JPH06132238A - 希釈排気装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被希釈ガスの濃度を低下させても被希釈ガス
放出装置側に多大な負圧がかからない希釈排気装置を提
供すること。 【構成】 被希釈ガスと不活性ガスとをエジェクター５
にて混合し、所定濃度にした被希釈ガスを排気する希釈
排気装置１で、エジェクター５を貫通する流通孔５１の
入口５ａに不活性ガスを供給する流入通路２１を連通
し、絞り込み部５ｂに被希釈ガスを導入する導入通路２
２を連通し、さらに出口５ｃに所定濃度にした被希釈ガ
スを排気する排気通路２３を取り付け、流入通路２１と
導入通路２２との間にバイパス通路２４およびニードル
バルブ６を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等から
放出される毒性および可燃性ガス等を不活性ガスにて希
釈して排気する希釈排気装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において使用する拡散
装置や成膜装置等の半導体製造装置からは、毒性の高い
ガスや可燃性の高いガスが放出される。このようなガス
をそのまま排気すると非常に危険であるため、不活性ガ
スを用いて安全な濃度に希釈してから排気している。

【０００３】この半導体製造装置から放出されるガスを
希釈して排気する希釈排気装置を図３のブロック図に基
づいて説明する。すなわち、この希釈排気装置１は、半
導体製造装置等の被希釈ガス放出装置８から放出される
水素等の被希釈ガスと、窒素等の不活性ガスとをエジェ
クター５にて混合して排気するものである。

【０００４】エジェクター５には貫通する流通孔５１が
設けられており、その入口５ａには流入通路２１が連通
状態で取り付けられている。また、不活性ガスの供給圧
力を調整する減圧弁２および開閉を行うバルブ３、さら
に流量を計測するための流量計４が設けられている。流
通孔５１の略中央に設けられた絞り込み部５ｂには、被
希釈ガス放出装置８から放出される被希釈ガスを送り込
む導入通路２２が取り付けられており、圧力計７にて導
入通路２２内の圧力を計測している。また、流通孔５１
の出口５ｃには、エジェクター５に供給される不活性ガ
スで所定の濃度に希釈された被希釈ガスを排気するため
の排気通路２３が取り付けられている。

【０００５】この希釈排気装置１を用いて排気を行うに
は、減圧弁２により不活性ガスを所定の圧力にしてバル
ブ３を開き、流入通路２１を介してエジェクター５の流
通孔５１に不活性ガスを供給する。エジェクター５に供
給された不活性ガスは、流通孔５の絞り込み部５ｂに流
れ込むことでその流速が増加して出口５ｃに流れる。こ
の流速の増加により絞り込み部５ｂに連通する導入通路
２２内が負圧となり、被希釈ガスを流通孔５１内に導入
することになる。これにより、被希釈ガスと不活性ガス
とが混合し、排気通路２３を介してに所定濃度の被希釈
ガスが排出される。また、希釈濃度を薄くしたい場合に
は、不活性ガスの流量を増加すればよく、反対に希釈濃
度を濃くしたい場合には、不活性ガスの流量を減少すれ
ばよい。このような不活性ガスの流量調整により、安全
基準を満たす濃度にして被希釈ガスを排気する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな希釈排気装置には次のような問題がある。すなわ
ち、被希釈ガスの濃度を薄くする場合において、エジェ
クターに供給する不活性ガスの流量の増加にともない、
導入通路の圧力が低下することになり、被希釈ガス放出
装置側の圧力が低下することになる。この導入通路が被
希釈ガス放出装置の真空系に連通している場合には、導
入通路の圧力低下による真空系の真空度に悪影響を及ぼ
すことになる。特に、可燃性の被希釈ガスを排気する場
合には、安全基準を満たすために大量の不活性ガスをエ
ジェクターに供給する必要があり、被希釈ガス放出装置
側にかかる負圧が多大なものとなる。よって、本発明は
被希釈ガスの濃度を低下させても被希釈ガス放出装置側
に多大な負圧がかからない希釈排気装置を提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された希釈排気装置である。すな
わち、被希釈ガス放出装置から放出される被希釈ガス
と、所定流量の不活性ガスとをエジェクターにて混合
し、被希釈ガスを所定濃度にして排気する希釈排気装置
であって、エジェクターの内部を貫通する流通孔の入口
に不活性ガスを供給するための流入通路を連通し、流通
孔の略中央に設けられた絞り込み部に被希釈ガス放出装
置から被希釈ガスを導入するための導入通路を連通し、
さらに流通孔の出口に所定濃度にした被希釈ガスを排気
するための排気通路を取り付けたもので、この流入通路
と導入通路との間にバイパス通路を設ける。また、この
バイパス通路には、導入通路に送り込む不活性ガスの流
量を調整するためのニードルバルブを設ける。

【０００８】

【作用】流入通路と導入通路との間に設けられたバイパ
ス通路により、供給された不活性ガスが導入通路を介し
てエジェクターに送り込まれることになる。このため、
エジェクター内の流通孔の入口から絞り込み部に向けて
流れる不活性ガスの流量が低下することになり、導入通
路の圧力の低下が減少することになる。また、供給され
る不活性ガスの全体の量は変わらないため、排気通路に
送られる被希釈ガスの濃度の低減量は変わらない。この
バイパス通路にニードルバルブを設けることで、被希釈
ガスの濃度に応じて導入通路に送り込む不活性ガスの流
量を調整できることになる。

【０００９】

【実施例】以下に、本発明の希釈排気装置の実施例を図
に基づいて説明する。図１は本発明の希釈排気装置を説
明するブロック図、図２はエジェクターを説明する断面
図である。すなわち、この希釈排気装置１は、半導体製
造装置等から成る被希釈ガス放出装置８から放出される
水素等の被希釈ガスと、窒素等の不活性ガスとをエジェ
クター５に送り込み、これらを混合することで所望の濃
度に希釈した被希釈ガスを排気するものである。

【００１０】エジェクター５内には貫通する流通孔５１
が設けられており、この入口５ａに不活性ガスを供給す
るための流入通路２１が連通しており、この流入通路２
１を流れる不活性ガスの流量を減圧弁２にて調整してい
る。また、不活性ガスの流れを開閉するバルブ３と流量
を計測する流量計４も設けられている。

【００１１】エジェクター５内に設けられた流通孔５１
の略中央には入口５ａよりも内径の小さい絞り込み部５
ｂが設けられており（図２参照）、この絞り込み部５ｂ
に被希釈ガス放出装置８から放出される被希釈ガスを導
入するための導入通路２２が連通している。また、エジ
ェクター５内の流通孔５１の出口５ｃには、不活性ガス
と被希釈ガスとの混合ガスを排気するための排気通路２
３が取り付けられている。

【００１２】さらに、エジェクター５の流通孔５１の入
口５ａと連通する流入通路２１と、絞り込み部５ｂに連
通する導入通路２２との間には、バイパス通路２４が設
けられており、不活性ガスの一部を導入通路２２側に送
り込むようになっている。また、このバイパス通路２４
にニードルバルブ６を取り付けて、導入通路２２に送り
込む不活性ガスの流量を調整できるようにしてもよい。

【００１３】次に、この希釈排気装置１を用いて排気を
行うには、減圧弁２を調整してバルブ３を開け、流量計
４を介して流入通路２１側に不活性ガスを流す。この
際、流入通路２１に設けられたバイパス通路２４によ
り、供給される不活性ガスは流入通路２１側とバイパス
通路２４側とに分岐されることになる。図２に示すよう
に、エジェクター５内の流通孔５１の入口５ａから供給
される不活性ガスが絞り込み部５ｂに向けて流れること
によりその流速が増加して、絞り込み部５ｂと連通する
導入通路２２内の圧力が低下し、水素等の被希釈ガスが
エジェクター５内に吸い込まれる。しかし、バイパス通
路２４により供給される不活性ガスが分岐されているた
め、エジェクター５内の流通孔５１の入口５ａから絞り
込み部５ｂに向けて流れる不活性ガスの流量がその分低
減して、導入通路２２の圧力低下が低減することにな
る。

【００１４】また、この低減した分の不活性ガスは導入
通路２２側に送り込まれ、被希釈ガスと一緒に絞り込み
部５ｂからエジェクター５内に導入される。したがっ
て、排気通路２３に流れる不活性ガスの流量は、初めに
供給した不活性ガスの流量と変わることがない。そし
て、供給する不活性ガスの流量に応じて希釈された被希
釈ガスが排気通路２３を介して排気されることになる。

【００１５】このバイパス通路２４にニードルバルブ６
を設けた場合には、バイパス通路２４を介して導入通路
２２に送り込まれる不活性ガスの流量を調整することが
できる。希釈濃度を変更する場合において、このニード
ルバルブ６にて調整することにより、被希釈ガス放出装
置８に多大な負圧をかけないよう排気できる最適な流量
にすることができる。特に排気ガスの安全基準が高い場
合には、エジェクター５に供給する不活性ガスの量が多
くなるため、ニードルバルブ６で調整を行う必要があ
る。

【００１６】ここで、希釈排気の具体的な一例として、
１００％の水素から成る被希釈ガスを４％以下に希釈し
て排気する場合について説明する。例えば、被希釈ガス
放出装置８から被希釈ガスが１ｌ／ｍｉｎの流量で流れ
ている場合、窒素等の不活性ガスをバルブ３を開け流量
が２５ｌ／ｍｉｎとなるようにする。次に、ニードルバ
ルブ６を用いて、導入通路２２に送り込む不活性ガスの
流量を調整し、そして、導入通路２２に設けられた圧力
計７を用いて、導入通路２２内の圧力が例えば５０ｍｍ
Ａｇとなるようにする。これにより、被希釈ガス放出装
置８側に多大な負圧をかけることなく、水素と窒素とが
エジェクター５で混合され、１００％の水素を４％以下
に希釈して排気通路２３から排気できることになる。

【００１７】また、他の濃度に希釈する場合には、不活
性ガスの流量を調整するとともに、ニードルバルブ６を
調整して、導入通路２２内の圧力を被希釈ガス放出装置
８に悪影響が及ばないようにすればよい。例えば、被希
釈ガス放出装置８として半導体製造装置を用いた場合に
おいて、この半導体製造装置の真空系とこの希釈排気装
置１とが連通していても、多大な負圧がこの真空系にか
かることがなくなる。なお、本発明の希釈排気装置１は
半導体製造装置に適応するものに限定されず、排気ガス
を放出する他の装置にも適応できる。

【００１８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の希釈排気
装置によれば次のような効果がある。すなわち、被希釈
ガスの濃度を低減する場合において、エジェクターに供
給する不活性ガスの流量を増加しても、導入通路の圧力
低下を低減できるため、被希釈ガス放出装置側に悪影響
を及ぼす負圧をかけることがなくなる。このため、被希
釈ガス放出装置の動作が安定するため、製品の品質向上
につながることになる。また、不活性ガスをエジェクタ
ーに多量に供給する必要がある場合においても、所望の
希釈濃度を保持しつつ被希釈ガス放出装置に多大な負圧
をかけることがない。このため、排気ガスの希釈濃度に
関する安全基準が厳しい場合において本発明は特に有効
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の希釈排気装置を説明するブロック図で
ある。

【図２】エジェクターを説明する断面図である。

【図３】従来例を説明するブロック図である。

【符号の説明】

１ 希釈排気装置 ２ 減圧弁 ３ バルブ ４ 流量計 ５ エジェクター ５ａ 入口 ５ｂ 絞り込み部 ５ｃ 出口 ６ ニードルバルブ ７ 圧力計 ８ 被希釈ガス放出装 ２１ 流入通路 ２２ 導入通路 ２３ 排気通路 ２４ バイパス通路

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被希釈ガス放出装置から放出される被希
   釈ガスと、所定流量の不活性ガスとをエジェクターにて
   混合し、該エジェクターから所定濃度にした被希釈ガス
   を排気する希釈排気装置であって、 前記エジェクターの内部を貫通する流通孔の入口と連通
   し、前記不活性ガスを供給するための流入通路と、 前記流通孔の略中央に設けられた絞り込み部と連通し、
   前記被希釈ガス放出装置から前記被希釈ガスを導入する
   ための導入通路と、 前記流通孔の出口に取り付けられ、前記所定濃度にした
   被希釈ガスを排気するための排気通路とが設けられ、 前記流入通路と前記導入通路との間にバイパス通路が設
   けられていることを特徴とする希釈排気装置。
2. 【請求項２】 前記バイパス通路には、前記導入通路に
   送り込む不活性ガスの流量を調整するニードルバルブが
   設けられていることを特徴とする請求項１記載の希釈排
   気装置。