JPH06111328A

JPH06111328A - 高密度光記録方法およびそれに用いる光記録媒体

Info

Publication number: JPH06111328A
Application number: JP4257845A
Authority: JP
Inventors: 正彦 ▲高▼橋; Masahiko Takahashi; Takeshi Maeda; 武志前田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-09-28
Filing date: 1992-09-28
Publication date: 1994-04-22
Anticipated expiration: 2015-03-06
Also published as: JP3017366B2

Abstract

(57)【要約】【目的】光強度変調記録方法を用いて、長さ（ディス
ク回転方向）よりも幅（ディスク半径方向）の広い記録
マ−クを熱的な干渉の影響を受けずに形成することがで
き、高密度オ−バライトを達成することのできる光記録
方法およびそれに用いる光記録媒体を提供する。【構成】記録された領域の外周部と内周部とで光学的
な性質が異なるリング型マ−クを形成し得る光記録媒体
を用いて、所定の強度のレーザ光を連続的に照射し、情
報を記録する場合のみレーザ光強度を所定の時間だけ弱
くするか、あるいはゼロにする。【効果】光強度変調を用いて、長さよりも幅の方向に
広い記録マ−クを熱的な干渉の影響を受けることなく形
成できるので、十分に大きなＳ／Ｎ比を確保したままで
線方向の記録密度を一段と向上させることができ、しか
もオ−バライトが可能であるため記録の高速化がはから
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ光を用いて情報
を記録する高密度光記録方法およびそれに用いる光記録
媒体に係り、特に光強度変調方式により、長さ方向より
も幅方向に広い記録マークを熱的な干渉の影響を受けず
に高密度に記録することができ、高密度オ−バライト
（重ね書き）を達成することが可能な光記録方法および
それに用いる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスクに情報を記録する場合
に、例えばレ−ザ光の強度を変調して、円形もしくは長
円形の記録マ−クを形成させている。この記録マ−クの
中心位置に、情報の“１”を対応させるピットボジショ
ン記録方式においては、円形のマ−クを記録する場合の
みレ−ザ光の強度を所定のパワ−まで増大させ、情報を
記録しない部分、すなわち情報の“０”の場合にはレ−
ザ光を切るか、あるいはオ−トフォ−カスやトラッキン
グと言ったサ−ボが掛かる程度にまでレーザ光の強度を
低下させている。また、記録マ−クの両縁に、情報の
“１”を対応させるピットエッジ記録方式では、種々の
長さの長円形マ−クを記録する場合にのみレ−ザ光の強
度を所定のパワーまで増大させている。さらに、光強度
変調でオ−バライトが可能な光磁気ディスクや相変化型
光ディスクにおいては、マ−クを記録する場合にはレ−
ザ光の強度を所定のパワ−に増大させ、記録マ−クを消
去する場合、すなわち情報の“０”を記録する場合に
は、記録パワ−とサ−ボ用パワ−との中間程度のパワー
にレザー光の強度を低下させていた。上記いずれの記録
方式においても、これまでの光強度変調記録では円形あ
るいは長円形のマ−クしか記録することができなかった
ため、高密度化のために記録マ−クを小さくすればする
ほどＳ／Ｎ比が大きく劣化するので、高密度記録化の支
障となっていた。すなわち、ディスク回転方向（長さ方
向）の記録密度を上げ、記録マ−クの長さを短くして行
くと、同時に記録マ−クの幅も短くなってしまう。レー
ザ光スポットで読み出される信号出力の大きさは、記録
マ−クの面積にほぼ比例するため、例えば円形の記録マ
−クの長さを半分にした場合には、その幅も半分とな
り、信号出力は１／４に減少する。さらに、光強度変調
で記録する場合には、レーザ光パルスの照射によって発
生した熱がレーザ光スポットの進行方向に伝わり、次の
レーザ光パルスによる記録マ−クの形成に影響を与える
という熱的な干渉が起こるため、微小なマ−クを連続し
て記録させることが困難であった。なお、光強度変調
オーバライトが可能な光磁気記録方式に関する公知例と
して、例えば特開平３−１５６７５１号公報が挙げられ
る。これは、交換結合４層膜よりなる光磁気記録媒体を
用い、光強度変調でダイレクトオーバライトを行う方法
であって、セルフシャープニング効果でリング型の記録
マークが形成されるが、これは記録マークの周囲の領域
が消去される形で記録されたものであって、特定のリン
グ型マークを積極的に記録させるものではない。これに
対して、光磁気ディスクにおける磁界変調記録では円形
以外の記録マ−クが形成される。この磁界変調記録方式
では、記録可能な一定強度のレーザ光を照射しておき、
外部から加える磁界のみを変調して情報をオ−バライト
（重ね書き）する。このときに形成される記録マ−クの
形は、例えば特公平３−４１９０６号公報に記載されて
いるように、三日月型となる。この場合、記録マ−クの
長さを変えても幅は変わらないので、記録マ−クの長さ
を半分にしても信号出力の低下は半分にしかならない。
さらに、ＤＣ光を照射するので温度分布は常に一定とな
り、上記の熱的な干渉の影響が生じることなく高密度記
録には好適である。しかしながら、上記の磁界変調記録
方式においては、外部から加える磁界を数十メガヘルツ
のオ−ダで変調することが非常に難しく、これをあえて
実行しようとすると、磁気ヘッドのような接触型の磁界
発生手段が必要となり、光磁気ディスクの特徴の一つで
ある媒体の可換性が失われてしまうという問題があっ
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、従来
のオ−バライトが可能な光強度変調記録では、円形ある
いは長円形のマ−クしか記録できないため、記録マ−ク
が小さくなればなるほどＳ／Ｎ比が大きく劣化し高密度
記録化の障害となっていた。さらに、レーザ光スポット
の熱的な干渉の影響で微小な記録マ−クを連続的に形成
することが困難であった。また、長さよりも幅の方が広
い記録マ−クを熱的な干渉の影響を受けずに記録できる
磁界変調記録方式においては、磁界のスイッチング速度
の問題から高密度化をはかることが困難であった。

【０００４】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消するものであって、光強度変調記録方式を用
いて長さ方向よりも幅方向に広い記録マ−クをレーザ光
スポットの熱的な干渉の影響を受けることなく高密度に
記録することが可能で、高密度のオ−バライト（重ね書
き）を実現するのに好適な光記録方法およびそれに用い
る光記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、情報が記録された領域である記録スポット
（マーク）の外周部と内周部とで光学的性質の異なるリ
ング型マ−クを形成することができる記録膜を有する光
記録媒体を用い、情報の記録、再生または消去を行うも
のである。具体的には、レーザ光照射領域の内周部と外
周部の両方が、物理的に異なった状態のリング型マ−ク
が形成される記録膜を持つ光記録媒体に、所定の強度の
レーザ光を連続的に照射し、情報の記録ごとに上記レー
ザ光強度を設定の時間だけ弱くするか、もしくはレーザ
光の強度をゼロにした後、所定の強度のレーザ光にパワ
ーアップする操作を繰り返すことにより情報のオ−バラ
イト（重ね書き）を行うものである。図７に、従来の光
強度変調オ−バライト方式を示す。この記録方法では、
所定の強度のレーザ光を所定の時間照射した場合に、円
形あるいは長円形のマ−クが形成され、そして記録時の
レーザ光の強度よりも小さい設定の強度のレーザ光を所
定の時間照射した時にマ−クが消去される記録膜を設け
た光記録媒体を用いるものである。そしてオ−バライト
は、上記レーザ光の強度の強弱を繰り返すことにより達
成される。一方、本発明の光記録方法においては、所定
の強度のレーザ光を所定の時間照射した時に、マ−クの
外周部の所定の幅だけマ−ク内周部と光学的性質が異な
るリング型マ−クが形成される記録膜を有する光記録媒
体を用いる。ただし、リング型マ−クの外周の部分のみ
に記録される光記録媒体ではなく、レーザ光照射領域の
外周部と内周部の両方が物理的に異なった状態で記録さ
れる記録膜を持つ光記録媒体でなければならない。この
場合、リング型マ−クの外周部と内周部の幅は、レーザ
光の照射領域内の到達温度で定義することができる。す
なわち、図１（ａ）に示すように、室温＜Ｔ₁＜Ｔ₂とい
う条件の２つの到達温度Ｔ₁、Ｔ₂を定義すると、Ｔ₂よ
り温度が高い部分の領域は周囲と同じ物理的状態とな
り、Ｔ₁より高くＴ₂より低い部分のみが周囲と異なった
物理的状態となる。このとき、リング型マーク１３の幅
ｄは、室温＜Ｔ₁＜Ｔ₂の温度分布におけるＴ₂−Ｔ₁の温
度差で表わされる。そして、レーザ光を長時間照射する
と、図１（ｂ）に示すように、長円形の外周部の温度だ
けがＴ₁以上、Ｔ₂以下となるため、長円形の外周部のみ
光学的特性が異なる領域が形成され、この部分に記録さ
れていた以前の情報は消去される。この時、所定の時間
だけレーザ光を切り、再びレーザ光の強度を上げると、
長円形の内部でＴ₁以上、Ｔ₂以下となる部分が現れる。
結局、この位置で新しいリング型マ−クを記録すること
ができ、半リング形の記録領域が形成される。したがっ
て、所定の強度のレーザ光を連続的に照射し、情報を記
録する場合のみレーザ光強度を所定の時間だけ弱くする
か、あるいはレーザ光強度をゼロとすることにより、幅
方向に広く、長さ方向に短い半リング型マ−ク１４でオ
−バライトを行うことができる。また、この場合には高
パワ−のレーザ光を照射しておいて、記録する時のみ短
い時間だけレーザ光のパワ−を弱くするので、半リング
型マ−ク１４記録時の温度分布はほぼ一定となり、熱的
な干渉の影響を受けることなく高密度記録を行うことが
できる。

【０００６】光磁気ディスクにリング型マ−クを記録す
る方法として、記録領域の周囲の磁化からの漏洩磁界を
利用する方法がある。この場合、特に漏洩磁界の大きな
Ｐｔ／Ｃｏ磁性超格子膜を用いることが望ましい。さら
に、光磁気ディスクでリング型マ−クをより確実に記録
するためには、２層以上の膜が交換結合した多層膜を用
いることが好ましい。この多層膜において、例えば、図
３に示すごとく記録膜が、基板側から第１の垂直磁化膜
１０、面内磁化膜１２、第２の垂直磁化膜１１の順序で
積層した３層構造となし、第１の垂直磁化膜１０は適当
な記録パワ−および外部磁界で記録（磁化反転）可能な
磁性膜（記録層）で、第２の垂直磁化膜１１は適当な記
録パワ−および外部磁界では記録不可能な磁性膜（補助
層）とし、かつ面内磁化膜１２は所定の温度以上の温
度で、上記２つの垂直磁化膜１０、１１を磁気的に結合
させるスイッチング層であることが望ましい。上記の３
層構造膜として、第１の垂直磁化膜１０としてはＴｂＦ
ｅＣｏ非晶質磁性膜あるいはＰｔ／Ｃｏ磁性超格子膜
が好ましく、面内磁化膜１２としては酸化物磁性膜ある
いは窒化物磁性膜が好ましく、第２の垂直磁化膜１１と
してはＴｂＣｏ非晶質磁性膜等が挙げられる。また、公
知例である特開平３−１５６７５１号公報に記載の交換
結合４層膜のように、室温よりも高い温度で記録でき、
かつ室温よりも高く記録可能な温度よりも低い温度で消
去が可能な光磁気ディスクにおいても、本発明のリング
型マ−クによるオ−バライトが可能となる。一方、相変
化型光ディスクでは、到達温度の違いによって結晶状態
と非晶質状態とが形成されるので、リング型マ−クの形
成が可能となる。したがって、本発明のリング型マ−ク
によるオ−バライトは、相変化型光ディスクにおいても
同様に行うことができる。

【０００７】

【作用】図２に、漏洩磁界を利用した本発明のリング型
マ−クの記録過程を示す。まず、初期状態〔図２
（ａ）〕においては、記録膜１５の磁化方向はすべて上
を向いているものとする。この記録膜１５にレーザ光を
照射すると、照射領域の温度が上昇し、図２（ｂ）に示
すような温度分布が形成される。このとき、周囲の磁化
からの漏洩磁界１７によって磁化は反転するが、この磁
化反転領域１８は外周部から形成され始める。これは、
外周部ほど漏洩磁界１７が大きいためである。レーザ光
照射領域１９の温度が降下する過程で、図２（ｃ）に示
すごとく、リング型磁化反転領域２０の幅が広がって行
くが、所定の幅となったときに、この領域からの逆向き
の漏洩磁界１７によってリング型マ−クの内周部は、外
周部とは逆向きの磁化反転が起こり、この結果リング型
磁化反転領域２０が形成される。このリング型磁化反転
領域２０の幅は、外部から印加される外部磁界２１の向
きや大きさ、あるいはレーザ光強度の大きさによって調
整することができる。このようなリング型磁化反転領域
（リング型マ−ク）２０が形成される記録膜は、垂直磁
化膜単層であってもよいし、また２層以上であってもよ
いが、特に漏洩磁界１７の大きなＰｔ／Ｃｏ磁性超格子
膜が望ましい。光磁気ディスクにおいて、リング型マ−
クをより確実に記録するためには、２層以上の磁性膜が
交換結合した多層膜を用いる。このうち、特に望ましい
３層膜におけるリング型マ−クの記録過程を図３に示
す。３層膜の構成は、基板側から順に第１の垂直磁化膜
１０、面内磁化膜１２、第２の垂直磁化膜１１を順次積
層する。第１の垂直磁化膜１０は、適当な記録パワ−お
よび外部磁界で記録（磁化反転）可能な磁性膜（記録
層）であり、第２の垂直磁化膜１１は、適当な記録パワ
−および外部磁界では記録不可能な磁性膜（補助層）で
あり、中間の面内磁化膜１２は、所定の温度以上で上記
の垂直磁化膜１０、１１を磁気的に結合させるスイッチ
ング層である。この場合、各磁性膜における磁化反転温
度を、第１の垂直磁化膜１０ではＴ₁、面内磁化膜１２
ではＴｍ、第２の垂直磁化膜１１ではＴ₂とすると、Ｔ
ｍ≦Ｔ₁≦Ｔ₂となるような磁性膜を選択する。図３
（ａ）に示す初期状態では、２つの垂直磁化膜１０、１
１の磁化方向１６はすべて上を向いているものとする。
この３層膜に、レーザ光を照射すると照射領域の温度は
上昇するが、まず始めに面内磁化膜１２の温度ＴがＴｍ
以上となり、２つの垂直磁化膜１０、１１からの交換結
合力と外部磁界２１（下向き）との和が面内磁化膜１２
の異方性磁界よりも大きくなったとき、面内磁化膜１２
の磁化方向１６は垂直に向く〔図３（ｂ）〕。ただし、
オ−バライトの場合には、第１の垂直磁化膜１０の磁化
方向１６は下を向いていることもあるので、第２の垂直
磁化膜１１から面内磁化膜１２に働く交換結合力の方
が、第１の垂直磁化膜１０から働く交換結合力よりも大
きくなければならない。さらに温度が上昇すると、第１
の垂直磁化膜１０の温度ＴがＴ₁よりも大きくなり、磁
化方向１６が外部磁界２１の方向を向く〔図３
（ｃ）〕。この時、磁化方向１６が垂直を向いている面
内磁化膜１２の領域と結合している第１の垂直磁化膜１
０の部分は、交換結合力によって上向きのままであるた
め、リング型磁化反転領域２０が形成される。以上の昇
温過程では、第２の垂直磁化膜１１の温度ＴはＴ₂より
も低いため、第２の垂直磁化膜１１の磁化方向１６が
反転することはない。また、図３（ｃ）に示すようなリ
ング型磁化反転領域２０を形成させるためには、第１の
垂直磁化膜１０における熱の広がりが、面内磁化膜１２
における熱の広がりよりも大きくならなければならな
い。このため、面内磁化膜１２には、その熱伝導率が
２つの垂直磁化膜１０、１１よりも１桁程度小さい酸化
物もしくは窒化物からなる磁性膜を用いることが望まし
い。図３（ｃ）の状態から温度が下がると、まず第１の
垂直磁化膜１０の温度ＴがＴ₁以下となり、リング型の
磁区（リング型磁化反転領域２０）が固定される〔図３
（ｄ）〕。この時、面内磁化膜１２の温度ＴはＴｍ以上
であるため、磁化方向１６は上方を向いたままである。
さらに温度が下がり室温の状態〔図３（ｅ）〕では、面
内磁化膜１２の異方性磁界が、交換結合力と外部磁界の
和よりも大きくなるため、垂直磁化の部分は面内方向に
戻る。以上のようにして、第１の垂直磁化膜１０のみに
リング型の記録マ−クが形成される。このような３層構
造で、リング型マ−ク（リング型磁化反転領域２０）を
記録するのに適した磁性膜として、第１の垂直磁化膜１
０には、ＴｂＦｅＣｏ非晶質磁性膜あるいはＰｔ／Ｃｏ
磁性超格子膜が好ましく、第２の垂直磁化膜１１には、
ＴｂＣｏ非晶質磁性膜が好ましい。また、相変化型光デ
ィスクにおいては、到達温度の違いによって記録膜に結
晶化領域と非晶質領域とが形成されるためリング型マ−
クの記録が可能となる。図４に、相変化型ディスクにお
けるリング型マ−クの記録過程を示す。初期状態〔図４
（ａ）〕では記録膜１５は非晶質状態である。この記録
膜１５にレーザ光を照射すると、照射領域の温度が上昇
し、図４（ｂ）に示すような温度分布が形成される。す
なわち、融点を超えた部分（内周部）は、冷却後、非晶
質状態となり、結晶化温度は超えるが融点までに達しな
い部分は、冷却後、結晶化領域２２となる。この結果、
最終状態〔図４（ｃ）〕では、外周部で結晶状態、内周
部で非晶質状態というリング型結晶化領域（リング型マ
−ク）２５が形成される。そして、上記リングの幅は、
照射するレーザ光強度の大きさを制御することによって
調整することができる。

【０００８】

【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。図５は、本実施例において作製
した光磁気ディスクの断面構造の一例を示す模式図であ
る。図において、ＵＶ樹脂層２により１．２μｍピッチ
の案内溝９を設けたガラス基板１上に、ＳｉＮ膜３、Ｐ
ｔ／Ｃｏ超格子膜４、ＣｏＯ膜５、ＴｂＣｏ膜６、Ｓｉ
Ｎ膜７、Ａｌ膜８の順に積層し、光磁気ディスクを作製
した。なお、Ｐｔ／Ｃｏ超格子膜４は、０．８ｎｍ厚さ
のＰｔ層と、０．３ｎｍ厚さのＣｏ層を交互に積層した
もので、全膜厚を１５ｎｍとした。この光磁気ディスク
の磁性膜の磁化方向が、同一方向となるようにマグネッ
トで初期化した後、レ−ザパワ−６ｍＷ（波長６８０ｎ
ｍ）、パルス幅４０ｎsecの単一の光パルスでマ−クを
記録した。ディスク回転数は１８００ｒｐｍ、記録半径
位置は４５ｍｍである。形成された記録マ−クは、外周
部の磁化が周囲の磁化と反対方向に向いたリング型マー
クとなり、リングの直径（最外周）Ｄは０．８μｍ、リ
ングの幅ｗは０．２μｍであった。次に、図６（ａ）に
示すような、最高パワ−６ｍＷ、最小パワ−１．５ｍ
Ｗ、パルス幅４０ｎsec、パルス間隔３１ｎsecの連続し
た光パルス２６（記録周波数１４．１ＭＨｚ）で記録を
行ったところ、図６（ｂ）に示すように、リング幅ｗ
０．２μｍの半リング型マ−ク列２７を、０．６μｍの
ピッチｐで連続して記録することができた。この連続し
た半リング型マ−ク列２７を、波長４８８ｎｍのＡｒレ
−ザ光で再生したときのＣ／Ｎ比は４０ｄＢ（デシベ
ル）であった。さらに、上記の半リング型マ−ク列２７
の上に、図６（ｃ）に示すごとく、最高パワ−６ｍＷ、
最小パワ−１．５ｍＷ、パルス幅１１２ｎsec、パルス
間隔３１ｎsecの連続した光パルス２８（記録周波数
７．０ＭＨｚ）を用いてオ−バライト（重ね書き）を行
ったところ、図６（ｄ）に示すようなリング幅ｗ０．２
μｍの半リング型マ−ク列２９を、１．２μｍのピッチ
ｐで記録することができた。このときのＣ／Ｎは４５ｄ
Ｂであり、また、消し残りは−３０ｄＢ以下であった。
したがって、本発明の光磁気記録媒体を用いることによ
り、光強度変調記録によりディスク径方向に幅の広い半
リング型のマ−クを形成することが可能となり、十分に
大きなＳ／Ｎ比を確保したままで記録密度を著しく向上
させることができる。しかも、オ−バライトが可能であ
るため記録の高速化がはかられる。本実施例で例示した
光強度変調記録方式は、記録膜が上述の３層膜以外で、
適度に反磁界の大きい単層膜であっても上記と同様に本
発明に適用することができる。この場合には、記録時の
漏洩磁界により、リング型のマ−クを形成することにな
る。また、相変化型の光ディスクにおいては、光照射領
域の中心付近（高温部分）に非晶質領域、周囲に結晶化
領域が形成されるため、上記と同様にリング型マ−クに
よるオ−バライトが可能となる。このように、光磁気デ
ィスク、相変化型ディスクに係らず、高温で記録し、低
温（室温より高い温度）で消去が可能な光記録媒体であ
れば、本発明のリング型マ−クによる高密度のオ−バラ
イトを実現することができる。

【０００９】

【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の高
密度光記録方法によれば、光強度変調による記録方式を
用いて、長さよりも幅の方向が広い記録マ−クを熱的な
干渉の影響を受けずに記録することができるため、十分
に大きなＳ／Ｎ比を確保したままで線方向における記録
密度を一段と向上させることができる。しかも、高密度
オ−バライトが可能であるため記録の高速化をはかるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光強度変調オ−バライトの一例を示す
模式図。

【図２】本発明の光磁気ディスクにおける漏洩磁界を用
いたリング型マ−クの記録過程の一例を示す模式図。

【図３】本発明の交換結合３層膜を用いた光磁気ディス
クにおけるリング型マ−クの記録過程の一例を示す模式
図。

【図４】本発明の相変化型光ディスクにおけるリング型
マ−クの記録過程の一例を示す模式図。

【図５】本発明の実施例で作製した光磁気ディスクの断
面構造を示す模式図。

【図６】本発明の実施例で作製した光磁気ディスクを用
い光強度変調オ−バライトを行った場合の記録光パルス
と記録マ−クを示す模式図。

【図７】従来の光強度変調オ−バライト方式における記
録光パルスと記録マ−クを示す模式図。

【符号の説明】

１…ガラス基板２…ＵＶ樹脂層３…ＳｉＮ膜４…Ｐｔ／Ｃｏ超格子膜５…ＣｏＯ膜６…ＴｂＣｏ膜７…ＳｉＮ膜８…Ａｌ膜９…案内溝１０…第１の垂直磁化膜１１…第２の垂直磁化膜１２…面内磁化膜１３…リング型マーク１４…半リング型マーク１５…記録膜１６…磁化方向１７…漏洩磁界１８…磁化反転領域１９…レーザ光照射領域２０…リング型磁化反転領域２１…外部磁界２２…結晶化領域２３…非晶質領域２４…非晶質状態２５…リング型結晶化領域２６…光パルス２７…半リング型マーク列２８…光パルス２９…半リング型マーク列

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 11/10 Ｚ 9075−5Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の基板上に記録膜を設け、該記録膜は
情報の記録領域の外周部と内周部とで光学的性質の異な
るリング型マ−クを形成する特性を持つ光記録媒体を用
い、レーザ光を照射して情報の記録、再生もしくは消去
を行う方法において、所定の強度のレ−ザ光を連続的に
照射し、情報の記録ごとに上記レーザ光の強度を設定の
時間だけ弱くするか、もしくはレーザ光の強度をゼロに
した後、所定の強度のレーザ光にパワーアップする操作
を繰り返すことにより情報の重ね書きを行うことを特徴
とする高密度光記録方法。
【請求項２】請求項１記載の光記録媒体は、情報の記録
領域の外周部と内周部とで光学的性質の異なるリング型
マ−クを形成する記録膜を有することを特徴とする光記
録媒体。
【請求項３】請求項２記載の光記録媒体は光磁気ディス
クであり、該光磁気ディスクの記録膜は、膜面に垂直方
向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜からなり、情報の記
録領域の周囲の磁化からの漏洩磁界を利用して、記録領
域の外周部と内周部とで磁化の向きが異なるリング型マ
−クを形成し、カー効果を利用して情報を再生する記録
膜を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】請求項３において、光磁気ディスクの記録
膜を構成する垂直磁化膜は、Ｐｔ／Ｃｏ磁性超格子膜か
らなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】請求項３または請求項４において、光磁気
ディスクの記録膜は、基板側から第１の垂直磁化膜、面
内磁化膜、第２の垂直磁化膜の順に積層した３層構造か
らなり、上記第１の垂直磁化膜は、所定の記録パワーお
よび外部磁界により磁化反転して記録される磁性膜であ
り、上記第２の垂直磁化膜は、所定の記録パワーおよび
外部磁界では記録が不可能な磁性膜であり、上記面内磁
化膜は、所定の温度以上の温度で、上記第１および第２
の垂直磁化膜を磁気的に結合させるスイッチング層であ
ることを特徴とする光記録媒体。
【請求項６】請求項５において、第１の垂直磁化膜は、
ＴｂＦｅＣｏ非晶質磁性膜もしくはＰｔ／Ｃｏ磁性超格
子膜からなり、面内磁化膜は、酸化物磁性膜もしくは窒
化物磁性膜からなり、第２の垂直磁化膜は、ＴｂＣｏ非
晶質磁性膜からなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項７】請求項２記載の光記録媒体は光ディスクで
あり、該光ディスクは、室温よりも高い温度で情報の記
録が可能であり、かつ室温以上、情報の記録が可能な温
度よりも低い温度範囲で消去が可能な記録膜を有するこ
とを特徴とする光記録媒体。
【請求項８】請求項７において、光ディスクは相変化型
光ディスクであり、情報の記録領域の外周部が結晶状
態、内周部が非晶質状態であるリング型マ−クを記録
し、結晶状態と非晶質状態との反射率の違いを利用して
情報を再生する記録膜を有することを特徴とする光記録
媒体。