JPH0696988A - 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサー - Google Patents
積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサーInfo
- Publication number
- JPH0696988A JPH0696988A JP24297492A JP24297492A JPH0696988A JP H0696988 A JPH0696988 A JP H0696988A JP 24297492 A JP24297492 A JP 24297492A JP 24297492 A JP24297492 A JP 24297492A JP H0696988 A JPH0696988 A JP H0696988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- ceramic capacitor
- paste
- green sheet
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温度で焼成される積層セラミックコンデン
サーの内部電極として、誘電体に対する優れた耐酸化
性、内部電極間の優れた耐マイグレーション性を有する
内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミ
ックコンデンサーを提供するものである。 【構成】 Ａｇx Ｃｕ1-x （０．０２≦ｘ≦０．４、原
子比）組成で、表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、
平均粒子径が０．１〜５μｍである銅合金粉末からなる
積層セラミックコンデンサー内部電極用導電性ペースト
及び、ペーストを誘電体に印刷積層、焼成してなる内部
電極を有する積層セラミックコンデンサー。 【効果】 １２００℃以下で焼成して得られる低温焼成
型積層セラミックコンデンサーの内部電極として、誘電
体にも酸化されない優れた耐酸化性及び内部電極間での
短絡を生じない優れた耐マイグレーション性を有してい
る。また、幅広い組成の外部電極体とのマッチング性に
も優れる。
サーの内部電極として、誘電体に対する優れた耐酸化
性、内部電極間の優れた耐マイグレーション性を有する
内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミ
ックコンデンサーを提供するものである。 【構成】 Ａｇx Ｃｕ1-x （０．０２≦ｘ≦０．４、原
子比）組成で、表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、
平均粒子径が０．１〜５μｍである銅合金粉末からなる
積層セラミックコンデンサー内部電極用導電性ペースト
及び、ペーストを誘電体に印刷積層、焼成してなる内部
電極を有する積層セラミックコンデンサー。 【効果】 １２００℃以下で焼成して得られる低温焼成
型積層セラミックコンデンサーの内部電極として、誘電
体にも酸化されない優れた耐酸化性及び内部電極間での
短絡を生じない優れた耐マイグレーション性を有してい
る。また、幅広い組成の外部電極体とのマッチング性に
も優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】電子部品として幅広く用いられて
いるコンデンサーとして、アルミ電解コンデンサー、タ
ンタルコンデンサー、積層セラミックコンデンサーなど
あるが、本発明は、何十層の誘電体素体を重ね合わせた
積層セラミックコンデンサーの内部電極に使用する銅合
金粉からなる導電性ペースト及び該ペーストを用いた積
層セラミックコンデンサーを提供するものである。
いるコンデンサーとして、アルミ電解コンデンサー、タ
ンタルコンデンサー、積層セラミックコンデンサーなど
あるが、本発明は、何十層の誘電体素体を重ね合わせた
積層セラミックコンデンサーの内部電極に使用する銅合
金粉からなる導電性ペースト及び該ペーストを用いた積
層セラミックコンデンサーを提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、幅広く用いられてきた積層セ
ラミックコンデンサーは、主としてチタン酸塩からなる
誘電体と内部電極が交互に何層にも積層されたものであ
るが、内部電極としては、白金、パラジウム、銀−パラ
ジウム、ニッケル、銀、銅などがある。作製法として、
前記導電粒子からなる導電性ペーストを誘電体上に印刷
し、印刷された誘電体を内部電極、誘電体が交互にくる
ように何層にも積層させ焼成して作製される。焼成温度
は、内部電極に使用される導電体の融点より低い温度で
行われている。
ラミックコンデンサーは、主としてチタン酸塩からなる
誘電体と内部電極が交互に何層にも積層されたものであ
るが、内部電極としては、白金、パラジウム、銀−パラ
ジウム、ニッケル、銀、銅などがある。作製法として、
前記導電粒子からなる導電性ペーストを誘電体上に印刷
し、印刷された誘電体を内部電極、誘電体が交互にくる
ように何層にも積層させ焼成して作製される。焼成温度
は、内部電極に使用される導電体の融点より低い温度で
行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】白金、パラジウム内部
電極を用いたものでは、非常にコスト高になると、外部
電極材料が内部電極とのマッチング性（合金化）のため
銀および銀パラジウム系に制限される。また、積層セラ
ミックコンデンサー自体の容量の限られた材料しか使用
できないなどの制限がある。つまり、公知誘電体とし
て、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸カルシイウムなどがあるが、焼結温度が高
く、そのため内部電極としても白金、パラジウムなど１
０００〜１３００度の高温度で焼成するものでないと温
度に耐えられなく、誘電体組成が限られる。また、低温
度で焼成される鉛系の誘電体素体が公知であるが（特開
平４−１７０３５５号）、白金、パラジウムなどの高温
度での焼結するタイプのものでは充分な焼結性が得られ
ない。そのため、銀、銅、銀−パラジウムなどが用いら
れてきている。
電極を用いたものでは、非常にコスト高になると、外部
電極材料が内部電極とのマッチング性（合金化）のため
銀および銀パラジウム系に制限される。また、積層セラ
ミックコンデンサー自体の容量の限られた材料しか使用
できないなどの制限がある。つまり、公知誘電体とし
て、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸カルシイウムなどがあるが、焼結温度が高
く、そのため内部電極としても白金、パラジウムなど１
０００〜１３００度の高温度で焼成するものでないと温
度に耐えられなく、誘電体組成が限られる。また、低温
度で焼成される鉛系の誘電体素体が公知であるが（特開
平４−１７０３５５号）、白金、パラジウムなどの高温
度での焼結するタイプのものでは充分な焼結性が得られ
ない。そのため、銀、銅、銀−パラジウムなどが用いら
れてきている。
【０００４】銀−パラジウム系の内部電極の場合、コス
ト高になるのみならず、誘電体素体間隔が狭くなってい
く上で銀のマイグレーションの問題があり、内部電極ど
うしが短絡し、容量不足になり易い。銀内部電極は、誘
電体素体間隔が狭まるなかで、内部電極間のマイグレー
ションの問題があり、容量が不十分になる。
ト高になるのみならず、誘電体素体間隔が狭くなってい
く上で銀のマイグレーションの問題があり、内部電極ど
うしが短絡し、容量不足になり易い。銀内部電極は、誘
電体素体間隔が狭まるなかで、内部電極間のマイグレー
ションの問題があり、容量が不十分になる。
【０００５】銀ペーストを用いた銅内部電極も公知であ
るが、一般に何層に積層された公知内部電極自体は誘電
体素体より薄く１〜数μｍの厚さであるため、焼成時、
誘電体素体の酸化物が内部電極の銅を酸化させ易く、そ
のため内部電極の酸化による断線が起こり機能が充分に
発揮されないなどの重大な問題点がある。また、焼成雰
囲気としては、銅ペーストは窒素中で焼成しなくてはな
らなく、そのため、ペースト中に含まれる有機バインダ
ーの焼き飛びが不十分になる。したがって、焼成時、酸
素を窒素雰囲気中でドープして行うが、内部電極層がも
ともと０．１〜数μｍ程度と薄いことで使用される導電
性粒子が焼結中に酸化をうけ焼結不十分となり、その結
果、電気容量が不足になるという問題もある。
るが、一般に何層に積層された公知内部電極自体は誘電
体素体より薄く１〜数μｍの厚さであるため、焼成時、
誘電体素体の酸化物が内部電極の銅を酸化させ易く、そ
のため内部電極の酸化による断線が起こり機能が充分に
発揮されないなどの重大な問題点がある。また、焼成雰
囲気としては、銅ペーストは窒素中で焼成しなくてはな
らなく、そのため、ペースト中に含まれる有機バインダ
ーの焼き飛びが不十分になる。したがって、焼成時、酸
素を窒素雰囲気中でドープして行うが、内部電極層がも
ともと０．１〜数μｍ程度と薄いことで使用される導電
性粒子が焼結中に酸化をうけ焼結不十分となり、その結
果、電気容量が不足になるという問題もある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
鋭意検討した結果、本発明に達した。すなわち、本発明
は、一般式Ａｇx Ｃｕ 1-x（ただし、０．００５≦ｘ≦
０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平
均の銀濃度より高く、表面に向かって銀濃度が増加する
領域を有する平均粒子径が０．１〜５μｍである銅合金
粉末からなることを特徴とする積層セラミックコンデン
サー内部電極用ペースト、及び該ペーストを誘電体上に
印刷し、積層してなるグリーンシート積層体、及び該グ
リーンシート積層体を５００〜１２００℃の温度で焼成
してなる内部電極を有する積層セラミックコンデンサー
に関する。
鋭意検討した結果、本発明に達した。すなわち、本発明
は、一般式Ａｇx Ｃｕ 1-x（ただし、０．００５≦ｘ≦
０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平
均の銀濃度より高く、表面に向かって銀濃度が増加する
領域を有する平均粒子径が０．１〜５μｍである銅合金
粉末からなることを特徴とする積層セラミックコンデン
サー内部電極用ペースト、及び該ペーストを誘電体上に
印刷し、積層してなるグリーンシート積層体、及び該グ
リーンシート積層体を５００〜１２００℃の温度で焼成
してなる内部電極を有する積層セラミックコンデンサー
に関する。
【０００７】本発明の内部電極用ペーストは銀、銅を主
成分にした銅合金粉末であるが、銀量が０．４を超える
場合には、誘電体素体間の銀のマイグレーションが問題
になる。０．００５未満の場合には、誘電体により内部
電極が酸化を受け容量が不足になる。好ましくは、銀量
が０．０１〜０．３である。また、該組成の銅合金粒子
は表面が平均の銀濃度より高く、且つ粒子表面に向かっ
て銀濃度が増加する領域を有しているが、以下の利点が
ある。すなわち、内部電極ペーストとして印刷後、焼成
する場合、不活性雰囲気中で焼成するのが好ましく、ペ
ーストに含まれる有機ビヒクルを完全に焼き飛ばすのに
さらに微量の酸素を添加するのが好ましいが、この時、
表面に銀濃度が高いことで焼結時の酸化が防止できる。
しかも粒子内部に向かって銀濃度が減少しているため焼
結時の層間でのマイグレーションにも優れるという利点
を有している。そのため、表面の銀濃度が平均の銀濃度
より高いことがよく、２倍以上３０倍以下が好ましく、
さらに、３倍以上２７倍以下が好ましい。
成分にした銅合金粉末であるが、銀量が０．４を超える
場合には、誘電体素体間の銀のマイグレーションが問題
になる。０．００５未満の場合には、誘電体により内部
電極が酸化を受け容量が不足になる。好ましくは、銀量
が０．０１〜０．３である。また、該組成の銅合金粒子
は表面が平均の銀濃度より高く、且つ粒子表面に向かっ
て銀濃度が増加する領域を有しているが、以下の利点が
ある。すなわち、内部電極ペーストとして印刷後、焼成
する場合、不活性雰囲気中で焼成するのが好ましく、ペ
ーストに含まれる有機ビヒクルを完全に焼き飛ばすのに
さらに微量の酸素を添加するのが好ましいが、この時、
表面に銀濃度が高いことで焼結時の酸化が防止できる。
しかも粒子内部に向かって銀濃度が減少しているため焼
結時の層間でのマイグレーションにも優れるという利点
を有している。そのため、表面の銀濃度が平均の銀濃度
より高いことがよく、２倍以上３０倍以下が好ましく、
さらに、３倍以上２７倍以下が好ましい。
【０００８】また、本発明で用いる銅合金粉末の平均粒
子径は０．１〜５μｍであるが、平均粒径が５μｍを超
える場合には、内部電極層が厚くなり、充分な数の積層
体が得られず、また、焼結も不十分になる。平均粒子径
が０．１μｍ未満の場合には、誘電体により該組成のペ
ーストを用いた内部電極体が酸化され易くなるため容量
が不安定になる。好ましくは、０．１〜３μｍである。
表面の銀濃度の測定は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装
置；ＸＳＡＭ８００ ＫＲＡＴＯＳ社製）を用いて以下
の条件で行った。エッチング条件； アルゴンイオン
１０-7ｔｏｒｒ １０分間 １２ｋｅＶ測定条件； ア
ルゴン雰囲気中 １０-8ｔｏｒｒ、試料台上に、両面テ
ープを張り付けさらに、粉末を全面が覆うように張り付
けて取り出し角度９０℃で測定した。測定、エッチング
を繰り返し行い、５回繰り返し行った。最初の２回の平
均値を表面の銀濃度とした。銀濃度ｘはＡｇ／（Ａｇ＋
Ｃｕ）、銅濃度はＣｕ／（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。また、
平均の銀、銅濃度は、濃硝酸に銅合金粉末を溶解してＩ
ＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー
電子製）で測定した。
子径は０．１〜５μｍであるが、平均粒径が５μｍを超
える場合には、内部電極層が厚くなり、充分な数の積層
体が得られず、また、焼結も不十分になる。平均粒子径
が０．１μｍ未満の場合には、誘電体により該組成のペ
ーストを用いた内部電極体が酸化され易くなるため容量
が不安定になる。好ましくは、０．１〜３μｍである。
表面の銀濃度の測定は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装
置；ＸＳＡＭ８００ ＫＲＡＴＯＳ社製）を用いて以下
の条件で行った。エッチング条件； アルゴンイオン
１０-7ｔｏｒｒ １０分間 １２ｋｅＶ測定条件； ア
ルゴン雰囲気中 １０-8ｔｏｒｒ、試料台上に、両面テ
ープを張り付けさらに、粉末を全面が覆うように張り付
けて取り出し角度９０℃で測定した。測定、エッチング
を繰り返し行い、５回繰り返し行った。最初の２回の平
均値を表面の銀濃度とした。銀濃度ｘはＡｇ／（Ａｇ＋
Ｃｕ）、銅濃度はＣｕ／（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。また、
平均の銀、銅濃度は、濃硝酸に銅合金粉末を溶解してＩ
ＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー
電子製）で測定した。
【０００９】平均粒子径は、レーザー回折型平均粒子径
測定装置（島津製作所製ＳＡＬＤ１１００）を用いて体
積積算平均粒子径を用いた。銅合金粉末の形状は、特に
指定はないが、内部電極が薄いことや、焼結性の点から
球状あるいは球状に近いものが好ましい。しかし、特性
を損なわない程度で有れば多少球状以外の形状粉末（鱗
片粉、不定形粉）を含んでいても構わない。
測定装置（島津製作所製ＳＡＬＤ１１００）を用いて体
積積算平均粒子径を用いた。銅合金粉末の形状は、特に
指定はないが、内部電極が薄いことや、焼結性の点から
球状あるいは球状に近いものが好ましい。しかし、特性
を損なわない程度で有れば多少球状以外の形状粉末（鱗
片粉、不定形粉）を含んでいても構わない。
【００１０】また、誘電体との優れた接着性を確保する
ためガラス粉末をペーストに混合して用いることもでき
る。ガラス粉末を用いる場合には、誘電体素体と充分な
接着力を有するものが好ましく、ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 、Ｚｎｏ，ＣａＯ，ＭｇＯなどから選ばれた１種
以上の成分からなるガラス粉末が好ましい。ガラス粉末
の添加量としては、銅合金粉末１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部が好ましく、０．１〜１５重量部が
好ましい。ガラス粉末としては、平均粒子径が３μｍ以
下のものが好ましく、さらに、２μｍ以下のものが好ま
しい。また、必要に応じて、ガラス粉末をペーストに混
合して用いることもできる。
ためガラス粉末をペーストに混合して用いることもでき
る。ガラス粉末を用いる場合には、誘電体素体と充分な
接着力を有するものが好ましく、ＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 、Ｚｎｏ，ＣａＯ，ＭｇＯなどから選ばれた１種
以上の成分からなるガラス粉末が好ましい。ガラス粉末
の添加量としては、銅合金粉末１００重量部に対して、
０．１〜２０重量部が好ましく、０．１〜１５重量部が
好ましい。ガラス粉末としては、平均粒子径が３μｍ以
下のものが好ましく、さらに、２μｍ以下のものが好ま
しい。また、必要に応じて、ガラス粉末をペーストに混
合して用いることもできる。
【００１１】本発明の積層セラミックコンデンサーの内
部電極用ペーストは、誘電体素体に印刷あるいは塗布し
て用いるため、適度なチキソ性、印刷性が必要である。
そのため、ペーストとして、有機ビヒクルを適当量含有
していることが好ましい。有機ビヒキルは公知のもので
構わないが、焼成条件で充分に焼き飛ぶものが好まし
い。例えば、エチルセルロース系、アクリル樹脂系、ポ
リビニルブチラール系、エポキシ系などが挙げられるが
特に指定するものではない。この場合、溶剤とともに用
いるのが好ましい。溶剤としては、公知の溶剤で、印刷
時のチキソ性、焼成時の揮発性を有するものであれば特
に指定はない。銅合金粉末１００重量部に対して１〜３
００重量部が良いが、特に必要で有れば、減量して用い
ることもできる。
部電極用ペーストは、誘電体素体に印刷あるいは塗布し
て用いるため、適度なチキソ性、印刷性が必要である。
そのため、ペーストとして、有機ビヒクルを適当量含有
していることが好ましい。有機ビヒキルは公知のもので
構わないが、焼成条件で充分に焼き飛ぶものが好まし
い。例えば、エチルセルロース系、アクリル樹脂系、ポ
リビニルブチラール系、エポキシ系などが挙げられるが
特に指定するものではない。この場合、溶剤とともに用
いるのが好ましい。溶剤としては、公知の溶剤で、印刷
時のチキソ性、焼成時の揮発性を有するものであれば特
に指定はない。銅合金粉末１００重量部に対して１〜３
００重量部が良いが、特に必要で有れば、減量して用い
ることもできる。
【００１２】その他、添加物として、チキソ剤、沈降防
止剤、銅合金分の銅酸化物の還元剤を用いることもでき
る。添加剤の量としては、銅合金粉末１００重量部に対
して５０重量部以下が好ましく、特に、０．１〜４０重
量部が好ましい。本発明の内部電極用導電性ペーストを
使用する場合、誘電体素体は公知のものが使用できる
が、誘電体の焼成温度が１０８０℃未満のものが良い。
１０８０℃を超える場合には、本発明で用いる銅合金粉
末がすべて融解し流れだし、内部電極として不十分にな
る。好ましくは１０５０℃以下６００℃以上で焼成され
る誘電体が良い。ビスマス層状化合物（Ｂｉ2 Ｏ2 ）
（Ｍｅm-1 ＲｍＯ3m+1）ここで、Ｍｅは１〜３価の元
素、Ｒは４、５価の元素およびこれらの元素を組み合わ
せたものや（例えばＢｉ2 ＷＯ6 、Ｂｉ2 Ｗm Ｍｏ1-m
Ｏ 6、Ｂｉ4 Ｔｉ 3Ｏ 12など）、Ｐｂを主成分にした
ペロブスカイト型組成物（例えばPb(M* x Ｍ** 1-x）
1-x Ｏ3 （ただし、Ｍ* はＦｅ、Ｃｏ，Ｚｎ、Ｍｇ，Ｎ
ｉ、Ｍ**はＷ，Ｎｂ、Ｔａ、ｘは１／３、１／２、２／
３）で表される）ものである。例えばＰｂ（Ｆｅ1/2 Ｎ
ｂ1/2 ) Ｏ3 などである。またＰｂＴｉＯ3 やＰｂＺｒ
Ｏ3 などが挙げられる。これらの誘電体に必要に応じ
て、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇなどを添加し
た鉛系の酸化物誘電体などが好ましい。その他、チタン
酸系の酸化物誘電体も用いることができる。これらの酸
化物誘電体を用いても本発明の内部電極用ペーストは優
れた耐酸化性を有している。
止剤、銅合金分の銅酸化物の還元剤を用いることもでき
る。添加剤の量としては、銅合金粉末１００重量部に対
して５０重量部以下が好ましく、特に、０．１〜４０重
量部が好ましい。本発明の内部電極用導電性ペーストを
使用する場合、誘電体素体は公知のものが使用できる
が、誘電体の焼成温度が１０８０℃未満のものが良い。
１０８０℃を超える場合には、本発明で用いる銅合金粉
末がすべて融解し流れだし、内部電極として不十分にな
る。好ましくは１０５０℃以下６００℃以上で焼成され
る誘電体が良い。ビスマス層状化合物（Ｂｉ2 Ｏ2 ）
（Ｍｅm-1 ＲｍＯ3m+1）ここで、Ｍｅは１〜３価の元
素、Ｒは４、５価の元素およびこれらの元素を組み合わ
せたものや（例えばＢｉ2 ＷＯ6 、Ｂｉ2 Ｗm Ｍｏ1-m
Ｏ 6、Ｂｉ4 Ｔｉ 3Ｏ 12など）、Ｐｂを主成分にした
ペロブスカイト型組成物（例えばPb(M* x Ｍ** 1-x）
1-x Ｏ3 （ただし、Ｍ* はＦｅ、Ｃｏ，Ｚｎ、Ｍｇ，Ｎ
ｉ、Ｍ**はＷ，Ｎｂ、Ｔａ、ｘは１／３、１／２、２／
３）で表される）ものである。例えばＰｂ（Ｆｅ1/2 Ｎ
ｂ1/2 ) Ｏ3 などである。またＰｂＴｉＯ3 やＰｂＺｒ
Ｏ3 などが挙げられる。これらの誘電体に必要に応じ
て、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇなどを添加し
た鉛系の酸化物誘電体などが好ましい。その他、チタン
酸系の酸化物誘電体も用いることができる。これらの酸
化物誘電体を用いても本発明の内部電極用ペーストは優
れた耐酸化性を有している。
【００１３】本発明のペーストを用いた内部電極の形成
方法としては、先ず、誘電体組成の粉末と有機ビヒクル
を混合し、調製されたペーストをドクターブレード法、
スプレー法、カレンダーロール法、スクリーン印刷法、
ドローイング法などによりグリーンシートを作製する。
こうして得られたグリーンシートを所定の大きさにパン
チングで打ち抜く。このグリーンシートに本発明の内部
電極用ペーストを印刷する。印刷されたグリーンシート
を何層か積み重ねて、圧着しこれを切断して生チップを
つくる。積層セラミックコンデンサーの大きさとして、
３．２×１．６ｍｍ，１．６×０．８ｍｍ，１×０．５
ｍｍなどの公知の大きさが使用できる。このチップを所
定の温度で焼成する。所定の温度としては、１０５０℃
以下５５０℃以上が良く、さらに、１０００℃以下６５
０℃以上が良い。この温度処理により電極が誘電体表
面、層間に形成される。有機ビヒクルを完全に焼き飛ば
すためには酸素を窒素中にドープするのが好ましい。焼
成する場合、５５０〜６００℃程度まで酸素ドープする
のが好ましい。ドーブ量としては、５ｐｐｍ〜１５０ｐ
ｐｍ程度で充分である。
方法としては、先ず、誘電体組成の粉末と有機ビヒクル
を混合し、調製されたペーストをドクターブレード法、
スプレー法、カレンダーロール法、スクリーン印刷法、
ドローイング法などによりグリーンシートを作製する。
こうして得られたグリーンシートを所定の大きさにパン
チングで打ち抜く。このグリーンシートに本発明の内部
電極用ペーストを印刷する。印刷されたグリーンシート
を何層か積み重ねて、圧着しこれを切断して生チップを
つくる。積層セラミックコンデンサーの大きさとして、
３．２×１．６ｍｍ，１．６×０．８ｍｍ，１×０．５
ｍｍなどの公知の大きさが使用できる。このチップを所
定の温度で焼成する。所定の温度としては、１０５０℃
以下５５０℃以上が良く、さらに、１０００℃以下６５
０℃以上が良い。この温度処理により電極が誘電体表
面、層間に形成される。有機ビヒクルを完全に焼き飛ば
すためには酸素を窒素中にドープするのが好ましい。焼
成する場合、５５０〜６００℃程度まで酸素ドープする
のが好ましい。ドーブ量としては、５ｐｐｍ〜１５０ｐ
ｐｍ程度で充分である。
【００１４】内部電極としては、厚さ１０μｍ以下が積
層体の積層数の関係から好ましく、厚さ０．１〜７μｍ
が好ましい。本発明の内部電極ペーストを用いて形成さ
せた場合、導電性ペーストを印刷し、焼成されるが、こ
の時の雰囲気中での酸化に対して優れるのみならず誘電
体（酸化物成分）からの酸化にもわずか数μｍの膜厚で
あるにもかかわらず優れており、誘電特性の安定したも
のが得られる。
層体の積層数の関係から好ましく、厚さ０．１〜７μｍ
が好ましい。本発明の内部電極ペーストを用いて形成さ
せた場合、導電性ペーストを印刷し、焼成されるが、こ
の時の雰囲気中での酸化に対して優れるのみならず誘電
体（酸化物成分）からの酸化にもわずか数μｍの膜厚で
あるにもかかわらず優れており、誘電特性の安定したも
のが得られる。
【００１５】本発明の内部電極が形成された積層の誘電
体の内部電極の端子に外部電極を塗布焼成して積層セラ
ミックコンデンサーとして用いられる。特に、外部電極
としては、銅、銀、銀−パラジウム、銅−銀合金など公
知の材料を充分に用いることができる。すなわち、内部
電極は一般式ＡＧx Ｃｕ1-X （ただし、０．００５≦ｘ
≦０．４、原子比）からなる導電体であるが、従来の銅
の欠点である誘電体による酸化、銀の欠点であるマイグ
レーション性がなく、且つパラジウムにはない良好な導
電性を有しているのみならず、銀−銅の合金組成からな
っているため、外部電極としての銀、銅、パラジウム、
銀−パラジウム、銀−銅のいずれとも充分に合金化でき
るため、従来にない優れた外部電極とのマッチング性を
有している。中でも銀−銅合金外部電極体を用いるのが
好ましい。
体の内部電極の端子に外部電極を塗布焼成して積層セラ
ミックコンデンサーとして用いられる。特に、外部電極
としては、銅、銀、銀−パラジウム、銅−銀合金など公
知の材料を充分に用いることができる。すなわち、内部
電極は一般式ＡＧx Ｃｕ1-X （ただし、０．００５≦ｘ
≦０．４、原子比）からなる導電体であるが、従来の銅
の欠点である誘電体による酸化、銀の欠点であるマイグ
レーション性がなく、且つパラジウムにはない良好な導
電性を有しているのみならず、銀−銅の合金組成からな
っているため、外部電極としての銀、銅、パラジウム、
銀−パラジウム、銀−銅のいずれとも充分に合金化でき
るため、従来にない優れた外部電極とのマッチング性を
有している。中でも銀−銅合金外部電極体を用いるのが
好ましい。
【００１６】本発明の内部電極用ペーストを用いたセラ
ミックコンデンサーの容量値はＬＣＲメーター（日置
製）により１ＭＨｚで測定し、さらに、１５０℃ ３０
分間〜−５５℃ ３０分間 １０００サイクルでの試験
後の測定値との変化率（試験後の変化率）を測定した。
変化率１０％以下が良好であるとした。以下に実施例に
より本発明を説明する。また、内部電極の酸化性を測定
するため、積層体をエッチングして内部電極を露出さ
せ、薄膜Ｘ線（理学製ＭＸＰ１８）により０．５度の入
射角、電流値１００ｍＡ、電圧１００ｋＶで銅酸化状態
を測定した。酸化第一銅のメインピーク、酸化第二銅の
メインピーク、銅メタルのメインピークの測定強度より
酸化物存在比はＣｕＯｘ／（ＣｕＯｘ＋Ｃｕ）をもって
表した（ただし、ＣｕＯｘは酸化第一銅、酸化第二銅の
和）。２０％以内を良好とした。２０％を超える場合に
は、内部電極の一部で断線が生じてきて容量が不十分に
なる。
ミックコンデンサーの容量値はＬＣＲメーター（日置
製）により１ＭＨｚで測定し、さらに、１５０℃ ３０
分間〜−５５℃ ３０分間 １０００サイクルでの試験
後の測定値との変化率（試験後の変化率）を測定した。
変化率１０％以下が良好であるとした。以下に実施例に
より本発明を説明する。また、内部電極の酸化性を測定
するため、積層体をエッチングして内部電極を露出さ
せ、薄膜Ｘ線（理学製ＭＸＰ１８）により０．５度の入
射角、電流値１００ｍＡ、電圧１００ｋＶで銅酸化状態
を測定した。酸化第一銅のメインピーク、酸化第二銅の
メインピーク、銅メタルのメインピークの測定強度より
酸化物存在比はＣｕＯｘ／（ＣｕＯｘ＋Ｃｕ）をもって
表した（ただし、ＣｕＯｘは酸化第一銅、酸化第二銅の
和）。２０％以内を良好とした。２０％を超える場合に
は、内部電極の一部で断線が生じてきて容量が不十分に
なる。
【００１７】
粉末作製
【００１８】
【作製例１】銅粉末（純度９９．９％以上）１８０．９
７５ｇ、銀粉末（純度９９．９％以上）１６．２ｇを充
分に混合し、黒鉛るつぼに入れ高周波誘導加熱を用いて
１８００℃まで窒素雰囲気中で加熱溶解した。融液を窒
素雰囲気中へ噴出し、噴出と同時にボンベ入り窒素ガス
１３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇを融液に対して噴出し、融液をア
トマイズした。得られた粉末の平均粒子径は６μｍであ
った。この粉末の中、２μｍ以下の粉末を分級し取りだ
した。平均粒径１μｍの粉末の表面の銀濃度は、表面よ
り０．７６、０．６６、０．５、０．４５、０．３であ
り、表面の銀濃度は０．７１であった。平均の銀濃度は
０．０５であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の１４倍
であった。
７５ｇ、銀粉末（純度９９．９％以上）１６．２ｇを充
分に混合し、黒鉛るつぼに入れ高周波誘導加熱を用いて
１８００℃まで窒素雰囲気中で加熱溶解した。融液を窒
素雰囲気中へ噴出し、噴出と同時にボンベ入り窒素ガス
１３０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇを融液に対して噴出し、融液をア
トマイズした。得られた粉末の平均粒子径は６μｍであ
った。この粉末の中、２μｍ以下の粉末を分級し取りだ
した。平均粒径１μｍの粉末の表面の銀濃度は、表面よ
り０．７６、０．６６、０．５、０．４５、０．３であ
り、表面の銀濃度は０．７１であった。平均の銀濃度は
０．０５であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の１４倍
であった。
【００１９】
【作製例２】銅粉末（純度９９．９％以上）１５２．４
ｇ、銀粉末（純度９９．９％以上）６４．８ｇを充分に
混合し、黒鉛るつぼに高周波誘導加熱を用いて窒素雰囲
気中１８５０℃まで溶解し、さらに、窒素雰囲気中ボン
ベ入り窒素ガス１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで融液をアトマイ
ズした。得られた粉末は、８μｍの球状粉であった。得
られた粉末の中１μｍ以下の粉末を分級した。平均粒子
径０．６μｍの粉末の表面の銀濃度は、表面より０．
８、０．７８、０．７、０．６、０．５であり、表面の
銀濃度は０．７９であった。平均の銀濃度は０．２であ
り、表面の銀濃度は平均の銀濃度の３．９５倍であっ
た。
ｇ、銀粉末（純度９９．９％以上）６４．８ｇを充分に
混合し、黒鉛るつぼに高周波誘導加熱を用いて窒素雰囲
気中１８５０℃まで溶解し、さらに、窒素雰囲気中ボン
ベ入り窒素ガス１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで融液をアトマイ
ズした。得られた粉末は、８μｍの球状粉であった。得
られた粉末の中１μｍ以下の粉末を分級した。平均粒子
径０．６μｍの粉末の表面の銀濃度は、表面より０．
８、０．７８、０．７、０．６、０．５であり、表面の
銀濃度は０．７９であった。平均の銀濃度は０．２であ
り、表面の銀濃度は平均の銀濃度の３．９５倍であっ
た。
【００２０】
【作製例３】銅粉末（純度９９．９％以上）１８９．５
ｇ，銀粉末（純度９９．９％以上）１．６２ｇを混合
し、同様にして１８００℃まで窒素雰囲気中で融解し
た。融液を窒素雰囲気中でボンベ入り窒素ガス（１８０
ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）で融液をアトマイズした。得られた粉
末は、平均粒子径５μｍであった。そのうち１μｍ以下
の粉末を分級した。平均粒子径０．４μｍであった。表
面の銀濃度を測定すると、表面より０．０４、０．０
３、０．０２、０．２、０．０１であり、表面の銀濃度
は０．０３５であった。平均の銀濃度は０．００５であ
り、表面の銀濃度は、平均の銀濃度の７．５倍であっ
た。ペースト実施例
ｇ，銀粉末（純度９９．９％以上）１．６２ｇを混合
し、同様にして１８００℃まで窒素雰囲気中で融解し
た。融液を窒素雰囲気中でボンベ入り窒素ガス（１８０
ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）で融液をアトマイズした。得られた粉
末は、平均粒子径５μｍであった。そのうち１μｍ以下
の粉末を分級した。平均粒子径０．４μｍであった。表
面の銀濃度を測定すると、表面より０．０４、０．０
３、０．０２、０．２、０．０１であり、表面の銀濃度
は０．０３５であった。平均の銀濃度は０．００５であ
り、表面の銀濃度は、平均の銀濃度の７．５倍であっ
た。ペースト実施例
【００２１】
【実施例１】作製例１で得られた平均粒子径１μｍの粉
末１０ｇ，エチルセルロース０．０３ｇ，テルペノール
０．５ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯガラスフリット
０．１ｇを充分に混合しペーストとした。得られたペー
ストをＢｉ2 ＷＯ6 からなる誘電体グリーンシート上に
塗布した。塗膜を４０層積層させた後、３．６ｍｍ×
１．６ｍｍにカットし、８７０℃窒素雰囲気中で焼成し
た。この時、５５０℃まで酸素１００ｐｐｍドープし
た。一部サンプルを取り出し、内部電極層の厚さを測定
したところ、５μｍであった。
末１０ｇ，エチルセルロース０．０３ｇ，テルペノール
０．５ｇ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯガラスフリット
０．１ｇを充分に混合しペーストとした。得られたペー
ストをＢｉ2 ＷＯ6 からなる誘電体グリーンシート上に
塗布した。塗膜を４０層積層させた後、３．６ｍｍ×
１．６ｍｍにカットし、８７０℃窒素雰囲気中で焼成し
た。この時、５５０℃まで酸素１００ｐｐｍドープし
た。一部サンプルを取り出し、内部電極層の厚さを測定
したところ、５μｍであった。
【００２２】内部電極を作製後、同じ組成のペーストを
外部電極として内部電極面が露出している面に全面に塗
布した。さらに、８７０℃で窒素雰囲気中で焼成した。
電極を通して容量を測定したところ、規格値の±５％以
内であった。ｔａｎδも０．２％であった。外部電極間
に５０Ｖを印可し、６０℃ ９０％相対湿度中で１００
０時間放置後、内部電極を割って走査型電子顕微鏡で測
定したところ内部電極間にマイグレーションは観測され
なかった。
外部電極として内部電極面が露出している面に全面に塗
布した。さらに、８７０℃で窒素雰囲気中で焼成した。
電極を通して容量を測定したところ、規格値の±５％以
内であった。ｔａｎδも０．２％であった。外部電極間
に５０Ｖを印可し、６０℃ ９０％相対湿度中で１００
０時間放置後、内部電極を割って走査型電子顕微鏡で測
定したところ内部電極間にマイグレーションは観測され
なかった。
【００２３】以下実施例２〜５については表に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【比較例】粉末作製
【００２６】
【作製例４】銅粒子１２７ｇ、銀粒子２１６ｇを混合
し、黒鉛るつぼに入れ窒素雰囲気中で１７００℃まで加
熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より窒素雰囲気中へ
噴出した。噴出後、融液を窒素ガス（１５０ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇ）でアトマイズした。得られた粉末は平均粒子径６
μｍであった。得られた粉末の中２μｍ以下の粉末を分
級した。得られた粉末の平均粒子径は１μｍであり、平
均の銀組成は０．５、平均の銅組成は０．５であった。
し、黒鉛るつぼに入れ窒素雰囲気中で１７００℃まで加
熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より窒素雰囲気中へ
噴出した。噴出後、融液を窒素ガス（１５０ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇ）でアトマイズした。得られた粉末は平均粒子径６
μｍであった。得られた粉末の中２μｍ以下の粉末を分
級した。得られた粉末の平均粒子径は１μｍであり、平
均の銀組成は０．５、平均の銅組成は０．５であった。
【００２７】
【作製例５】銅粒子５００ｇを混合して、黒鉛るつぼに
入れ窒素雰囲気中で１７５０℃まで加熱溶解した。融液
を黒鉛るつぼ先端より窒素雰囲気中へ噴出した。噴出
後、融液を窒素ガス（１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）でアトマ
イスした。得られた粉末は平均粒子径５μｍであった。
得られた粉末の中、１．５μｍ以下の粉末を分級した。
得られた粉末の平均粒子径が０．８μｍであった。
入れ窒素雰囲気中で１７５０℃まで加熱溶解した。融液
を黒鉛るつぼ先端より窒素雰囲気中へ噴出した。噴出
後、融液を窒素ガス（１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）でアトマ
イスした。得られた粉末は平均粒子径５μｍであった。
得られた粉末の中、１．５μｍ以下の粉末を分級した。
得られた粉末の平均粒子径が０．８μｍであった。
【００２８】
【作製例６】銅粒子１２６．７ｇ，銀粒子０．４３２ｇ
を充分に混合して黒鉛るつぼに入れ、１８００℃まで窒
素雰囲気中で加熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より
窒素雰囲気中へ噴出した。噴出と同時に、融液を窒素ガ
ス（１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）でアトマイズした。得られ
た粉末は、平均粒子径５μｍであった。さらに、２μｍ
以下の粉末を分級した。得られた分級粉は１μｍ平均径
であった。
を充分に混合して黒鉛るつぼに入れ、１８００℃まで窒
素雰囲気中で加熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より
窒素雰囲気中へ噴出した。噴出と同時に、融液を窒素ガ
ス（１５０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ）でアトマイズした。得られ
た粉末は、平均粒子径５μｍであった。さらに、２μｍ
以下の粉末を分級した。得られた分級粉は１μｍ平均径
であった。
【００２９】分級粉の表面の銀濃度は表面より０．００
６、０．００３、０．００２、０．００２、０．００２
であり、表面の銀濃度は０．００４５であった。平均の
銀濃度は０．００２であり、表面の銀濃度は平均の銀濃
度の２．２５倍であった。
６、０．００３、０．００２、０．００２、０．００２
であり、表面の銀濃度は０．００４５であった。平均の
銀濃度は０．００２であり、表面の銀濃度は平均の銀濃
度の２．２５倍であった。
【００３０】
【作製例７】銀粒子１２０．６５ｇ，銀粒子１０．８ｇ
を充分に混合して黒鉛るつぼに入れ、１８００℃まで窒
素雰囲気中で加熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より
空気中で噴出した。噴出と同時に、空気（１５０ｋｇ／
ｃｍ2 Ｇ）で融液をアトマイズした。得られた粉末は平
均粒径８μｍの無定形粉であった。
を充分に混合して黒鉛るつぼに入れ、１８００℃まで窒
素雰囲気中で加熱溶解した。融液を黒鉛るつぼ先端より
空気中で噴出した。噴出と同時に、空気（１５０ｋｇ／
ｃｍ2 Ｇ）で融液をアトマイズした。得られた粉末は平
均粒径８μｍの無定形粉であった。
【００３１】得られた粉末の中、２μｍ以下の粉末を分
級した。分級粉の表面の銀濃度を測定したところ、表面
より銀濃度が０．００８、０．０１、０．０２、０．０
３、０．０４で表面の銀濃度は０．００９であった。ま
た、平均の銀濃度は０．０５であり、表面の銀濃度は平
均の銀濃度の０．１８倍であった。
級した。分級粉の表面の銀濃度を測定したところ、表面
より銀濃度が０．００８、０．０１、０．０２、０．０
３、０．０４で表面の銀濃度は０．００９であった。ま
た、平均の銀濃度は０．０５であり、表面の銀濃度は平
均の銀濃度の０．１８倍であった。
【００３２】
【表２】
【００３３】
【発明の効果】本発明は、１２００℃以下で焼成される
積層セラミックコンデンサー内部電極用ペーストを提供
するものであり、従来の銅ペーストでは達成できなかっ
た誘電体による内部電極酸化を防止でき、また、銀で問
題となっていた内部電極間のマイグレーションが防止で
きる、焼結性に優れた内部電極ペースト、および該ペー
ストの電極を内部に持つ積層セラミックコンデンサーで
ある。また、外部電極とのマッチングにも優れており、
従来の限定した外部電極だけでなく、幅広い組成の外部
電極体が使用できる。
積層セラミックコンデンサー内部電極用ペーストを提供
するものであり、従来の銅ペーストでは達成できなかっ
た誘電体による内部電極酸化を防止でき、また、銀で問
題となっていた内部電極間のマイグレーションが防止で
きる、焼結性に優れた内部電極ペースト、および該ペー
ストの電極を内部に持つ積層セラミックコンデンサーで
ある。また、外部電極とのマッチングにも優れており、
従来の限定した外部電極だけでなく、幅広い組成の外部
電極体が使用できる。
Claims (9)
- 【請求項１】 一般式Ａｇx Ｃｕ1-x （ただし、０．０
０５≦ｘ≦０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の
銀濃度が平均の銀濃度より高く、表面に向かって銀濃度
が増加する領域を有する平均粒子径０．１〜５μｍであ
る銅合金粉末からなることを特徴とする積層セラミック
コンデンサー内部電極用ペースト。 - 【請求項２】 請求項１記載の内部電極用ペーストに、
銅合金粉末１００重量部に対してさらにガラスフリット
０．１〜２０重量部添加してなることを特徴とする積層
セラミックコンデンサー内部電極用ペースト。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の内部電極用ペー
ストをビスマス層状化合物（Ｂｉ2 Ｏ2 ）（Ｍｅm-1 Ｒ
mＯ3m+1）（ここで、Ｍｅは１〜３価の元素、Ｒは４、
５価の元素およびこれらの元素を組み合わせたもの）か
らなる誘電体グリーンシート上に印刷し、積層してなる
グリーンシート積層体。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の内部電極用ペー
ストを鉛を主成分にしたペロブスカイト型化合物Ｐｂ
（Ｍ* x Ｍ** 1-x ）Ｏ3 （ただし、Ｍ* はＦｅ、Ｃｏ，
Ｚｎ、Ｍｇ，Ｎｉ、Ｍ**はＷ，Ｎｂ、Ｔａ、ｘは１／
３、１／２、２／３）で表される）からなる誘電体グリ
ーンシート上に印刷し、積層してなるグリーンシート積
層体。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の内部電極用ペー
ストをＰｂＴｉＯ3を主成分にした誘電体グリーンシー
ト上に印刷し、積層してなるグリーンシート積層体。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の内部電極用ペー
ストをＰｂＺｒＯ3を主成分にした誘電体グリーンシー
ト上に印刷し、積層してなるグリーンシート積層体。 - 【請求項７】 請求項３〜６のいずれかに記載のグリー
ンシート積層体を５００〜１２００℃の温度で焼成して
なる誘電体によって酸化されにくい一般式Ａｇx Ｃｕ
1-x （ただし、０．００５≦ｘ≦０．４、原子比）の内
部電極を有する積層セラミックコンデンサー。 - 【請求項８】 請求項７記載の内部電極に含まれる銅酸
化物存在比が２０％以下であることを特徴とする積層セ
ラミックコンデンサー。 - 【請求項９】 請求項７または８記載の積層セラミック
コンデンサーの外部電極として、Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄから
選ばれた１種以上の成分よりなる金属あるいは合金であ
ることを特徴とする積層セラミックコンデンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24297492A JPH0696988A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24297492A JPH0696988A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696988A true JPH0696988A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17097010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24297492A Withdrawn JPH0696988A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696988A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08210152A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスタービン冷却空気導入装置 |
| JP2000286142A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよび外部電極ペースト |
| WO2004077464A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット |
| WO2004077461A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット |
| US6954350B2 (en) | 2002-10-15 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic layered product and method for manufacturing the same |
| WO2011090213A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | 電極用ペースト組成物及び太陽電池 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24297492A patent/JPH0696988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08210152A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスタービン冷却空気導入装置 |
| JP2000286142A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよび外部電極ペースト |
| US6954350B2 (en) | 2002-10-15 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic layered product and method for manufacturing the same |
| WO2004077464A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット |
| WO2004077461A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Tdk Corporation | 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット |
| WO2011090213A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 日立化成工業株式会社 | 電極用ペースト組成物及び太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6124769A (en) | Electronic device, and its fabrication method | |
| US6493207B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP5230429B2 (ja) | 銅製電極に使用するｃｏｇ誘電体組成物 | |
| JP4839913B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| EP0794542A2 (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic electronic part using the same | |
| JP2007331956A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2008130770A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP4097900B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2002217054A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| KR20040045383A (ko) | 전도성 조성물 및 세라믹 전자 부품 | |
| JP2008159965A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2008130720A (ja) | 電極形成用組成物及びこれを用いた電子部品 | |
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JPH0696988A (ja) | 積層セラミックコンデンサー内部電極用ペースト及び該ペーストを用いた積層セラミックコンデンサー | |
| JP5830715B2 (ja) | 積層バリスタ及びその製造方法 | |
| JP2001122639A (ja) | ガラスフリットおよび導体ペースト組成物ならびに積層コンデンサ | |
| JP4496639B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP3831537B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2006104044A (ja) | 誘電材料およびこれを調製する方法 | |
| JPH11102835A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4376508B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2021068734A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH11121276A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP4387150B2 (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |