JPH06124847A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH06124847A JPH06124847A JP4310734A JP31073492A JPH06124847A JP H06124847 A JPH06124847 A JP H06124847A JP 4310734 A JP4310734 A JP 4310734A JP 31073492 A JP31073492 A JP 31073492A JP H06124847 A JPH06124847 A JP H06124847A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック素体のクラックの発生を防止して
多層の積層コンデンサを提供する。 【構成】 内部電極が、1種又は2種以上の金属塩を含
む溶液を噴霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高
く、かつ金属の融点より高い温度に加熱して得た実質的
に単結晶の金属粉末を導電体として形成された積層セラ
ミックコンデンサであつて、金属塩が金属の融点以下の
温度で酸化物を形成する金属の塩である場合は酸化物の
分解温度より高い温度に加熱して得た粉末を使用する。
多層の積層コンデンサを提供する。 【構成】 内部電極が、1種又は2種以上の金属塩を含
む溶液を噴霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高
く、かつ金属の融点より高い温度に加熱して得た実質的
に単結晶の金属粉末を導電体として形成された積層セラ
ミックコンデンサであつて、金属塩が金属の融点以下の
温度で酸化物を形成する金属の塩である場合は酸化物の
分解温度より高い温度に加熱して得た粉末を使用する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロニックス分野
において使用される積層セラミックコンデンサに関す
る。
において使用される積層セラミックコンデンサに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来積層セラミックコンデンサはセラミ
ックのグリンーンシートに金属粉末を導体として電極を
形成し、これを積層して焼成することにより製造されて
いる。そして導体としては性能上最も優れているパラジ
ウムPdが使用されている。例えば特公昭55−431
号公報、特公昭56−936号公報等をあげることが出
来る。近年コンデンサの容量を大きくすることと、小型
化することが強く要求されてきた。そのため積層数を多
くして容量を大きくするとともに面積を小さくすること
が研究されている。
ックのグリンーンシートに金属粉末を導体として電極を
形成し、これを積層して焼成することにより製造されて
いる。そして導体としては性能上最も優れているパラジ
ウムPdが使用されている。例えば特公昭55−431
号公報、特公昭56−936号公報等をあげることが出
来る。近年コンデンサの容量を大きくすることと、小型
化することが強く要求されてきた。そのため積層数を多
くして容量を大きくするとともに面積を小さくすること
が研究されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来使用さ
れている金属粉末は焼成等により酸化すると体積膨脹が
生じるためセラミック素体にクラックが発生してしまう
問題があった。Pd粉末を用いても800℃で14%程
度の膨脹が発生しセラミック素体はクラックを生ずる。
600〜700℃の低温例ではセラミックが充分焼成さ
れないので強度が弱く、Pdの膨脹により容易にクラッ
クが発生する。このクラックの発生は多層になるほどセ
ラミック層が薄くなるのと電極の数が多くなるためます
ます激しくなるのである。本発明はこのようなセラミッ
ク素体のクラックの発生を防ぎ容量の大きい多層の積層
セラミックコンデンサを提供するものである。
れている金属粉末は焼成等により酸化すると体積膨脹が
生じるためセラミック素体にクラックが発生してしまう
問題があった。Pd粉末を用いても800℃で14%程
度の膨脹が発生しセラミック素体はクラックを生ずる。
600〜700℃の低温例ではセラミックが充分焼成さ
れないので強度が弱く、Pdの膨脹により容易にクラッ
クが発生する。このクラックの発生は多層になるほどセ
ラミック層が薄くなるのと電極の数が多くなるためます
ます激しくなるのである。本発明はこのようなセラミッ
ク素体のクラックの発生を防ぎ容量の大きい多層の積層
セラミックコンデンサを提供するものである。
【0004】
【課題を解決する手段】本発明は、 「(1)内部電極が、1種又は2種以上の金属塩を含む
溶液を噴霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高く、
かつ金属の融点より高い温度に加熱して得た実質的に単
結晶の金属粉末を導電体として形成された積層セラミッ
クコンデンサ。 (2)1項に記載された積層セラミックコンデンサであ
って、金属塩が金属の融点以下の温度で酸化物を形成す
る金属の塩である場合にはその酸化物の分解温度より高
い温度に加熱して得た実質的に単結晶の金属粉末を導電
体とする積層セラミックコンデンサ。 (3)金属塩が2種以上の金属塩の混合物であり、導電
体を合金で形成した1項または2項に記載された積層セ
ラミックコンデンサ。 (4)金属塩がパラジウム塩、銀塩、ニッケル塩、銅塩
から選んだ1または2以上である、1項ないし3項のい
ずれか1項に記載された積層セラミックコンデンサ。 (5)金属塩が硝酸パラジウム、硝酸銀、硝酸ニッケ
ル、硝酸銅から選んだ1または2以上である、1項ない
し4項のいずれか1項に記載された積層セラミックコン
デンサ。」に関する。
溶液を噴霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高く、
かつ金属の融点より高い温度に加熱して得た実質的に単
結晶の金属粉末を導電体として形成された積層セラミッ
クコンデンサ。 (2)1項に記載された積層セラミックコンデンサであ
って、金属塩が金属の融点以下の温度で酸化物を形成す
る金属の塩である場合にはその酸化物の分解温度より高
い温度に加熱して得た実質的に単結晶の金属粉末を導電
体とする積層セラミックコンデンサ。 (3)金属塩が2種以上の金属塩の混合物であり、導電
体を合金で形成した1項または2項に記載された積層セ
ラミックコンデンサ。 (4)金属塩がパラジウム塩、銀塩、ニッケル塩、銅塩
から選んだ1または2以上である、1項ないし3項のい
ずれか1項に記載された積層セラミックコンデンサ。 (5)金属塩が硝酸パラジウム、硝酸銀、硝酸ニッケ
ル、硝酸銅から選んだ1または2以上である、1項ない
し4項のいずれか1項に記載された積層セラミックコン
デンサ。」に関する。
【0005】
【作用】本発明者は、導電体粒子であるPd粉末につい
てその酸化を詳細に検討した。従来使用されているPd
微粉末は、単分散された1μm前後の球形の微粒子であ
るにもかかわらず、その内部構造は30nm程度の微結
晶からなる多結晶粒子である。この粒子は、粒子表面お
よび多結晶粒界から酸素が拡散する速度が非常に速い
為、10℃/minの昇温速度で加温された時、800
℃でほぼ100%酸化された状態となる。この酸化によ
り全体の重量は15%増加する。
てその酸化を詳細に検討した。従来使用されているPd
微粉末は、単分散された1μm前後の球形の微粒子であ
るにもかかわらず、その内部構造は30nm程度の微結
晶からなる多結晶粒子である。この粒子は、粒子表面お
よび多結晶粒界から酸素が拡散する速度が非常に速い
為、10℃/minの昇温速度で加温された時、800
℃でほぼ100%酸化された状態となる。この酸化によ
り全体の重量は15%増加する。
【0006】このため従来用いられていたPd粉末は酸
化して大きく膨脹する。これがクラック発生の原因であ
った。このような多結晶による酸化膨脹は他の導体粉末
である、Ag、Ni、Cu粉においても全く同じであ
る。
化して大きく膨脹する。これがクラック発生の原因であ
った。このような多結晶による酸化膨脹は他の導体粉末
である、Ag、Ni、Cu粉においても全く同じであ
る。
【0007】本発明者はさらに研究した結果、導電粒子
として多結晶粒子を使用する限りこの酸化膨脹は防止出
来ないことを知り、粒子の結晶性を向上することを考え
た。そして、1種又は2種以上の金属塩を含む溶液を噴
霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高く、かつ金属
の融点より高い温度に加熱して得た粉末を使用して検討
した。
として多結晶粒子を使用する限りこの酸化膨脹は防止出
来ないことを知り、粒子の結晶性を向上することを考え
た。そして、1種又は2種以上の金属塩を含む溶液を噴
霧した液滴を、該金属塩の分解温度より高く、かつ金属
の融点より高い温度に加熱して得た粉末を使用して検討
した。
【0008】この製造法により得られる粉末は研究の結
果、従来粉末の30nm程の微結晶からなる多結晶粒子
ではなく、実質的に単結晶粒子であった。この粒子は、
単結晶であるので結晶粒界がなく、酸素の拡散は粒表面
からの体積拡散のみとなり、酸化による膨脹が非常に少
ない特徴を有している。この単結晶粒子を使用するとコ
ンデンサの体積膨脹が小さく長さ方向で0.2%程度で
従来の最も膨脹の小さいコンデンサが0.6%であった
ことからみると1/3の膨脹しか発生しない。このよう
に膨脹が小さいので多層化しても、またセラミック素体
を薄くしてもクラックの発生は生じない。
果、従来粉末の30nm程の微結晶からなる多結晶粒子
ではなく、実質的に単結晶粒子であった。この粒子は、
単結晶であるので結晶粒界がなく、酸素の拡散は粒表面
からの体積拡散のみとなり、酸化による膨脹が非常に少
ない特徴を有している。この単結晶粒子を使用するとコ
ンデンサの体積膨脹が小さく長さ方向で0.2%程度で
従来の最も膨脹の小さいコンデンサが0.6%であった
ことからみると1/3の膨脹しか発生しない。このよう
に膨脹が小さいので多層化しても、またセラミック素体
を薄くしてもクラックの発生は生じない。
【0009】またコンデサの内部電極を薄膜化しようと
すると1μ以下の微細な粒子を使用しないと電極性が得
られない。ところが従来から用いられているPd粉末等
の多結晶粉末はコンデンサを小型化するため微細粉末に
すると酸化が激しくなるので膨脹も大きくクラックを発
生するので小型化が困難であった。本発明で用いるこの
単結晶の粉末を用いると微粉末にしても酸化膨脹を抑制
することが出来るのでセラミックのクラック発生を防ぎ
コンデンサを小型化出来る効果がある。例えば、本発明
で用いる単結晶粉末は1cm2当りの塗布量を1mg以
下としても導電性は良好であるが従来の粉末は1.5m
gが限界であったので小型化は非常に難しかったのであ
る。次に実施例をあげて説明する。
すると1μ以下の微細な粒子を使用しないと電極性が得
られない。ところが従来から用いられているPd粉末等
の多結晶粉末はコンデンサを小型化するため微細粉末に
すると酸化が激しくなるので膨脹も大きくクラックを発
生するので小型化が困難であった。本発明で用いるこの
単結晶の粉末を用いると微粉末にしても酸化膨脹を抑制
することが出来るのでセラミックのクラック発生を防ぎ
コンデンサを小型化出来る効果がある。例えば、本発明
で用いる単結晶粉末は1cm2当りの塗布量を1mg以
下としても導電性は良好であるが従来の粉末は1.5m
gが限界であったので小型化は非常に難しかったのであ
る。次に実施例をあげて説明する。
【0010】
実施例1 硝酸パラジウムの1mol/l水溶液を噴霧して微小液
滴となし、この液滴を1650℃に加熱された炉中に導
きパラジウムを含んだ液滴が分解し、生成したPd粒子
が融点より高い温度になるまで加熱されるに十分な滞留
時間をもって通過させる。これによって生成した単分散
状態のPd粒子をX線回折計および高分解能SEMで観
察した結果、粒子径0.5〜1.0μmのほぼ単結晶状
態にあるPd微粒子であることがわかった。又、この粉
末を熱分析計を用いて、毎分10℃の昇温温度でTGカ
ーブを測定したところ、図1の曲線Aに見られるように
酸化による重量増加が少なく、最大値で重量増加4.7
%の粉末が得られた。次にこの粉末100重量部にエチ
ルセルロースを用いたビヒクル90重量部を加え、三本
ロールミルを用いてペースト化を行なった。このペース
トをチタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリー
ンシートに印刷し、乾燥したものを60層重ね合わせて
60℃、100Kg/cm2で熱プレスして、積層セラ
ミックコンデンサのグリーンチップを得た。次に、この
様にして得た積層セラミックコンデンサのグリーンチッ
プを最高温度1350℃に2時間キープを行ない、トー
タル14時間空気中で焼成して、積層セラミックコンデ
ンサを得た。得られた積層セラミックコンデンサはクラ
ックデラミネーションの全くないものであった。
滴となし、この液滴を1650℃に加熱された炉中に導
きパラジウムを含んだ液滴が分解し、生成したPd粒子
が融点より高い温度になるまで加熱されるに十分な滞留
時間をもって通過させる。これによって生成した単分散
状態のPd粒子をX線回折計および高分解能SEMで観
察した結果、粒子径0.5〜1.0μmのほぼ単結晶状
態にあるPd微粒子であることがわかった。又、この粉
末を熱分析計を用いて、毎分10℃の昇温温度でTGカ
ーブを測定したところ、図1の曲線Aに見られるように
酸化による重量増加が少なく、最大値で重量増加4.7
%の粉末が得られた。次にこの粉末100重量部にエチ
ルセルロースを用いたビヒクル90重量部を加え、三本
ロールミルを用いてペースト化を行なった。このペース
トをチタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリー
ンシートに印刷し、乾燥したものを60層重ね合わせて
60℃、100Kg/cm2で熱プレスして、積層セラ
ミックコンデンサのグリーンチップを得た。次に、この
様にして得た積層セラミックコンデンサのグリーンチッ
プを最高温度1350℃に2時間キープを行ない、トー
タル14時間空気中で焼成して、積層セラミックコンデ
ンサを得た。得られた積層セラミックコンデンサはクラ
ックデラミネーションの全くないものであった。
【0011】実施例2 実施例1において硝酸パラジウムを硝酸ニッケルにかえ
る以外は、同様にして作製した積層セラミックコンデン
サのグリーンチップを空気中400℃に1時間キープし
た後、微量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中、最高温
度1350℃に2時間キープし、トータル14時間で焼
成してNi内部電極を有する積層セラミックコンデンサ
を得た。得られた積屑セラミックコンデンサは、クラッ
ク、デラミネーションの全くないものであった。
る以外は、同様にして作製した積層セラミックコンデン
サのグリーンチップを空気中400℃に1時間キープし
た後、微量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中、最高温
度1350℃に2時間キープし、トータル14時間で焼
成してNi内部電極を有する積層セラミックコンデンサ
を得た。得られた積屑セラミックコンデンサは、クラッ
ク、デラミネーションの全くないものであった。
【0012】比較例1 塩化パラジウムを出発原料とするパラジウム塩水溶液に
ヒドラジンを還元剤として加え、粒子径0.5〜0.6
μmの単分散したPd粒子を得た。この粒子をX線回折
計および高分解能SEMで観察した結果、30nm程度
の微結晶からなる多結晶粒子であることがわかった。又
この粉末を熱分析計を用いて、毎分10℃の昇温速度で
TGカーブを測定したところ、図1の曲線Bにみられる
ように、酸化による重量増加が極めて大きく最大値で1
4.6%となった。次にこの粉末を用いて実施例と同様
にして積層セラミックコンデンサを作製したところ、全
部のコンデンサに大きなクラックが入り、使用出来る状
態ではなかつた。
ヒドラジンを還元剤として加え、粒子径0.5〜0.6
μmの単分散したPd粒子を得た。この粒子をX線回折
計および高分解能SEMで観察した結果、30nm程度
の微結晶からなる多結晶粒子であることがわかった。又
この粉末を熱分析計を用いて、毎分10℃の昇温速度で
TGカーブを測定したところ、図1の曲線Bにみられる
ように、酸化による重量増加が極めて大きく最大値で1
4.6%となった。次にこの粉末を用いて実施例と同様
にして積層セラミックコンデンサを作製したところ、全
部のコンデンサに大きなクラックが入り、使用出来る状
態ではなかつた。
【0013】比較例2 酢酸ニッケルをエチレングリコールで還元して得た粉末
を用いて、実施例2と同様に積層セラミックコンデンサ
を作製したところ、全部のコンデンサにクラックが発見
された。
を用いて、実施例2と同様に積層セラミックコンデンサ
を作製したところ、全部のコンデンサにクラックが発見
された。
【0014】
【発明の効果】本発明は特種な導電体微粉末を使用する
ことにより酸化による体積膨脹を防止してセラミック素
体のクラック発生を防ぎコンデンサを多層することが出
来る効果を奏する。
ことにより酸化による体積膨脹を防止してセラミック素
体のクラック発生を防ぎコンデンサを多層することが出
来る効果を奏する。
【図1】本発明の実施例と比較例の温度による体積増加
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
A 本発明の実施例の重量増加曲線 B 比較例の重量増加曲線
Claims (5)
- 【請求項1】 内部電極が、1種又は2種以上の金属塩
を含む溶液を噴霧した液滴を、該金属塩の分解温度より
高く、かつ金属の融点より高い温度に加熱して得た実質
的に単結晶の金属粉末を導電体として形成された積層セ
ラミックコンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1に記載された積層セラミックコ
ンデンサであって、金属塩が金属の融点以下の温度で酸
化物を形成する金属の塩である場合にはその酸化物の分
解温度より高い温度に加熱して得た実質的に単結晶の金
属粉末を導電体とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項3】 金属塩が2種以上の金属塩の混合物であ
り、導電体を合金で形成した請求項1または2に記載さ
れた積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項4】 金属塩がパラジウム塩、銀塩、ニッケル
塩、銅塩から選んだ1または2以上である、請求項1な
いし3のいずれか1項に記載された積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項5】 金属塩が硝酸パラジウム、硝酸銀、硝酸
ニッケル、硝酸銅から選んだ1または2以上である、請
求項1ないし4のいずれか1項に記載された積層セラミ
ックコンデンサ。
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---|---|---|---|
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US6699304B1 (en) | 1997-02-24 | 2004-03-02 | Superior Micropowders, Llc | Palladium-containing particles, method and apparatus of manufacture, palladium-containing devices made therefrom |
EP1007308B1 (en) | 1997-02-24 | 2003-11-12 | Superior Micropowders LLC | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
US6679937B1 (en) | 1997-02-24 | 2004-01-20 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
JP3475749B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2003-12-08 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末及びその製造方法 |
US20050097987A1 (en) * | 1998-02-24 | 2005-05-12 | Cabot Corporation | Coated copper-containing powders, methods and apparatus for producing such powders, and copper-containing devices fabricated from same |
US6106614A (en) * | 1998-10-15 | 2000-08-22 | Starmet Corp | Method and apparatus for fabricating near spherical semiconductor single crystal particulate and the spherical product produced |
DE19912733A1 (de) | 1999-03-20 | 2000-09-21 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffperoxid durch Direktsynthese |
JP3812523B2 (ja) * | 2002-09-10 | 2006-08-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 金属粉末の製造方法 |
CN101752081B (zh) * | 2008-12-02 | 2011-12-07 | 华为技术有限公司 | 一种陶瓷电容 |
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---|---|---|---|---|
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US3763409A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-02 | Du Pont | Capacitor with copper containing electrode |
US3815187A (en) * | 1972-07-12 | 1974-06-11 | Union Carbide Corp | Process for making ceramic capacitors |
GB1461176A (en) * | 1974-04-11 | 1977-01-13 | Plessey Inc | Method of producing powdered materials |
GB2133623A (en) * | 1982-12-20 | 1984-07-25 | Engelhard Ind Ltd | Ceramic multilayer electrical capacitors |
JPS621807A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 金属粉末の製造方法 |
JPS6331522A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | Kao Corp | 吸湿剤 |
US4778517A (en) * | 1987-05-27 | 1988-10-18 | Gte Products Corporation | Hydrometallurgical process for producing finely divided copper and copper alloy powders |
JPH0676609B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1994-09-28 | 川崎製鉄株式会社 | 銅微粉の製造方法 |
JPH0359905A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 導電性球状微粒子、その製法およびそれを含む導電性ペースト |
JPH0368484A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Shinji Hasegawa | 排水管の清掃工法 |
-
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- 1992-10-09 JP JP4310734A patent/JP3042224B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-17 EP EP93307368A patent/EP0593167B1/en not_active Revoked
- 1993-09-17 DE DE69300962T patent/DE69300962T2/de not_active Revoked
- 1993-09-21 US US08/124,889 patent/US5420744A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 TW TW082107941A patent/TW257871B/zh not_active IP Right Cessation
- 1993-09-27 KR KR1019930019939A patent/KR970004274B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-10-06 MY MYPI93002032A patent/MY108844A/en unknown
- 1993-10-08 CN CN93118650A patent/CN1043447C/zh not_active Expired - Lifetime
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---|---|---|---|---|
JP2006041278A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Denso Corp | 積層型圧電体素子及びその製造方法 |
JP4631342B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2011-02-16 | 株式会社デンソー | 積層型圧電体素子の製造方法 |
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JP3042224B2 (ja) | 2000-05-15 |
EP0593167B1 (en) | 1995-12-06 |
CN1086628A (zh) | 1994-05-11 |
KR970004274B1 (ko) | 1997-03-26 |
EP0593167A1 (en) | 1994-04-20 |
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CN1043447C (zh) | 1999-05-19 |
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MY108844A (en) | 1996-11-30 |
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