JPH06123903A - 第２高調波発生装置 - Google Patents
第２高調波発生装置Info
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- JPH06123903A JPH06123903A JP27456792A JP27456792A JPH06123903A JP H06123903 A JPH06123903 A JP H06123903A JP 27456792 A JP27456792 A JP 27456792A JP 27456792 A JP27456792 A JP 27456792A JP H06123903 A JPH06123903 A JP H06123903A
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- Japan
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- harmonic
- quasi
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 第２高調波発生装置の出力強度変調を波長変
動を生じることなく外部印加電圧で行うことができるよ
うにする。 【構成】 光導波路に少なくとも２つの擬似位相変調部
２Ａ，２Ｂを設け、両者間に外部電圧印加手段３によっ
て電界印加を行う電界印加領域Ｍを形成する。
動を生じることなく外部印加電圧で行うことができるよ
うにする。 【構成】 光導波路に少なくとも２つの擬似位相変調部
２Ａ，２Ｂを設け、両者間に外部電圧印加手段３によっ
て電界印加を行う電界印加領域Ｍを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第２高調波発生装置
（以下ＳＨＧという）、特に出力強度変調を可能にした
新規なＳＨＧに係わる。
（以下ＳＨＧという）、特に出力強度変調を可能にした
新規なＳＨＧに係わる。
【０００２】
【従来の技術】ＳＨＧ、例えば擬似位相整合型（ＱＰ
Ｍ）の導波路型ＳＨＧにおいて、その出力強度の変調を
行う方法としては、その入力光の基本波光源の半導体レ
ーザの直接変調、すなわち半導体レーザの駆動電流の変
調による方法が考えられている。
Ｍ）の導波路型ＳＨＧにおいて、その出力強度の変調を
行う方法としては、その入力光の基本波光源の半導体レ
ーザの直接変調、すなわち半導体レーザの駆動電流の変
調による方法が考えられている。
【０００３】しかしながら、この方法では、レーザの発
振波長の変動が生じ、これによってＳＨＧの位相整合条
件が満足されず、例えば本来青色の第２高調波出力を得
ようとするＳＨＧにおいて、この青色の第２高調波発生
が得られなくなる。
振波長の変動が生じ、これによってＳＨＧの位相整合条
件が満足されず、例えば本来青色の第２高調波出力を得
ようとするＳＨＧにおいて、この青色の第２高調波発生
が得られなくなる。
【０００４】すなわち、従来、出力光の波長を変動させ
ずに出力強度変調可能な導波路型のＱＰＭ−ＳＨＧは未
だ提案されていない。
ずに出力強度変調可能な導波路型のＱＰＭ−ＳＨＧは未
だ提案されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、出力光の波
長を変動させずに出力強度変調可能な導波路型のＱＰＭ
−ＳＨＧを提供するものである。
長を変動させずに出力強度変調可能な導波路型のＱＰＭ
−ＳＨＧを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の略線的断面図を示すように、光導波路１の進行方向
に所要の間隔を保持して形成された少なくとも２つの擬
似位相整合部２Ａ及び２Ｂを設ける。
例の略線的断面図を示すように、光導波路１の進行方向
に所要の間隔を保持して形成された少なくとも２つの擬
似位相整合部２Ａ及び２Ｂを設ける。
【０００７】そして、これら隣り合う擬似位相整合部２
Ａ及び２Ｂ間に、外部からの電圧印加によって電界印加
領域Ｍを形成する電界印加手段３を設ける。
Ａ及び２Ｂ間に、外部からの電圧印加によって電界印加
領域Ｍを形成する電界印加手段３を設ける。
【０００８】また、本発明は、上記擬似位相整合部２Ａ
及び２Ｂが、分極周期反転構造よりなる構成とする。
及び２Ｂが、分極周期反転構造よりなる構成とする。
【０００９】また、他の本発明は、上記擬似位相整合部
２Ａ及び２Ｂが、屈折率周期構造よりなる構成とする。
２Ａ及び２Ｂが、屈折率周期構造よりなる構成とする。
【００１０】
【作用】上述の本発明によるＳＨＧは、光導波路１の基
本波光を導入する入力端１ｉ側の擬似位相変調部２Ａで
発生した第２高調波の位相と、これより後段の擬似位相
整合部２Ｂで発生する第２高調波にたし合わせる構成を
とり、これら両擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂ間の、電界
印加領域での位相変調によって両擬似位相整合部２Ａ及
び２Ｂにおける第２高調波の位相を一致させるか、適当
にずらすことによって、全体としての出力強度の変調を
行う。
本波光を導入する入力端１ｉ側の擬似位相変調部２Ａで
発生した第２高調波の位相と、これより後段の擬似位相
整合部２Ｂで発生する第２高調波にたし合わせる構成を
とり、これら両擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂ間の、電界
印加領域での位相変調によって両擬似位相整合部２Ａ及
び２Ｂにおける第２高調波の位相を一致させるか、適当
にずらすことによって、全体としての出力強度の変調を
行う。
【００１１】
【実施例】例えばＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 （０≦ｘ≦
０）ｚ軸カットの非線形光学結晶基板１１に、ｚ軸方向
の分極が周期的に交互に反転する分極周期反転構造によ
る擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂを形成する。
０）ｚ軸カットの非線形光学結晶基板１１に、ｚ軸方向
の分極が周期的に交互に反転する分極周期反転構造によ
る擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂを形成する。
【００１２】この分極周期反転構造の形成は、単分域化
された基板１１に少なくとも一方が所定周期の電極より
なる第１及び第２の電極を対向して設け、これら電極間
に所要の電圧印加を行うことによって形成できる。この
分極反転の形成については、例えば本発明出願人の出願
に係る特願平３−１０７３９２号「分極反転制御方法」
において提案した方法を用いうる。
された基板１１に少なくとも一方が所定周期の電極より
なる第１及び第２の電極を対向して設け、これら電極間
に所要の電圧印加を行うことによって形成できる。この
分極反転の形成については、例えば本発明出願人の出願
に係る特願平３−１０７３９２号「分極反転制御方法」
において提案した方法を用いうる。
【００１３】これら分極反転構造は、基板１１の少なく
とも１主面に臨んで形成し、この分極（ドメイン）反転
構造による擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂが形成された１
主面側にこれら擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂの配列方向
に沿って光導波路１を形成する。この光導波路１の形成
は、非線形光学結晶基板１１上に形成した上述の分極反
転構造形成用の電極を除去して後、例えばＴａマスクを
例えばＴａの全面蒸着と、リフトオフ法等によるパター
ン化を行って、光導波路の形成部に開口を有し他部を覆
ったマスクを形成する。
とも１主面に臨んで形成し、この分極（ドメイン）反転
構造による擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂが形成された１
主面側にこれら擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂの配列方向
に沿って光導波路１を形成する。この光導波路１の形成
は、非線形光学結晶基板１１上に形成した上述の分極反
転構造形成用の電極を除去して後、例えばＴａマスクを
例えばＴａの全面蒸着と、リフトオフ法等によるパター
ン化を行って、光導波路の形成部に開口を有し他部を覆
ったマスクを形成する。
【００１４】次に、このマスクが被着形成された非線形
光学結晶基板１１を例えば２００℃のりん酸中に１３分
間浸漬してプロトン交換を行って光導波路１を形成し得
る。
光学結晶基板１１を例えば２００℃のりん酸中に１３分
間浸漬してプロトン交換を行って光導波路１を形成し得
る。
【００１５】その後、マスクを除去して、大気中で３５
０℃、２時間アニールする。
０℃、２時間アニールする。
【００１６】つぎに、基板１１の光導波路１が形成され
た側の主面上に酸化シリコン、窒化シリコン等のバッフ
ァ層ないしはクラッド層４を、厚さ例えば２０００Å程
度に、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（化学的気相成長
法）等によって形成する。
た側の主面上に酸化シリコン、窒化シリコン等のバッフ
ァ層ないしはクラッド層４を、厚さ例えば２０００Å程
度に、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（化学的気相成長
法）等によって形成する。
【００１７】そして、このバッファ層ないしはクラッド
層４を介してこれの上に、擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂ
間上において、第１の電極３Ａを形成し、これと対向し
て、例えば基板１１の反対側に第２の電極３Ｂを被着形
成して、電界印加手段３を構成する。
層４を介してこれの上に、擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂ
間上において、第１の電極３Ａを形成し、これと対向し
て、例えば基板１１の反対側に第２の電極３Ｂを被着形
成して、電界印加手段３を構成する。
【００１８】電極３Ａ及び３Ｂは、例えばＡｌ，Ａｕ，
Ｃｒ，或いは、I.T.O.( インジウム・錫酸化物) 等の全
面蒸着、フォトリソグラフィを用いたパターンエッチン
グによって形成し得る。
Ｃｒ，或いは、I.T.O.( インジウム・錫酸化物) 等の全
面蒸着、フォトリソグラフィを用いたパターンエッチン
グによって形成し得る。
【００１９】この構成によるＳＨＧの光導波路１の一方
の端面、例えば擬似位相整合部２Ａの配置部側の端面を
入力端１ｉとして例えば半導体レーザからの波長λの基
本波光を入射し、他端を第２高調波の光を出射する出力
端１ｏとしてこれら端面を光学的研磨する。
の端面、例えば擬似位相整合部２Ａの配置部側の端面を
入力端１ｉとして例えば半導体レーザからの波長λの基
本波光を入射し、他端を第２高調波の光を出射する出力
端１ｏとしてこれら端面を光学的研磨する。
【００２０】一方、電界印加手段３の電極３Ａ及び３Ｂ
間に変調信号源５を接続して、変調電圧を印加する。
間に変調信号源５を接続して、変調電圧を印加する。
【００２１】擬似位相整合部２Ａ，２Ｂの周期構造とし
て上述のように分極反転による２次の非線形光学定数ｄ
の符号が周期的に変調されたものについて考察する。
て上述のように分極反転による２次の非線形光学定数ｄ
の符号が周期的に変調されたものについて考察する。
【００２２】図２は光導波路１中を伝搬している基本波
（λ）の位相を基準にして発生する第２高調波（λ／
２）との各場所での位相差を表している。
（λ）の位相を基準にして発生する第２高調波（λ／
２）との各場所での位相差を表している。
【００２３】図２Ａは各場所での２次非線形光学定数ｄ
の符号を示している。領域Ａ，Ｂは擬似位相変調部２
Ａ，２Ｂの周期構造のある部分で、領域Ｍは周期構造の
ない電界印加領域でその長さをＬとする。
の符号を示している。領域Ａ，Ｂは擬似位相変調部２
Ａ，２Ｂの周期構造のある部分で、領域Ｍは周期構造の
ない電界印加領域でその長さをＬとする。
【００２４】図２Ｂは電極３Ａ及び３Ｂへの印加電圧が
０Ｖ／ｍｍのときの位相差を示す。
０Ｖ／ｍｍのときの位相差を示す。
【００２５】図２Ｃはある決められた電圧ａＶ／ｍｍを
印加したときである。周期構造の周期Ａは同じで位相整
合条件を満足するように決められる。
印加したときである。周期構造の周期Ａは同じで位相整
合条件を満足するように決められる。
【００２６】いま基本波（λ）Ｅｆと第２高調波（λ／
２）Ｅshを次のように表現する。
２）Ｅshを次のように表現する。
【００２７】
【数１】
【００２８】
【数２】
【００２９】βf,βshは光導波路中の伝搬定数と呼ばれ
る。
る。
【００３０】このとき基本波のエネルギーが第２高調波
のエネルギーに効率よく変換される条件、すなわち位相
整合条件は、図３で模式的に図示するように、
のエネルギーに効率よく変換される条件、すなわち位相
整合条件は、図３で模式的に図示するように、
【００３１】
【数３】
【００３２】（数３）の両辺を真空中での波数ｋで割る
と、
と、
【００３３】
【数４】
【００３４】
【００３５】
【数５】
【００３６】
【数６】
【００３７】すなわち図２Ａの周期構造の周期Λは（数
６）を満足しなければならない。（数６）を満足してい
るときは、図２Ａの領域Ａ，Ｂに示す様に位相がπずれ
る毎にｄ定数の符号が変化するので、発生した第２高調
波はお互いに強め合い効率よく第２高調波が得られる。
６）を満足しなければならない。（数６）を満足してい
るときは、図２Ａの領域Ａ，Ｂに示す様に位相がπずれ
る毎にｄ定数の符号が変化するので、発生した第２高調
波はお互いに強め合い効率よく第２高調波が得られる。
【００３８】ここで、領域Ｍでは周期構造になっていな
いため、位相がπずれた第２高調波も発生し、第２高調
波を強めるのには寄与しない。
いため、位相がπずれた第２高調波も発生し、第２高調
波を強めるのには寄与しない。
【００３９】次に、領域Ａで発生した第２高調波と領域
Ｂで発生した第２高調波が互いに強め合う条件は周期構
造のない部分の位相不整合分が
Ｂで発生した第２高調波が互いに強め合う条件は周期構
造のない部分の位相不整合分が
【００４０】
【数７】Δβ＝２βf −βsh であるから、
【００４１】
【数８】ΔβＬ＝２πｍ（ｍ＝１，２，３，‥‥） でなければならない。したがって、（数３），（数８）
よりＬが決まり、それは
よりＬが決まり、それは
【００４２】
【数９】Ｌ＝ｍΛ （ｍ＝１，２，３，‥‥） となる。
【００４３】この（数９）を満足する様にＬを選べば領
域Ａ，Ｂの第２高調波が強め合い第２高調波出力が得ら
れる。
域Ａ，Ｂの第２高調波が強め合い第２高調波出力が得ら
れる。
【００４４】領域Ａで発生した第２高調波と領域Ｂで発
生した第２高調波が弱め合う条件を考えてみる。
生した第２高調波が弱め合う条件を考えてみる。
【００４５】この条件を満足させるために領域Ｍにおい
て電界印加による電気光学効果（ポッケルス（Ｐｏｃｋ
ｅｌｓ）効果）を利用する。
て電界印加による電気光学効果（ポッケルス（Ｐｏｃｋ
ｅｌｓ）効果）を利用する。
【００４６】すなわち、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）のよ
うな電気光学結晶に電界を印加すると、印加電界に屈折
率変化が比例して生じることを利用する。
うな電気光学結晶に電界を印加すると、印加電界に屈折
率変化が比例して生じることを利用する。
【００４７】例えばＬＮ結晶の光学軸（ＺまたはＣ軸）
に沿って電界を印加するとＣ軸方向に振動する電界成分
を持つ光に対する屈折率（ｎz ）は次のように変化す
る。
に沿って電界を印加するとＣ軸方向に振動する電界成分
を持つ光に対する屈折率（ｎz ）は次のように変化す
る。
【００４８】
【数１０】
【００４９】いま、領域Ｍに電界Ｅを印加して基本波と
第２高調波の有効屈折率がそれぞれｎf e，ｎsh eになっ
たとする。
第２高調波の有効屈折率がそれぞれｎf e，ｎsh eになっ
たとする。
【数１１】ｎf e＝ｎf −ｒf Ｅ
【数１２】ｎsh e＝ｎsh−ｒshＥ （ｒf,ｒshは定数）
【００５０】電界Ｅを印加したとき領域Ａと領域Ｍの第
２高調波がお互いに弱め合う条件は、（数８）の右辺が
πの奇数倍であればよいので、
２高調波がお互いに弱め合う条件は、（数８）の右辺が
πの奇数倍であればよいので、
【００５１】
【数１３】 ２（ｎf e−ｎsh e）Ｌ＝２πｍ＋π（２ｎ−１） ｍ＝１，２，‥‥ ｎ＝±１，±２，‥‥ （数１１），（数１２）を（数１３）に代入して、
【００５２】
【数１４】 ２（ｎf −ｎsh）Ｌ−２（ｒf −ｒsh）ＥＬ＝２πｍ＋π（２ｎ−１）
【００５３】（数８）より
【００５４】
【数１５】２（ｎf −ｎsh）Ｌ＝２πｍ
【００５５】（数１５）を（数１４）に代入すると、
【００５６】
【数１６】
【００５７】（数１６）を満足するように電圧を印加す
れば、領域ＡとＢの第２高調波がお互いに弱め合う。完
全に第２高調波出力が得られないようにするには領域Ａ
とＢの第２高調波出力が等しくなるように図１の領域Ａ
とＢの長さａ及びｂを調節すればよい。しかし、おおむ
ねａ＝ｂでほとんど第２高調波出力は零にすることがで
きる。
れば、領域ＡとＢの第２高調波がお互いに弱め合う。完
全に第２高調波出力が得られないようにするには領域Ａ
とＢの第２高調波出力が等しくなるように図１の領域Ａ
とＢの長さａ及びｂを調節すればよい。しかし、おおむ
ねａ＝ｂでほとんど第２高調波出力は零にすることがで
きる。
【００５８】以上を一般化してＥon，Ｅoff の電界印加
でそれぞれ第２高調波出力する出力しないようにすれば
今までと全く同じように考えて
でそれぞれ第２高調波出力する出力しないようにすれば
今までと全く同じように考えて
【００５９】
【数１７】
【００６０】
【数１８】 を満足するようにＥon，Ｅoff ，Ｌをそれぞれ決定すれ
ばよい。
ばよい。
【００６１】実際の例としては図７の構成において基板
１１としてｚ−カットの厚１００μｍのＬＮを用い、Ｌ
＝５ｍｍとして基本波光源としてλ＝８３０ｎｍの半導
体レーザを使用したとき。Ｅon＝０ＶとするとＥoff ＝
１３０Ｖとなった。
１１としてｚ−カットの厚１００μｍのＬＮを用い、Ｌ
＝５ｍｍとして基本波光源としてλ＝８３０ｎｍの半導
体レーザを使用したとき。Ｅon＝０ＶとするとＥoff ＝
１３０Ｖとなった。
【００６２】尚、上述した例では、光導波路１の領域Ｍ
に外部から電界を与える電界印加手段３として、基板の
両主面に第１及び第２電極３Ａ及び３Ｂを被着した場合
であるが、この領域Ｍに電界を印加する手段３として
は、種々の配置構成を採り得る。
に外部から電界を与える電界印加手段３として、基板の
両主面に第１及び第２電極３Ａ及び３Ｂを被着した場合
であるが、この領域Ｍに電界を印加する手段３として
は、種々の配置構成を採り得る。
【００６３】その変形例の数例の要部即ち領域Ｍ部の斜
視図を、図４〜図９に示す。
視図を、図４〜図９に示す。
【００６４】図４に示す例では、両電極３Ａ及び３Ｂ
を、光導波路１の電界印加領域Ｍ上を挟むようにバッフ
ァ層４を介して設けて電界印加領域Ｍに、矢印をもって
模式的に示すように、水平方向の電界を与えるようにし
た場合である。
を、光導波路１の電界印加領域Ｍ上を挟むようにバッフ
ァ層４を介して設けて電界印加領域Ｍに、矢印をもって
模式的に示すように、水平方向の電界を与えるようにし
た場合である。
【００６５】図５に示す例では、リッジ１Ｒによる光導
波路１を設け、此処の電界印加領域Ｍの形成部に、これ
を挟んでバッファ層４を介して、リッジ１Ｒの側面に両
電極３Ａ及び３Ｂを被着形成することによって構成した
場合である。
波路１を設け、此処の電界印加領域Ｍの形成部に、これ
を挟んでバッファ層４を介して、リッジ１Ｒの側面に両
電極３Ａ及び３Ｂを被着形成することによって構成した
場合である。
【００６６】また、図６に示す例では、光導波路１の直
上を避けて両電極３Ａ及び３Ｂを設けた場合で、この場
合バッファ層４の介存を省略できる。
上を避けて両電極３Ａ及び３Ｂを設けた場合で、この場
合バッファ層４の介存を省略できる。
【００６７】図７に示した例では、基板１１にストライ
プ状のリッジ１１Ｒを設けて、これに沿って光導波路１
を形成し、その電界印加領域Ｍの形成部においてこれを
挟んでリッジ１１Ｒの両側面に両電極３Ａ及び３Ｂを被
着形成した場合である。
プ状のリッジ１１Ｒを設けて、これに沿って光導波路１
を形成し、その電界印加領域Ｍの形成部においてこれを
挟んでリッジ１１Ｒの両側面に両電極３Ａ及び３Ｂを被
着形成した場合である。
【００６８】図８及び図９に示す例は、電界印加領域Ｍ
において垂直方向の電界を与えるようにした場合で、こ
の場合、光導波路１の電界印加領域Ｍの形成部の直上に
一方の電極、例えば電極３Ａを配置した場合である。
において垂直方向の電界を与えるようにした場合で、こ
の場合、光導波路１の電界印加領域Ｍの形成部の直上に
一方の電極、例えば電極３Ａを配置した場合である。
【００６９】尚、図４〜図９において、図１と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００７０】また、上述した例では、擬似位相整合部２
Ａ及び２Ｂを、電界印加による分極周期反転構造によっ
て構成した場合であるが、この場合基板１１としては、
前述したＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 （０≦ｘ≦０）、の例
えばＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 のほかにＫＴＰ（ＫＴ
ｉＯＰＯ4 ）を用いることができる。
Ａ及び２Ｂを、電界印加による分極周期反転構造によっ
て構成した場合であるが、この場合基板１１としては、
前述したＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 （０≦ｘ≦０）、の例
えばＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 のほかにＫＴＰ（ＫＴ
ｉＯＰＯ4 ）を用いることができる。
【００７１】分極反転構造の形成方法としては、電圧印
加方法に限られるものではなく、上述の各基板１１を用
いて、電子線照射法によって形成することもできるし、
Ｔｉ拡散法、プロトン交換法によって形成することも、
また基板１１としてＫＴＰを用いてＲｂ，Ｂａ交換法等
によって形成することもできる。
加方法に限られるものではなく、上述の各基板１１を用
いて、電子線照射法によって形成することもできるし、
Ｔｉ拡散法、プロトン交換法によって形成することも、
また基板１１としてＫＴＰを用いてＲｂ，Ｂａ交換法等
によって形成することもできる。
【００７２】また、擬似位相整合部２Ａ及び２Ｂとして
は、分極周期反転構造に限られるものではなく、例えば
屈折率を周期的に変化させた構造とすることもできる。
は、分極周期反転構造に限られるものではなく、例えば
屈折率を周期的に変化させた構造とすることもできる。
【００７３】このように、屈折率周期構造とする場合、
周期パターンをもって各種イオン交換、イオン注入によ
って実際の屈折率を変える方法によることもできるし、
ＳｉＯ2 等のいわばクラッド層を周期パターンをもって
被着して見掛け上の屈折率を周期的に変える構造とする
こともできる。
周期パターンをもって各種イオン交換、イオン注入によ
って実際の屈折率を変える方法によることもできるし、
ＳｉＯ2 等のいわばクラッド層を周期パターンをもって
被着して見掛け上の屈折率を周期的に変える構造とする
こともできる。
【００７４】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、基本
波光源の変調によらず、ＳＨＧ自体を外部電圧印加によ
って出力強度変調でき、その出力波長に変動を来すこと
がないことから、安定して例えば青色発光をなすＳＨＧ
装置を構成できる。
波光源の変調によらず、ＳＨＧ自体を外部電圧印加によ
って出力強度変調でき、その出力波長に変動を来すこと
がないことから、安定して例えば青色発光をなすＳＨＧ
装置を構成できる。
【００７５】
【図１】本発明による第２高調波発生装置の一例の構成
図である。
図である。
【図２】本発明装置の説明に供する位相図である。
【図３】本発明装置の説明に供する位相整合条件を示す
図である。
図である。
【図４】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
【図５】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
【図７】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
【図８】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
【図９】本発明装置の他の例の要部の一部を断面とした
斜視図である。
斜視図である。
１ 光導波路 ２Ａ 擬似位相整合部 ２Ｂ 擬似位相整合部 ３ 電界印加手段 ４ バッファ層 １１ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 光導波路の進行方向に所要の間隔を保持
して形成された少なくとも２つの擬似位相整合部と、 これら擬似位相変調部間に設けられ、外部からの電圧印
加によって電界印加領域を形成する電界印加手段とを具
備してなることを特徴とする第２高調波発生装置。 - 【請求項２】 上記擬似位相整合部が、分極周期反転構
造よりなることを特徴とする請求項１に記載の第２高調
波発生装置。 - 【請求項３】 上記擬似位相整合部が、屈折率周期構造
よりなることを特徴とする請求項１に記載の第２高調波
発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456792A JPH06123903A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 第２高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456792A JPH06123903A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 第２高調波発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06123903A true JPH06123903A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17543538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27456792A Pending JPH06123903A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 第２高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06123903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064939A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | National Institute For Materials Science | 意図しない波長を有する光を抑制した波長変換素子 |
| JP2010231018A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 波長変換光発生装置及び発生システム |
| JP2014222331A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
-
1992
- 1992-10-13 JP JP27456792A patent/JPH06123903A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064939A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | National Institute For Materials Science | 意図しない波長を有する光を抑制した波長変換素子 |
| JP2006171230A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | 意図しない波長を有する光を抑制した波長変換素子 |
| JP2010231018A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 波長変換光発生装置及び発生システム |
| JP2014222331A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
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