JPH0611619Y2 - 発振回路 - Google Patents

発振回路

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JPH0611619Y2
JPH0611619Y2 JP1470988U JP1470988U JPH0611619Y2 JP H0611619 Y2 JPH0611619 Y2 JP H0611619Y2 JP 1470988 U JP1470988 U JP 1470988U JP 1470988 U JP1470988 U JP 1470988U JP H0611619 Y2 JPH0611619 Y2 JP H0611619Y2
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豊 林
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、水晶発振回路に関し、特に発振開始時間を早
める手段を提供することに関する。
〔従来の技術〕
従来この種の発振回路は、第3図に示す構成が一般的で
あった。PチャンネルMOSトランジスタQ1,Nチャン
ネルMOSトランジスタQ2により構成されるCMOS反
転型増幅器及び増幅器の動作点を定めるため増幅器の入
力と出力間に高抵抗Rが接続されており、反転増幅器
系を構成し、通常CMOS LSIに内蔵されている。
一方外部回路として出力抵抗RO,出力容量CO,個有共振
周波数をもつ水晶振動子X,入力容量CIにより、外部帰
還回路系が構成される。
反転増幅器及び外部帰還回路により一般的な水晶発振回
路として働くのであるが、該回路が発振するための条件
として、バルクハウゼンの式が与えられている。
||・||≧1 ∠+∠=n×360°(nは整数) ここで,は各々増幅器及び外部帰還回路の電圧増幅
率 ∠,∠はその位相角を示す。
しかしながら、この2つの条件は発振を継続させるため
の条件であって、発振を開始させるためには、又、違う
観点で考えなければならない。即ち、本発振回路に対し
電源が与えられた直後を考えると、反転増幅器は高抵抗
であるがバイアス抵抗Rにより、増幅器の入力と出力
が接続されているため、入力電圧=出力電圧になってい
る。ここでこの発振回路系が、発振開始するためには、
例えば周囲の熱雑音等により発生した、増幅器入力への
微小電圧を増幅し、増幅された雑音のさまざまな、周波
数成分の中で、外部帰還系のもつ、個有(共振)成分の
みが、再び、増幅器入力に伝達される。以上説明した動
作をくり返して行なうことにより、徐々に発振が立ち上
がり個有共振周波数の発振動作に到る。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述した従来の発振器を考えると、通常低消費電力駆動
させるためには、増幅器の電圧増幅率は外部帰還回路
の電圧増幅率(実際には受動回路で構成されるために
減水率)を多少上まわる程度に決定し、前記||・|
|≧1を満足させることが最適設計であるため、増幅
器の電圧増幅率は非常に小さなものとなっている。従
って電源投入から実際に発振出力をデジタル回路等でパ
ルスとして扱える波高値を得るまでの時間は、発振器の
増幅率が小さいため例えば数mSから場合によっては、
10秒もかかるという欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案の発振回路は反転増幅器及び外部帰還回路により
形成される水晶発振回路において、帰還回路に設けられ
る入力容量と出力容量の端子接地電位の、どちらか一方
を高位側電位、他方を低位側電位に接続した構成を有し
ている。
〔実施例〕
第1図は本考案の一実施例を示す回路接続図である。基
本的な構成は、第3図で示した構成と同等であるが、出
力容量COの接地電位はGND(低位側電位)又、入力容
量CIの接地電位はVDD(高位側電位)であることに着目
されたい。本実施例において、電源投入時を考えると接
点Aの電位は出力容量COの接地電位がGNDであるた
め、容量の働きによりGND電位にとどまろうとする。
一方接点Bの電位は、入力容量CIの接地電位がVDDであ
るため、容量の働きによりVDD電位に押し上げられる。
即ち、電源投入時に反転増幅器の入力には強制的にハイ
レベルが印加され、発振起動のトリガ電圧を発生する効
果を有する。反転増幅器の入力側はハイレベル,出力側
はロウレベルに固定されるため、入出力の位相は、各々
180°異なる。従って反転増幅器の入出力位相も、本
来あるべき逆位相に設定される。以上述べたように、電
源投入時に、反転増幅器に大振幅の電圧トリガを印加し
発振動作を起動させるため、発振安定までの時間を短か
くすることが可能となる。
第2図は本考案の他実施例を示す図である。本例では、
第1図での実施例とは逆に容量の接地電位を設定してあ
る。即ち、出力側容量COの接地電位をVDD,入力側容量C
Iの接地電位をGNDにしたものである。動作は、第一
の実施例で述べたものと原理的に同一であり、同様の効
果を得られることは自明であるので説明の詳細は省略す
る。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、発振回路の帰還回路に設
定される入力容量と出力容量の接地電位の接続端を各々
VDD,GMD或いは、逆に接続するのみで、電源投入さ
れてから安定発振に移行する発振立上り時間を短かくで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の発振器の一実施例を示す回路接続図、
第2図は本考案の発振器の他の実施例を示す回路接続
図、第3図は従来の発振器の回路接続図、 Q1……PチャンネルMOSトランジスタ、Q2……Nチャ
ンネルMOSトランジスタ、R……バイアス抵抗、RO
……出力抵抗、CO……出力容量、X……水晶振動子、CI
……入力容量。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】CMOS半導体集積回路に搭載される、反
    転増幅器及び外部帰還回路により形成される水晶発振回
    路において、帰還回路に設けられる入力容量と出力容量
    の端子接地電位のどちらか一方を高位側電位,他方を低
    位側電位に接続することを特徴とした発振回路。
JP1470988U 1988-02-05 1988-02-05 発振回路 Expired - Lifetime JPH0611619Y2 (ja)

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JPH01119204U JPH01119204U (ja) 1989-08-11
JPH0611619Y2 true JPH0611619Y2 (ja) 1994-03-23

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