JPH06120584A - 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 - Google Patents
半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造Info
- Publication number
- JPH06120584A JPH06120584A JP4265211A JP26521192A JPH06120584A JP H06120584 A JPH06120584 A JP H06120584A JP 4265211 A JP4265211 A JP 4265211A JP 26521192 A JP26521192 A JP 26521192A JP H06120584 A JPH06120584 A JP H06120584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- absorption cell
- atomic absorption
- heat
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光周波数標準器, LD励起型原子発振器等の
ように、半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置
の構造に関し、温度コントローラの消費電力を節減し得
ることを目的とする。 【構成】 半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装
置において、ペルチェ素子20の吸熱板21を半導体レーザ
1のヒートシンクに密着させ、ペルチェ素子20の放熱板
22を原子吸収セル3を内蔵した収容ケース10に密着させ
た構成とする。
ように、半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置
の構造に関し、温度コントローラの消費電力を節減し得
ることを目的とする。 【構成】 半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装
置において、ペルチェ素子20の吸熱板21を半導体レーザ
1のヒートシンクに密着させ、ペルチェ素子20の放熱板
22を原子吸収セル3を内蔵した収容ケース10に密着させ
た構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光周波数標準器, LD
励起型原子発振器等のように、半導体レーザと原子吸収
セルとを実装した装置の構造に関する。
励起型原子発振器等のように、半導体レーザと原子吸収
セルとを実装した装置の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の半導体レーザ・原子吸収セ
ル実装装置のブロック図であり、図4は半導体レーザの
従来の冷却構造を示す図、図5は原子吸収セルの従来の
温度コントロール構造の図である。
ル実装装置のブロック図であり、図4は半導体レーザの
従来の冷却構造を示す図、図5は原子吸収セルの従来の
温度コントロール構造の図である。
【0003】図3に示す半導体レーザ・原子吸収セル実
装装置は、光周波数標準器である。図において、2は、
半導体レーザ1の出射光の大部分を反射して装置の出力
Pとし、一部を透過するハーフミラーである。
装装置は、光周波数標準器である。図において、2は、
半導体レーザ1の出射光の大部分を反射して装置の出力
Pとし、一部を透過するハーフミラーである。
【0004】3は、収納ケース10に収容したルビジウ
ム,アンモニア等の原子吸収セルであって、ハーフミラ
ー2を介して入力される半導体レーザ1の光を吸収す
る。11は、半導体レーザ1を所定の低温度に保持する温
度コントローラである。
ム,アンモニア等の原子吸収セルであって、ハーフミラ
ー2を介して入力される半導体レーザ1の光を吸収す
る。11は、半導体レーザ1を所定の低温度に保持する温
度コントローラである。
【0005】13は、原子吸収セル3を所定の高温度に保
持する温度コントローラである。光周波数標準器は上述
のデバイスの他に、AMP4,位相同期検波器5,LP
F6,積分器7,LDドライバ8,及び発振器9を有す
る。
持する温度コントローラである。光周波数標準器は上述
のデバイスの他に、AMP4,位相同期検波器5,LP
F6,積分器7,LDドライバ8,及び発振器9を有す
る。
【0006】上述の光周波数標準器は、半導体レーザ1
の温度を温度コントローラ11で、所定の低温度に制御
し、LDドライバ8の制御電流により出射光を位相変調
している。
の温度を温度コントローラ11で、所定の低温度に制御
し、LDドライバ8の制御電流により出射光を位相変調
している。
【0007】位相変調された光をハーフミラー2を経て
原子吸収セル3に投射して、電気エネルギーに変換し、
光検出器3Aで検出した電気信号をAMP4で増幅させた
後に、発振器9,位相同期検波器5により同期検波し、
LPF6を経て積分器7を通して半導体レーザ1に帰還
させることで、半導体レーザ1の出射光の波長を所定に
定める。
原子吸収セル3に投射して、電気エネルギーに変換し、
光検出器3Aで検出した電気信号をAMP4で増幅させた
後に、発振器9,位相同期検波器5により同期検波し、
LPF6を経て積分器7を通して半導体レーザ1に帰還
させることで、半導体レーザ1の出射光の波長を所定に
定める。
【0008】一方、LD励起型原子発振器は図3の回路
に、AMPーサーボ回路ー電圧制御発振器ー合成器ー原
子吸収セルの回路を付加したものである。なお、LD励
起型原子発振器は、収納ケースが空胴共振器になってお
り、またハーフミラーが無くて半導体レーザの全出射光
を原子吸収セルに投射する構成である。
に、AMPーサーボ回路ー電圧制御発振器ー合成器ー原
子吸収セルの回路を付加したものである。なお、LD励
起型原子発振器は、収納ケースが空胴共振器になってお
り、またハーフミラーが無くて半導体レーザの全出射光
を原子吸収セルに投射する構成である。
【0009】さて、半導体レーザは、半導体レーザ個々
の特性にもよるが、半導体レーザの寿命及び雑音を考慮
し、低温度で動作させ、半導体レーザの波長が原子吸収
セルの波長に合うものが選定される。
の特性にもよるが、半導体レーザの寿命及び雑音を考慮
し、低温度で動作させ、半導体レーザの波長が原子吸収
セルの波長に合うものが選定される。
【0010】従来の半導体レーザの冷却構造は、図4に
図示したように、半導体レーザ1のヒートシンクにペル
チェ素子20の吸熱板21を密着させ、ペルチェ素子20の放
熱板22側に、多数の放熱フィンが配列した放熱体23を固
着している。
図示したように、半導体レーザ1のヒートシンクにペル
チェ素子20の吸熱板21を密着させ、ペルチェ素子20の放
熱板22側に、多数の放熱フィンが配列した放熱体23を固
着している。
【0011】このペルチェ素子20に、温度コントローラ
11から電流を供給する構造としたものである。そして、
半導体レーザ1に取り付けたサーミスタ25により半導体
レーザ1の温度を計測し、その温度を温度コントローラ
11に伝達し、温度コントローラ11が供給電流をコントロ
ールすることで、半導体レーザ1の温度を所定の低温に
保持している。
11から電流を供給する構造としたものである。そして、
半導体レーザ1に取り付けたサーミスタ25により半導体
レーザ1の温度を計測し、その温度を温度コントローラ
11に伝達し、温度コントローラ11が供給電流をコントロ
ールすることで、半導体レーザ1の温度を所定の低温に
保持している。
【0012】一方、原子吸収セル3は、吸収効率を高め
るために、所定の高温度に維持することが要求される。
従来の原子吸収セルの温度コントロール構造は、図5に
図示したように、原子吸収セル3を収容する収納ケース
10に電熱線30を巻回し、その両端を温度コントローラ13
に接続した構造である。
るために、所定の高温度に維持することが要求される。
従来の原子吸収セルの温度コントロール構造は、図5に
図示したように、原子吸収セル3を収容する収納ケース
10に電熱線30を巻回し、その両端を温度コントローラ13
に接続した構造である。
【0013】そして、収納ケース10に取り付けたサーミ
スタ35により原子吸収セル3の温度を計測し、その温度
を温度コントローラ13に伝達し、温度コントローラ13が
電熱線30に供給する電流をコントロールすることで、原
子吸収セル3の温度を所定の高温に保持している。
スタ35により原子吸収セル3の温度を計測し、その温度
を温度コントローラ13に伝達し、温度コントローラ13が
電熱線30に供給する電流をコントロールすることで、原
子吸収セル3の温度を所定の高温に保持している。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、原子吸収セ
ルの温度を所定の高温に維持するために、従来は電熱線
に常時大電力を供給していた。
ルの温度を所定の高温に維持するために、従来は電熱線
に常時大電力を供給していた。
【0015】即ち、従来の温度コントロール手段は、消
費電力が大きいという問題点があった。本発明はこのよ
うな点に鑑みて創作されたもので、温度コントローラの
消費電力を節減し得る半導体レーザ・原子吸収セル実装
装置の構造を提供することを目的としている。
費電力が大きいという問題点があった。本発明はこのよ
うな点に鑑みて創作されたもので、温度コントローラの
消費電力を節減し得る半導体レーザ・原子吸収セル実装
装置の構造を提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図1に例示したように、半導体レーザと
原子吸収セルとを実装した装置において、ペルチェ素子
20の吸熱板21を半導体レーザ1のヒートシンクに密着さ
せ、ペルチェ素子20の放熱板22を原子吸収セル3を内蔵
した収容ケース10に密着させた構成とする。
めに本発明は、図1に例示したように、半導体レーザと
原子吸収セルとを実装した装置において、ペルチェ素子
20の吸熱板21を半導体レーザ1のヒートシンクに密着さ
せ、ペルチェ素子20の放熱板22を原子吸収セル3を内蔵
した収容ケース10に密着させた構成とする。
【0017】また、光ファイバ15を介して、半導体レー
ザ1の出射光の一部または全部を原子吸収セル3に投入
するものとする。或いはまた図2に例示したように、半
導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置において、
ヒートパイプ40の吸熱端41を半導体レーザ1のヒートシ
ンクに接触させ、ヒートパイプ40の放熱端42を原子吸収
セル3を内蔵した収容ケース10に接触させた構成とす
る。
ザ1の出射光の一部または全部を原子吸収セル3に投入
するものとする。或いはまた図2に例示したように、半
導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置において、
ヒートパイプ40の吸熱端41を半導体レーザ1のヒートシ
ンクに接触させ、ヒートパイプ40の放熱端42を原子吸収
セル3を内蔵した収容ケース10に接触させた構成とす
る。
【0018】
【作用】本発明によれば、半導体レーザの熱が原子吸収
セルを内蔵した収容ケースに供給される。したがって、
原子吸収セルに供給する電力が省力される。
セルを内蔵した収容ケースに供給される。したがって、
原子吸収セルに供給する電力が省力される。
【0019】一方、半導体レーザの出射光の一部または
全部を、光ファイバを介して、原子吸収セルに投入する
構造とすることにより、光伝送損失を小さくすることが
でき、且つ半導体レーザの設置位置と原子吸収セルの設
置位置とが拘束されることなく自由に選択することがで
きる。
全部を、光ファイバを介して、原子吸収セルに投入する
構造とすることにより、光伝送損失を小さくすることが
でき、且つ半導体レーザの設置位置と原子吸収セルの設
置位置とが拘束されることなく自由に選択することがで
きる。
【0020】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【0021】図1は、本発明の実施例のブロック図であ
り、図2は本発明の他の実施例のブロック図である。図
1において、2は、半導体レーザ1の出射光の大部分を
反射して装置の出力Pとし、一部を透過するハーフミラ
ーである。
り、図2は本発明の他の実施例のブロック図である。図
1において、2は、半導体レーザ1の出射光の大部分を
反射して装置の出力Pとし、一部を透過するハーフミラ
ーである。
【0022】3は、収納ケース10に収容したルビジウ
ム,アンモニア等の原子吸収セルであって、ハーフミラ
ー2を介して入力される半導体レーザ1の出力を光吸収
する。15は、ハーフミラー2と原子吸収セル3との間に
介在し、ハーフミラー2を透過した光を原子吸収セル3
に伝送する光ファイバである。
ム,アンモニア等の原子吸収セルであって、ハーフミラ
ー2を介して入力される半導体レーザ1の出力を光吸収
する。15は、ハーフミラー2と原子吸収セル3との間に
介在し、ハーフミラー2を透過した光を原子吸収セル3
に伝送する光ファイバである。
【0023】20は、吸熱板21を半導体レーザ1のヒート
シンクに密着させ、放熱板22を原子吸収セル3を内蔵し
た収容ケース10に密着させたペルチェ素子である。11
は、半導体レーザ1に取り付けたサーミスタ25により、
半導体レーザ1の温度を計測し、半導体レーザ1の温度
を所定の低温度に維持する温度コントローラである。
シンクに密着させ、放熱板22を原子吸収セル3を内蔵し
た収容ケース10に密着させたペルチェ素子である。11
は、半導体レーザ1に取り付けたサーミスタ25により、
半導体レーザ1の温度を計測し、半導体レーザ1の温度
を所定の低温度に維持する温度コントローラである。
【0024】詳述すると、半導体レーザ1の温度をサー
ミスタ25で計測し、所定温度よりも高い場合は、ペルチ
ェ素子20に供給する電流を自動的に増加して半導体レー
ザ1の熱を多量に奪い、所定温度よりも低く冷却された
場合は、ペルチェ素子20に供給する電流を自動的に少な
くして、半導体レーザ1の熱を少量奪うことで、半導体
レーザ1を所定の低温度に維持する。少なくして供給す
る構造としたものである。
ミスタ25で計測し、所定温度よりも高い場合は、ペルチ
ェ素子20に供給する電流を自動的に増加して半導体レー
ザ1の熱を多量に奪い、所定温度よりも低く冷却された
場合は、ペルチェ素子20に供給する電流を自動的に少な
くして、半導体レーザ1の熱を少量奪うことで、半導体
レーザ1を所定の低温度に維持する。少なくして供給す
る構造としたものである。
【0025】13は、原子吸収セル3を所定の高温度に保
持する温度コントローラである。詳述すると、原子吸収
セル3を内蔵する収納ケース10に電熱線30を巻回し、電
熱線30の両端を温度コントローラ13に接続した構造と
し、収納ケース10に取り付けたサーミスタ35により原子
吸収セル3の温度を計測し、その温度を温度コントロー
ラ13に伝達し、温度コントローラ13が電熱線30に供給す
る電流をコントロールすることで、原子吸収セル3の温
度を所定の高温に保持するものである。
持する温度コントローラである。詳述すると、原子吸収
セル3を内蔵する収納ケース10に電熱線30を巻回し、電
熱線30の両端を温度コントローラ13に接続した構造と
し、収納ケース10に取り付けたサーミスタ35により原子
吸収セル3の温度を計測し、その温度を温度コントロー
ラ13に伝達し、温度コントローラ13が電熱線30に供給す
る電流をコントロールすることで、原子吸収セル3の温
度を所定の高温に保持するものである。
【0026】上述の半導体レーザ・原子吸収セル実装装
置( 図1は光周波数標準器)は、半導体レーザ1の温度
を温度コントローラ11で、所定の低温度に制御し、LD
ドライバ8よりの制御電流により出射光を位相変調す
る。
置( 図1は光周波数標準器)は、半導体レーザ1の温度
を温度コントローラ11で、所定の低温度に制御し、LD
ドライバ8よりの制御電流により出射光を位相変調す
る。
【0027】そして、位相変調された光をハーフミラー
2を経て原子吸収セル3に投射して、電気エネルギーに
変換し、光検出器3Aで検出した電気信号をAMP4で増
幅させた後に、発振器9,位相同期検波器5により同期
検波し、LPF6を経て積分器7を通して半導体レーザ
1に帰還させ、半導体レーザ1の出射光の波長を所定に
定める。
2を経て原子吸収セル3に投射して、電気エネルギーに
変換し、光検出器3Aで検出した電気信号をAMP4で増
幅させた後に、発振器9,位相同期検波器5により同期
検波し、LPF6を経て積分器7を通して半導体レーザ
1に帰還させ、半導体レーザ1の出射光の波長を所定に
定める。
【0028】本発明のように、ペルチェ素子20の吸熱板
21を半導体レーザ1のヒートシンクに密着させ、放熱板
22を収納ケース10に密着させたことで、ペルチェ素子20
が半導体レーザ1から奪った熱が、原子吸収セル3に供
給され、原子吸収セル3の温度を上げる熱源の一部とな
る。
21を半導体レーザ1のヒートシンクに密着させ、放熱板
22を収納ケース10に密着させたことで、ペルチェ素子20
が半導体レーザ1から奪った熱が、原子吸収セル3に供
給され、原子吸収セル3の温度を上げる熱源の一部とな
る。
【0029】したがって、温度コントローラ13から原子
吸収セルに供給する電力が省力される。また、半導体レ
ーザ1の出射光の一部を光ファイバ15を伝送路にして、
原子吸収セル3に投入した構造としたことにより、光伝
送損失を小さくなるばかりでなく、半導体レーザの設置
位置と原子吸収セルの設置位置とが拘束されなくなり、
装置の設計が容易となる。
吸収セルに供給する電力が省力される。また、半導体レ
ーザ1の出射光の一部を光ファイバ15を伝送路にして、
原子吸収セル3に投入した構造としたことにより、光伝
送損失を小さくなるばかりでなく、半導体レーザの設置
位置と原子吸収セルの設置位置とが拘束されなくなり、
装置の設計が容易となる。
【0030】なお、本発明はLD励起型原子発振器に適
用して、上述と同等の効果があることは勿論である。図
2に示す実施例は、半導体レーザ1を冷却するのにペル
チェ素子を用いず、ヒートパイプ40を使用し、半導体レ
ーザ1の熱を原子吸収セル3に供給するようにしたもの
である。
用して、上述と同等の効果があることは勿論である。図
2に示す実施例は、半導体レーザ1を冷却するのにペル
チェ素子を用いず、ヒートパイプ40を使用し、半導体レ
ーザ1の熱を原子吸収セル3に供給するようにしたもの
である。
【0031】即ち、ヒートパイプ40の吸熱端41を半導体
レーザ1のヒートシンクに接触させるとともに、ヒート
パイプ40の放熱端42を原子吸収セル3に接触させること
で、ヒートパイプ40を介して半導体レーザ1の熱を原子
吸収セル3に伝達させ、原子吸収セル3の温度を上げる
熱源の一部としている。
レーザ1のヒートシンクに接触させるとともに、ヒート
パイプ40の放熱端42を原子吸収セル3に接触させること
で、ヒートパイプ40を介して半導体レーザ1の熱を原子
吸収セル3に伝達させ、原子吸収セル3の温度を上げる
熱源の一部としている。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザから奪った熱が原子吸収セルに供給されるので、原
子吸収セルを所定の高温度に維持する温度コントローラ
から供給する電力が省力されるという効果を有する。
ーザから奪った熱が原子吸収セルに供給されるので、原
子吸収セルを所定の高温度に維持する温度コントローラ
から供給する電力が省力されるという効果を有する。
【0033】また、半導体レーザの出射光の一部または
全部を、光ファイバを介して、原子吸収セルに投入する
構造とすることにより、光伝送損失を小さくすることが
でき、且つ半導体レーザの設置位置と原子吸収セルの設
置位置とが拘束されず、装置の設計が容易となるという
効果を有する。
全部を、光ファイバを介して、原子吸収セルに投入する
構造とすることにより、光伝送損失を小さくすることが
でき、且つ半導体レーザの設置位置と原子吸収セルの設
置位置とが拘束されず、装置の設計が容易となるという
効果を有する。
【図1】 本発明の実施例のブロック図
【図2】 本発明の他の実施例のブロック図
【図3】 従来例のブロック図
【図4】 半導体レーザの従来の冷却構造を示す図
【図5】 原子吸収セルの従来の温度コントロール構造
の図
の図
1 半導体レーザ 2 ハーフミラー 3 原子吸収セル 3A 光検出器 8 LDドライバ 9 発振器 10 収納ケース 11,13 温度コントローラ 25,35 サーミスタ 20 ペルチェ素子 21 吸熱板 22 放熱板 30 電熱線 40 ヒートパイプ 41 吸熱端 42 放熱端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熱海 健 宮城県仙台市青葉区一番町1丁目2番25号 富士通東北ディジタル・テクノロジ株式 会社内 (72)発明者 千葉 一治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体レーザと原子吸収セルとを実装し
た装置において、 ペルチェ素子(20)の吸熱板(21)を、半導体レーザ(1) の
ヒートシンクに密着させ、 該ペルチェ素子(20)の放熱板(22)を、該原子吸収セル
(3) を内蔵した収容ケース(10)に、密着させたことを特
徴とする半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造。 - 【請求項2】 光ファイバ(15)を介して、半導体レーザ
(1) の出射光の一部または全部を、原子吸収セル(3) に
投入するようにしたことを特徴とする請求項1記載の半
導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造。 - 【請求項3】 半導体レーザと原子吸収セルとを実装し
た装置において、 ヒートパイプ(40)の吸熱端(41)を、半導体レーザ(1) の
ヒートシンクに接触させ、 該ヒートパイプ(40)の放熱端(42)を、該原子吸収セル
(3) を内蔵した収容ケース(10)に、密着させたことを特
徴とする半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4265211A JPH06120584A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4265211A JPH06120584A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06120584A true JPH06120584A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17414074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4265211A Withdrawn JPH06120584A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06120584A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007178274A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 原子周波数取得装置および原子時計 |
JP2007178272A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 原子周波数取得装置および原子時計 |
JP2007336136A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器、受動形原子発振器、原子発振器の温度制御方法及び受動形原子発振器の温度制御方法 |
JP2007335937A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
JP2009130082A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
JP2010109525A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器の物理部 |
JP2012195788A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
JP2013171881A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
JP2014053661A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | ガスセルユニット、原子発振器および電子機器 |
KR101504044B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-03-24 | 동양하이테크산업주식회사 | 원거리 녹조 측정 시스템의 고출력 레이져 어셈블리 및 그의 방열 장치 |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP4265211A patent/JPH06120584A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007178274A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 原子周波数取得装置および原子時計 |
JP2007178272A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 原子周波数取得装置および原子時計 |
US7940133B2 (en) | 2005-12-28 | 2011-05-10 | Seiko Epson Corporation | Atomic frequency acquiring apparatus and atomic clock |
JP2007335937A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
JP2007336136A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器、受動形原子発振器、原子発振器の温度制御方法及び受動形原子発振器の温度制御方法 |
JP2009130082A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
JP2010109525A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器の物理部 |
US7999626B2 (en) | 2008-10-29 | 2011-08-16 | Epson Toyocom Corporation | Physical section of atomic oscillator |
US8564376B2 (en) | 2008-10-29 | 2013-10-22 | Seiko Epson Corporation | Physical section of atomic oscillator |
JP2012195788A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
JP2013171881A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
JP2014053661A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | ガスセルユニット、原子発振器および電子機器 |
KR101504044B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-03-24 | 동양하이테크산업주식회사 | 원거리 녹조 측정 시스템의 고출력 레이져 어셈블리 및 그의 방열 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6570895B2 (en) | Laser system using phase change material for thermal control | |
CA2089615C (en) | Laser light beam generating apparatus | |
US5561684A (en) | Laser diode pumped solid state laser construction | |
JP4877009B2 (ja) | Wdm光伝送用光直接増幅器 | |
US6351478B1 (en) | Passively cooled solid-state laser | |
JPH06120584A (ja) | 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 | |
JP2009238882A (ja) | 電子装置 | |
JP2003198018A (ja) | 光励起型固体レーザ発振器 | |
JPH08116138A (ja) | 半導体レーザ素子の冷却装置 | |
JP3398967B2 (ja) | レーザ光発生装置 | |
JP3290345B2 (ja) | 光励起固体レーザ増幅装置、光励起固体レーザ装置、および固体レーザ励起方法 | |
JP2011035053A (ja) | 光ファイバの放熱装置 | |
JP3827261B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ及びそれを用いた光学装置 | |
EP1618633B1 (en) | Laser apparatus for generating a visible laser beam | |
JPH0341787A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH0311785A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH0758416A (ja) | レーザーダイオード冷却装置 | |
JPH08101416A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JPH11312832A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
JPS6310917B2 (ja) | ||
JPH0685357A (ja) | 固体レーザ発振器 | |
JP2008145896A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ | |
JPH0529695A (ja) | レーザ装置 | |
JPH05152646A (ja) | レーザー発振用ミラー及びレーザー発振装置 | |
JPH07106681A (ja) | レーザー装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |