JPH06119678A

JPH06119678A - 光磁気記録方法

Info

Publication number: JPH06119678A
Application number: JP19607193A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Nakagi; 義幸中木; Takashi Tokunaga; 隆志徳永; Yoshio Fujii; 善夫藤井; Tatsuya Fukami; 達也深見; Yuji Kawano; 裕司川野; Kazuo Hajima; 一夫羽島; Kazuhiko Tsutsumi; 和彦堤; Yoshio Aso; 好夫麻生; Tomoji Morita; 知二森田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-08-17
Filing date: 1993-08-06
Publication date: 1994-04-28

Abstract

(57)【要約】【目的】記録パワーの変動許容範囲の拡大および記録
特性の向上を図ることができる光磁気記録方法を提供す
る。【構成】ハイパワーレーザＰＨの照射前および照射後
にローパワーレーザＰＬより低いパワーの第３および第
４のレーザを照射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光強度変調オーバラ
イト可能な光記録媒体に、記録レーザを照射して記録を
行う光磁気記録方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２０は例えば特開平３−２１９４４９
号公報に示された従来の光磁気記録方法によって記録さ
れる光磁気記録媒体を示す構成図、図２１は図２０に示
す光磁気記録媒体への記録を行う記録装置の概要を示す
斜視図である。図において、１は基板、２はこの基板１
上に形成され垂直磁気異方性を有する第１磁性層、３は
この第１磁性層２に設けられ交換結合力で第１磁性層２
と結合される第２磁性層、４は第３磁性層、５は第４磁
性層で、これら１〜５で記録媒体１０を構成している。
６は記録媒体１０を回転駆動する駆動モータ、７はレー
ザ光８を出射する半導体レーザ、９は半導体レーザ７か
ら出射されるレーザ光８を集光し、記録媒体１０上に入
射する集光レンズ、１１はバイアス磁界を発生させるバ
イアス磁石である。

【０００３】次に、上記のように成される従来の光磁気
記録媒体のオーバーライト動作について説明する。ま
ず、記録媒体１０は成膜後、第２〜第４磁性層３、４、
５の遷移金属副格子磁気モーメントを最初に一度だけ下
向きに配向させておき、バイアス磁界はバイアス磁石１
１により上向きに発生させる。図２２において、白抜き
矢印は磁化を、白抜き矢印中の矢印または単独で示す矢
印は遷移金属副格子磁気モーメントを、斜線部は各磁性
層間で磁壁が生じている状態を、横棒線はキュリー温度
以上に昇温し強磁性が失われている状態をそれぞれ示し
ている。

【０００４】図２２（Ａ）において、まず、半導体レー
ザ７の出力を再生時より上昇させ、レーザ光８の集光ス
ポット内の各磁性層を第１磁性層２のキュリー温度近傍
まで昇温させると、第２磁性層３の副格子磁化方向は変
化せず、第２磁性層３の副格子磁化が第１磁性層２に転
写され、第１磁性層２の副格子磁化は下向きになる。こ
のとき、第３および第４磁性層４、５は動作に対して特
に寄与することはなく、第３磁性層４の磁化が消失して
も第４磁性層５との交換結合力で再び同方向に磁化さ
れ、状態「０」、すなわちローパワープロセスが行われ
る。

【０００５】又、図２２（Ｂ）において、第２磁性層３
のキュリー温度近傍まで上記ローパワープロセスと同様
にして昇温させると、第１および第３磁性層２、４の磁
化は消失するが、第４磁性層５の副格子磁化方向は変化
しない。そして、第１および第３磁性層２、４からの交
換結合力を受けず、第２磁性層３の副格子磁化はバイア
ス磁界により上向きになる。次に、第１磁性層２のキュ
リー温度より降温させると、第２磁性層３の副格子磁化
が第１磁性層２に転写され、第１磁性層２の副格子磁化
は上向きになる。又、第３磁性層４のキュリー温度より
降温させると、第３磁性層４の副格子磁化は第４磁性層
５と揃い下向きになる。さらに温度が下がり第２磁性層
３の副格子磁化は第３磁性層４を介して第４磁性層５の
副格子磁化と揃い下向きとなって、状態「１」、すなわ
ちハイパワープロセスが行われる。以上のようにして、
記録レーザ強度を少なくとも２値に変調することでオー
バーライトが可能になる。

【０００６】しかしながら、光強度変調オーバーライト
による記録中には、記録情報の消去を行うローパワーレ
ーザＰＬと、新記録情報の記録を行うハイパワーレーザ
ＰＨとのいずれかが照射されている。すなわち、ハイパ
ワーレーザＰＨの照射直前までローパワーレーザＰＬが
照射されているため、このローパワーレーザＰＬ照射に
より生じた熱は記録媒体１０中で熱拡散を起こし、ハイ
パワーレーザＰＨの照射を行う部位の基体温度を予め昇
温する。この昇温された部位にハイパワーレーザＰＨを
照射して記録を行うと、ローパワーレーザＰＬのレベル
変化により記録特性の変化が生じる。又、ハイパワーレ
ーザＰＨ照射後のローパワーレーザＰＬ照射に関しても
同様の作用が生じる。すなわち、上記したような従来の
光磁気記録方法では、ハイパワーレーザＰＨとローパワ
ーレーザＰＬ相互の熱干渉が発生する。

【０００７】そして、このような熱干渉を低減する方法
として、例えば特開平２−２４４４３号公報に示されて
いるように、ハイパワーレーザＰＨ照射を行った後に消
灯制御を行う方法が提案され、この方法により記録媒体
の過度の加熱を防止し、良好な記録が行えるとしてい
る。又、特開平５−７３９８１号公報にはこのような方
法を、記録マークの端で情報を表すマークエッジ記録に
応用した例が示されている。これによればハイパワーレ
ーザＰＨとローパワーレーザＰＬとの間に、これらより
低いパワーのレーザを照射する領域（以下、緩衝領域と
呼ぶ）を設けることでマーク形状の制御を行っており、
マークエッジ記録においてエッジシフトの抑制を可能と
している。

【０００８】ここに示される記録においては、記録媒体
として交換結合力で結合された２磁性層を用い、バイア
ス磁石の他に初期化磁石を用いてオーバーライト記録を
行っている。又、光強度変調型のオーバーライト方式で
ある相変化型記録方法においても、例えば特開平４−１
６３７３０号公報に示されるように、書き込みパワーと
してのハイパワーレーザＰＨの後に、通常より低いロー
パワーレーザＰＬを照射する方法が提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の光磁気記録方法
は以上のようにしてなされ、ハイパワーレーザＰＨ照射
後にローパワーレーザＰＬより低いパワーのレーザを照
射する緩衝部を設けているとは言うものの、ハイパワー
レーザＰＨとローパワーレーザＰＬ相互の熱干渉の影響
を取り除くことは困難であるという問題点があった。

【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ハイパワーレーザＰＨとローパ
ワーレーザＰＬ相互の熱干渉を低減することにより、記
録パワーの変動許容範囲の拡大および記録特性の向上を
図ることができる光磁気記録方法を提供することを目的
としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る光磁気記録方法は、交換結合力で結合された多層磁性
膜でなる記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレ
ーザＰＬと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨと
を変調して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁
気記録方法において、ハイパワーレーザＰＨの照射前お
よび照射後にローパワーレーザＰＬより低いパワーの第
３および第４のレーザを照射するようにしたものであ
る。

【００１２】又、この発明の請求項２に係る光磁気記録
方法は、ハイパワーレーザＰＨの照射前にローパワーレ
ーザＰＬより低いパワーの第３のレーザを照射するよう
にしたものである。

【００１３】又、この発明の請求項３に係る光磁気記録
方法は、ハイパワーレーザＰＨの照射前にローパワーレ
ーザＰＬより低いパワーの第３のレーザおよびハイパワ
ーレーザＰＨより高いパワーの第５のレーザを順次照射
するとともにハイパワーレーザＰＨの照射後にローパワ
ーレーザＰＬより低いパワーの第４のレーザを照射する
ようにしたものである。

【００１４】又、この発明の請求項４に係る光磁気記録
方法は、ハイパワーレーザＰＨの照射前にローパワーレ
ーザＰＬより低いパワーの第３のレーザおよびハイパワ
ーレーザＰＨより高いパワーの第５のレーザを順次照射
するようにしたものである。

【００１５】又、この発明の請求項５に係る光磁気記録
方法は、第５のレーザのパワーを時間とともに変化させ
るようにしたものである。

【００１６】又、この発明の請求項６に係る光磁気記録
方法は、ハイパワーレーザＰＨを複数のレーザパルス列
で構成するとともにハイパワーレーザＰＨの照射前およ
び照射後にローパワーレーザＰＬより低いパワーの第３
および第４のレーザを照射するようにしたものである。

【００１７】又、この発明の請求項７に係る光磁気記録
方法は、ハイパワーレーザＰＨを複数のレーザパルス列
で構成するとともにハイパワーレーザＰＨの照射前にロ
ーパワーレーザＰＬより低いパワーの第３のレーザを照
射するようにしたものである。

【００１８】又、この発明の請求項８に係る光磁気記録
方法は、複数のレーザパルス列の列間のパワーをローパ
ワーレーザＰＬのパワー以下に設定して照射するように
したものである。

【００１９】又、この発明の請求項９に係る光磁気記録
方法は、第３および第４のレーザのパワーを同一値に設
定して照射するようにしたものである。

【００２０】又、この発明の請求項１０に係る光磁気記
録方法は、第３および第４のレーザのパワーを再生を行
うレーザのパワーと同一値に設定して照射するようにし
たものである。

【００２１】又、この発明の請求項１１に係る光磁気記
録方法は、第３のレーザのパワーを再生を行うレーザの
パワーと同一値に設定して照射するようにしたものであ
る。

【００２２】又、この発明の請求項１２に係る光磁気記
録方法は、第３のレーザを６００を線速度（ｍ／ｓｅ
ｃ）で除した値をナノ秒で表した時間（ｎｓｅｃ）より
短時間照射するようにしたものである。

【００２３】又、この発明の請求項１３に係る光磁気記
録方法は、第３のレーザのパワーを複数のレベルで構成
するとともに各レベル値は順次増大させて照射するよう
にしたものである。

【００２４】

【作用】この発明における光磁気記録方法は、ハイパワ
ーレーザＰＨの少なくとも照射前に、ローパワーレーザ
ＰＬより低いパワーの第３のレーザを照射し、又、ハイ
パワーレーザＰＨの照射前に、ローパワーレーザＰＬよ
り低いパワーの第３のレーザおよび、ハイパワーレーザ
ＰＨより高いパワーの第５のレーザを順次照射して、ハ
イパワーレーザＰＨおよびローパワーレーザＰＬ間の熱
干渉を低減する。

【００２５】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。ハイパワープロセスによる情報「１」の記録の際に
は、図１に示すように熱分布のために記録マークＰ_m周
辺はローパワープロセスによる情報「０」の記録が必然
的に成されてしまう。すなわち、セルフ・シャープニン
グ効果が発生する。このため情報「１」の情報の記録を
行うときには、その前後に情報「０」を記録するローパ
ワーを照射しなくても記録すべき情報は記録される。こ
のため従来の記録方法のように２値に変調して記録レー
ザを出射するよりも、情報「１」を記録するハイパワー
を照射する前後はレーザ照射による加熱を避けたほうが
熱干渉が少なくて良好な記録が可能となる。

【００２６】図２はこの発明の実施例１における光磁気
記録方法に用いた記録波形を示す波形図である。図にお
いて、Ｐ３、Ｐ４は情報の記録を行うハイパワーレーザ
ＰＨの照射前および照射後に、記録の消去を行うローパ
ワーレーザＰＬより低いパワーでそれぞれ時間τ₃、τ₄
の間照射される第３および第４のレーザであり緩衝領域
を形成している。

【００２７】図３（Ａ）は図２に示す記録波形におい
て、第３のレーザＰ３および第４のレーザＰ４のパワー
を１ｍＷ、照射時間τ₃、τ₄を４０ｎｓｅｃとしたとき
の記録特性を、図３（Ｂ）に示す従来の記録方法におけ
る記録特性と比較して示す記録特性図である。なお、バ
イアス磁界は２００Ｏｅ〜８００Ｏｅにわたって大きな
特性変化は見られなかったため、バイアス磁界として３
００Ｏｅを印加して特性を得た、図において、ＣＮＲは
２ＭＨｚの上に５ＭＨｚの信号をオーバーライトしたと
きの値であり、消去比はその上に２ＭＨｚの信号を書い
たときの５ＭＨｚの信号変化分であり、４０ｄＢ以上消
去されている領域をオーバーライト可能領域とした。

【００２８】ここで、記録マークの間隔は１．５μｍで
あり、ハイパワーレーザＰＨとローパワーレーザＰＬ間
の干渉は勿論のこと、ハイパワーレーザＰＨとハイパワ
ーレーザＰＨ間の干渉も大きな記録条件となっている。
又、線速度７．５ｍ／ｓｅｃであるため、時間τ₃（４
０ｎｓｅｃ）だけ照射する間に記録媒体が移動する距離
は７．５ｍ／ｓｅｃ×４０ｎｓｅｃ＝０．３μｍとな
る。このように、従来の方法による記録では図３（Ｂ）
から明らかなように、ハイパワーレーザＰＨとローパワ
ーレーザＰＬ間に相互干渉が見られるが、実施例１にお
ける光磁気記録方法によれば、図３（Ａ）から明らかな
ように、記録パワーの設定可能な範囲が著しく拡大して
おり、さらに良好なＣＮＲ（たとえば４９ｄＢ以上の領
域）の範囲は、許容されるローパワーレーザＰＬ上限の
限界近辺にまで及び、記録パワーが変動してもＣＮＲが
低下する度合いは、従来の記録方法に比べて小さくなっ
ていることが分かる。

【００２９】次に、図２における第３のレーザＰ３を変
化させ、ＣＮＲの変動を測定すると図４に示すような結
果が得られた。ここで、各緩衝時間τ₃、τ₄は等しく４
０ｎｓｅｃとした。なお、最適なローパワーレーザＰＬ
は４０ｍＷであるから、図中第３のレーザＰ３が４ｍＷ
の場合の測定結果は従来の記録方法に匹敵する。図４に
示すように、第３のレーザＰ３を順次低下させるとＣＮ
Ｒが向上することは明かであり、ローパワーレーザＰＬ
より低いパワーの第３のレーザＰ３を照射する領域、す
なわち緩衝領域を設けることにより特性が改善されるこ
とは明白である。

【００３０】さらに、第３のレーザＰ３とともに第４の
レーザＰ４を変化させ、ＣＮＲの変動を測定すると図５
に示すような結果が得られた。すなわち、図からも明ら
かなように、両レーザＰ３、Ｐ４を低下させてもＣＮＲ
が向上し、特性が改善されることは明白である。

【００３１】又、図６（Ａ）は１ＭＨｚのデューティ比
５０％の記録を行ったときの２次歪に関する記録特性
を、図６（Ｂ）に示す従来の記録方法における記録特性
と比較して示す記録特性図である。なお、２次歪（搬送
波レベルに対する２次高調波レベルの差）はその信号の
デューティ比が５０％になったところで極小となるもの
である。今、上記特性はデューティ比５０％で記録を行
って得たものであるため、再生信号が極小になったとこ
ろが記録信号通りに記録できていることを表している。

【００３２】図６（Ｂ）から明らかなように、従来の記
録方法ではローパワーレーザＰＬの増加に伴い、ハイパ
ワーレーザＰＨを低下させないと２次歪は極小とならな
いが、実施例１における記録方法によれば図６（Ａ）か
ら明らかなように、最適ローパワーレーザＰＬ（３．５
ｍＷ）近傍においては、ローパワーレーザＰＬが変化し
ても２次歪の変化は見られない。又、最適ローパワーレ
ーザＰＬにて、十分２次歪が小さい領域（−３０ｄＢ以
下）を見ると、ハイパワーレーザＰＨの変化の許容幅が
拡大している。これらのことから、ハイパワーレーザＰ
Ｈを照射する前後に、ローパワーレーザＰＬより低いパ
ワーの第３のレーザＰ３および第４のレーザＰ４を照射
する緩衝領域を設けることにより、記録マークの長さで
記録を行うマークエッジ記録方式においても、記録パワ
ーの変動許容範囲の拡大が図れることは明かである。

【００３３】実施例２．図７はこの発明の実施例２にお
ける光磁気記録方法に用いた記録波形を示す波形図、図
８は図７における光磁気記録方法によって記録を行った
場合の２次歪に関する記録特性を示す記録特性図であ
る。本実施例は図７に示すように、ハイパワーレーザＰ
Ｈの照射前にローパワーレーザＰＬより低いパワーの第
３のレーザＰ３を、時間τ₃の間だけ照射する緩衝領域
を設けたものである。すなわち、この緩衝領域は、長い
マークを記録する際にハイパワーレーザＰＨの照射前端
部は予熱効果が小さく、最高到達温度プロファイルはな
だらかなものになり、わずかながらローパワーレーザＰ
Ｌの予熱効果により記録マーク前端部のエッジ位置が変
化するのを防止するものである。

【００３４】上記実施例２によれば、図８から明らかな
ように、ローパワーレーザＰＬの変動に対する２次歪極
小点はハイパワーレーザＰＨに依存せず、ハイパワーレ
ーザＰＨの変化による２次歪の変化も小さくなってい
る。又、第３のレーザＰ３を照射時間τ₃＝８０ｎｓｅ
ｃの間照射し、順次パワーを低下させていくと、図９に
示すように、ＣＮＲは第３のレーザＰ３の低下とともに
増加し、上記実施例１と同様の効果を得ることができ
る。

【００３５】実施例３．図１０はこの発明の実施例３に
おける光磁気記録方法に用いた記録波形を示す波形図で
ある。本実施例は図１０に示すように、図２における実
施例１の記録波形のハイパワーレーザＰＨの立ち上がり
部に、ハイパワーレーザＰＨより高いパワーの第５のレ
ーザＰ５を照射して角出し領域を設けたものであり、こ
の角出し領域は、ハイパワーレーザＰＨの立ち上がり部
の急峻な温度上昇を行い、ローパワーレーザＰＬによる
予熱効果を補助することによって、記録マークの前端部
を太くして十分な再生信号が得られるように機能するも
のである。

【００３６】図１０において、ハイパワーレーザＰＨ：
７．５ｍＷ、ローパワーレーザＰＬ：３．０ｍＷ、第３
のレーザＰ３：１．０ｍＷ、第４のレーザＰ４：１．０
ｍＷ、第５のレーザＰ５：９．０ｍＷ、τ₃、τ₄：５０
ｎｓｅｃ、τ₅：３０ｎｓｅｃとした場合の再生波形の
立ち上がりは、従来の記録方法でハイパワーレーザＰ
Ｈ：７．５ｍＷ、ローパワーレーザＰＬ：３．０ｍＷと
した場合に比較し、約１．３倍急峻になった。この立ち
上がりが急峻になることで、マークエッジ記録において
記録特性が改善される。なお、第５のレーザＰ５の設定
条件は上記実施例の条件に限定されるわけではなく、例
えば図１１に示すような条件でも上記同様の効果が得ら
れることを確認した。

【００３７】実施例４．図１２はこの発明の実施例４に
おける光磁気記録方法に用いた記録波形を示す波形図で
ある。本実施例は図１２に示すように、図７における実
施例２の記録波形のハイパワーレーザＰＨの立ち上がり
部に、ハイパワーレーザＰＨより高いパワーの第５のレ
ーザＰ５を照射して角出し領域を設けたものである。こ
のように、ハイパワーレーザＰＨの照射前にのみローパ
ワーレーザＰＬより低いパワーの第３のレーザＰ３を照
射する場合に、第５のレーザＰ５を照射して角出し領域
を設けても、上記実施例３と同様に立ち上がりが急峻と
なり、マークエッジ記録に対する記録特性が改善される
ことが確認された。

【００３８】実施例５．尚、上記各実施例３、４では、
角出し領域を形成する第５のレーザＰ５を矩形、すなわ
ちパワーが一定の場合について説明したが、図１３に示
すように、例えば第５のレーザＰ５をその最大値が１０
ｍＷからハイパワーレーザＰＨのレベルである７．５ｍ
Ｗまで照射時間τ₅＝３０ｎｓｅｃというように、時間
とともにパワーを変化させて照射するようにしても、実
施例３と同様の効果を得ることが確認された。

【００３９】実施例６．図１４はこの発明の実施例６に
おける光磁気記録方法に用いた記録波形を示す波形図で
ある。本実施例は図１４に示すように、ハイパワーレー
ザＰＨを複数のパルス列ＰＨ１で構成し、各パルス列Ｐ
Ｈ１間にローパワーレーザＰＬと同じパワーの第６のレ
ーザＰ６を照射するようにしたものである。なお、具体
的にはローパワーレーザＰＬ：３．０ｍＷ、第３のレー
ザＰ３：１．０ｍＷ、第４のレーザＰ４：１．０ｍＷ、
第３および第４のレーザの照射時間τ₃、τ₄：５０ｎｓ
ｅｃ、パルス列ＰＨ１：９ｍＷ、パルス列の照射時間τ
_H1：７５ｎｓｅｃ、第６のレーザの照射時間τ₆：２５
ｎｓｅｃにそれぞれ設定した。

【００４０】上記実施例６によれば、書き込みに用いる
ハイパワーレーザＰＨのパワーに関係なく、２ｍＷ強の
パワーのローパワーレーザＰＬを用いることで、記録マ
ークを消去することが可能になる。これは、従来の記録
方法ではパワー６ｍＷのハイパワーレーザＰＨで書き込
まれた記録マークは、パワー２ｍＷのローパワーレーザ
ＰＬで消去可能であるが、パワー８ｍＷのハイパワーレ
ーザＰＨで書き込まれた記録マークは、パワー３ｍＷ以
上のローパワーレーザＰＬを照射しないと消去できなか
ったのと比較すると、長いマークを書き込むときの消去
比に関する記録可能なローパワーレーザＰＬの変化許容
幅の拡大が可能になる。

【００４１】実施例７．尚、上記実施例６によれば、パ
ルス列ＰＨ１およびこのパルス列ＰＨ１間に照射される
第６のレーザＰ６を同じ値で繰り返して記録を行う場
合、すなわち、パルス列ＰＨ１のパルス幅を一定にして
記録を行う場合について説明したが、例えばパルス列の
照射時間τ_H1：７５ｎｓｅｃ、第６のレーザの照射時間
τ₆：２５ｎｓｅｃの場合と、パルス列の照射時間
τ_H1：３０ｎｓｅｃ、第６のレーザの照射時間τ₆：２
０ｎｓｅｃの場合とを交互に繰り返し、ハイパワーレー
ザＰＨのパワーを１０ｍＷで行う等、パルス列ＰＨ１の
パルス幅を変化させるようにしても上記実施例６と同様
の効果を得ることができる。

【００４２】実施例８．又、上記実施例６によれば、各
パルス列ＰＨ１のパワーを９ｍＷと同じ値に設定して記
録を行う場合について説明したが、例えばパルス列ＰＨ
１：１１ｍＷ、パルス列の照射時間τ_H1：５０ｎｓｅｃ
で照射した後、第６のレーザＰ６を照射する時間τ₆：
２５ｎｓｅｃだけ間隔を置いて、パルス列ＰＨ１：９ｍ
Ｗ、パルス列の照射時間τ_H1：２５ｎｓｅｃを照射す
る。そして、以降交互に両パルス列ＰＨ１の照射を第６
のレーザＰ６を挟んで繰り返すことにより、パルス列内
での記録パワーを変化させて記録を行うようにしても、
上記実施例６と同様の効果を得ることができる。

【００４３】実施例９．上記実施例６によれば、パルス
列ＰＨ１間に照射される第６のレーザＰ６のパワーを、
ローパワーレーザＰＬと同じ値にした場合について説明
したが、図１５に示すように第６のレーザＰ６のパワー
を、ハイパワーレーザＰＨの照射前に照射され、緩衝領
域を形成する第３のレーザＰ３と同じ値にしても良好な
記録特性が得られ、パルス列間に照射される第６のレー
ザＰ６のパワーは低くした方が一層効果のあることが判
った。

【００４４】実施例１０．図１６は図２に示す実施例１
の記録波形における緩衝時間τ₃、τ₄を変化させた場合
の特性を示す。図から明らかなように、緩衝時間τ₃、
τ₄の増加に対してＣＮＲは増加する。しかしながら、
緩衝時間τ₃、τ₄を１００ｎｓｅｃにすると消し残りが
発生する。このようなことから、緩衝時間τ₃、τ₄は消
し残りがない状態の範囲内で、出来るだけ長い方が良い
ということが判る。又、図７に示す実施例２の記録波形
による記録方法と、従来の記録方法とを適用して、緩衝
時間τ₃、τ₄それぞれの限界値を調べたところ、図１６
に示すと同様に１００ｎｓｅｃにおいて消し残りが発生
することが確認された。

【００４５】この値は記録媒体における熱拡散の度合い
によって決まる。したがって、消し残りがない状態で
は、緩衝時間τ₃が８０ｎｓｅｃであるから、この間の
記録媒体の移動距離は、線速度を７．５ｍ／ｓｅｃとす
ると７．５×８０＝０．６μｍとなる。すなわち、この
０．６μｍという値は、セルフ・シャープニング効果の
及ぼす範囲である。このようにして、最大利用可能な緩
衝時間は、記録媒体の線速度によって変化するものの、
記録媒体の移動距離を０．６μｍ以内に設定、すなわち
換言すれば、６００を線速度（ｍ／ｓｅｃ）で除した値
を、ナノ秒で表した時間（ｎｓｅｃ）より短い時間、第
３のレーザＰ３を照射するようにすれば、消し残りなく
良好なオーバーライトが可能になる。

【００４６】実施例１１．図１７はこの発明の実施例１
１における光磁気記録方法に用いた記録波形を示す波形
図である。本実施例は図１７に示すように、緩衝領域τ
₃に照射される第３のレーザを、パワーの異なる２種の
レーザＰ３₁、Ｐ３₂に分割し、且つＰ３₁＜Ｐ３₂の条件
で照射するようにしたものである。このように、ハイパ
ワーレーザＰＨの照射前に設定される緩衝領域τ₃内の
第３のレーザをＰ３₁、Ｐ３₂に分割し、しかもハイパワ
ーレーザＰＨ側のレーザＰ３₂の値をレーザＰ３₁の値よ
り大きく設定することで、レーザＰ３₂が記録磁区に対
して予熱効果を与え、例えば図１０に示す実施例３にお
ける第５のレーザＰ５と同様に機能するので、再生波形
の立ち上がりが急峻となり十分な再生信号が得られると
いう効果がある。

【００４７】実施例１２．尚、上記実施例１１では緩衝
領域に照射される第３のレーザを、それぞれの値の異な
る２つのレーザＰ３₁、Ｐ３₂に分割した場合について説
明したが、このように第３のレーザを段階状に変化させ
るものに限定されるものではなく、第３のレーザをロー
パワーレーザＰＬ側からハイパワーレーザＰＨ側に向か
って漸次増加する直線状に変化させても、上記実施例１
１と同様の効果を発揮することは言うまでもない。

【００４８】実施例１３．図１８はこの発明の実施例１
３における光磁気記録方法に適用される半導体レーザか
ら出射される各レーザを発光するための各駆動電流の関
係を示す図、図１９は図１８に示す各駆動電流により発
光し半導体レーザから出射される各レーザにより形成さ
れる記録波形を示す波形図である。本実施例は図１９に
示すように、再生パワーレーザＰＲの値を第３および第
４のレーザＰ３、Ｐ４の値と同一にし、且つ図１８に示
すように再生パワーレーザＰＲを発光するための駆動電
流ＩＲは常時流されている。そして、ハイパワーレーザ
ＰＨを発光する場合には、ハイパワーレーザＰＨを発光
するに必要な値の駆動電流ＩＨと、常時流されている駆
動電流ＩＲとの差値（ＩＨ−ＩＲ）を駆動電流ＩＲに重
畳して流せば良く、又、ローパワーレーザＰＬを発光す
る場合には、上記と同様に両駆動電流の差値（ＩＬ−Ｉ
Ｒ）を駆動電流ＩＲに流せば良いので、適用される駆動
電流電源を小型化することができ、延いては記録装置自
体を簡素化できるという実用上の効果がある。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、ハイパワーレーザＰＨの照射前および照射後にロ
ーパワーレーザＰＬより低いパワーの第３および第４の
レーザを照射するようにし、

【００５０】又、この発明の請求項２によれば、ハイパ
ワーレーザＰＨの照射前にローパワーレーザＰＬより低
いパワーの第３のレーザを照射するようにし、

【００５１】又、この発明の請求項３によれば、ハイパ
ワーレーザＰＨの照射前にローパワーレーザＰＬより低
いパワーの第３のレーザおよびハイパワーレーザＰＨよ
り高いパワーの第５のレーザを順次照射するとともにハ
イパワーレーザＰＨの照射後にローパワーレーザＰＬよ
り低いパワーの第４のレーザを照射するようにし、

【００５２】又、この発明の請求項４によれば、ハイパ
ワーレーザＰＨの照射前にローパワーレーザＰＬより低
いパワーの第３のレーザおよびハイパワーレーザＰＨよ
り高いパワーの第５のレーザを順次照射するようにし、

【００５３】又、この発明の請求項５によれば、第５の
レーザのパワーを時間とともに変化させるようにし、

【００５４】又、この発明の請求項６によれば、ハイパ
ワーレーザＰＨを複数のレーザパルス列で構成するとと
もにハイパワーレーザＰＨの照射前および照射後にロー
パワーレーザＰＬより低いパワーの第３および第４のレ
ーザを照射するようにし、

【００５５】又、この発明の請求項７によれば、ハイパ
ワーレーザＰＨを複数のレーザパルス列で構成するとと
もにハイパワーレーザＰＨの照射前にローパワーレーザ
ＰＬより低いパワーの第３のレーザを照射するように
し、

【００５６】又、この発明の請求項８によれば、複数の
レーザパルス列の列間のパワーをローパワーレーザＰＬ
のパワー以下に設定して照射するようにし、

【００５７】又、この発明の請求項９によれば、第３お
よび第４のレーザのパワーを同一値に設定して照射する
ようにし、

【００５８】又、この発明の請求項１０によれば、第３
および第４のレーザのパワーを再生を行うレーザのパワ
ーと同一値に設定して照射するようにし、

【００５９】又、この発明の請求項１１によれば、第３
のレーザのパワーを再生を行うレーザのパワーと同一値
に設定して照射するようにし、

【００６０】又、この発明の請求項１２によれば、第３
のレーザを６００を線速度（ｍ／ｓｅｃ）で除した値を
ナノ秒で表した時間（ｎｓｅｃ）より短時間照射するよ
うにし、

【００６１】又、この発明を請求項１３によれば、第３
のレーザのパワーを複数のレベルで構成するとともに各
レベル値は順次増大させて照射するようにした。

【００６２】したがって、ハイパワーレーザＰＨとロー
パワーレーザＰＬ相互の熱干渉を低減し、記録パワーの
変動許容範囲の拡大および記録特性の向上を図ることが
できる光磁気記録方法を提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】セルフ・シャープニング効果の概念を説明する
ための図である。

【図２】この発明の実施例１における光磁気記録方法に
用いた記録波形を示す波形図である。

【図３】図２に示す記録波形を用いた記録特性を、従来
の記録方法における記録特性と比較して示す記録特性図
である。

【図４】図２に示す記録波形における第３のレーザの変
化に伴うＣＮＲの変動の傾向を示す図である。

【図５】図２に示す記録波形における第３および第４の
レーザの変化に伴うＣＮＲの変動の傾向を示す図であ
る。

【図６】図２に示す記録波形で１ＭＨｚのデューティ比
５０％の記録を行ったときの２次歪に関する記録特性
を、従来の記録方法における記録特性と比較して示す記
録特性図である。

【図７】この発明の実施例７における光磁気記録方法に
用いた記録波形を示す波形図である。

【図８】図７における光磁気記録方法によって記録を行
った場合の２次歪に関する記録特性を示す記録特性図で
ある。

【図９】図７に示す記録波形における第３のレーザの変
化に伴うＣＮＲの変動の傾向を示す図である。

【図１０】この発明の実施例３における光磁気記録方法
に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１１】図１０に示す記録波形における第５のレーザ
の値およびその照射時間の条件を変化させた事例を示す
図である。

【図１２】この発明の実施例４における光磁気記録方法
に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１３】この発明の実施例５における光磁気記録方法
に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１４】この発明の実施例６における光磁気記録方法
に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１５】この発明の実施例９における光磁気記録方法
に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１６】この発明の実施例９における光磁気記録方法
における緩衝時間の変化に伴うＣＮＲの変動の傾向およ
び消し残り状態を示す図である。

【図１７】この発明の実施例１１における光磁気記録方
法に用いた記録波形を示す波形図である。

【図１８】この発明の実施例１３における光磁気記録方
法に適用される半導体レーザから出射される各レーザを
発光するための各駆動電流の関係を示す図である。

【図１９】図１８に示す各駆動電流により発光し半導体
レーザから出射される各レーザにより形成される記録波
形を示す波形図である。

【図２０】従来の光記録方法によって記録される光磁気
記録媒体を示す構成図である。

【図２１】図２０に示す光磁気記録媒体への記録を行う
記録装置の概要を示す斜視図である。

【図２２】図２０に示す光磁気記録媒体への記録動作を
説明するための模式図である。

【符号の説明】

ＰＨハイパワーレーザＰＬローパワーレーザＰＲ再生パワーレーザＰ３第３のレーザＰ３₁、Ｐ３₂ 分割レーザＰ４第４のレーザＰ５第５のレーザＰ６第６のレーザＰＨ₁ パルス列 τ₃、τ₄、τ₅、τ₆ 緩衝時間ＩＨハイパワーレーザを発光するための駆動電流ＩＬローパワーレーザを発光するための駆動電流ＩＲ再生パワーレーザを発光するための駆動電流

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者深見達也尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者川野裕司尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者羽島一夫尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者堤和彦尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者麻生好夫尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者森田知二尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨの照射前およ
び照射後に上記ローパワーレーザＰＬより低いパワーの
第３および第４のレーザを照射するようにしたことを特
徴とする光磁気記録方法。
【請求項２】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨの照射前に上
記ローパワーレーザＰＬより低いパワーの第３のレーザ
を照射するようにしたことを特徴とする光磁気記録方
法。
【請求項３】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨの照射前に上
記ローパワーレーザＰＬより低いパワーの第３のレーザ
および上記ハイパワーレーザＰＨより高いパワーの第５
のレーザを順次照射するとともに上記ハイパワーレーザ
ＰＨの照射後に上記ローパワーレーザＰＬより低いパワ
ーの第４のレーザを照射するようにしたことを特徴とす
る光磁気記録方法。
【請求項４】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨの照射前に上
記ローパワーレーザＰＬより低いパワーの第３のレーザ
および上記ハイパワーレーザＰＨより高いパワーの第５
のレーザを順次照射するようにしたことを特徴とする光
磁気記録方法。
【請求項５】第５のレーザのパワーを時間とともに変
化させるようにしたことを特徴とする請求項３または請
求項４記載の光磁気記録方法。
【請求項６】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨを複数のレー
ザパルス列で構成するとともに上記ハイパワーレーザＰ
Ｈの照射前および照射後に上記ローパワーレーザＰＬよ
り低いパワーの第３および第４のレーザを照射するよう
にしたことを特徴とする光磁気記録方法。
【請求項７】交換結合力で結合された多層磁性膜でな
る記録媒体に記録情報の消去を行うローパワーレーザＰ
Ｌと新情報の記録を行うハイパワーレーザＰＨとを変調
して照射し光強度変調オーバーライトを行う光磁気記録
方法において、上記ハイパワーレーザＰＨを複数のレー
ザパルス列で構成するとともに上記ハイパワーレーザＰ
Ｈの照射前に上記ローパワーレーザＰＬより低いパワー
の第３のレーザを照射するようにしたことを特徴とする
光磁気記録方法。
【請求項８】複数のレーザパルス列の列間のパワーを
ローパワーレーザＰＬのパワー以下に設定して照射する
ようにしたことを特徴とする請求項６または請求項７記
載の光磁気記録方法。
【請求項９】第３および第４のレーザのパワーを同一
値に設定して照射するようにしたことを特徴とする請求
項１、請求項３および請求項６のいずれかに記載の光磁
気記録方法。
【請求項１０】第３および第４のレーザのパワーを再
生を行うレーザのパワーと同一値に設定して照射するよ
うにしたことを特徴とする請求項１、請求項３、請求項
６および請求項９のいずれかに記載の光磁気記録方法。
【請求項１１】第３のレーザのパワーを再生を行うレ
ーザのパワーと同一値に設定して照射するようにしたこ
とを特徴とする請求項２、請求項３および請求項７のい
ずれかに記載の光磁気記録方法。
【請求項１２】第３のレーザを６００を線速度（ｍ／
ｓｅｃ）で除した値をナノ秒で表した時間（ｎｓｅｃ）
より短時間照射するようにしたことを特徴とする請求項
１ないし請求項１１のいずれかに記載の光磁気記録方
法。
【請求項１３】第３のレーザのパワーを複数のレベル
で構成するとともに各レベル値は順次増大させて照射す
るようにしたことを特徴とする請求項１ないし請求項１
２のいずれかに記載の光磁気記録方法。