JPH0613454A - 半導体素子保管用トレイおよびその製造方法 - Google Patents
半導体素子保管用トレイおよびその製造方法Info
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- JPH0613454A JPH0613454A JP16784292A JP16784292A JPH0613454A JP H0613454 A JPH0613454 A JP H0613454A JP 16784292 A JP16784292 A JP 16784292A JP 16784292 A JP16784292 A JP 16784292A JP H0613454 A JPH0613454 A JP H0613454A
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- element mounting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子保管用トレイから半導体素子の移送
に関して、半導体素子保管用トレイの半導体素子載置面
と、半導体素子の密着を防ぎ、移送をスムーズに行うこ
とができる半導体素子保管用トレイを提供する。 【構成】半導体素子保管用トレイの半導体素子載置面
に、点在する凸部、点在する凹部、連続するか交わる溝
を設け、疑似的に表面あらさをあらくし、前記半導体素
子載置面と、半導体素子の密着を防ぎ、前記半導体素子
保管用トレイから前記半導体素子の移送をスムーズにす
る。具体的には半導体素子保管用トレイ12において、
半導体素子載置面4に、一つあるいは複数の点在する凸
部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体素子載
置面の半分の面積以内である等による。
に関して、半導体素子保管用トレイの半導体素子載置面
と、半導体素子の密着を防ぎ、移送をスムーズに行うこ
とができる半導体素子保管用トレイを提供する。 【構成】半導体素子保管用トレイの半導体素子載置面
に、点在する凸部、点在する凹部、連続するか交わる溝
を設け、疑似的に表面あらさをあらくし、前記半導体素
子載置面と、半導体素子の密着を防ぎ、前記半導体素子
保管用トレイから前記半導体素子の移送をスムーズにす
る。具体的には半導体素子保管用トレイ12において、
半導体素子載置面4に、一つあるいは複数の点在する凸
部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体素子載
置面の半分の面積以内である等による。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子保管用トレ
イ(以下、トレイと記す。)に関し、とくに半導体素子
載置面(以下、載置面と記す。)の形状、およびその加
工方法に関する。
イ(以下、トレイと記す。)に関し、とくに半導体素子
載置面(以下、載置面と記す。)の形状、およびその加
工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来より用いられているトレイ
の平面図である。また、図8は、前記トレイの断面図で
ある。
の平面図である。また、図8は、前記トレイの断面図で
ある。
【0003】トレイ1は、外形部6内に、載置面4が設
けてあり、半導体素子7を整然と保管するために、載置
面4上には、外枠2と仕切り板3が設けてある。半導体
素子7は、仕切り板3、あるいは、仕切り板3と外枠2
に囲まれた載置面4に載置され保存される。
けてあり、半導体素子7を整然と保管するために、載置
面4上には、外枠2と仕切り板3が設けてある。半導体
素子7は、仕切り板3、あるいは、仕切り板3と外枠2
に囲まれた載置面4に載置され保存される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、トレイは、
合成樹脂により製作され、その製造方法は、通常に射出
成形がもちいられる。射出成形用の金型には、通常表面
あらさ20ミクロン以下にコントロールされている。よ
って、前記トレイの各表面は、表面あらさ20ミクロン
程度以下に保たれている。
合成樹脂により製作され、その製造方法は、通常に射出
成形がもちいられる。射出成形用の金型には、通常表面
あらさ20ミクロン以下にコントロールされている。よ
って、前記トレイの各表面は、表面あらさ20ミクロン
程度以下に保たれている。
【0005】また、前記トレイに保存される半導体素子
において、前記トレイと接触する面、すなわち、半導体
素子能動面の裏の面の表面のあらさは、未研削のウエハ
を用いた場合は、1ミクロン以下、研削したウエハを用
いた場合は、10ミクロン以下である。
において、前記トレイと接触する面、すなわち、半導体
素子能動面の裏の面の表面のあらさは、未研削のウエハ
を用いた場合は、1ミクロン以下、研削したウエハを用
いた場合は、10ミクロン以下である。
【0006】よって、前記トレイと、前記トレイに保管
される前記半導体素子において、両者の接触面、すなわ
ち前記トレイの載置面と前記半導体素子裏面は、表面あ
らさが小さいため密着し、大気圧により密着性を強くす
ることとなる。
される前記半導体素子において、両者の接触面、すなわ
ち前記トレイの載置面と前記半導体素子裏面は、表面あ
らさが小さいため密着し、大気圧により密着性を強くす
ることとなる。
【0007】その結果として、前記トレイに保管された
前記半導体素子を使用する際、コレット等により真空吸
着し、半導体装置用リードフレーム等に移送を試みて
も、しばし、前記トレイの積載面と前記半導体素子の強
い密着性のために、移送ができないことがある。
前記半導体素子を使用する際、コレット等により真空吸
着し、半導体装置用リードフレーム等に移送を試みて
も、しばし、前記トレイの積載面と前記半導体素子の強
い密着性のために、移送ができないことがある。
【0008】これを解決するために、図9、図10の貫
通孔付きトレイ11に示すように、載置面4から裏面5
に貫通孔8を設け、大気圧による密着性の向上を破壊す
る工夫がなされたトレイが考案されてきた。しかし、裏
面5に貫通孔8が存在するために、貫通孔8より、粉塵
が進入し保管されている半導体素子の表面を汚染してし
まい、貫通孔付きトレイ11は、完全な解決とは言えな
かった。
通孔付きトレイ11に示すように、載置面4から裏面5
に貫通孔8を設け、大気圧による密着性の向上を破壊す
る工夫がなされたトレイが考案されてきた。しかし、裏
面5に貫通孔8が存在するために、貫通孔8より、粉塵
が進入し保管されている半導体素子の表面を汚染してし
まい、貫通孔付きトレイ11は、完全な解決とは言えな
かった。
【0009】
【課題を解決するための手段】半導体素子載置面、外
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、 前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の凸
部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体素子載
置面の半分の面積以内であることを特徴とするか、また
は、前記トレイにおいて、前記半導体素子載置面に、一
つあるいは複数の凹部を設け、前記凹部の没落した面
が、前記半導体素子載置面の半分の面積以内であること
を特徴とするか、あるいは、前記トレイにおいて、前記
半導体素子載置面に、溝を設け、前記溝部の面積が前記
半導体素子載置面の半分以下の面積であることを特徴と
するものである。
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、 前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の凸
部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体素子載
置面の半分の面積以内であることを特徴とするか、また
は、前記トレイにおいて、前記半導体素子載置面に、一
つあるいは複数の凹部を設け、前記凹部の没落した面
が、前記半導体素子載置面の半分の面積以内であること
を特徴とするか、あるいは、前記トレイにおいて、前記
半導体素子載置面に、溝を設け、前記溝部の面積が前記
半導体素子載置面の半分以下の面積であることを特徴と
するものである。
【0010】(1) 半導体素子載置面、外形部、外
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在
する凸部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体
素子載置面の半分の面積以内とする。
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在
する凸部を設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体
素子載置面の半分の面積以内とする。
【0011】(2) (1)の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、一つあるいは複数の細かい
個体を、前記半導体素子載置面に接着して、前記半導体
素子載置面に凸部を設ける製造方法。
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、一つあるいは複数の細かい
個体を、前記半導体素子載置面に接着して、前記半導体
素子載置面に凸部を設ける製造方法。
【0012】(3) 半導体素子載置面、外形部、外
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在
する凹部を設け、前記凹部の陥没した面が、前記半導体
素子載置面の半分の面積以内とする。
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在
する凹部を設け、前記凹部の陥没した面が、前記半導体
素子載置面の半分の面積以内とする。
【0013】(4) (1)の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、一つあるいは複数の点在する凹部を設
けるトレイ製造方法。
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、一つあるいは複数の点在する凹部を設
けるトレイ製造方法。
【0014】(5) 半導体素子載置面、外形部、外
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝
を設け、前記溝部の面積が前記半導体素子載置面の半分
以下の面積である。
枠、仕切り板等からなる半導体素子保管トレイにおい
て、前記半導体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝
を設け、前記溝部の面積が前記半導体素子載置面の半分
以下の面積である。
【0015】(6) (5)の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝を設ける製造
方法。
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝を設ける製造
方法。
【0016】等からなる。
【0017】
【作用】本発明を実施することにより、トレイの載置面
と前記トレイに保管される半導体素子の裏面の密着を防
ぎ、前記トレイから前記半導体素子を移送する際の、吸
着ミス等が低減できる。
と前記トレイに保管される半導体素子の裏面の密着を防
ぎ、前記トレイから前記半導体素子を移送する際の、吸
着ミス等が低減できる。
【0018】また、同様な効果をもち、従来より考案さ
れている図9、図10に示すような貫通孔付きトレイに
比べ、粉塵の進入を防ぐことができる。
れている図9、図10に示すような貫通孔付きトレイに
比べ、粉塵の進入を防ぐことができる。
【0019】
【実施例】図1は、本発明の手段(1)を実施した場合
のトレイ(以下、凸部付きトレイと記す。)の平面図で
あり、図2は、断面図である。以下、その詳細を説明し
ていく。
のトレイ(以下、凸部付きトレイと記す。)の平面図で
あり、図2は、断面図である。以下、その詳細を説明し
ていく。
【0020】図1において、凸部付きトレイ12は、外
形部6の内部に載置面4が設けてあり、半導体素子を整
然と保管するために、外枠2と仕切り板3により、載置
面4を格子状に分割している。また、載置面4上に、点
在する凸部81を、凸部81の隆起部の面積の総和が、
積載面4の面積の半分以下の範囲で、配する。このよう
な構成において、図2に示すように、点在した凸部81
を設けたことにより、半導体素子7と載置面4が密接し
なくなり、隙間9が生じる。よって、半導体素子7と載
置面4の密着がなくなり、凸部付きトレイ12から半導
体素子7の移送をスムーズに行うことができる。
形部6の内部に載置面4が設けてあり、半導体素子を整
然と保管するために、外枠2と仕切り板3により、載置
面4を格子状に分割している。また、載置面4上に、点
在する凸部81を、凸部81の隆起部の面積の総和が、
積載面4の面積の半分以下の範囲で、配する。このよう
な構成において、図2に示すように、点在した凸部81
を設けたことにより、半導体素子7と載置面4が密接し
なくなり、隙間9が生じる。よって、半導体素子7と載
置面4の密着がなくなり、凸部付きトレイ12から半導
体素子7の移送をスムーズに行うことができる。
【0021】また、凸部81の製作方法として、手段
(2)のように、図7、図8に示すような、トレイを射
出成形により製作し、凸部81となるべく個体を、載置
面4に接着し、凸部81を形成する方法がある。他に、
射出成形用金型において、載置面を構成する面に、凹部
を設け、射出成形時に凸部81を成形する方法もある。
図3は、本発明の手段(3)を実施した場合のトレイ
(以下、凹部付きトレイと記す。)の平面図であり、図
4は、断面図である。
(2)のように、図7、図8に示すような、トレイを射
出成形により製作し、凸部81となるべく個体を、載置
面4に接着し、凸部81を形成する方法がある。他に、
射出成形用金型において、載置面を構成する面に、凹部
を設け、射出成形時に凸部81を成形する方法もある。
図3は、本発明の手段(3)を実施した場合のトレイ
(以下、凹部付きトレイと記す。)の平面図であり、図
4は、断面図である。
【0022】手段(3)は、手段(1)の凸部81の代
わりに、点在する凹部82を設けて、隙間9を生じさせ
たものであり、以下、その詳細を説明していく。図3に
おいて、凹部付きトレイ13は、外形部6の内部に載置
面4が設けてあり、半導体素子を整然と保管するため
に、外枠2と仕切り板3により、載置面4を格子状に分
割している。また、載置面4に、点在する凹部82を、
凹部82の陥没部の面積の総和が、積載面4の面積の半
分以下の範囲で、配する。
わりに、点在する凹部82を設けて、隙間9を生じさせ
たものであり、以下、その詳細を説明していく。図3に
おいて、凹部付きトレイ13は、外形部6の内部に載置
面4が設けてあり、半導体素子を整然と保管するため
に、外枠2と仕切り板3により、載置面4を格子状に分
割している。また、載置面4に、点在する凹部82を、
凹部82の陥没部の面積の総和が、積載面4の面積の半
分以下の範囲で、配する。
【0023】このような構成において、図4に示すよう
に、点在した凹部81を設けたことにより、半導体素子
7と載置面4が密接しなくなり、隙間9が生じる。よっ
て、手段(1)と同様に、半導体素子7と載置面4の密
着がなくなり、凹部付きトレイ13から半導体素子7の
移送をスムーズに行うことができる。
に、点在した凹部81を設けたことにより、半導体素子
7と載置面4が密接しなくなり、隙間9が生じる。よっ
て、手段(1)と同様に、半導体素子7と載置面4の密
着がなくなり、凹部付きトレイ13から半導体素子7の
移送をスムーズに行うことができる。
【0024】また、凹部82の製作方法として、手段
(4)のように、図7、図8に示すような、トレイを射
出成形により製作し、その後、凹部81となるべく載置
面4を、研削加工により、凹部82を形成する方法があ
る。他に、射出成形用金型において、載置面を構成する
面に、凸部を設け、射出成形時に凹部82を成形する方
法もある。
(4)のように、図7、図8に示すような、トレイを射
出成形により製作し、その後、凹部81となるべく載置
面4を、研削加工により、凹部82を形成する方法があ
る。他に、射出成形用金型において、載置面を構成する
面に、凸部を設け、射出成形時に凹部82を成形する方
法もある。
【0025】図5は、本発明の手段(5)を実施した場
合のトレイ(以下、溝付きトレイと記す。)の平面図で
あり、図6は、断面図である。手段(5)は、手段
(3)の凹部82を拡大し、連続する溝状の溝部83を
設けて、隙間9を生じさせたものであり、以下、その詳
細を説明していく。図5において、溝部付きトレイ14
は、外形部6の内部に載置面4が設けてあり、半導体素
子を整然と保管するために、外枠2と仕切り板3によ
り、載置面4を格子状に分割している。また、載置面4
に、溝部83を、溝部83の陥没部の面積の総和が、積
載面4の面積の半分以下の範囲で、配する。
合のトレイ(以下、溝付きトレイと記す。)の平面図で
あり、図6は、断面図である。手段(5)は、手段
(3)の凹部82を拡大し、連続する溝状の溝部83を
設けて、隙間9を生じさせたものであり、以下、その詳
細を説明していく。図5において、溝部付きトレイ14
は、外形部6の内部に載置面4が設けてあり、半導体素
子を整然と保管するために、外枠2と仕切り板3によ
り、載置面4を格子状に分割している。また、載置面4
に、溝部83を、溝部83の陥没部の面積の総和が、積
載面4の面積の半分以下の範囲で、配する。
【0026】このような構成において、図6に示すよう
に、凹部82を溝部83に拡大したことにより、半導体
素子7と載置面4が手段(3)以上に密接しなくなり、
隙間9が大きな形で生じる。よって、手段(1)、およ
び手段(3)と同様に、半導体素子7と載置面4の密着
がなくなり、溝付きトレイ14から半導体素子7の移送
をスムーズに行うことができる。
に、凹部82を溝部83に拡大したことにより、半導体
素子7と載置面4が手段(3)以上に密接しなくなり、
隙間9が大きな形で生じる。よって、手段(1)、およ
び手段(3)と同様に、半導体素子7と載置面4の密着
がなくなり、溝付きトレイ14から半導体素子7の移送
をスムーズに行うことができる。
【0027】また、溝部83は、連続する1本の溝で
も、複数の交わる溝でも構わない。また、溝部83の製
作方法として、手段(6)のように、図7、図8に示す
ような、トレイを射出成形により製作し、その後、溝部
83となるべく載置面4を、研削加工により、溝部83
を形成する方法がある。他に、射出成形用金型におい
て、載置面を構成する面に、連続する凸部を設け、射出
成形時に溝部83を成形する方法もある。
も、複数の交わる溝でも構わない。また、溝部83の製
作方法として、手段(6)のように、図7、図8に示す
ような、トレイを射出成形により製作し、その後、溝部
83となるべく載置面4を、研削加工により、溝部83
を形成する方法がある。他に、射出成形用金型におい
て、載置面を構成する面に、連続する凸部を設け、射出
成形時に溝部83を成形する方法もある。
【0028】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、トレイ
の載置面に、特殊形状を設け、疑似的に前記載置面のあ
らさをあらくしたことにより、前記トレイと、前記トレ
イに保管される半導体素子の密着がなくなり、前記トレ
イから前記半導体素子を、半導体装置用リードフレーム
等に移送する際の、コレット等の吸着ミスがなくなり、
スムーズに移送が行える。
の載置面に、特殊形状を設け、疑似的に前記載置面のあ
らさをあらくしたことにより、前記トレイと、前記トレ
イに保管される半導体素子の密着がなくなり、前記トレ
イから前記半導体素子を、半導体装置用リードフレーム
等に移送する際の、コレット等の吸着ミスがなくなり、
スムーズに移送が行える。
【図1】本発明の手段(1)の実施例の平面図。
【図2】本発明の手段(1)の他の実施例の断面図。
【図3】本発明の手段(3)の実施例の平面図。
【図4】本発明の手段(3)の他の実施例の断面図。
【図5】本発明の手段(5)の実施例の平面図。
【図6】本発明の手段(5)の他の実施例の断面図。
【図7】従来のトレイの平面図。
【図8】従来のトレイの断面図。
【図9】貫通孔付きトレイの平面図。
【図10】貫通孔付きトレイの断面図。
1 トレイ 11 貫通孔付きトレイ 12 凸部付きトレイ 13 凹部付きトレイ 14 溝付きトレイ 2 外枠 3 仕切り板 4 載置面 5 裏面 6 外形部 7 半導体素子 8 貫通孔 81 凸部 82 凹部 83 溝部 9 隙間
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体素子載置面、外形部、外枠、仕切
り板等からなる半導体素子保管トレイにおいて、前記半
導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在する凸部を
設け、前記凸部の隆起した面が、前記半導体素子載置面
の半分の面積以内であることを特徴とする半導体素子保
管用トレイ。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、一つあるいは複数の細かい
個体を、前記半導体素子載置面に接着して、前記半導体
素子載置面に凸部を設けることを特徴とする半導体素子
保管用トレイの製造方法。 - 【請求項3】 半導体素子載置面、外形部、外枠、仕切
り板等からなる半導体素子保管トレイにおいて、前記半
導体素子載置面に、一つあるいは複数の点在する凹部を
設け、前記凹部の陥没した面が、前記半導体素子載置面
の半分の面積以内であることを特徴とした半導体素子保
管用トレイ。 - 【請求項4】 請求項3記載の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、一つあるいは複数の点在する凹部を設
けることを特徴とする半導体素子保管用トレイの製造方
法。 - 【請求項5】 半導体素子載置面、外形部、外枠、仕切
り板等からなる半導体素子保管トレイにおいて、前記半
導体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝を設け、前
記溝部の面積が前記半導体素子載置面の半分以下の面積
であることを特徴とする半導体素子保管用トレイ。 - 【請求項6】 請求項5記載の半導体素子保管用トレイ
において、金型を用いた射出成形により、半導体素子載
置面、外形部、外枠、仕切り板からなる半導体素子保管
用トレイを製作し、その後、研削加工により、前記半導
体素子載置面に、連続、あるいは交わる溝を設けること
を特徴とする半導体素子保管用トレイの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16784292A JPH0613454A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体素子保管用トレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16784292A JPH0613454A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体素子保管用トレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
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JPH0613454A true JPH0613454A (ja) | 1994-01-21 |
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ID=15857096
Family Applications (1)
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JP16784292A Pending JPH0613454A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体素子保管用トレイおよびその製造方法 |
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JP (1) | JPH0613454A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-06-25 JP JP16784292A patent/JPH0613454A/ja active Pending
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