RU2063097C1 - Лазер - Google Patents
Лазер Download PDFInfo
- Publication number
- RU2063097C1 RU2063097C1 RU94009942A RU94009942A RU2063097C1 RU 2063097 C1 RU2063097 C1 RU 2063097C1 RU 94009942 A RU94009942 A RU 94009942A RU 94009942 A RU94009942 A RU 94009942A RU 2063097 C1 RU2063097 C1 RU 2063097C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser
- lens
- target
- radiation
- semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в спектроскопии, светосигнальных системах, а также в других устройствах, в которых необходима одновременная генерация лазерного излучения на нескольких длинах волн с разнесением в пространстве зон излучения и формирование их необходимой геометрии и угловой расходимости. Сущность изобретения: лазер содержит вакуумированную стеклянную колбу. В колбе расположены катод, электронно-оптическая система, лазерная мишень, тубус и собирающая линза. Лазерная мишень выполнена в виде полупроводниковых пластин, прикрепленных к полупрозрачной основе. Пластины выполнены из различных полупроводниковых материалов. 3 з. п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в спектроскопии, светосигнальных системах и системах экологического мониторинга, а также в других устройствах, в которых необходима одновременная генерация лазерного излучения на нескольких длинах волн с разнесением в пространстве зон излучения и формирование их необходимой геометрии и угловой расходимости.
Для этих целей можно использовать полупроводниковые лазеры, причем предпочтительнее полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением, что связано со значительно большей мощностью излучения в импульсе и высоким к.п. д.
Полупроводниковый лазер с электронной накачкой представляет собой стеклянную вакуумированную колбу, в которой размещены катод, электронно-оптическая система, лазерная мишень, преимущественно в виде круглой тонкой полупроводниковой пластины, закрепленной на полупрозрачной основе (Басов Н. Г. и др. ОКГ на CdS с возбуждением быстрыми электронами. ЖЭТФ, 1986, N 47, стр. 1964). Недостатком данной конструкции следует признать, применительно к вышеуказанным областям техники, способность генерировать оптическое излучение только на одной длине волны, а также значительную расходимость излучения.
Технической задачей, решаемой посредством настоящего изобретения, является разработка конструкции полупроводникового лазера, способного одновременно генерировать не менее двух пучков оптического излучения с различными длинами волн с заданными расходимостями каждого пучка, которые определяются геометрией полупроводниковых пластин и фокусным расстоянием линзы. При этом оптический пучок каждого цвета не пересекается с другими.
Поставленная задача решается использованием конструкции, представляющей собой вакуумированную стеклянную колбу, в которой размещены катод, электронно-оптическая система и лазерная мишень, содержащая не менее двух пластин полупроводниковых материалов, прикрепленных к полупрозрачной основе и эмитирующих оптическое излучение на различных длинах волн; между лазерной мишенью и стеклянной колбой в тубусе установлена собирающая линза, причем лазерная мишень расположена на фокусном расстоянии от линзы, и диаметр линзы удовлетворяет соотношению
2Ftga/2≅D,
где F фокусное расстояние линзы, мм;
D диаметр линзы, мм;
а расходимость лазерного излучения по уровню е-а на выходе мишени.
2Ftga/2≅D,
где F фокусное расстояние линзы, мм;
D диаметр линзы, мм;
а расходимость лазерного излучения по уровню е-а на выходе мишени.
Преимущественно полупроводниковые пластины выполнены из твер- дых растворов CdSxSe1-х, GalnP или GalnPAs. Пластины преимуществен- но имеют прямоугольную форму и толщину в несколько десятков микрон.
Обоснуем важность введенных в формулу изобретения признаков. Использование устройства должно обеспечить формирование не менее двух пучков оптического излучения, отличающихся по длине волны и не пересекающихся в пространстве.
Использование прикрепленных на одной полупрозрачной основе не менее двух пластин полупроводниковых материалов, способных эмитировать оптическое излучение с различными длинами волн, обеспечивает получение не менее двух пучков оптического излучения с различной длиной волны, а использование собирающей линзы, расположенной на фокусном расстоянии от лазерной мишени и имеющей удовлетворяющий вышеприведенное соотношение диаметр, позволяет получить требуемые геометрические характеристики каждого пучка оптического излучения и разделить их в пространстве.
Изобретение отличается от ближайшего аналога тем, что:
а) устройство дополнительно содержит линзу;
б) устройство дополнительно содержит тубус;
в) линза закреплена в тубусе;
г) линза расположена на фокусном расстоянии от лазерной мишени;
д) диаметр линзы удовлетворяет соотношению
D≥2Ftga/2;
е) лазерная мишень выполнена не менее чем из двух пластин различных полупроводниковых материалов;
ж) полупроводниковые материалы, использованные в мишени, эмитируют оптическое излучение с различными длинами волн;
з) преимущественно использованы полупроводниковые материалы на основе твердых растворов;
и) преимущественно используют полупроводниковые пластины прямоугольной формы.
а) устройство дополнительно содержит линзу;
б) устройство дополнительно содержит тубус;
в) линза закреплена в тубусе;
г) линза расположена на фокусном расстоянии от лазерной мишени;
д) диаметр линзы удовлетворяет соотношению
D≥2Ftga/2;
е) лазерная мишень выполнена не менее чем из двух пластин различных полупроводниковых материалов;
ж) полупроводниковые материалы, использованные в мишени, эмитируют оптическое излучение с различными длинами волн;
з) преимущественно использованы полупроводниковые материалы на основе твердых растворов;
и) преимущественно используют полупроводниковые пластины прямоугольной формы.
Изобретение иллюстрировано чертежом,где приняты следующие обозначения: катод 1; электронно-оптическая система 2; лазерная мишень 3, составленная из нескольких полупроводниковых пластин 4 и полупрозрачного основания 5; стеклянная колба 6; линза 7; тубус 8.
В качестве материала для полупрозрачного основания может быть использован лейкосапфир.
Полупроводниковые пластины преимущественно выполнены из твердых растворов типа CdSxSe1-х прямоугольной формы с размерами 1 и h, состыкованными по длинной стороне. В этом случае цветовая зона, создаваемая за линзой, имеет прямоугольную форму с угловыми размерами
a 1/F и b n/F.
a 1/F и b n/F.
Работа заявленного устройства аналогична работе полупроводникового лазера.
Меняя материал и геометрические размеры полупроводниковых пластин, а также фокусное расстояние, можно добиться получения зон любого размера и цвета.
Техническим эффектом от использования данного изобретения является возможность одновременного формирования в пространстве примыкающих друг к другу лазерных оптических пучков, каждый из которых имеет свою длину излучения в диапазоне от ультрафиолета до ближайшей инфракрасной области и угловые размеры. Это позволяет использовать такой лазер в высокоэффективных светосигнальных системах,обеспечивающих ориентирование подвижного объекта в пространстве, и в лазерной спектроскопии быстропротекающих процессов, где необходима одновременная диагностика веществ (процесса) во всем оптическом диапазоне.
Claims (3)
1. Лазер, содержащий катод, электронно-оптическую систему, лазерную мишень, укрепленную на полупрозрачной основе, и вакуумную колбу, в которой размещены элементы конструкции, отличающийся тем, что он дополнительно содержит тубус и линзу, причем лазерная мишень выполнена не менее чем из двух полупроводниковых пластин, каждая из которых обеспечивает генерацию излучения определенной длины волны, линза установлена на выходе лазерной мишени в тубусе на расстоянии, равном фокусному расстоянию линзы, а диаметр линзы удовлетворяет условию 2Ftg a/2 ≅D, где F фокусное расстояние линзы, мм, D диаметр линзы, мм, а расходимость лазерного излучения по уровню е-2 на выходе мишени.
2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что элементы электронной мишени выполнены из твердых полупроводниковых растворов типа CdSxSe1-x.
3. Лазер по п.1, отличающийся тем, что элементы электронной мишени выполнены прямоугольной формы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94009942A RU2063097C1 (ru) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Лазер |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94009942A RU2063097C1 (ru) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Лазер |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94009942A RU94009942A (ru) | 1996-03-10 |
RU2063097C1 true RU2063097C1 (ru) | 1996-06-27 |
Family
ID=20153823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94009942A RU2063097C1 (ru) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Лазер |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2063097C1 (ru) |
-
1994
- 1994-03-22 RU RU94009942A patent/RU2063097C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Басов Н.Г. и др. ОКГ на CdS с возбуждением бистрыми электронами. ЖЭТФ, 1986, <186>47, с. 1964. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tarasevitch et al. | Generation of high-order spatially coherent harmonics from solid targets by femtosecond laser pulses | |
US3914655A (en) | High brightness ion source | |
US7435982B2 (en) | Laser-driven light source | |
US5139609A (en) | Apparatus and method for longitudinal diode bar pumping of solid state lasers | |
US6339634B1 (en) | Soft x-ray light source device | |
WO2005102023A2 (en) | Phase locked microdischarge array and ac, rf or pulse excited microdischarge | |
KR930703723A (ko) | 외부 공동 반도체 레이저 시스템 | |
CN108604531B (zh) | 激光驱动灯 | |
RU2063097C1 (ru) | Лазер | |
JPH04144053A (ja) | 白色パルス光発生装置 | |
US20070036194A1 (en) | Excimer-lamp pumped semiconductor laser | |
US20040239894A1 (en) | Light souce apparatus and image display apparatus | |
Schriever et al. | Compact Z-pinch EUV source for photolithography | |
RU2732999C1 (ru) | Источник света с лазерной накачкой и способ зажигания плазмы | |
JP2000123716A (ja) | 微小電子源 | |
JP2007005410A (ja) | 中赤外光−紫外光発生装置 | |
JP2000111699A (ja) | 軟x線光源装置 | |
JP4385079B2 (ja) | Euv放射線を生成するための配列装置 | |
JP2001035688A (ja) | 軟x線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟x線の発生方法 | |
CN110492347B (zh) | 一种具有空间分辨能力的深紫外角分辨光电子能谱光源 | |
Egorov et al. | Single-frequency Q-switched neodymium laser | |
JP4775253B2 (ja) | 電磁波変調器 | |
JPH0738476B2 (ja) | スラブ型固体レーザ発振器 | |
Schriever et al. | Extreme-ultraviolet source development: a comparison of different concepts | |
RU2525665C2 (ru) | Лазерная электронно-лучевая трубка |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090323 |