RU2063097C1 - Лазер - Google Patents

Лазер Download PDF

Info

Publication number
RU2063097C1
RU2063097C1 RU94009942A RU94009942A RU2063097C1 RU 2063097 C1 RU2063097 C1 RU 2063097C1 RU 94009942 A RU94009942 A RU 94009942A RU 94009942 A RU94009942 A RU 94009942A RU 2063097 C1 RU2063097 C1 RU 2063097C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
lens
target
radiation
semiconductor
Prior art date
Application number
RU94009942A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94009942A (ru
Inventor
Александр Николаевич Гольченко
Михаил Васильевич Гущин
Леонид Абрамович Косовский
Игорь Михайлович Олихов
Владимир Николаевич Уласюк
Original Assignee
Александр Николаевич Гольченко
Михаил Васильевич Гущин
Леонид Абрамович Косовский
Игорь Михайлович Олихов
Владимир Николаевич Уласюк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Александр Николаевич Гольченко, Михаил Васильевич Гущин, Леонид Абрамович Косовский, Игорь Михайлович Олихов, Владимир Николаевич Уласюк filed Critical Александр Николаевич Гольченко
Priority to RU94009942A priority Critical patent/RU2063097C1/ru
Publication of RU94009942A publication Critical patent/RU94009942A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2063097C1 publication Critical patent/RU2063097C1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в спектроскопии, светосигнальных системах, а также в других устройствах, в которых необходима одновременная генерация лазерного излучения на нескольких длинах волн с разнесением в пространстве зон излучения и формирование их необходимой геометрии и угловой расходимости. Сущность изобретения: лазер содержит вакуумированную стеклянную колбу. В колбе расположены катод, электронно-оптическая система, лазерная мишень, тубус и собирающая линза. Лазерная мишень выполнена в виде полупроводниковых пластин, прикрепленных к полупрозрачной основе. Пластины выполнены из различных полупроводниковых материалов. 3 з. п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в спектроскопии, светосигнальных системах и системах экологического мониторинга, а также в других устройствах, в которых необходима одновременная генерация лазерного излучения на нескольких длинах волн с разнесением в пространстве зон излучения и формирование их необходимой геометрии и угловой расходимости.
Для этих целей можно использовать полупроводниковые лазеры, причем предпочтительнее полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением, что связано со значительно большей мощностью излучения в импульсе и высоким к.п. д.
Полупроводниковый лазер с электронной накачкой представляет собой стеклянную вакуумированную колбу, в которой размещены катод, электронно-оптическая система, лазерная мишень, преимущественно в виде круглой тонкой полупроводниковой пластины, закрепленной на полупрозрачной основе (Басов Н. Г. и др. ОКГ на CdS с возбуждением быстрыми электронами. ЖЭТФ, 1986, N 47, стр. 1964). Недостатком данной конструкции следует признать, применительно к вышеуказанным областям техники, способность генерировать оптическое излучение только на одной длине волны, а также значительную расходимость излучения.
Технической задачей, решаемой посредством настоящего изобретения, является разработка конструкции полупроводникового лазера, способного одновременно генерировать не менее двух пучков оптического излучения с различными длинами волн с заданными расходимостями каждого пучка, которые определяются геометрией полупроводниковых пластин и фокусным расстоянием линзы. При этом оптический пучок каждого цвета не пересекается с другими.
Поставленная задача решается использованием конструкции, представляющей собой вакуумированную стеклянную колбу, в которой размещены катод, электронно-оптическая система и лазерная мишень, содержащая не менее двух пластин полупроводниковых материалов, прикрепленных к полупрозрачной основе и эмитирующих оптическое излучение на различных длинах волн; между лазерной мишенью и стеклянной колбой в тубусе установлена собирающая линза, причем лазерная мишень расположена на фокусном расстоянии от линзы, и диаметр линзы удовлетворяет соотношению
2Ftga/2≅D,
где F фокусное расстояние линзы, мм;
D диаметр линзы, мм;
а расходимость лазерного излучения по уровню е-а на выходе мишени.
Преимущественно полупроводниковые пластины выполнены из твер- дых растворов CdSxSe1-х, GalnP или GalnPAs. Пластины преимуществен- но имеют прямоугольную форму и толщину в несколько десятков микрон.
Обоснуем важность введенных в формулу изобретения признаков. Использование устройства должно обеспечить формирование не менее двух пучков оптического излучения, отличающихся по длине волны и не пересекающихся в пространстве.
Использование прикрепленных на одной полупрозрачной основе не менее двух пластин полупроводниковых материалов, способных эмитировать оптическое излучение с различными длинами волн, обеспечивает получение не менее двух пучков оптического излучения с различной длиной волны, а использование собирающей линзы, расположенной на фокусном расстоянии от лазерной мишени и имеющей удовлетворяющий вышеприведенное соотношение диаметр, позволяет получить требуемые геометрические характеристики каждого пучка оптического излучения и разделить их в пространстве.
Изобретение отличается от ближайшего аналога тем, что:
а) устройство дополнительно содержит линзу;
б) устройство дополнительно содержит тубус;
в) линза закреплена в тубусе;
г) линза расположена на фокусном расстоянии от лазерной мишени;
д) диаметр линзы удовлетворяет соотношению
D≥2Ftga/2;
е) лазерная мишень выполнена не менее чем из двух пластин различных полупроводниковых материалов;
ж) полупроводниковые материалы, использованные в мишени, эмитируют оптическое излучение с различными длинами волн;
з) преимущественно использованы полупроводниковые материалы на основе твердых растворов;
и) преимущественно используют полупроводниковые пластины прямоугольной формы.
Изобретение иллюстрировано чертежом,где приняты следующие обозначения: катод 1; электронно-оптическая система 2; лазерная мишень 3, составленная из нескольких полупроводниковых пластин 4 и полупрозрачного основания 5; стеклянная колба 6; линза 7; тубус 8.
В качестве материала для полупрозрачного основания может быть использован лейкосапфир.
Полупроводниковые пластины преимущественно выполнены из твердых растворов типа CdSxSe1-х прямоугольной формы с размерами 1 и h, состыкованными по длинной стороне. В этом случае цветовая зона, создаваемая за линзой, имеет прямоугольную форму с угловыми размерами
a 1/F и b n/F.
Работа заявленного устройства аналогична работе полупроводникового лазера.
Меняя материал и геометрические размеры полупроводниковых пластин, а также фокусное расстояние, можно добиться получения зон любого размера и цвета.
Техническим эффектом от использования данного изобретения является возможность одновременного формирования в пространстве примыкающих друг к другу лазерных оптических пучков, каждый из которых имеет свою длину излучения в диапазоне от ультрафиолета до ближайшей инфракрасной области и угловые размеры. Это позволяет использовать такой лазер в высокоэффективных светосигнальных системах,обеспечивающих ориентирование подвижного объекта в пространстве, и в лазерной спектроскопии быстропротекающих процессов, где необходима одновременная диагностика веществ (процесса) во всем оптическом диапазоне.

Claims (3)

1. Лазер, содержащий катод, электронно-оптическую систему, лазерную мишень, укрепленную на полупрозрачной основе, и вакуумную колбу, в которой размещены элементы конструкции, отличающийся тем, что он дополнительно содержит тубус и линзу, причем лазерная мишень выполнена не менее чем из двух полупроводниковых пластин, каждая из которых обеспечивает генерацию излучения определенной длины волны, линза установлена на выходе лазерной мишени в тубусе на расстоянии, равном фокусному расстоянию линзы, а диаметр линзы удовлетворяет условию 2Ftg a/2 ≅D, где F фокусное расстояние линзы, мм, D диаметр линзы, мм, а расходимость лазерного излучения по уровню е-2 на выходе мишени.
2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что элементы электронной мишени выполнены из твердых полупроводниковых растворов типа CdSxSe1-x.
3. Лазер по п.1, отличающийся тем, что элементы электронной мишени выполнены прямоугольной формы.
RU94009942A 1994-03-22 1994-03-22 Лазер RU2063097C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94009942A RU2063097C1 (ru) 1994-03-22 1994-03-22 Лазер

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94009942A RU2063097C1 (ru) 1994-03-22 1994-03-22 Лазер

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94009942A RU94009942A (ru) 1996-03-10
RU2063097C1 true RU2063097C1 (ru) 1996-06-27

Family

ID=20153823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94009942A RU2063097C1 (ru) 1994-03-22 1994-03-22 Лазер

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2063097C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Басов Н.Г. и др. ОКГ на CdS с возбуждением бистрыми электронами. ЖЭТФ, 1986, <186>47, с. 1964. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tarasevitch et al. Generation of high-order spatially coherent harmonics from solid targets by femtosecond laser pulses
US3914655A (en) High brightness ion source
US7435982B2 (en) Laser-driven light source
US5139609A (en) Apparatus and method for longitudinal diode bar pumping of solid state lasers
US6339634B1 (en) Soft x-ray light source device
WO2005102023A2 (en) Phase locked microdischarge array and ac, rf or pulse excited microdischarge
KR930703723A (ko) 외부 공동 반도체 레이저 시스템
CN108604531B (zh) 激光驱动灯
RU2063097C1 (ru) Лазер
JPH04144053A (ja) 白色パルス光発生装置
US20070036194A1 (en) Excimer-lamp pumped semiconductor laser
US20040239894A1 (en) Light souce apparatus and image display apparatus
Schriever et al. Compact Z-pinch EUV source for photolithography
RU2732999C1 (ru) Источник света с лазерной накачкой и способ зажигания плазмы
JP2000123716A (ja) 微小電子源
JP2007005410A (ja) 中赤外光−紫外光発生装置
JP2000111699A (ja) 軟x線光源装置
JP4385079B2 (ja) Euv放射線を生成するための配列装置
JP2001035688A (ja) 軟x線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟x線の発生方法
CN110492347B (zh) 一种具有空间分辨能力的深紫外角分辨光电子能谱光源
Egorov et al. Single-frequency Q-switched neodymium laser
JP4775253B2 (ja) 電磁波変調器
JPH0738476B2 (ja) スラブ型固体レーザ発振器
Schriever et al. Extreme-ultraviolet source development: a comparison of different concepts
RU2525665C2 (ru) Лазерная электронно-лучевая трубка

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090323