JPH06132340A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06132340A JPH06132340A JP30636492A JP30636492A JPH06132340A JP H06132340 A JPH06132340 A JP H06132340A JP 30636492 A JP30636492 A JP 30636492A JP 30636492 A JP30636492 A JP 30636492A JP H06132340 A JPH06132340 A JP H06132340A
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- Japan
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- inner lead
- bonding
- tip
- wire
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングワイヤと半導体チップとの接触
による短絡を防ぐ。 【構成】 インナーリード４はワイヤボンディングが施
される先端部６の板厚が厚くなるように加工され、ボン
ディング部６の表面と半導体チップ２の表面とが同一高
さになるように支持されてインナーリードの先端面が絶
縁性接着剤１４によって半導体チップ２の側面に接着さ
れている。ボンディングワイヤ１０によってボンディン
グ部６の表面と半導体チップ２のボンディングパッドと
の間が電気的に接続され、半導体チップ２及びインナー
リード４の先端部６を含む部分がワイヤ１０とともにモ
ールド樹脂１２によって封止されている。アイランド部
が不要になってその厚みの分だけ樹脂封止後の実装体の
厚みを薄くすることができ、インナーリード４と半導体
チップ２との間隔がなくなって樹脂封止の範囲を小さく
することができて、小型化に寄与する。
による短絡を防ぐ。 【構成】 インナーリード４はワイヤボンディングが施
される先端部６の板厚が厚くなるように加工され、ボン
ディング部６の表面と半導体チップ２の表面とが同一高
さになるように支持されてインナーリードの先端面が絶
縁性接着剤１４によって半導体チップ２の側面に接着さ
れている。ボンディングワイヤ１０によってボンディン
グ部６の表面と半導体チップ２のボンディングパッドと
の間が電気的に接続され、半導体チップ２及びインナー
リード４の先端部６を含む部分がワイヤ１０とともにモ
ールド樹脂１２によって封止されている。アイランド部
が不要になってその厚みの分だけ樹脂封止後の実装体の
厚みを薄くすることができ、インナーリード４と半導体
チップ２との間隔がなくなって樹脂封止の範囲を小さく
することができて、小型化に寄与する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップとインナー
リードとが電気的に接続され、モールド樹脂で封止され
た半導体装置に関するものである。
リードとが電気的に接続され、モールド樹脂で封止され
た半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップをインナーリードと接続す
る方法としてボンディングワイヤを用いるワイヤボンデ
ィング法、テープキャリアを用いるＴＡＢ法などがあ
る。ワイヤボンディング法では半導体チップの側方にリ
ードフレームのインナーリードが配置され、インナーリ
ード先端部と半導体チップ表面のボンディングパッドと
の間がボンディングワイヤにより接続される。リードフ
レームの板厚は半導体チップの厚さよりも薄いのが一般
的であり、そのためワイヤボンディングが施される際は
半導体チップ表面とインナーリードの接続面との高さが
異なり、半導体チップ側の方が高くなっている。
る方法としてボンディングワイヤを用いるワイヤボンデ
ィング法、テープキャリアを用いるＴＡＢ法などがあ
る。ワイヤボンディング法では半導体チップの側方にリ
ードフレームのインナーリードが配置され、インナーリ
ード先端部と半導体チップ表面のボンディングパッドと
の間がボンディングワイヤにより接続される。リードフ
レームの板厚は半導体チップの厚さよりも薄いのが一般
的であり、そのためワイヤボンディングが施される際は
半導体チップ表面とインナーリードの接続面との高さが
異なり、半導体チップ側の方が高くなっている。
【０００３】ＴＡＢ方式でインナーリードを半導体チッ
プのボンディングパッドに接続しようとすれば、半導体
チップ側とインナーリード側の少なくとも一方にバンプ
を形成する必要がある。そこで、バンプを介することな
くテープキャリアのインナーリードを半導体チップのパ
ッドに直接接続するために、インナーリードを銅又はア
ルミニウムで形成して直接接続することが提案されてい
る（特開昭３−２０６６３３号公報参照）。
プのボンディングパッドに接続しようとすれば、半導体
チップ側とインナーリード側の少なくとも一方にバンプ
を形成する必要がある。そこで、バンプを介することな
くテープキャリアのインナーリードを半導体チップのパ
ッドに直接接続するために、インナーリードを銅又はア
ルミニウムで形成して直接接続することが提案されてい
る（特開昭３−２０６６３３号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング法では半導体チップ表面とインナーリード表面のボ
ンディング面の高さが異なっており、半導体チップ表面
の方が高くなっているため、短かいボンディングワイヤ
で接続すると、ワイヤがチップの端と接触して短絡しや
すくなる。そこで、本発明の第１の目的はボンディング
ワイヤと半導体チップとの接触による短絡を防ぐことで
ある。
ング法では半導体チップ表面とインナーリード表面のボ
ンディング面の高さが異なっており、半導体チップ表面
の方が高くなっているため、短かいボンディングワイヤ
で接続すると、ワイヤがチップの端と接触して短絡しや
すくなる。そこで、本発明の第１の目的はボンディング
ワイヤと半導体チップとの接触による短絡を防ぐことで
ある。
【０００５】ボンディング用のバンプを形成しないでＴ
ＡＢ方式によりインナーリードを直接半導体チップのパ
ッドに接続する方法では、接続の信頼性に問題が残る。
そこで、本発明の第２の目的はバンプを形成しないでＴ
ＡＢ方式で接続した信頼性の高い半導体装置を提供する
ことである。
ＡＢ方式によりインナーリードを直接半導体チップのパ
ッドに接続する方法では、接続の信頼性に問題が残る。
そこで、本発明の第２の目的はバンプを形成しないでＴ
ＡＢ方式で接続した信頼性の高い半導体装置を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】半導体チップとリードフ
レームのインナーリードとがボンディングワイヤで電気
的に接続され、モールド樹脂で封止された半導体装置に
適用する本発明では、インナーリードの先端部の板厚が
先端部以外のインナーリードの板厚よりも厚くなるよう
に加工されており、その板厚の厚くなったインナーリー
ド先端部の表面と半導体チップの表面とが同一高さにさ
れた状態でインナーリード先端部と半導体チップ表面と
がボンディングワイヤで接続されている。
レームのインナーリードとがボンディングワイヤで電気
的に接続され、モールド樹脂で封止された半導体装置に
適用する本発明では、インナーリードの先端部の板厚が
先端部以外のインナーリードの板厚よりも厚くなるよう
に加工されており、その板厚の厚くなったインナーリー
ド先端部の表面と半導体チップの表面とが同一高さにさ
れた状態でインナーリード先端部と半導体チップ表面と
がボンディングワイヤで接続されている。
【０００７】好ましい態様では、インナーリードの先端
面が半導体装置チップの側面に絶縁性接着剤により接着
されている。さらに好ましい態様では、半導体チップの
側面にインナーリードの先端部が嵌め込まれる溝が形成
され、その溝にインナーリードの先端部が嵌め込まれた
状態でインナーリードの先端面が半導体装置チップの側
面に絶縁性接着剤により接着
面が半導体装置チップの側面に絶縁性接着剤により接着
されている。さらに好ましい態様では、半導体チップの
側面にインナーリードの先端部が嵌め込まれる溝が形成
され、その溝にインナーリードの先端部が嵌め込まれた
状態でインナーリードの先端面が半導体装置チップの側
面に絶縁性接着剤により接着
【０００８】ＴＡＢ法によりリードフレームのインナー
リードと半導体装置のボンディングパッドとを電気的に
接続した半導体装置に適用される本発明では、半導体チ
ップのボンディングパッド上に膜厚方向にのみ導電性を
有し面内方向には導電性をもたない異方性導電膜が設け
られ、その異方性導電膜を介してインナーリードと半導
体装置のボンディングパッドとが電気的に接続されてお
り、半導体チップ及びインナーリードがモールド樹脂で
封止されている。
リードと半導体装置のボンディングパッドとを電気的に
接続した半導体装置に適用される本発明では、半導体チ
ップのボンディングパッド上に膜厚方向にのみ導電性を
有し面内方向には導電性をもたない異方性導電膜が設け
られ、その異方性導電膜を介してインナーリードと半導
体装置のボンディングパッドとが電気的に接続されてお
り、半導体チップ及びインナーリードがモールド樹脂で
封止されている。
【０００９】
【実施例】図１はワイヤボンディング法を用いる第１の
実施例を示したものである。半導体チップ２の表面には
ボンディングパッドが形成されており、そのボンディン
グパッドと接続されるインナーリード４の先端部は板厚
が厚くなったボンディング部６となっている。半導体チ
ップ２はアイランド部８にダイボンディングされ、半導
体チップ２の表面とボンディング部６の表面とが同じ高
さになるように支持された状態で、ボンディングワイヤ
１０によって半導体チップ２のボンディングパッドとボ
ンディング部６の表面が接続されている。半導体チップ
２、アイランド部８及びインナーリード４の先端部６を
含む部分がワイヤ１０とともにモールド樹脂１２によっ
て封止されている。
実施例を示したものである。半導体チップ２の表面には
ボンディングパッドが形成されており、そのボンディン
グパッドと接続されるインナーリード４の先端部は板厚
が厚くなったボンディング部６となっている。半導体チ
ップ２はアイランド部８にダイボンディングされ、半導
体チップ２の表面とボンディング部６の表面とが同じ高
さになるように支持された状態で、ボンディングワイヤ
１０によって半導体チップ２のボンディングパッドとボ
ンディング部６の表面が接続されている。半導体チップ
２、アイランド部８及びインナーリード４の先端部６を
含む部分がワイヤ１０とともにモールド樹脂１２によっ
て封止されている。
【００１０】インナーリード４の先端部６の板厚を厚く
するには、厚い板厚の金属板を用い、プレスやエッチン
グによって先端部６以外の部分が薄くなるように加工
し、その後、打抜きやエッチングによりリードフレーム
の形状に加工する。
するには、厚い板厚の金属板を用い、プレスやエッチン
グによって先端部６以外の部分が薄くなるように加工
し、その後、打抜きやエッチングによりリードフレーム
の形状に加工する。
【００１１】図２は請求項２に対応した実施例を表わし
たものであり、図３は図２の実施例で半導体チップ２の
側面にインナーリード４の先端部６の先端面を接着した
状態を表わしたものである。インナーリード４は図１と
同様にワイヤボンディングが施される先端部６の板厚が
厚くなるように加工されている。インナーリードの先端
部６の先端面が絶縁性接着剤１４によって半導体チップ
２の側面に接着されている。このときもボンディング部
６の表面と半導体チップ２の表面とが同一高さになるよ
うに支持され、その状態でインナーリード４の先端面と
半導体チップ２の側面とが接着され、その状態でボンデ
ィングワイヤ１０によってボンディング部６の表面と半
導体チップ２のボンディングパッドとの間が電気的に接
続されている。図１と同様に、半導体チップ２及びイン
ナーリード４の先端部６を含む部分がワイヤ１０ととも
にモールド樹脂１２によって封止されている。
たものであり、図３は図２の実施例で半導体チップ２の
側面にインナーリード４の先端部６の先端面を接着した
状態を表わしたものである。インナーリード４は図１と
同様にワイヤボンディングが施される先端部６の板厚が
厚くなるように加工されている。インナーリードの先端
部６の先端面が絶縁性接着剤１４によって半導体チップ
２の側面に接着されている。このときもボンディング部
６の表面と半導体チップ２の表面とが同一高さになるよ
うに支持され、その状態でインナーリード４の先端面と
半導体チップ２の側面とが接着され、その状態でボンデ
ィングワイヤ１０によってボンディング部６の表面と半
導体チップ２のボンディングパッドとの間が電気的に接
続されている。図１と同様に、半導体チップ２及びイン
ナーリード４の先端部６を含む部分がワイヤ１０ととも
にモールド樹脂１２によって封止されている。
【００１２】図２の実施例ではインナーリード６を半導
体チップ２に接着するので、半導体チップ２を支持する
アイランド部８が不要になる。その結果、アイランド部
８の厚みの分だけ樹脂封止後の実装体の厚みを薄くする
ことができる。また、インナーリード４を半導体チップ
２に接着させることによってインナーリード４と半導体
チップ２との間隔がなくなり、その分、樹脂封止の範囲
を小さくすることができて小型化に寄与する。
体チップ２に接着するので、半導体チップ２を支持する
アイランド部８が不要になる。その結果、アイランド部
８の厚みの分だけ樹脂封止後の実装体の厚みを薄くする
ことができる。また、インナーリード４を半導体チップ
２に接着させることによってインナーリード４と半導体
チップ２との間隔がなくなり、その分、樹脂封止の範囲
を小さくすることができて小型化に寄与する。
【００１３】図４は請求項３に対応した実施例を表わし
たものである。半導体チップ２の側面にインナーリード
４の先端部６を嵌め込む溝１６が形成されており、イン
ナーリード４の先端部６をその溝１６に嵌め込むことに
よって、インナーリードの先端部６を半導体チップ２の
側面（この場合は溝１６内の側面）に接着する際にイン
ナーリード４，４間で短絡する可能性をなくすることが
できる。
たものである。半導体チップ２の側面にインナーリード
４の先端部６を嵌め込む溝１６が形成されており、イン
ナーリード４の先端部６をその溝１６に嵌め込むことに
よって、インナーリードの先端部６を半導体チップ２の
側面（この場合は溝１６内の側面）に接着する際にイン
ナーリード４，４間で短絡する可能性をなくすることが
できる。
【００１４】図５は請求項４に対応した実施例を表わし
たものである。半導体チップ２０の表面にボンディング
パッド２２が形成されており、そのボンディングパッド
２２のあるチップ表面に異方性導電膜２４が設けられ、
その異方性導電膜２４を介してＴＡＢ方式のテープキャ
リアのインナーリード２６がボンディングパッド２２上
に圧着され、インナーリード２６とボンディングパッド
２２とが電気的に接続されている。異方性導電膜２４は
膜厚方向のみに導電性をもち、面内方向には導電性をも
たない膜である。半導体チップ２０、異方性導電膜２４
及びインナーリード２６の先端部がモールド樹脂２８に
よって封止されている。
たものである。半導体チップ２０の表面にボンディング
パッド２２が形成されており、そのボンディングパッド
２２のあるチップ表面に異方性導電膜２４が設けられ、
その異方性導電膜２４を介してＴＡＢ方式のテープキャ
リアのインナーリード２６がボンディングパッド２２上
に圧着され、インナーリード２６とボンディングパッド
２２とが電気的に接続されている。異方性導電膜２４は
膜厚方向のみに導電性をもち、面内方向には導電性をも
たない膜である。半導体チップ２０、異方性導電膜２４
及びインナーリード２６の先端部がモールド樹脂２８に
よって封止されている。
【００１５】異方性導電膜２４の一例はスリーボンド３
３７０（スリーボンド社の製品）である。スリーボンド
３３７０は絶縁性バインダーに導電フィラーを分散させ
たものであり、１３０〜１５０℃に加熱しながら３０Ｋ
ｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で圧着することにより、膜厚方
向のみに導電性をもち、面内方向には導電性をもたない
膜となる。異方性導電膜２４は半導体チップ２０の表面
全面に形成してもよく、ボンディングパッド２２が存在
する領域のみに形成してもよい。異方性導電膜２４とし
て透明な材質のものを使用すると、ボンディングパッド
２２上にインナーリード２６を位置決めする際の位置合
わせ精度が向上する。
３７０（スリーボンド社の製品）である。スリーボンド
３３７０は絶縁性バインダーに導電フィラーを分散させ
たものであり、１３０〜１５０℃に加熱しながら３０Ｋ
ｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で圧着することにより、膜厚方
向のみに導電性をもち、面内方向には導電性をもたない
膜となる。異方性導電膜２４は半導体チップ２０の表面
全面に形成してもよく、ボンディングパッド２２が存在
する領域のみに形成してもよい。異方性導電膜２４とし
て透明な材質のものを使用すると、ボンディングパッド
２２上にインナーリード２６を位置決めする際の位置合
わせ精度が向上する。
【００１６】図６は図５の実施例でインナーリード２６
を異方性導電膜２４を介してボンディングパッド２２と
接続する際の工程を示している。異方性導電膜２４を挾
んでインナーリード２６をボンディングパッド２２上に
位置決めした後、ボンディングツール３０を用いて加圧
するだけで電気的に接続させることができる。
を異方性導電膜２４を介してボンディングパッド２２と
接続する際の工程を示している。異方性導電膜２４を挾
んでインナーリード２６をボンディングパッド２２上に
位置決めした後、ボンディングツール３０を用いて加圧
するだけで電気的に接続させることができる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１の本発明ではワイヤボンディン
グにおいて半導体チップ表面とインナーリードのボンデ
ィング部の表面とが同じ高さになっているので、短かい
ワイヤでボンディングを施してもワイヤとチップが接触
して短絡するのを防ぐことができる。請求項２ではイン
ナーリードの先端を半導体チップに接続するので、半導
体チップを支持するアイランド部が不要になり、その
分、樹脂封止された半導体装置を薄型化することができ
る。また半導体チップとインナーリードの間隔がなくな
ることによって樹脂封止された半導体装置を小型にする
こともできる。
グにおいて半導体チップ表面とインナーリードのボンデ
ィング部の表面とが同じ高さになっているので、短かい
ワイヤでボンディングを施してもワイヤとチップが接触
して短絡するのを防ぐことができる。請求項２ではイン
ナーリードの先端を半導体チップに接続するので、半導
体チップを支持するアイランド部が不要になり、その
分、樹脂封止された半導体装置を薄型化することができ
る。また半導体チップとインナーリードの間隔がなくな
ることによって樹脂封止された半導体装置を小型にする
こともできる。
【００１８】請求項３ではインナーリードの先端面を半
導体チップに接着する際に、半導体チップに溝が設けら
れているので、インナーリード間が接触して短絡するの
を防ぐことができる。請求項４ではＴＡＢ方式で異方性
導電膜を介してパッドとインナーリードとを電気的に接
続させるので、従来のＴＡＢ方式のようにバンプを形成
する必要がなくなり、工数を削減することができるだけ
でなく、安定した接続が可能になる。またＴＡＢ方式で
は半導体チップを支持するアイランド部が不要になるた
め、樹脂封止後の実装体外形を薄型にすることができ
る。
導体チップに接着する際に、半導体チップに溝が設けら
れているので、インナーリード間が接触して短絡するの
を防ぐことができる。請求項４ではＴＡＢ方式で異方性
導電膜を介してパッドとインナーリードとを電気的に接
続させるので、従来のＴＡＢ方式のようにバンプを形成
する必要がなくなり、工数を削減することができるだけ
でなく、安定した接続が可能になる。またＴＡＢ方式で
は半導体チップを支持するアイランド部が不要になるた
め、樹脂封止後の実装体外形を薄型にすることができ
る。
【００１９】異方性導電膜を用いるＴＡＢ方式では、接
続は低温での加圧ですむ。従来のＴＡＢ方式でバンプを
形成したものは、接続個所を４００℃程度の高温に加熱
する必要があるので半導体素子を劣化させる可能性があ
るが、請求項４の本発明では高温加熱の必要がないので
素子を劣化させることが少なくなる。また、低温加熱で
あれば、バンプを用いた従来のような専用の接続用装置
を必要とせず、ワイヤボンディング用の装置で接続可能
となる。
続は低温での加圧ですむ。従来のＴＡＢ方式でバンプを
形成したものは、接続個所を４００℃程度の高温に加熱
する必要があるので半導体素子を劣化させる可能性があ
るが、請求項４の本発明では高温加熱の必要がないので
素子を劣化させることが少なくなる。また、低温加熱で
あれば、バンプを用いた従来のような専用の接続用装置
を必要とせず、ワイヤボンディング用の装置で接続可能
となる。
【図１】第１の実施例を示す断面図である。
【図２】第２の実施例を示す断面図である。
【図３】図２の実施例における半導体チップとインナー
リードを示す側面図である。
リードを示す側面図である。
【図４】第３の実施例における半導体チップとインナー
リードを示す平面図である。
リードを示す平面図である。
【図５】第４の実施例を示す断面図である。
【図６】図５の実施例の接続工程を示す正面断面図であ
る。
る。
２，２０ 半導体チップ ４，２６ インナーリード ６ インナーリードの接続用先端部 １０ ボンディングワイヤ １２，２８ モールド樹脂 ２２ ボンディングパッド ２４ 異方性導電膜
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップとリードフレームのインナ
ーリードとがボンディングワイヤで電気的に接続され、
モールド樹脂で封止された半導体装置において、前記イ
ンナーリードの先端部の板厚が先端部以外のインナーリ
ードの板厚よりも厚くなるように加工されており、その
板厚の厚くなったインナーリード先端部の表面と前記半
導体チップの表面とが同一高さにされた状態で前記イン
ナーリード先端部と前記半導体チップ表面とがボンディ
ングワイヤで接続されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記インナーリードの先端面が前記半導
体装置チップの側面に絶縁性接着剤により接着されてい
る請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップの側面には前記インナ
ーリードの先端部が嵌め込まれる溝が形成されている請
求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 表面にボンディングパッドをもつ半導体
チップのボンディングパッド上に膜厚方向にのみ導電性
を有し面内方向には導電性をもたない異方性導電膜が設
けられ、その異方性導電膜を介してリードフレームのイ
ンナーリードと前記半導体装置のボンディングパッドと
が電気的に接続されており、半導体チップ及びインナー
リードがモールド樹脂で封止されていることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30636492A JPH06132340A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30636492A JPH06132340A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132340A true JPH06132340A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17956169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30636492A Pending JPH06132340A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3117460A4 (en) * | 2014-03-14 | 2017-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Structure and method of packaged semiconductor devices |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP30636492A patent/JPH06132340A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3117460A4 (en) * | 2014-03-14 | 2017-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Structure and method of packaged semiconductor devices |
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