JPH06104476A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH06104476A JPH06104476A JP4249690A JP24969092A JPH06104476A JP H06104476 A JPH06104476 A JP H06104476A JP 4249690 A JP4249690 A JP 4249690A JP 24969092 A JP24969092 A JP 24969092A JP H06104476 A JPH06104476 A JP H06104476A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、受光素子内に設けられる拡散抵抗
が寄生フォトトランジスタ動作しないようにした受光素
子を提供する。 【構成】 拡散抵抗13が設けられる領域内において、
拡散抵抗13と、この拡散抵抗13を有する単結晶島1
7aとを遮光膜21bで電気的に接続し、同電位となる
ようにした。
が寄生フォトトランジスタ動作しないようにした受光素
子を提供する。 【構成】 拡散抵抗13が設けられる領域内において、
拡散抵抗13と、この拡散抵抗13を有する単結晶島1
7aとを遮光膜21bで電気的に接続し、同電位となる
ようにした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の受光ダイオー
ドを直列接続し、光起電力を出力する受光素子に関す
る。
ドを直列接続し、光起電力を出力する受光素子に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図4〜6は複数個の受光ダイオードを直
列接続し、光起電力を出力する受光素子の従来例であ
る。
列接続し、光起電力を出力する受光素子の従来例であ
る。
【0003】この受光素子はpoly Si基板1の中
に酸化膜等の絶縁体4を介して、複数個の単結晶島を形
成し、各々の単結晶島には受光ダイオード2、拡散抵抗
3等の素子が形成されている。この従来例は図6の等価
回路に示すように構成されており電界効果型トランジス
タ(以下FET)を駆動することを目的としている。こ
の受光素子に光を照射すると、各受光ダイオードで0.
6V程度の起電圧を発生し、端子11,12間で数ボル
トの電圧が発生する。図に示すようにFETを接続して
いた場合端子11,12間で発生した電圧がFETのゲ
ートに印加され、FETをオンさせることができる。光
照射を無くすると、起電圧の発生はなくなり、ゲートに
蓄わえられていた電荷が拡散抵抗3を介して放電されF
ETがオフする。通常拡散抵抗3に光照射されると拡散
抵抗の中で光電効果が発生し、本来の抵抗特性を示さな
くなる為アルミ膜5等で遮光して不具合をさけている。
に酸化膜等の絶縁体4を介して、複数個の単結晶島を形
成し、各々の単結晶島には受光ダイオード2、拡散抵抗
3等の素子が形成されている。この従来例は図6の等価
回路に示すように構成されており電界効果型トランジス
タ(以下FET)を駆動することを目的としている。こ
の受光素子に光を照射すると、各受光ダイオードで0.
6V程度の起電圧を発生し、端子11,12間で数ボル
トの電圧が発生する。図に示すようにFETを接続して
いた場合端子11,12間で発生した電圧がFETのゲ
ートに印加され、FETをオンさせることができる。光
照射を無くすると、起電圧の発生はなくなり、ゲートに
蓄わえられていた電荷が拡散抵抗3を介して放電されF
ETがオフする。通常拡散抵抗3に光照射されると拡散
抵抗の中で光電効果が発生し、本来の抵抗特性を示さな
くなる為アルミ膜5等で遮光して不具合をさけている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術では、拡散抵抗3の抵抗値を大きくとろうとし
たとき、図4に示すとおり、拡散抵抗3のパターンを蛇
行させ、長さをかせぐ必要がある。この様な拡散抵抗3
は、図5に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ
(寄生フォトトランジスタ)となる。上述したとおり、
アルミ膜5でこの拡散抵抗3領域が、フォトトランジス
タ動作しないように、この領域を遮光するのが通常であ
るが、このアルミ膜5は配線電極としても使用する為、
図4内のB部のようにすき間があき、このすき間から露
出する拡散抵抗3表面に光が照射されると、フォトトラ
ンジスタとして動作してしまうことが避けられない。従
って、この拡散抵抗3領域が光照射によりフォトトラン
ジスタ動作してしまうことから、正規の抵抗特性を示さ
ないという問題があった。
従来技術では、拡散抵抗3の抵抗値を大きくとろうとし
たとき、図4に示すとおり、拡散抵抗3のパターンを蛇
行させ、長さをかせぐ必要がある。この様な拡散抵抗3
は、図5に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ
(寄生フォトトランジスタ)となる。上述したとおり、
アルミ膜5でこの拡散抵抗3領域が、フォトトランジス
タ動作しないように、この領域を遮光するのが通常であ
るが、このアルミ膜5は配線電極としても使用する為、
図4内のB部のようにすき間があき、このすき間から露
出する拡散抵抗3表面に光が照射されると、フォトトラ
ンジスタとして動作してしまうことが避けられない。従
って、この拡散抵抗3領域が光照射によりフォトトラン
ジスタ動作してしまうことから、正規の抵抗特性を示さ
ないという問題があった。
【0005】本発明は、上記問題を鑑み成されたもので
あり、設計上、拡散抵抗表面に露出する部分ができてし
まい、もしこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することのなく、正規の抵
抗特性が得られる受光素子を提供することを目的とす
る。
あり、設計上、拡散抵抗表面に露出する部分ができてし
まい、もしこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することのなく、正規の抵
抗特性が得られる受光素子を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、第1の単結晶島に設けられる受光ダイ
オードと、この受光ダイオードへ光を照射することによ
り生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電
荷を放電し、かつ第2の単結晶島に設けられた拡散抵抗
とを有する受光素子であって、前記第2の単結晶島と前
記拡散抵抗とを同電位となるように構成した。
めに、本発明は、第1の単結晶島に設けられる受光ダイ
オードと、この受光ダイオードへ光を照射することによ
り生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電
荷を放電し、かつ第2の単結晶島に設けられた拡散抵抗
とを有する受光素子であって、前記第2の単結晶島と前
記拡散抵抗とを同電位となるように構成した。
【0007】
【作用】本発明の受光素子は、上述のように構成される
ので、設計上、拡散抵抗表面の露出する部分ができてし
まい、且つこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがなくなる。
ので、設計上、拡散抵抗表面の露出する部分ができてし
まい、且つこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがなくなる。
【0008】
【実施例】図1〜3を用いて本発明の実施例につき説明
をする。
をする。
【0009】本発明の受光素子は、poly Si基板
18内には、複数の単結晶島17a,17bが設けられ
ている。各単結晶島17a,17bには、単結晶島と異
なる導電型の不純物を拡散させ、ダイオード14、及び
拡散抵抗13を設けられている。これらの拡散層を設け
た後、図3に示すような等価回路に基づき、アルミ膜又
は、アルミ合金等で配置することによって、接続電極1
5、端子21a,22及び遮光膜21bを形成する。
18内には、複数の単結晶島17a,17bが設けられ
ている。各単結晶島17a,17bには、単結晶島と異
なる導電型の不純物を拡散させ、ダイオード14、及び
拡散抵抗13を設けられている。これらの拡散層を設け
た後、図3に示すような等価回路に基づき、アルミ膜又
は、アルミ合金等で配置することによって、接続電極1
5、端子21a,22及び遮光膜21bを形成する。
【0010】次に、単結晶島17a表面及び拡散抵抗1
3表面上に遮光膜21bを設ける工程を図2を用いて説
明する。なお、図2は、図1のA−A′断面図である。
3表面上に遮光膜21bを設ける工程を図2を用いて説
明する。なお、図2は、図1のA−A′断面図である。
【0011】poly Si基板18内には、単結晶島
17aが設けられ、単結晶島17a表面には、拡散抵抗
13が設けられている。ここで遮光膜21bは、単結晶
島17a表面上に絶縁層16を介して設けられる。ま
た、遮光膜21bは、拡散抵抗13,単結晶島17a
と、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れる。
17aが設けられ、単結晶島17a表面には、拡散抵抗
13が設けられている。ここで遮光膜21bは、単結晶
島17a表面上に絶縁層16を介して設けられる。ま
た、遮光膜21bは、拡散抵抗13,単結晶島17a
と、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れる。
【0012】上述のように本発明の受光素子は、特に拡
散抵抗13と、この拡散抵抗13を有する単結晶島17
aとを同電位にするため、遮光膜21bにより短絡する
ように構成した。このように構成されているため、本発
明の受光素子は、例えば、設計上、拡散抵抗13表面の
露出する部分Bができてしまい、もし、この部分に光が
照射されたとしても、拡散抵抗13と単結晶島17a
は、同電位となっているため、拡散抵抗13間が寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがない。
散抵抗13と、この拡散抵抗13を有する単結晶島17
aとを同電位にするため、遮光膜21bにより短絡する
ように構成した。このように構成されているため、本発
明の受光素子は、例えば、設計上、拡散抵抗13表面の
露出する部分Bができてしまい、もし、この部分に光が
照射されたとしても、拡散抵抗13と単結晶島17a
は、同電位となっているため、拡散抵抗13間が寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがない。
【0013】図1,2を用いて説明した本発明の受光素
子は、FETを駆動することを目的としており、以下、
FETをこの受光素子に接続したときの動作につき、図
3を用いて説明する。
子は、FETを駆動することを目的としており、以下、
FETをこの受光素子に接続したときの動作につき、図
3を用いて説明する。
【0014】この受光素子に光を照射すると、各受光ダ
イオード14で0.6V程度の起電力が発生し、これに
より端子21a,22間で5V程度の電圧が発生する。
この電圧の発生により生じる電荷は、被駆動トランジス
タであるFETのゲート23に蓄積され、FETをオン
させる。この際、拡散抵抗13にも光が照射されるが、
拡散抵抗13と、この拡散抵抗を有する単結晶島は同電
位となっているため、拡散抵抗13間が寄生フォトトラ
ンジスタとして動作することはなく、拡散抵抗13の領
域は、正規の抵抗特性を示す。光の照射がなくなると、
起電力の発生はなくなり、FETのゲート23に蓄えら
れた電荷は拡散抵抗13を介して放電され、FETがオ
フする。
イオード14で0.6V程度の起電力が発生し、これに
より端子21a,22間で5V程度の電圧が発生する。
この電圧の発生により生じる電荷は、被駆動トランジス
タであるFETのゲート23に蓄積され、FETをオン
させる。この際、拡散抵抗13にも光が照射されるが、
拡散抵抗13と、この拡散抵抗を有する単結晶島は同電
位となっているため、拡散抵抗13間が寄生フォトトラ
ンジスタとして動作することはなく、拡散抵抗13の領
域は、正規の抵抗特性を示す。光の照射がなくなると、
起電力の発生はなくなり、FETのゲート23に蓄えら
れた電荷は拡散抵抗13を介して放電され、FETがオ
フする。
【0015】なお、本発明は、上述の実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可
能でありこれらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
るものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可
能でありこれらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0016】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように本発明
の受光素子は、複数個の受光ダイオードを直列接続し、
光起電力を出力する受光素子内の拡散抵抗において、拡
散抵抗とこの拡散抵抗を有する単結晶島とを同電位とな
るように構成したので、設計上、拡散抵抗表面に露出す
る部分ができてしまい、もし、この部分に光が照射され
たとしても、寄生フォトトランジスタとして動作するこ
とのなく、正規の抵抗特性を得ることができる。
の受光素子は、複数個の受光ダイオードを直列接続し、
光起電力を出力する受光素子内の拡散抵抗において、拡
散抵抗とこの拡散抵抗を有する単結晶島とを同電位とな
るように構成したので、設計上、拡散抵抗表面に露出す
る部分ができてしまい、もし、この部分に光が照射され
たとしても、寄生フォトトランジスタとして動作するこ
とのなく、正規の抵抗特性を得ることができる。
【図1】本発明の受光素子を説明するための平面図。
【図2】本発明の受光素子を説明するための断面図。
【図3】本発明の受光素子を説明するための等価回路。
【図4】従来の受光素子を説明するための平面図。
【図5】従来の受光素子を説明するための断面図。
【図6】従来の受光素子を説明するための等価回路。
13 拡散抵抗 14 受光ダイオード 15 接続電極 16 絶縁層 17a,b 単結晶島 18 poly Si基板 21a,22 端子 21b 遮光膜 23 ゲート
Claims (2)
- 【請求項1】 第1の単結晶島に設けられる受光ダイオ
ードと、この受光ダイオードへ光を照射することにより
生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電荷
を放電し、かつ第2の単結晶島に設けられた拡散抵抗と
を有する受光素子であって、 前記第2の単結晶島と前記拡散抵抗とを同電位となるよ
うに構成したことを特徴とする受光素子。 - 【請求項2】 前記第2の単結晶島と前記拡散抵抗とを
遮光膜により電気的に接続して同電位にすることを特徴
とする請求項1記載の受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4249690A JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4249690A JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06104476A true JPH06104476A (ja) | 1994-04-15 |
JP3026395B2 JP3026395B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=17196758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4249690A Expired - Fee Related JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3026395B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0908956A2 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249690A patent/JP3026395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
EP0908956A2 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
EP0908956A3 (en) * | 1997-10-06 | 2000-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
US6150704A (en) * | 1997-10-06 | 2000-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
EP1688998A2 (en) * | 1997-10-06 | 2006-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
EP1688998A3 (en) * | 1997-10-06 | 2006-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3026395B2 (ja) | 2000-03-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991221 |
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