JPH0613251A - インダクタンス装置 - Google Patents
インダクタンス装置Info
- Publication number
- JPH0613251A JPH0613251A JP4171012A JP17101292A JPH0613251A JP H0613251 A JPH0613251 A JP H0613251A JP 4171012 A JP4171012 A JP 4171012A JP 17101292 A JP17101292 A JP 17101292A JP H0613251 A JPH0613251 A JP H0613251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- inductance device
- flange
- resin
- electrically insulating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コアの電気絶縁性を保つことにより、漏電を
防止でき、比較的容易に製造できるインダクタンス装置
を提供する。 【構成】 コア２および３にはそれぞれ、その表面に電
気絶縁皮膜が被覆され、かつ、互いに突き合わせ可能な
位置にフランジ１０および１１が形成され、コア２およ
び３は、互いに突き合わされたフランジ１０および１１
に、コア２とコア３とによって規定される厚みを越えな
いようにホルダ５が嵌合され、互いに突き合わされて固
定される。
防止でき、比較的容易に製造できるインダクタンス装置
を提供する。 【構成】 コア２および３にはそれぞれ、その表面に電
気絶縁皮膜が被覆され、かつ、互いに突き合わせ可能な
位置にフランジ１０および１１が形成され、コア２およ
び３は、互いに突き合わされたフランジ１０および１１
に、コア２とコア３とによって規定される厚みを越えな
いようにホルダ５が嵌合され、互いに突き合わされて固
定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波で駆動するトラ
ンスやチョークコイルに適した薄型のインダクタンス装
置に関するものである。
ンスやチョークコイルに適した薄型のインダクタンス装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のインダクタンス装置の一
例の斜視図である。図３において、従来のインダクタン
ス装置１は、第１のコアであるコア２と、コア２に突き
合わせて固定される第２のコアであるコア３とを含んで
おり、コア２とコア３との間に巻コイル（図示せず）が
配置されている。さらに、コア３の表面にコの字形の端
子１３を設け、これにリード線を固定して使用する。ま
た、従来では、コア２とコア３とは、これらに固定用絶
縁テープ１２を巻回することにより固定される。
例の斜視図である。図３において、従来のインダクタン
ス装置１は、第１のコアであるコア２と、コア２に突き
合わせて固定される第２のコアであるコア３とを含んで
おり、コア２とコア３との間に巻コイル（図示せず）が
配置されている。さらに、コア３の表面にコの字形の端
子１３を設け、これにリード線を固定して使用する。ま
た、従来では、コア２とコア３とは、これらに固定用絶
縁テープ１２を巻回することにより固定される。
【０００３】このインダクタンス装置のコア材料として
は、一般に、高透磁率、低ロス、高比抵抗である等の点
から、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トが使われている。これらの直流比抵抗は、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトでは約３．０００Ω・ｃｍ以下であり、ま
た、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトでは約１０7 Ω・ｃｍ以下
である。
は、一般に、高透磁率、低ロス、高比抵抗である等の点
から、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トが使われている。これらの直流比抵抗は、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトでは約３．０００Ω・ｃｍ以下であり、ま
た、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトでは約１０7 Ω・ｃｍ以下
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このインダク
タンス装置は、高周波を印加すると電気抵抗が低下して
しまう。このため、高周波領域では漏電による機能低下
や他の電子部品の損傷という問題点がある。
タンス装置は、高周波を印加すると電気抵抗が低下して
しまう。このため、高周波領域では漏電による機能低下
や他の電子部品の損傷という問題点がある。
【０００５】また、従来のインダクタンス装置は、前述
したように、固定用絶縁テープを巻回して第１のコアと
第２のコアとを固定する構造のために、テープの巻回作
業に手間がかかり、製造工数が増加するという問題点が
ある。
したように、固定用絶縁テープを巻回して第１のコアと
第２のコアとを固定する構造のために、テープの巻回作
業に手間がかかり、製造工数が増加するという問題点が
ある。
【０００６】本発明の課題は、コアの電気絶縁性を保つ
ことにより、漏電を防止できるインダクタンス装置を提
供することである。
ことにより、漏電を防止できるインダクタンス装置を提
供することである。
【０００７】本発明の他の課題は、比較的容易に製造で
きるインダクタンス装置を提供することである。
きるインダクタンス装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、互いに
突き合わされて固定される第１のコアおよび第２のコア
を含むインダクタンス装置において、前記第１のコアお
よび前記第２のコアにはそれぞれ、その表面に電気絶縁
皮膜が被覆され、かつ、互いに突き合わせ可能な位置に
フランジが形成され、前記第１のコアおよび前記第２の
コアは、互いに突き合わされた前記フランジに、該第１
のコアと該第２のコアとによって規定される厚みを越え
ないようにホルダが嵌合され、互いに突き合わされて固
定されることを特徴とするインダクタンス装置が得られ
る。
突き合わされて固定される第１のコアおよび第２のコア
を含むインダクタンス装置において、前記第１のコアお
よび前記第２のコアにはそれぞれ、その表面に電気絶縁
皮膜が被覆され、かつ、互いに突き合わせ可能な位置に
フランジが形成され、前記第１のコアおよび前記第２の
コアは、互いに突き合わされた前記フランジに、該第１
のコアと該第２のコアとによって規定される厚みを越え
ないようにホルダが嵌合され、互いに突き合わされて固
定されることを特徴とするインダクタンス装置が得られ
る。
【０００９】さらに、前記第１のコア及び前記第２のコ
アは、有機高分子（例えば、フッ素系ポリイミドアミド
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）、金属酸化物
（例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等）あるい
は窒化物等（例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等）で被覆さ
れているため、漏電による機能低下を防止することがで
き、他の部品を損傷させることもない。ここで、コアに
被覆される各種被膜は、その種類によって様々な被膜形
成方法を取ることが可能である。
アは、有機高分子（例えば、フッ素系ポリイミドアミド
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）、金属酸化物
（例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等）あるい
は窒化物等（例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等）で被覆さ
れているため、漏電による機能低下を防止することがで
き、他の部品を損傷させることもない。ここで、コアに
被覆される各種被膜は、その種類によって様々な被膜形
成方法を取ることが可能である。
【００１０】有機高分子材に関しては、一般的なスプレ
ー、ディップ等による塗布後、焼付けによるものがコス
ト的にも好ましい。さらに、プラズマ重合法を用いる
と、密着度が著しく向上し、従来法に比べて様々な有機
高分子被膜を形成することができる。金属酸化物や金属
窒化物は、スパッタ、イオンプレーティング、蒸着、Ｐ
−ＣＶＤ等のドライプロセスのいずれでも被膜を形成す
ることができる。金属酸化物に関しては、アルコラート
の加水分解或は加熱により皮膜を形成することも可能で
あり、封着用ガラスをペーストとして塗布後、加熱する
ことにより被膜を形成することも可能である。
ー、ディップ等による塗布後、焼付けによるものがコス
ト的にも好ましい。さらに、プラズマ重合法を用いる
と、密着度が著しく向上し、従来法に比べて様々な有機
高分子被膜を形成することができる。金属酸化物や金属
窒化物は、スパッタ、イオンプレーティング、蒸着、Ｐ
−ＣＶＤ等のドライプロセスのいずれでも被膜を形成す
ることができる。金属酸化物に関しては、アルコラート
の加水分解或は加熱により皮膜を形成することも可能で
あり、封着用ガラスをペーストとして塗布後、加熱する
ことにより被膜を形成することも可能である。
【００１１】被膜の厚さは各被膜種により適した膜厚を
選択する必要があり、有機高分子は５μｍ以上が望まし
い。また、金属酸化物や金属窒化物の膜厚は、０．５μ
ｍ以上が望ましい。ただし、あまり厚すぎると装置作製
が困難なほか、各種被膜から応力を受けてインダクタン
スが低下する恐れもある。このため、有機高分子では１
００μｍ以下、金属酸化物や金属窒化物の場合は３０μ
ｍ以下が望ましい。
選択する必要があり、有機高分子は５μｍ以上が望まし
い。また、金属酸化物や金属窒化物の膜厚は、０．５μ
ｍ以上が望ましい。ただし、あまり厚すぎると装置作製
が困難なほか、各種被膜から応力を受けてインダクタン
スが低下する恐れもある。このため、有機高分子では１
００μｍ以下、金属酸化物や金属窒化物の場合は３０μ
ｍ以下が望ましい。
【００１２】また、本発明におけるインダクタンス装置
は、後述するように、第１のフランジと第２のフランジ
とをホルダにより挟持するだけで、第１のコアと第２の
コアとを固定できるため、固定作業は容易である。
は、後述するように、第１のフランジと第２のフランジ
とをホルダにより挟持するだけで、第１のコアと第２の
コアとを固定できるため、固定作業は容易である。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例によ
るインダクタンス装置を説明する。
るインダクタンス装置を説明する。
【００１４】［実施例１］図１（ａ）および（ｂ）は、
本発明の実施例によるインダクタンス装置であるチョー
クコイルを示す斜視図および分解斜視図である。尚、図
１（ａ）および（ｂ）において、従来例と同等あるいは
同様部には、図３と同一符号を付している。
本発明の実施例によるインダクタンス装置であるチョー
クコイルを示す斜視図および分解斜視図である。尚、図
１（ａ）および（ｂ）において、従来例と同等あるいは
同様部には、図３と同一符号を付している。
【００１５】図１を参照して、実施例１によるチョーク
コイル１は、第１のコアであるコア２と、第２のコアで
あるコア３と、巻コイル４と、２つのホルダ５と、２つ
の端子１３とを有する。コア２及びコア３には、Ｍｎ−
Ｚｎフェライトを用いた。
コイル１は、第１のコアであるコア２と、第２のコアで
あるコア３と、巻コイル４と、２つのホルダ５と、２つ
の端子１３とを有する。コア２及びコア３には、Ｍｎ−
Ｚｎフェライトを用いた。
【００１６】コア２の両側縁にはそれぞれ、フランジ１
０がコア２と一体に備えられている。フランジ１０の厚
みは、コア２よりも薄い。また、フランジ１０は、その
下面が、コア２の下面と同一平面になるようにコア２に
備えられている。コア３の両側縁には、各々、フランジ
１１がコア３と一体に備えられている。フランジ１１の
厚みは、コア３よりも薄い。又、各フランジ１１は、各
々、フランジ１０に対向するようにコア３に備えられて
いる。更に、フランジ１１は、その上面が、コア３の上
面と同一平面になるようにコア３に備えられている。巻
コイル４は、コア２とコア３との間に配置される。ホル
ダ５は、弾性材からなり、断面略コの字状を呈する。ホ
ルダ５は、図２に示すように、フランジ１０とフランジ
１１とを突き合わせた状態で、これらをその弾性力で挟
持するものである。端子１３は、断面略コの字状を呈
し、コア３の表面上に備えられている。
０がコア２と一体に備えられている。フランジ１０の厚
みは、コア２よりも薄い。また、フランジ１０は、その
下面が、コア２の下面と同一平面になるようにコア２に
備えられている。コア３の両側縁には、各々、フランジ
１１がコア３と一体に備えられている。フランジ１１の
厚みは、コア３よりも薄い。又、各フランジ１１は、各
々、フランジ１０に対向するようにコア３に備えられて
いる。更に、フランジ１１は、その上面が、コア３の上
面と同一平面になるようにコア３に備えられている。巻
コイル４は、コア２とコア３との間に配置される。ホル
ダ５は、弾性材からなり、断面略コの字状を呈する。ホ
ルダ５は、図２に示すように、フランジ１０とフランジ
１１とを突き合わせた状態で、これらをその弾性力で挟
持するものである。端子１３は、断面略コの字状を呈
し、コア３の表面上に備えられている。
【００１７】尚、コア２及びコア３には電気絶縁を目的
として、フッ素系ポリイミドアミド樹脂をスプレー塗布
後、１５０〜２５０℃で焼付け塗装を施した。この時の
膜厚を測定したところ最小で１５μｍ最大で２５μｍで
あった。
として、フッ素系ポリイミドアミド樹脂をスプレー塗布
後、１５０〜２５０℃で焼付け塗装を施した。この時の
膜厚を測定したところ最小で１５μｍ最大で２５μｍで
あった。
【００１８】次に、比較例として、フッ素系ポリイミド
アミド樹脂を被覆しないコアを用い、チョークコイルを
作製し、端子１３間での電気抵抗を測定した。尚、測定
の際、端子１３間の距離は１ｍｍに、周波数は１ＭＨｚ
とした。測定の結果、フッ素系ポリイミドアミド樹脂を
被覆した物（本実施例）が３７００Ω・ｃｍであるのに
対し、被覆無しの場合（比較例）は２３０Ω・ｃｍであ
った。本インダクタンス装置は、比較例に比べて１０倍
以上もの電気抵抗であり、きわめて電気絶縁性に優れて
いることがわかる。
アミド樹脂を被覆しないコアを用い、チョークコイルを
作製し、端子１３間での電気抵抗を測定した。尚、測定
の際、端子１３間の距離は１ｍｍに、周波数は１ＭＨｚ
とした。測定の結果、フッ素系ポリイミドアミド樹脂を
被覆した物（本実施例）が３７００Ω・ｃｍであるのに
対し、被覆無しの場合（比較例）は２３０Ω・ｃｍであ
った。本インダクタンス装置は、比較例に比べて１０倍
以上もの電気抵抗であり、きわめて電気絶縁性に優れて
いることがわかる。
【００１９】［実施例２］実施例１で示したＭｎ−Ｚｎ
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂
およびフェノール樹脂を用いた場合の常温下、１ＭＨｚ
における電気抵抗を測定し、電気絶縁皮膜を被覆しない
比較例と比較した。この時の端子間距離は１ｍｍとし
た。測定結果を表１に示す。
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂
およびフェノール樹脂を用いた場合の常温下、１ＭＨｚ
における電気抵抗を測定し、電気絶縁皮膜を被覆しない
比較例と比較した。この時の端子間距離は１ｍｍとし
た。測定結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１において、いずれの有機高分子の被覆
されたコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即
ち、被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（３３５０
〜４９００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることが
わかる。
されたコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即
ち、被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（３３５０
〜４９００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることが
わかる。
【００２２】［実施例３］実施例１で示したＭｎ−Ｚｎ
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＮｉＯおよびＡｌ2 Ｏ
3 を用いた場合の常温、１ＭＨｚにおける電気抵抗を測
定し、電気絶縁皮膜を被覆しない比較例と比較した。こ
の時の端子間距離は１ｍｍとした。測定結果を表２に示
す。
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＮｉＯおよびＡｌ2 Ｏ
3 を用いた場合の常温、１ＭＨｚにおける電気抵抗を測
定し、電気絶縁皮膜を被覆しない比較例と比較した。こ
の時の端子間距離は１ｍｍとした。測定結果を表２に示
す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２において、いずれの金属酸化物の被覆
されたコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即
ち、被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（２５５０
〜４４００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることが
わかる。
されたコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即
ち、被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（２５５０
〜４４００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることが
わかる。
【００２５】［実施例４］実施例１で示したＭｎ−Ｚｎ
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてＡｌＮ、ＴｉＮおよびＳｉ3 Ｎ4 を用いた場
合の常温、１ＭＨｚにおける電気抵抗を測定し、電気絶
縁皮膜を被覆しない比較例と比較した。この時の端子間
距離は１ｍｍとした。測定結果を表３に示す。
フェライトを用いたチョークコイルにおいて、電気絶縁
被膜としてＡｌＮ、ＴｉＮおよびＳｉ3 Ｎ4 を用いた場
合の常温、１ＭＨｚにおける電気抵抗を測定し、電気絶
縁皮膜を被覆しない比較例と比較した。この時の端子間
距離は１ｍｍとした。測定結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】表３において、いずれの窒化物の被覆され
たコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即ち、
被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（３４００〜４
８００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることがわか
る。
たコアを有するインダクタンス装置も、比較例、即ち、
被膜無しのものに比べ、電気抵抗が高く（３４００〜４
８００Ω・ｃｍ）、電気絶縁性に優れていることがわか
る。
【００２８】尚、実施例において、インダクタンス装置
としてチョークコイルを一例にあげたが、本発明がトラ
ンス等他のインダクタンス装置にも適用可能であること
はいうまでもない。
としてチョークコイルを一例にあげたが、本発明がトラ
ンス等他のインダクタンス装置にも適用可能であること
はいうまでもない。
【００２９】
【発明の効果】本発明によるインダクタンス装置は、第
１のコアおよび第２のコアにはそれぞれ、その表面に電
気絶縁皮膜が被覆されているため、コアの電気絶縁性は
保たれる。このため、Ｍｎ−Ｚｎフェライトのように高
周波での電気抵抗が比較的低い材料から成るコアを用い
ても高周波領域で使用可能であり、漏電による機能低下
や他の電子部品を損傷させる心配が無い。
１のコアおよび第２のコアにはそれぞれ、その表面に電
気絶縁皮膜が被覆されているため、コアの電気絶縁性は
保たれる。このため、Ｍｎ−Ｚｎフェライトのように高
周波での電気抵抗が比較的低い材料から成るコアを用い
ても高周波領域で使用可能であり、漏電による機能低下
や他の電子部品を損傷させる心配が無い。
【００３０】また、互いに突き合わせ可能な位置にフラ
ンジが形成され、第１のコアおよび第２のコアは、互い
に突き合わされたフランジにホルダが嵌合されて、互い
に突き合わされて固定されるため、組み立てが容易であ
る。
ンジが形成され、第１のコアおよび第２のコアは、互い
に突き合わされたフランジにホルダが嵌合されて、互い
に突き合わされて固定されるため、組み立てが容易であ
る。
【００３１】さらに、第１のコアと第２のコアとによっ
て規定される厚みを越えないように、ホルダが嵌合され
るため、比較的厚みが薄い。
て規定される厚みを越えないように、ホルダが嵌合され
るため、比較的厚みが薄い。
【図１】本発明の実施例によるインダクタンス装置（チ
ョークコイル）を示す斜視図および分解斜視図である。
ョークコイル）を示す斜視図および分解斜視図である。
【図２】図１に示すインダクタンス装置の固定作業を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】従来のインダクタンス装置の一例の斜視図であ
る。
る。
１ チョークコイル ２、３ コア ４ 巻コイル ５ ホルダ １０、１１ フランジ １２ 固定用絶縁テープ １３ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 隆司 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 遠藤 久仁 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに突き合わされて固定される第１の
コアおよび第２のコアを含むインダクタンス装置におい
て、前記第１のコアおよび前記第２のコアにはそれぞ
れ、その表面に電気絶縁皮膜が被覆され、かつ、互いに
突き合わせ可能な位置にフランジが形成され、前記第１
のコアおよび前記第２のコアは、互いに突き合わされた
前記フランジに、該第１のコアと該第２のコアとによっ
て規定される厚みを越えないようにホルダが嵌合され、
互いに突き合わされて固定されることを特徴とするイン
ダクタンス装置。 - 【請求項２】 前記電気絶縁被膜は、有機高分子から成
る請求項１記載のインダクタンス装置。 - 【請求項３】 前記有機高分子は、エポキシ樹脂、フッ
素系ポリイミドアミド樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹
脂およびフェノール樹脂のうちから選ばれた少なくとも
１つを含む請求項２記載のインダクタンス装置。 - 【請求項４】 前記電気絶縁被膜は、金属酸化物から成
る請求項１記載のインダクタンス装置。 - 【請求項５】 前記金属酸化物は、ＳｉＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、ＮｉＯおよびＡｌ2 Ｏ3 のうちから選ばれた少な
くとも１つを含む請求項４記載のインダクタンス装置。 - 【請求項６】 前記電気絶縁被膜は、窒化物から成る請
求項１記載のインダクタンス装置。 - 【請求項７】 前記窒化物は、ＡｌＮ、ＴｉＮおよびＳ
ｉ3 Ｎ4 のうちから選ばれた少なくとも１つを含む請求
項６記載のインダクタンス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4171012A JPH0613251A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | インダクタンス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4171012A JPH0613251A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | インダクタンス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613251A true JPH0613251A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15915465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4171012A Withdrawn JPH0613251A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | インダクタンス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0782154A1 (en) * | 1995-06-13 | 1997-07-02 | Nihon Shingo Kabushiki Kaisha | Flat transformer |
| US6079629A (en) * | 1998-06-09 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Vehicle heating apparatus having combustor |
| US10614940B2 (en) | 2015-09-15 | 2020-04-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Superconducting magnet device |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4171012A patent/JPH0613251A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0782154A1 (en) * | 1995-06-13 | 1997-07-02 | Nihon Shingo Kabushiki Kaisha | Flat transformer |
| EP0782154A4 (en) * | 1995-06-13 | 1999-08-11 | Nihon Shingo Kabushiki Kaisha | FLAT TRANSFORMER |
| US6079629A (en) * | 1998-06-09 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Vehicle heating apparatus having combustor |
| US10614940B2 (en) | 2015-09-15 | 2020-04-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Superconducting magnet device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |