JPH06132330A - 光半導体装置の封止方法 - Google Patents
光半導体装置の封止方法Info
- Publication number
- JPH06132330A JPH06132330A JP4303111A JP30311192A JPH06132330A JP H06132330 A JPH06132330 A JP H06132330A JP 4303111 A JP4303111 A JP 4303111A JP 30311192 A JP30311192 A JP 30311192A JP H06132330 A JPH06132330 A JP H06132330A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- epoxy resin
- semiconductor device
- metal frame
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、光半導体を固定した金属フレーム
を、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる後に酸無
水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ樹脂組成
物で封止することを特徴とする光半導体装置の封止方法
である。 【効果】 本発明の光半導体装置の封止方法によれば、
光半導体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、
図１の実線に示されるように、輝度劣化が少ない光半導
体装置を得ることができた。
を、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる後に酸無
水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ樹脂組成
物で封止することを特徴とする光半導体装置の封止方法
である。 【効果】 本発明の光半導体装置の封止方法によれば、
光半導体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、
図１の実線に示されるように、輝度劣化が少ない光半導
体装置を得ることができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子への応力が小さく
輝度劣化の少ない、光半導体装置の封止方法に関する。
輝度劣化の少ない、光半導体装置の封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置は各種の表示用として広く
使用されている。そしてこれらの光半導体装置は液状の
透明エポキシ樹脂によって封止されている。一般に、光
半導体素子は応力に弱く、そのうち赤外センサー用や高
輝度屋外用のものは、汎用ランプに用いられているＧa
Ｐ素子に比べて特に応力に弱い。このため、例えば赤外
センサー用のＧa Ａl Ａs 素子を従来の封止方法で封止
した場合、封止樹脂の応力により著しく輝度が劣化する
欠点がある。
使用されている。そしてこれらの光半導体装置は液状の
透明エポキシ樹脂によって封止されている。一般に、光
半導体素子は応力に弱く、そのうち赤外センサー用や高
輝度屋外用のものは、汎用ランプに用いられているＧa
Ｐ素子に比べて特に応力に弱い。このため、例えば赤外
センサー用のＧa Ａl Ａs 素子を従来の封止方法で封止
した場合、封止樹脂の応力により著しく輝度が劣化する
欠点がある。
【０００３】このような事情から、応力の小さい封止樹
脂の開発または素子に応力が及びにくい封止方法の開発
が要望されていた。
脂の開発または素子に応力が及びにくい封止方法の開発
が要望されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、素子への応力が掛かりにく
く、輝度劣化の少ない光半導体装置の封止方法を提供し
ようとするものである。
に鑑みてなされたもので、素子への応力が掛かりにく
く、輝度劣化の少ない光半導体装置の封止方法を提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、界面活性剤に
素子を浸漬処理して樹脂の応力が直接素子に伝わらない
ようにすることによって、上記の目的を達成できること
を見いだし、本発明を完成したものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、界面活性剤に
素子を浸漬処理して樹脂の応力が直接素子に伝わらない
ようにすることによって、上記の目的を達成できること
を見いだし、本発明を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、光半導体を固定した金属
フレームを、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる
後に酸無水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ
樹脂組成物で注型することを特徴とする光半導体装置の
封止方法である。
フレームを、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる
後に酸無水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ
樹脂組成物で注型することを特徴とする光半導体装置の
封止方法である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる光半導体、光半導体装置と
しては、例えば発光素子、受光素子等が挙げられ、光半
導体装置であれば特に限定されるものではなく、広く使
用することができる。
しては、例えば発光素子、受光素子等が挙げられ、光半
導体装置であれば特に限定されるものではなく、広く使
用することができる。
【０００９】本発明に用いる半導体封止用の液状エポキ
シ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、酸無水物、界面活性剤
およびその他の成分を配合してなるものである。半導体
封止用液状エポキシ樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂と
しては、透明性を有するもので例えば、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独または 2種以上混合して
使用することができる。またこれらのエポキシ樹脂の他
に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水
添型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ
樹脂、芳香族・脂肪族もしくは脂環式のカルボン酸とエ
ピクロルヒドリンとの反応によって得られるエポキシ樹
脂、スピロ環含有エポキシ樹脂等を適宜併用することが
できる。
シ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、酸無水物、界面活性剤
およびその他の成分を配合してなるものである。半導体
封止用液状エポキシ樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂と
しては、透明性を有するもので例えば、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独または 2種以上混合して
使用することができる。またこれらのエポキシ樹脂の他
に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水
添型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ
樹脂、芳香族・脂肪族もしくは脂環式のカルボン酸とエ
ピクロルヒドリンとの反応によって得られるエポキシ樹
脂、スピロ環含有エポキシ樹脂等を適宜併用することが
できる。
【００１０】エポキシ樹脂の硬化剤である酸無水物とし
ては、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フ
タル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸等の無色又は淡黄色の酸無水物が
挙げられ、これらは単独または 2種以上混合して使用す
ることができる。酸無水物の配合割合は、エポキシ樹脂
のエポキシ基1 当量に対して 0.8〜 1.2当量配合するこ
とが望ましい。この配合範囲を外れると良好な反応が行
われず、硬化物に悪影響を及ぼし好ましくない。
ては、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フ
タル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸等の無色又は淡黄色の酸無水物が
挙げられ、これらは単独または 2種以上混合して使用す
ることができる。酸無水物の配合割合は、エポキシ樹脂
のエポキシ基1 当量に対して 0.8〜 1.2当量配合するこ
とが望ましい。この配合範囲を外れると良好な反応が行
われず、硬化物に悪影響を及ぼし好ましくない。
【００１１】また、必要に応じてＤＢＵ塩系（ＤＢＵ：
1,8-ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデセン-7）、ホスホニ
ウム塩系、イミダゾール系、アルミニウム系等樹脂、硬
化物の透明性を損なわないものを選択して、硬化促進剤
として使用することができる。
1,8-ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデセン-7）、ホスホニ
ウム塩系、イミダゾール系、アルミニウム系等樹脂、硬
化物の透明性を損なわないものを選択して、硬化促進剤
として使用することができる。
【００１２】本発明に用いる半導体封止用液状エポキシ
樹脂組成物に配合する界面活性剤としては、金属フレー
ムとあまり接着力の強いものではなく、有機溶剤に可溶
で樹脂硬化物の透明性を損なわないものであればよく、
特に制限なく使用することができる。このようなものと
して例えば、フッ素系界面活性剤、具体的にはネオスＲ
Ｂ−１０６（ネオス社製、商品名）等が挙げられ、これ
らは単独又は混合して使用することができる。
樹脂組成物に配合する界面活性剤としては、金属フレー
ムとあまり接着力の強いものではなく、有機溶剤に可溶
で樹脂硬化物の透明性を損なわないものであればよく、
特に制限なく使用することができる。このようなものと
して例えば、フッ素系界面活性剤、具体的にはネオスＲ
Ｂ−１０６（ネオス社製、商品名）等が挙げられ、これ
らは単独又は混合して使用することができる。
【００１３】本発明に用いる半導体封止用液状エポキシ
樹脂組成物は、上述の各成分を混合して製造するが、本
発明の目的に反しない範囲において、また必要に応じて
還元性の変色防止剤、光散乱剤、染料、その他の成分を
添加配合することができる。これらの各成分を加えて均
一に混合して容易に半導体封止用液状エポキシ樹脂組成
物を製造することができる。こうして得られた組成物
は、発光素子、受光素子等の光半導体装置の封止用とし
て好適なものである。
樹脂組成物は、上述の各成分を混合して製造するが、本
発明の目的に反しない範囲において、また必要に応じて
還元性の変色防止剤、光散乱剤、染料、その他の成分を
添加配合することができる。これらの各成分を加えて均
一に混合して容易に半導体封止用液状エポキシ樹脂組成
物を製造することができる。こうして得られた組成物
は、発光素子、受光素子等の光半導体装置の封止用とし
て好適なものである。
【００１４】光半導体素子を固定した金属フレームを、
前記の界面活性剤に浸漬した後、 100〜200 ℃で加熱乾
燥し溶剤を除去する。これを前記の半導体封止用液状エ
ポキシ樹脂組成物で注型して素子を封止して光半導体装
置を製造することができる。
前記の界面活性剤に浸漬した後、 100〜200 ℃で加熱乾
燥し溶剤を除去する。これを前記の半導体封止用液状エ
ポキシ樹脂組成物で注型して素子を封止して光半導体装
置を製造することができる。
【００１５】
【作用】本発明の光半導体装置の封止方法によれば、素
子を固定した金属フレームを接着性の弱い界面活性剤で
処理することによって、封止樹脂の応力が直接素子に影
響を与えることがなく、また応力の少ない封止樹脂を用
いたことによって応力にあまり影響されなくなり輝度劣
化を抑えられるようになったものである。
子を固定した金属フレームを接着性の弱い界面活性剤で
処理することによって、封止樹脂の応力が直接素子に影
響を与えることがなく、また応力の少ない封止樹脂を用
いたことによって応力にあまり影響されなくなり輝度劣
化を抑えられるようになったものである。
【００１６】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「部」とは「重
量部」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「部」とは「重
量部」を意味する。
【００１７】実施例 光半導体を固定した金属フレームを、フッ素系界面活性
剤のネオスＲＢ−１０６（ネオス社製、商品名）に浸漬
し、150 ℃で 5分間加熱乾燥して溶剤を除去した。次い
でビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８
（油化シェルエポキシ社製、商品名） 100部に、メチル
ヘキサヒドロ無水フタル酸 100部および1.8-ジアザビシ
クロ（ 5,4,0）ウンデセン-7の 2エチルヘキサン塩 1部
を配合し均一に混合した半導体封止用液状エポキシ樹脂
組成物で注型して 5φの光半導体装置を製造した。
剤のネオスＲＢ−１０６（ネオス社製、商品名）に浸漬
し、150 ℃で 5分間加熱乾燥して溶剤を除去した。次い
でビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８
（油化シェルエポキシ社製、商品名） 100部に、メチル
ヘキサヒドロ無水フタル酸 100部および1.8-ジアザビシ
クロ（ 5,4,0）ウンデセン-7の 2エチルヘキサン塩 1部
を配合し均一に混合した半導体封止用液状エポキシ樹脂
組成物で注型して 5φの光半導体装置を製造した。
【００１８】比較例 実施例において、光半導体を固定した金属フレームを、
フッ素系界面活性剤のネオスＲＢ−１０６（ネオス社
製、商品名）で処理しなかった以外は、実施例と同様に
して 5φの光半導体装置を製造した。
フッ素系界面活性剤のネオスＲＢ−１０６（ネオス社
製、商品名）で処理しなかった以外は、実施例と同様に
して 5φの光半導体装置を製造した。
【００１９】実施例および比較例で製造した光半導体装
置について、輝度劣化試験を行ったのでその結果を図１
に示した。輝度劣化試験は次のようにして試験を行っ
た。光半導体装置を、−30℃の温度において、30 mＡの
電流をながして1000時間経過するまでの輝度残存率Ｐ0
を測定した。図１に示したように、本発明の実施例（実
線）では、1000時間経過しても最初と輝度状態はほとん
ど変化せず、ほぼフラットな直線となった。一方、比較
例（破線）では 300時間まで急速に輝度劣化が進行し、
300 時間では初期値の10％となった。300 時間を超えて
から1000時間まではあまり劣化が進行せず横這いの曲線
となった。このように本発明の特性が優れており、本発
明の顕著な効果を確認することができた。
置について、輝度劣化試験を行ったのでその結果を図１
に示した。輝度劣化試験は次のようにして試験を行っ
た。光半導体装置を、−30℃の温度において、30 mＡの
電流をながして1000時間経過するまでの輝度残存率Ｐ0
を測定した。図１に示したように、本発明の実施例（実
線）では、1000時間経過しても最初と輝度状態はほとん
ど変化せず、ほぼフラットな直線となった。一方、比較
例（破線）では 300時間まで急速に輝度劣化が進行し、
300 時間では初期値の10％となった。300 時間を超えて
から1000時間まではあまり劣化が進行せず横這いの曲線
となった。このように本発明の特性が優れており、本発
明の顕著な効果を確認することができた。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明および図１から明らかなよう
に、本発明の光半導体装置の封止方法によれば、光半導
体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、輝度劣
化が少ない光半導体装置を得ることができた。
に、本発明の光半導体装置の封止方法によれば、光半導
体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、輝度劣
化が少ない光半導体装置を得ることができた。
【図１】本発明実施例の通電時間−輝度残存率を比較例
のそれと比較して示したグラフである。
のそれと比較して示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ 9272−4Ｍ 31/02 33/00 Ｎ 7514−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 光半導体を固定した金属フレームを、界
面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる後に酸無水物系
硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物で封
止することを特徴とする光半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4303111A JPH06132330A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 光半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4303111A JPH06132330A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 光半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132330A true JPH06132330A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17917020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4303111A Pending JPH06132330A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 光半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208739A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP4303111A patent/JPH06132330A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208739A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、およびその製造方法 |
| JP4545956B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-09-15 | ローム株式会社 | 半導体装置、およびその製造方法 |
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