JPH06132484A - 半導体素子の電極構造および配線構造 - Google Patents
半導体素子の電極構造および配線構造Info
- Publication number
- JPH06132484A JPH06132484A JP28137192A JP28137192A JPH06132484A JP H06132484 A JPH06132484 A JP H06132484A JP 28137192 A JP28137192 A JP 28137192A JP 28137192 A JP28137192 A JP 28137192A JP H06132484 A JPH06132484 A JP H06132484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor element
- chip
- package
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの内部配線を外部に引き出しす
る電極は、上端面のみにあり、半導体チップ電極リード
部のリアクタンス成分が多くなり、半導体チップの電気
的特性低下の要因になり、安定な半導体素子のテストを
行うことが困難となる。 【構成】 半導体素子の外部引き出し電極を、上面電極
に加えて側面にも形成して成ることを特徴とする半導体
素子の電極構造。 【効果】 電極部を多く構成することにより、電極部の
リアクタンス成分を減少させ、電気的特性の向上が可能
となり、また、電圧降下等の問題がなくなり、電源、グ
ランドが安定になる。
る電極は、上端面のみにあり、半導体チップ電極リード
部のリアクタンス成分が多くなり、半導体チップの電気
的特性低下の要因になり、安定な半導体素子のテストを
行うことが困難となる。 【構成】 半導体素子の外部引き出し電極を、上面電極
に加えて側面にも形成して成ることを特徴とする半導体
素子の電極構造。 【効果】 電極部を多く構成することにより、電極部の
リアクタンス成分を減少させ、電気的特性の向上が可能
となり、また、電圧降下等の問題がなくなり、電源、グ
ランドが安定になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の電極構造
および該半導体素子とパッケージ、リードフレームなど
のその支持体との配線構造に関する。
および該半導体素子とパッケージ、リードフレームなど
のその支持体との配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップの内部配線を外部に
引き出し、当該チップを機能させる電極は、一般に、上
端面にあり、その結果、電極（リード）を取り出す部分
が限定され、電源の送受の電源線や信号の授受の信号線
などを引き出す為に、これら各上面電極において、例え
ば、アルミ線、金線などのコネクタワイヤを用いてワイ
ヤボンディングにより電気的に接続すると、チップ上端
面に、電源の送受の電源線や信号の授受の信号線などよ
りなるコネクタワイヤが密集することになる。その為、
半導体チップ電極リード部のリアクタンス成分が多くな
り、半導体チップの電気的特性低下の要因になる。その
結果、安定な半導体素子のテストを行うことが、困難と
なる。
引き出し、当該チップを機能させる電極は、一般に、上
端面にあり、その結果、電極（リード）を取り出す部分
が限定され、電源の送受の電源線や信号の授受の信号線
などを引き出す為に、これら各上面電極において、例え
ば、アルミ線、金線などのコネクタワイヤを用いてワイ
ヤボンディングにより電気的に接続すると、チップ上端
面に、電源の送受の電源線や信号の授受の信号線などよ
りなるコネクタワイヤが密集することになる。その為、
半導体チップ電極リード部のリアクタンス成分が多くな
り、半導体チップの電気的特性低下の要因になる。その
結果、安定な半導体素子のテストを行うことが、困難と
なる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の有する欠点を解消し、半導体素子の電極リード部
をできるだけ多く構成し、半導体素子の電源を送受する
アルミ線などを密集させないことにより、半導体素子の
電極リード部のリアクタンス成分を減少し、半導体素子
の電気的特性の向上を図り、安定な半導体素子のテスト
を行うことができるようにすることを目的としたもので
ある。
技術の有する欠点を解消し、半導体素子の電極リード部
をできるだけ多く構成し、半導体素子の電源を送受する
アルミ線などを密集させないことにより、半導体素子の
電極リード部のリアクタンス成分を減少し、半導体素子
の電気的特性の向上を図り、安定な半導体素子のテスト
を行うことができるようにすることを目的としたもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、半導体チップの製造工程で電極部を当該チップの上
面のみに構成するのではなく、当該チップ上面に加えて
側面にも構成するようにした。
に、半導体チップの製造工程で電極部を当該チップの上
面のみに構成するのではなく、当該チップ上面に加えて
側面にも構成するようにした。
【０００５】
【作用】上記手段に示す如く、チップ上面に加えて側面
にも構成するようにし、ＬＳＩの電極部を多く構成する
ことにより、電極部のリアクタンス成分を減少させ、電
気的特性の向上が可能となる。また、電極部を多く構成
することにより、電圧降下等の問題がなくなり、電源、
グランドが安定になる。
にも構成するようにし、ＬＳＩの電極部を多く構成する
ことにより、電極部のリアクタンス成分を減少させ、電
気的特性の向上が可能となる。また、電極部を多く構成
することにより、電圧降下等の問題がなくなり、電源、
グランドが安定になる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１に、ウエハから半導体チップを形成する際
に、側面に電極を構成する工程フローの一例を示す。図
１にて、１はウエハ、２は絶縁膜、３はアルミ配線によ
る電極、４はマスク、５はプローブ針である。側面に電
極を構成するに、ウエハ１の内部配線のアルミ配線３を
側面まで延在させ、側面から露出させることにより形成
できる。チップの製造工程での、側面電極３の形成後に
は、マスク４を用い、チップ側面の電極を構成する層部
分には絶縁膜形成を行わないようにする。図１（Ａ）に
示す電極構造形成後、図１（Ｂ）に示すように、プロー
ブ針５を、側面電極３Ａなどに当て、プローブ検査（Ｐ
検）を行った後に、図１（Ｂ）に示す破線部分を切断し
チップとする。
明する。図１に、ウエハから半導体チップを形成する際
に、側面に電極を構成する工程フローの一例を示す。図
１にて、１はウエハ、２は絶縁膜、３はアルミ配線によ
る電極、４はマスク、５はプローブ針である。側面に電
極を構成するに、ウエハ１の内部配線のアルミ配線３を
側面まで延在させ、側面から露出させることにより形成
できる。チップの製造工程での、側面電極３の形成後に
は、マスク４を用い、チップ側面の電極を構成する層部
分には絶縁膜形成を行わないようにする。図１（Ａ）に
示す電極構造形成後、図１（Ｂ）に示すように、プロー
ブ針５を、側面電極３Ａなどに当て、プローブ検査（Ｐ
検）を行った後に、図１（Ｂ）に示す破線部分を切断し
チップとする。
【０００７】図２〜図７は、上記で得られたような側面
に電極を有するチップと、パッケージの電極リード部と
を電気的に接続する配線構造を示す。図２に示すよう
に、パッケージ６には、電極７が形成されている。図３
に示すように、チップ８の一層目側面電極３Ａを覆っ
て、当該電極３Ａからパッケージ６の電極７Ａにかけ
て、絶縁膜９Ａを形成する。図４に示すように、マスク
（図示せず）を用いて、当該絶縁膜９Ａをエッチングす
る。次いで、図５に示すように、アルミ蒸着して、チッ
プ８の一層目側面電極３Ａとパッケージ６の電極７Ａと
を電気的に接続するアルミ配線１０Ａを形成する。図５
で、矢印で示したように、三層目絶縁膜２Ｃをエッチン
グして、図６に示すように構成した二層目側面電極３Ｂ
に、前記と同様にして、絶縁膜９Ｂを形成し、アルミ蒸
着して、チップ８の二層目側面電極３Ｂとパッケージ６
の電極７Ｂとを電気的に接続するアルミ配線１０Ｂを形
成し、以下順次同様にして、さらに、絶縁膜９Ｃを形成
し、アルミ蒸着して、チップ８の三層目側面電極３Ｃと
パッケージ６の電極７Ｃとを電気的に接続するアルミ配
線１０Ｃを形成する。
に電極を有するチップと、パッケージの電極リード部と
を電気的に接続する配線構造を示す。図２に示すよう
に、パッケージ６には、電極７が形成されている。図３
に示すように、チップ８の一層目側面電極３Ａを覆っ
て、当該電極３Ａからパッケージ６の電極７Ａにかけ
て、絶縁膜９Ａを形成する。図４に示すように、マスク
（図示せず）を用いて、当該絶縁膜９Ａをエッチングす
る。次いで、図５に示すように、アルミ蒸着して、チッ
プ８の一層目側面電極３Ａとパッケージ６の電極７Ａと
を電気的に接続するアルミ配線１０Ａを形成する。図５
で、矢印で示したように、三層目絶縁膜２Ｃをエッチン
グして、図６に示すように構成した二層目側面電極３Ｂ
に、前記と同様にして、絶縁膜９Ｂを形成し、アルミ蒸
着して、チップ８の二層目側面電極３Ｂとパッケージ６
の電極７Ｂとを電気的に接続するアルミ配線１０Ｂを形
成し、以下順次同様にして、さらに、絶縁膜９Ｃを形成
し、アルミ蒸着して、チップ８の三層目側面電極３Ｃと
パッケージ６の電極７Ｃとを電気的に接続するアルミ配
線１０Ｃを形成する。
【０００８】図８は、側面に電極を有するチップ８と、
パッケージ６の電極リード部７とを電気的に接続する配
線構造を模式的に示す平面図である。チップ８には、上
面電極１１に加えて側面電極３を有して成る。チップ８
の側面電極３とパッケージ６の電極リード部７の配線１
０Ａは、例えば、電源線となり、同配線１０Ｂは信号線
となる。
パッケージ６の電極リード部７とを電気的に接続する配
線構造を模式的に示す平面図である。チップ８には、上
面電極１１に加えて側面電極３を有して成る。チップ８
の側面電極３とパッケージ６の電極リード部７の配線１
０Ａは、例えば、電源線となり、同配線１０Ｂは信号線
となる。
【０００９】上記のように、チップ８の電極として、上
面電極１１に加えて側面電極３を形成することにより、
これら電極部１１、３のリアクタンス成分を減少させ、
電気的特性の向上が可能となる。また、このように電極
部を多く構成することにより、電圧降下等の問題がなく
なり、電源、グランドが安定になる。また、チップ８の
一層目、二層目、三層目各側面電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃと
パッケージ６の電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃとを電気的に接続
するアルミ配線１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによる配線構造
を採用することにより、同様に、電極部１１、３のリア
クタンス成分を減少させ、電気的特性の向上が可能とな
り、また、このように電極部を多く構成することによ
り、電圧降下等の問題がなくなり、電源、グランドが安
定になる。
面電極１１に加えて側面電極３を形成することにより、
これら電極部１１、３のリアクタンス成分を減少させ、
電気的特性の向上が可能となる。また、このように電極
部を多く構成することにより、電圧降下等の問題がなく
なり、電源、グランドが安定になる。また、チップ８の
一層目、二層目、三層目各側面電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃと
パッケージ６の電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃとを電気的に接続
するアルミ配線１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによる配線構造
を採用することにより、同様に、電極部１１、３のリア
クタンス成分を減少させ、電気的特性の向上が可能とな
り、また、このように電極部を多く構成することによ
り、電圧降下等の問題がなくなり、電源、グランドが安
定になる。
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の電極部を
多く構成することにより、電極部のリアクタンス成分を
減少させ、電気的特性の向上が可能となる。また、電
源、グランドが安定であるため、安定した状態でテスト
を行える。
多く構成することにより、電極部のリアクタンス成分を
減少させ、電気的特性の向上が可能となる。また、電
源、グランドが安定であるため、安定した状態でテスト
を行える。
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ本発明の実施
例を示すチップ製造工程フロー図、
例を示すチップ製造工程フロー図、
【図２】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図３】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図４】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図５】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図６】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図７】本発明の実施例を示す配線構造形成工程断面
図、
図、
【図８】本発明の実施例を示す平面図
１ ウエハ、 ２ 絶縁膜、 ３ アルミ配線による電極、 ４ マスク、 ５ プローブ針 6 パッケージ 7 パッケージ電極 8 チップ ９ 絶縁膜 １０ 配線 １１ 上面電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子の外部引き出し電極を、上面
電極に加えて側面にも形成して成ることを特徴とする半
導体素子の電極構造。 - 【請求項２】 半導体素子の側面に形成した電極と当該
半導体素子を支持する支持体の電極リード部とをエッチ
ングによる配線により電気的に接続して成ることを特徴
を有する半導体素子とその支持体との配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28137192A JPH06132484A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 半導体素子の電極構造および配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28137192A JPH06132484A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 半導体素子の電極構造および配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132484A true JPH06132484A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17638194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28137192A Pending JPH06132484A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 半導体素子の電極構造および配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132484A (ja) |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP28137192A patent/JPH06132484A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6956294B2 (en) | Apparatus for routing die interconnections using intermediate connection elements secured to the die face | |
| US6313540B1 (en) | Electrode structure of semiconductor element | |
| JP2819285B2 (ja) | 積層型ボトムリード半導体パッケージ | |
| US4223337A (en) | Semiconductor integrated circuit with electrode pad suited for a characteristic testing | |
| JP2004071961A (ja) | 複合モジュール及びその製造方法 | |
| JPS5994441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2765567B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06132484A (ja) | 半導体素子の電極構造および配線構造 | |
| JP2697547B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH08250620A (ja) | 半導体装置 | |
| US5736452A (en) | Method of manufacturing a hybrid integrated circuit | |
| JPH06120305A (ja) | 半導体装置の電気的特性の検査用治具 | |
| JPH02189926A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH1187558A (ja) | 外部接続端子付半導体素子 | |
| JPH03165549A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02164057A (ja) | ピングリッドアレイ半導体パッケージ | |
| JPH07142631A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0376260A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH05251513A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05211279A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH04124844A (ja) | 半導体装置のボンディングパッド電極の構造 | |
| JPS59193054A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000077559A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11354713A (ja) | 半導体装置及び実装方法 | |
| JPH065734A (ja) | 集積回路パッケージ |