JPH06110010A - 光学装置 - Google Patents

光学装置

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JPH06110010A
JPH06110010A JP4259706A JP25970692A JPH06110010A JP H06110010 A JPH06110010 A JP H06110010A JP 4259706 A JP4259706 A JP 4259706A JP 25970692 A JP25970692 A JP 25970692A JP H06110010 A JPH06110010 A JP H06110010A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明はレ−ザ光の強度分布をカライドス
コ−プで均一化する場合、集束されたレ−ザ光にエアブ
レ−クダウンが生じるのを防止した光学装置を提供する
ことにある。 【構成】 レ−ザ光を入射レンズ13で集束してカライ
ドスコ−プ11に入射させ、このカライドスコ−プから
出射したレ−ザ光を結像レンズ14で集束する光学装置
において、上記カライドスコ−プの入射側に、上記レ−
ザ光を複数に分割するプリズム12を設けたことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はカライドスコ−プを用
いてレ−ザ光の強度分布を均一化させるための光学装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】レ−ザ光を用いた応用の1つに、薄膜の
パタ−ニングという分野がある。具体的な応用例として
ポリマ−のアブレ−ション、配線層または絶縁層のCV
D、アモルファスシリコンのアニ−ルなどがある。ま
た、医用の分野として皮膚のあざを除去する応用例など
がある。
【0003】これらの薄膜に対してレ−ザ光を照射する
場合、レ−ザ光によって材料表面を均一に照射加熱した
いという要望が多い。これは、たとえば除去深さを一定
にしたい場合や堆積した膜の厚さを一定にしたい場合に
要求される。
【0004】レ−ザ光によって材料を均一に照射加熱す
るためには、ビ−ムの強度分布を均一化させる必要があ
り、その場合フライアイレンズを用いたり、カライドス
コ−プを用いることが行われる。前者に比べて後者の場
合は光学系の小形化が可能であったり、シャ−プなパタ
−ンが得られるなどのメリットがあり、医用などの一部
の分野で実用化されている。
【0005】図8と図9はカライドスコ−プ1を用いた
従来の光学装置を示す。すなわち、四角筒状をなした上
記カライドスコ−プ1の入射側には入射レンズ2が配置
され、出射側には結像レンズ3が配置されている。レ−
ザ光Lは上記入射レンズ2で集束されてカライドスコ−
プ1に入射し、その内面で反射を繰り返し、強度分布が
均一化されて出射する。カライドスコ−プ1から出射し
たレ−ザ光Lは、結像レンズ3で矩形状のスポットSに
集束されて薄膜などを均一に照射加熱することになる。
【0006】ところで、皮膚のあざを取るために用いら
れるQスイッチルビ−レ−ザはピ−クパワ−が非常に高
いレ−ザ光Lである。そのため、レ−ザ光Lをカライド
スコ−プ1に入射させようとすると、上記入射レンズ2
の焦点位置である、カライドスコ−プ1に入射端面で図
9にBで示すエアブレ−クダウン(放電状態)の発生を
招く。エアブレ−クダウンの発生によって、レ−ザ光の
エネルギが空気に吸収されるから、加工点におけるレ−
ザ光のパワ−密度が減少し、あざの除去が十分に行われ
なくなるということが生じる。
【0007】レ−ザ光のパワ−密度を減少させずに、エ
アブレ−クダウンの発生を防止するためには、集光スポ
ット径を大きくすればよい。集光スポット径をd、入射
レンズ2の焦点距離をf、レ−ザ光Lの拡がり角をθと
すると、 d=f・θ
【0008】で近似的に表せる。したがって、集光スポ
ット径dを大きくするには、入射レンズ2の焦点距離f
を長くすればよい。しかしながら、入射レンズ2の焦点
距離fを長くすると、カライドスコ−プ1も長くする必
要が生じるから、光学装置全体が大型化することにな
り、カライドスコ−プ1を用いた利点が損なわれた光学
系となってしまう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、カライド
スコ−プを用いてレ−ザ光のビ−ム強度の均一化を計る
場合、入射レンズの焦点位置でエアブレ−クダウンが生
じてパワ−密度の低下を招くことがあり、それを防止す
るためにカライドスコ−プの入射側におけるレ−ザ光の
スポット径を大きくすると、カライドスコ−プを長くし
なければならないから、装置の大型化を招くことにな
る。
【0010】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、装置を大型化させること
なく、エアブレ−クダウンによるレ−ザ光のパワ−密度
の低下を防止できるようにした光学装置を提供すること
にある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に第1の発明は、レ−ザ光を入射レンズで集束してカラ
イドスコ−プに入射させ、このカライドスコ−プから出
射したレ−ザ光を結像レンズで集束する光学装置におい
て、上記カライドスコ−プの入射側に、上記レ−ザ光を
複数に分割する分割光学系を設けたことを特徴とする。
【0012】第2の発明は、レ−ザ光をカライドスコ−
プに入射させ、このカライドスコ−プから出射したレ−
ザ光を結像レンズで集束する光学装置において、上記カ
ライドスコ−プの入射側には、焦点距離が同じ複数のレ
ンズ部が一体的に形成されたレンズが配設されてること
を特徴とする。
【0013】第3の発明は、レ−ザ光を入射レンズで集
束してカライドスコ−プに入射させ、このカライドスコ
−プから出射したレ−ザ光を結像レンズで集束する光学
装置において、上記カライドスコ−プを保持する第1の
保持部と、この第1の保持部の一端側に形成され上記入
射レンズを保持する第2の保持部と、上記第1の保持部
の他端側に形成され上記結像レンズを保持する第3の保
持部とが形成されたホルダを有し、少なくとも上記第2
の保持部は減圧状態に維持されることを特徴とする。
【0014】
【作用】上記第1、第2の発明によれば、レ−ザ光が複
数に分割されてカライドスコ−プに入射するから、分割
された各レ−ザ光のパワ−密度をエアブレ−クダウンが
生じる閾値よりも小さくできる。
【0015】上記第3の発明によれば、レ−ザ光は減圧
された第2の保持部内で集光されるから、レ−ザ光を大
気圧中で集束する場合に比べてエアブレ−クダウンが生
じるパワ−密度の閾値を大きくできる。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
【0017】図1に示すこの発明の第1の実施例は角筒
状をなしたカライドスコ−プ11を有する。このカライ
ドスコ−プ11には、たとえばQスイッチルビ−レ−ザ
などから出力されたピ−クパワ−の高いレ−ザ光Lが分
割光学系としてのプリズム12と入射レンズ13を順次
透過して入射する。この入射レンズ13は、その焦点位
置を上記カライドスコ−プ11の一端面(入射端面)に
一致させて配置されている。
【0018】上記プリズム12は図2に示すように角度
θで傾斜した4つの斜面12a〜12dを有する四角錐
状をなしていて、その頂点を上記レ−ザ光の光軸に一致
させ、かつ各斜面がレ−ザ光Lの光軸と直交する平面に
対して同じ角度で傾斜するよう配置されている。
【0019】上記レ−ザ光Lは、上記プリズム12の各
斜面12a〜12dに入射することで、それぞれの斜面
の傾斜角度θに応じて曲げられるから、斜面12a〜1
2dの数に応じて4つに分割される。分割された各レ−
ザ光Lは入射レンズ13によって同じ平面上の異なる位
置、つまりレ−ザ光Lの光軸と直交する平面上におい
て、上記光軸から距離Ln だけ離れた位置である、上記
カライドスコ−プ11の入射端面に集束される。つま
り、カライドスコ−プ11の入射端面には4つのスポッ
トS1 〜S4 が結像される。
【0020】上記レ−ザ光Lが各斜面により曲げられる
角度をθn 、入射レンズ13の焦点距離をfとすると、
分割された各レ−ザ光Lが光軸と直交する方向に偏倚す
る上記距離Ln は、 Ln =f・θn
【0021】となる。したがって、上記距離Ln がカラ
イドスコ−プ11の入射面から外れないよう、上記プリ
ズム12の斜面12a〜12dの傾斜角度を設定すれ
ば、このプリズム12によって分割された4つのレ−ザ
光Lを、上記カライドスコ−プ11に入射させることが
できる。
【0022】上記カライドスコ−プ11に入射したレ−
ザ光Lは、その内面で反射を繰り返して強度分布が均一
化された状態で他端面から出射する。カライドスコ−プ
11から出射したレ−ザ光Lは結像レンズ14で矩形状
のスポットSに結像され、たとえば皮膚のあざなどを照
射する。
【0023】上記構成の光学装置によれば、カライドス
コ−プ11に入射するレ−ザ光Lは、プリズム12の各
斜面12a〜12dによって4つに分割されてから入射
レンズ13で集束される。そのため、集束されたレ−ザ
光Lの各スポットS1 〜S4におけるパワ−密度は、レ
−ザ光Lを分割せずに集束した場合の4分の1となる。
図2(a)はこの発明により、レ−ザ光Lのパワ−密度
が4分の1になった状態を示し、同図(b)は従来のパ
ワ−密度を示す。
【0024】たとえば、エアブレ−クダウンが生じるレ
−ザ光Lのパワ−密度が、レ−ザ光Lを分割せずに集束
した場合のパワ−密度の約半分程度であるとするなら
ば、4つに分割されて集束された各レ−ザ光Lの焦点に
おけるパワ−密度はエアブレ−クダウンが生じる閾値以
下となる。したがって、レ−ザ光Lのパワ−密度が高い
場合であっても、レ−ザ光Lを複数に分割することで、
エアブレ−クダウンを生じさせることなく、ビ−ム強度
の均一化を計ることができる。
【0025】レ−ザ光Lを4つに分割しても、分割され
た各レ−ザ光のパワ−密度がエアブレ−クダウンを生じ
る閾値よりも小さくならない場合には、レ−ザ光Lを5
つ以上に分割すればよい。つまり、プリズム12として
5つ以上の斜面が形成されたものを用いて上記レ−ザ光
Lを分割すれば、エアブレ−クダウンの発生を防止する
ことができる。
【0026】図3と図4はこの発明の第2の実施例を示
す。図3は全体の構成図で、図4は分割光学系としての
レンズ16の平面図である。つまり、この実施例は、同
じ焦点距離を持つ複数、たとえば4つのレンズ部16a
が周方向に一体的に結合された上記レンズ16をカライ
ドスコ−プ11の入射側に配置した構成となっている。
レンズ16はレ−ザ光Lの分割と集束とを行うから、こ
のレンズ16を用いることで、上記第1の実施例に示さ
れたプリズム12と入射レンズ13とに代えることがで
きる。
【0027】このような構成によれば、レ−ザ光Lをレ
ンズ部16aの数に応じて分割して集束し、上記カライ
ドスコ−プに入射させることができる。つまり、このレ
ンズ16を用いれば、上記第1の実施例と同様、レ−ザ
光Lを複数に分割してエアブレ−クダウンの発生を防止
することができるばかりか、第1の実施例のプリズム1
2と入射レンズ13との2つの光学部品を1つの光学部
品に代えることができるから、光学系の小形化を図るこ
とができる。
【0028】なお、図5に示すようにレンズ16Bとし
ては、複数のレンズ部16bが並列に結合された構成で
あってもよく、要は入射するレ−ザ光Lを複数に分割し
て集束することができる構成であればよい。
【0029】図6はこの発明の第3の実施例を示す。な
お、上記第1の実施例と同一の部分には同一記号を付し
て説明を省略する。この第3の実施例に示された光学装
置はホルダ21を備えている。このホルダ21はその軸
方向中途部にカライドスコ−プ11が収容された第1の
保持部22が形成されている。この第1の保持部22に
収容されたカライドスコ−プ11は、上記ホルダ21の
径方向に沿って形成されたねじ孔23から螺合された止
めねじ24によって固定されている。上記ねじ孔23の
開放端は封止ねじ25によって気密に封止されている。
【0030】上記ホルダ21の一端側には、上記第1の
保持部22に比べて大径な第2の保持部26が端面に開
放して形成されている。この第2の保持部26の内周部
には段部27が形成されている。この段部27には入射
レンズ13がOリング28を介して気密に載置されてい
る。この入射レンズ13は固定リング29によって保持
固定されている。それによって、上記第2の保持部26
は気密に閉塞されている。
【0031】上記ホルダ21の他端側には、上記第2の
保持部26とほぼ同径の第3の保持部31が端面に開放
して形成されている。この第3の保持部31の内周部に
は段部32が形成されている。この段部32には結像レ
ンズ14がOリング33を介して気密に接合され、固定
リング34によって保持固定されている。それによっ
て、上記第3の保持部31も気密に閉塞されている。
【0032】上記ホルダ21には、上記第2の保持部2
6に一端が連通する排気通路35が形成されている。こ
の排気通路35の他端には排気ポンプ36がチュ−ブ3
7を介して接続されている。したがって、排気ポンプ3
6が作動すれば、第2の保持部26およびこの第2の保
持部26に連通した第1、第3の保持部22、31を減
圧することができる。
【0033】図7は各種気体の圧力と、エアブレ−クダ
ウンが生じるレ−ザ光Lのパワ−密度の閾値との関係を
示す。この図から分かるように、いずれの気体において
も、圧力が低下すればエアブレ−クダウンを起こすレ−
ザ光Lのパワ−密度が高くなる。第2の収容部26の雰
囲気ガスである、空気に最も近い窒素(N2 )のパワ−
密度の場合、大気圧から10Torr程度まで圧力を下げる
ことで、エアブレ−クダウンが発生する閾値を約10倍
に高めることができる。
【0034】したがって、図5に示す構成の光学装置に
おいて、排気ポンプ36を作動させてホルダ21の第1
乃至第3の保持部22、26、31の内部圧力を低減さ
せれば、入射レンズ13でカライドスコ−プ11の入射
端面に集束されたレ−ザ光Lがエアブレ−クダウンを生
じる閾値を十分に高くすることができる。
【0035】この第3の実施例において、ホルダがその
内部空間を一度減圧したならば、その減圧状態を維持で
きる気密構造となっていれば、排気ポンプをホルダから
取り外して使用することができる。
【0036】なお、上記各実施例では角筒状のカライド
スコ−プを用いた場合について説明したが、カライドス
コ−プは角柱状であってもよい。その場合、第1の実施
例に示された構成によれば、カライドスコ−プの入射端
面における分割された各レ−ザ光のパワ−密度が低下す
ることで、カライドスコ−プの入射端面が溶融されるの
を防止できる。
【0037】また、第2の実施例においても、エアブレ
−クダウンによるプラズマ状態の発生を防止できるか
ら、カライドスコ−プの入射端面がプラズマの高熱に晒
されて溶融するのを防止できる。
【0038】
【発明の効果】以上述べたように請求項1と請求項3と
に記載されたこの発明によれば、レ−ザ光を分割光学手
段によって複数に分割して集束したのち、カライドスコ
−プに入射さて、強度分布を均一化するようにした。そ
のため、分割されて集束された各レ−ザ光の焦点位置に
おけるパワ−密度を十分に低下させることができるか
ら、上記焦点位置においてレ−ザ光がエアブレ−クダウ
ンが生じるのを防止することができる。
【0039】請求項4に記載されたこの発明によれば、
レ−ザ光を減圧された空間部で集束するようにしたか
ら、エアブレ−クダウンが発生するレ−ザ光のパワ−密
度の閾値を上昇させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す構成図。
【図2】(a)はこの発明のプリズムを用いた場合のパ
ワ−密度の低減状態の説明図、(b)は従来のパワ−密
度の説明図。
【図3】この発明の第2の実施例を示す構成図。
【図4】同じくレンズの平面図。
【図5】第2の実施例に用いられるレンズの変形例の平
面図。
【図6】この発明の第3の実施例を示す構成図。
【図7】各種気体の圧力とエアブレ−クダウンが生じる
パワ−密度の閾値との関係の説明図。
【図8】従来の装置の斜視図。
【図9】同じくエアブレ−クダウンが生じる状態を示す
装置の側面図。
【符号の説明】
11…カライドスコ−プ、12…プリズム(分割光学
系)、13…入射レンズ、14…結像レンズ、16、1
6B…レンズ、23…第1の保持部、26…第2の保持
部、31…第3の保持部、36…排気ポンプ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レ−ザ光を入射レンズで集束してカライ
    ドスコ−プに入射させ、このカライドスコ−プから出射
    したレ−ザ光を結像レンズで集束する光学装置におい
    て、上記カライドスコ−プの入射側に、上記レ−ザ光を
    複数に分割する分割光学系を設けたことを特徴とする光
    学装置。
  2. 【請求項2】 上記分割光学系は、レ−ザ光の光軸と直
    交する平面に対して同じ角度で傾斜した複数の傾斜面を
    有するプリズムからなることを特徴とする請求項1に記
    載の光学装置。
  3. 【請求項3】 レ−ザ光をカライドスコ−プに入射さ
    せ、このカライドスコ−プから出射したレ−ザ光を結像
    レンズで集束する光学装置において、上記カライドスコ
    −プの入射側には、焦点距離が同じ複数のレンズ部が一
    体的に形成されたレンズが配設されてることを特徴とす
    る光学装置。
  4. 【請求項4】 レ−ザ光を入射レンズで集束してカライ
    ドスコ−プに入射させ、このカライドスコ−プから出射
    したレ−ザ光を結像レンズで集束する光学装置におい
    て、上記カライドスコ−プを保持する第1の保持部と、
    この第1の保持部の一端側に形成され上記入射レンズを
    保持する第2の保持部と、上記第1の保持部の他端側に
    形成され上記結像レンズを保持する第3の保持部とが形
    成されたホルダを有し、少なくとも上記第2の保持部は
    減圧状態に維持されることを特徴とする光学装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072565A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ビームホモジナイザおよびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
CN1305631C (zh) * 2003-08-21 2007-03-21 莱斯特加工技术公司 同时加热材料的方法和装置
JP2009125779A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Tdk Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法およびコイル部品の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4561458B2 (ja) * 2005-04-22 2010-10-13 澁谷工業株式会社 レーザ光成形装置とそれを用いた治療装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5852616A (ja) * 1981-09-25 1983-03-28 Yasuki Kiyohara ビ−ムイクスパンダ−装置
JPS63192584A (ja) * 1987-02-05 1988-08-09 Toshiba Corp レ−ザマ−キング用マスク
JPS63124212U (ja) * 1987-02-06 1988-08-12
JPH0498214A (ja) * 1990-08-17 1992-03-30 Topcon Corp レーザ光の照射装置
JPH0460381U (ja) * 1990-10-01 1992-05-25
JPH052119A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Nec Corp レーザ光分配器
JPH05329675A (ja) * 1992-05-27 1993-12-14 Hoya Corp レーザ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5852616A (ja) * 1981-09-25 1983-03-28 Yasuki Kiyohara ビ−ムイクスパンダ−装置
JPS63192584A (ja) * 1987-02-05 1988-08-09 Toshiba Corp レ−ザマ−キング用マスク
JPS63124212U (ja) * 1987-02-06 1988-08-12
JPH0498214A (ja) * 1990-08-17 1992-03-30 Topcon Corp レーザ光の照射装置
JPH0460381U (ja) * 1990-10-01 1992-05-25
JPH052119A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Nec Corp レーザ光分配器
JPH05329675A (ja) * 1992-05-27 1993-12-14 Hoya Corp レーザ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072565A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ビームホモジナイザおよびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
CN1305631C (zh) * 2003-08-21 2007-03-21 莱斯特加工技术公司 同时加热材料的方法和装置
JP2009125779A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Tdk Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法およびコイル部品の製造方法

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