除去し第１電極が露出した領域を設けて、その部分
に隣接した光電変換領域の第２電極膜をストリング状に
延ばして接続することで、接続面積の増大と結晶太陽電
池で言われている電流収集グリッド電極の働きをもたせ
る構成にある。したがって、光電変換体の面積の減少を
最小限に押えながら、全直列抵抗値を低減することがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１７】図１は本発明の大面積薄膜太陽電池の第１
態様の平面図、図２は図１のＡーＡ線断面図、図３は同
ＢーＢ線断面図、図４は同ＣーＣ線断面図、図５は本発
明の大面積薄膜太陽電池の第２態様の平面図、図６は図
５のＤーＤ線断面図、図７は同ＥーＥ線断面図、図８は
同ＦーＦ線断面図である。図において、１は透光性絶縁
基板、２は第１電極膜、３は光電変換半導体膜、４は第
２電極膜、５は光電変換体、６は端部電極膜、７、９は
端部第１電極膜に形成された接触グリッド、８、１０は
第２電極膜に形成された接触グリッド、Ｇは溝部（空洞
部）を示す。
態様の平面図、図２は図１のＡーＡ線断面図、図３は同
ＢーＢ線断面図、図４は同ＣーＣ線断面図、図５は本発
明の大面積薄膜太陽電池の第２態様の平面図、図６は図
５のＤーＤ線断面図、図７は同ＥーＥ線断面図、図８は
同ＦーＦ線断面図である。図において、１は透光性絶縁
基板、２は第１電極膜、３は光電変換半導体膜、４は第
２電極膜、５は光電変換体、６は端部電極膜、７、９は
端部第１電極膜に形成された接触グリッド、８、１０は
第２電極膜に形成された接触グリッド、Ｇは溝部（空洞
部）を示す。
【００１８】図１に示す本発明の大面積薄膜太陽電池の
第１態様は、ガラスなどの透光性絶縁基板１上に、透光
性の第１電極膜２ａ，２ｂ，２ｃ、アモルファスシリコ
ンのＰＩＮ接合などの光電変換半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃおよび第２電極膜４ａ，４ｂ，４ｃを各々積層せしめ
た光電変換体５ａ，５ｂ，５ｃを電気的に直列接続する
という基本構造は従来のものと同様である。
第１態様は、ガラスなどの透光性絶縁基板１上に、透光
性の第１電極膜２ａ，２ｂ，２ｃ、アモルファスシリコ
ンのＰＩＮ接合などの光電変換半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃおよび第２電極膜４ａ，４ｂ，４ｃを各々積層せしめ
た光電変換体５ａ，５ｂ，５ｃを電気的に直列接続する
という基本構造は従来のものと同様である。
【００１９】次に、本発明の大面積薄膜太陽電池の第１
態様の特徴を光電変換体５ｂに着目して説明する。まず
光電変換半導体膜３ｂおよび第２電極膜４ｂには複数の
溝Ｇｂが設けられ、その部分では第１電極膜２ｂが露出
している（図３参照）。その部分へ光電変換体５ａから
第２電極膜４ａの一部（以下、接触グリッドという）８
ａが光電変換体５ｂの第２電極膜４ｂと直接接触しない
ようにフィンガー状に延伸せしめられて第１電極膜２ｂ
と接続されている。なお、溝部Ｇの形成は、光電変換半
導体膜３を部分的に、例えばリアクティブイオンエッチ
ング法によりエッチングするか、レ−ザスクライブ法に
よりレ−ザで焼き飛ばすなどの方法により、選択的に除
去することによりなされる。
態様の特徴を光電変換体５ｂに着目して説明する。まず
光電変換半導体膜３ｂおよび第２電極膜４ｂには複数の
溝Ｇｂが設けられ、その部分では第１電極膜２ｂが露出
している（図３参照）。その部分へ光電変換体５ａから
第２電極膜４ａの一部（以下、接触グリッドという）８
ａが光電変換体５ｂの第２電極膜４ｂと直接接触しない
ようにフィンガー状に延伸せしめられて第１電極膜２ｂ
と接続されている。なお、溝部Ｇの形成は、光電変換半
導体膜３を部分的に、例えばリアクティブイオンエッチ
ング法によりエッチングするか、レ−ザスクライブ法に
よりレ−ザで焼き飛ばすなどの方法により、選択的に除
去することによりなされる。
【００２０】この接触グリッド８ａは光電変換体５ａ，
５ｂの接続面積を増大させているだけでなく、第１電極
膜２ａに同グリッド８ａが並列抵抗成分になっているこ
と、および光電変換体５ｂで発生するキャリアの収集電
極として、結晶系の太陽電池の電流収集グリッドと同様
に動作することにより、光電変換体５ｂの第１電極膜２
ｂの直列抵抗成分を低減する働きもしている。
５ｂの接続面積を増大させているだけでなく、第１電極
膜２ａに同グリッド８ａが並列抵抗成分になっているこ
と、および光電変換体５ｂで発生するキャリアの収集電
極として、結晶系の太陽電池の電流収集グリッドと同様
に動作することにより、光電変換体５ｂの第１電極膜２
ｂの直列抵抗成分を低減する働きもしている。
【００２１】なお、図１では接続部および接触グリッド
部が意図的に拡大されている。
部が意図的に拡大されている。
【００２２】図５に示される本発明の大面積薄膜太陽電
池の第２態様は、ガラスなどの透光性絶縁基板１上に、
第１電極膜２ａ、２ｂ、２ｃ、アモルファスシリコンの
ＮＩＰ接合などの光電変換半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃお
よび第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃを各々積層してなる光
電変換体５ａ、５ｂ、５ｃを電気的に直列接続するとい
う基本構造は、従来の第２電極を光入射側とするタイプ
の大面積薄膜太陽電池と同様である。
池の第２態様は、ガラスなどの透光性絶縁基板１上に、
第１電極膜２ａ、２ｂ、２ｃ、アモルファスシリコンの
ＮＩＰ接合などの光電変換半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃお
よび第２電極膜４ａ、４ｂ、４ｃを各々積層してなる光
電変換体５ａ、５ｂ、５ｃを電気的に直列接続するとい
う基本構造は、従来の第２電極を光入射側とするタイプ
の大面積薄膜太陽電池と同様である。
【００２３】次に、本発明の大面積薄膜太陽電池の第２
態様の特徴を光電変換体５ｂに着目して説明する。
態様の特徴を光電変換体５ｂに着目して説明する。
【００２４】まず、第１態様の第２電極膜４ａと同じパ
タ−ンで、グリッドおよびその周囲の部分１０ａが設け
られ、光電変換半導体膜３ｂに複数の溝部（空洞部）Ｇ
ｂが設けられグリッド１０ａが光電変換体５ｂの第１電
極膜２ｂと直接接触しないようにして、フィンガ−状に
延伸せしめられて透明な第２電極膜と４ｂと接続されて
いる。なお、溝部（空洞部）Ｇｂの形成方法は第１態様
の場合と同様である。
タ−ンで、グリッドおよびその周囲の部分１０ａが設け
られ、光電変換半導体膜３ｂに複数の溝部（空洞部）Ｇ
ｂが設けられグリッド１０ａが光電変換体５ｂの第１電
極膜２ｂと直接接触しないようにして、フィンガ−状に
延伸せしめられて透明な第２電極膜と４ｂと接続されて
いる。なお、溝部（空洞部）Ｇｂの形成方法は第１態様
の場合と同様である。
【００２５】次に、具体的な実施例に基づいて本発明を
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００２６】実施例１および比較例１
【００２７】１０ｃｍ角のガラス基板上に８段接続の大
面積アモルファスシリコン薄膜太陽電池を作製した（実
施例１）。この大面積アモルファスシリコン薄膜太陽電
池の１つの光電変換体の幅は、１２．５ｍｍである。ま
た、第１電極の分離幅は２０μｍ、第１電極と第２電極
との接触幅は１５０μｍ、第２電極の分離幅は４０μｍ
とするとともに、接触グリッドの幅を２００μｍ、長さ
１０ｍｍとし、その本数を単位光電変換体当たり９本と
した。かかる構成を有する実施例１における光電変換体
の全面積に対する割合は、９６．６２％である。一方、
接触グリッドを設けなかった他は、実施例１と同様にし
て大面積アモルファスシリコン薄膜太陽電池を作製した
（比較例１）。比較例１における光電変換体の全面積に
対する割合は、９８．１６％である。ところで、第１電
極と第２電極との接触幅は実施例１では、前記説明より
縮小可能であるので、両者の差は実際には１％以内にで
きる。
面積アモルファスシリコン薄膜太陽電池を作製した（実
施例１）。この大面積アモルファスシリコン薄膜太陽電
池の１つの光電変換体の幅は、１２．５ｍｍである。ま
た、第１電極の分離幅は２０μｍ、第１電極と第２電極
との接触幅は１５０μｍ、第２電極の分離幅は４０μｍ
とするとともに、接触グリッドの幅を２００μｍ、長さ
１０ｍｍとし、その本数を単位光電変換体当たり９本と
した。かかる構成を有する実施例１における光電変換体
の全面積に対する割合は、９６．６２％である。一方、
接触グリッドを設けなかった他は、実施例１と同様にし
て大面積アモルファスシリコン薄膜太陽電池を作製した
（比較例１）。比較例１における光電変換体の全面積に
対する割合は、９８．１６％である。ところで、第１電
極と第２電極との接触幅は実施例１では、前記説明より
縮小可能であるので、両者の差は実際には１％以内にで
きる。
【００２８】実施例２〜５および比較例２〜５
【００２９】第２電極膜をアルミニウムにするとともに
膜厚を９０００Åとし、第１電極膜のシート抵抗を表１
のように調整したほかは、実施例１と同様にして大面積
薄膜太陽電池を作製した（実施例２〜５）。
膜厚を９０００Åとし、第１電極膜のシート抵抗を表１
のように調整したほかは、実施例１と同様にして大面積
薄膜太陽電池を作製した（実施例２〜５）。
【００３０】また、同じく第２電極膜をアルミニウムに
するとともに膜厚を９０００Åとし、第１電極膜のシー
ト抵抗を表１のように調整したほかは、比較例１と同様
にして大面積薄膜太陽電池を作製した（比較例２〜
５）。
するとともに膜厚を９０００Åとし、第１電極膜のシー
ト抵抗を表１のように調整したほかは、比較例１と同様
にして大面積薄膜太陽電池を作製した（比較例２〜
５）。
【００３１】実施例２〜５および比較例２〜５の全直列
抵抗を、「太陽光発電」（１９８０年、高橋清、浜川圭
弘、後川昭雄著、森北出版）８２頁記載のＨａｎｄｙの
方法により計算した。その結果を表１に併せて示した。
なお、実施例２〜５の接触グリッドの抵抗は約２Ωであ
った。
抵抗を、「太陽光発電」（１９８０年、高橋清、浜川圭
弘、後川昭雄著、森北出版）８２頁記載のＨａｎｄｙの
方法により計算した。その結果を表１に併せて示した。
なお、実施例２〜５の接触グリッドの抵抗は約２Ωであ
った。
【００３２】表１より、実施例２〜５の抵抗値は、比較
例２〜５と比較して約１／４〜１／８になるのがわか
る。
例２〜５と比較して約１／４〜１／８になるのがわか
る。
【００３３】ところで、実際の特性上では、１ｃｍ2 の
半導体層評価用の小面積太陽電池と比較して直列抵抗に
敏感な曲線因子が、小面積太陽電池で７５％のとき、比
較例２〜５では７０％になるのに対して、実施例２〜５
では７４％であった。したがって全体として大面積化の
ためのロスは比較例２〜５の場合８．４％であるのに対
して、実施例２〜５ではこのように最適化しない場合で
も４．４％に収まっている。
半導体層評価用の小面積太陽電池と比較して直列抵抗に
敏感な曲線因子が、小面積太陽電池で７５％のとき、比
較例２〜５では７０％になるのに対して、実施例２〜５
では７４％であった。したがって全体として大面積化の
ためのロスは比較例２〜５の場合８．４％であるのに対
して、実施例２〜５ではこのように最適化しない場合で
も４．４％に収まっている。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大面積薄膜太陽電池の光電変換体の面積割合を従来より
ほとんど減少させることなく接続部の抵抗成分を下げる
とともに、全抵抗値において比較的大きな割合を占める
透光性の電極膜による直列抵抗成分を低減し、高い光電
変換効率の大面積薄膜太陽電池を得ることができる。
大面積薄膜太陽電池の光電変換体の面積割合を従来より
ほとんど減少させることなく接続部の抵抗成分を下げる
とともに、全抵抗値において比較的大きな割合を占める
透光性の電極膜による直列抵抗成分を低減し、高い光電
変換効率の大面積薄膜太陽電池を得ることができる。
【図１】本発明の大面積薄膜太陽電池の第１態様の平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡーＡ線断面図である。
【図３】同ＢーＢ線断面図である。
【図４】同ＣーＣ線断面図である。
【図５】本発明の大面積薄膜太陽電池の第２態様の平面
図である。
図である。
【図６】図５のＤーＤ線断面図である。
【図７】同ＥーＥ線断面図である。
【図８】同ＦーＦ線断面図である。
【図９】従来の大面積薄膜太陽電池の平面図である。
【図１０】図９のＧーＧ線断面図である。
１ 透光性絶縁基板 ２ 第１電極膜 ３ 光電変換半導体膜 ４ 第２電極膜 ５ 光電変換体 ６ 端部電極膜 ７ 端部第１電極膜に形成された接触グリッド ８ 第２電極膜に形成された接触グリッド ９ 端部第１電極膜に形成された接触グリッド 10 第１電極膜に形成された接触グリッド Ｇ 溝部（空洞部）
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、第１電極膜、半導体層
および第２電極層がこの順で積層されている光電変換体
が複数配設されるとともに、それらの光電変換体の端部
において、隣接する光電変換体が直列接続されてなる大
面積薄膜太陽電池であって、 前記光電変換体の内部においても隣接する光電変換体と
の直列接続部が形成されてなることを特徴とする大面積
薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 前記光電変換体の内部における隣接する
光電変換体との直列接続が、前記第２電極膜表面から前
記第１電極の表面にまで到達する溝部を、前記光電変換
体の内部に形成し、該溝部に隣接する光電変換体の第２
電極膜の一部を延伸せしめて、前記第１電極膜と接続す
ることによりなされることを特徴とする請求項１記載の
大面積薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 前記光電変換体の内部における隣接する
光電変換体との直列接続が、前記第２電極膜下面にまで
到達する空洞部を、前記第１電極および前記光電変換体
の内部に形成し、該空洞部に隣接する光電変換体の第１
電極膜の一部を延伸せしめて、前記第２電極膜と接続す
ることによりなされることを特徴とする請求項１記載の
大面積薄膜太陽電池。 - 【請求項４】 前記光電変換体の半導体層が薄膜半導体
を含んでなることを特徴とする請求項１、２または３記
載の大面積薄膜太陽電池。 - 【請求項５】 前記光電変換体の半導体層が、非晶質シ
リコンを含んでなることを特徴とする請求項１、２、３
または４記載の大面積薄膜太陽電池。 - 【請求項６】 前記光電変換体の半導体層が、薄膜多結
晶シリコンを含んでなることを特徴とする請求項１、
２、３または４記載の大面積薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193126A JPH0613637A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 大面積薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193126A JPH0613637A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 大面積薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613637A true JPH0613637A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=16302703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193126A Withdrawn JPH0613637A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 大面積薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177225A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| JP2009177224A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| JP2009177222A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP4193126A patent/JPH0613637A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177225A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| JP2009177224A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| JP2009177222A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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