JPH06104476A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH06104476A JPH06104476A JP4249690A JP24969092A JPH06104476A JP H06104476 A JPH06104476 A JP H06104476A JP 4249690 A JP4249690 A JP 4249690A JP 24969092 A JP24969092 A JP 24969092A JP H06104476 A JPH06104476 A JP H06104476A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、受光素子内に設けられる拡散抵抗
が寄生フォトトランジスタ動作しないようにした受光素
子を提供する。 【構成】 拡散抵抗１３が設けられる領域内において、
拡散抵抗１３と、この拡散抵抗１３を有する単結晶島１
７ａとを遮光膜２１ｂで電気的に接続し、同電位となる
ようにした。
が寄生フォトトランジスタ動作しないようにした受光素
子を提供する。 【構成】 拡散抵抗１３が設けられる領域内において、
拡散抵抗１３と、この拡散抵抗１３を有する単結晶島１
７ａとを遮光膜２１ｂで電気的に接続し、同電位となる
ようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の受光ダイオー
ドを直列接続し、光起電力を出力する受光素子に関す
る。
ドを直列接続し、光起電力を出力する受光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４〜６は複数個の受光ダイオードを直
列接続し、光起電力を出力する受光素子の従来例であ
る。
列接続し、光起電力を出力する受光素子の従来例であ
る。
【０００３】この受光素子はｐｏｌｙ Ｓｉ基板１の中
に酸化膜等の絶縁体４を介して、複数個の単結晶島を形
成し、各々の単結晶島には受光ダイオード２、拡散抵抗
３等の素子が形成されている。この従来例は図６の等価
回路に示すように構成されており電界効果型トランジス
タ（以下ＦＥＴ）を駆動することを目的としている。こ
の受光素子に光を照射すると、各受光ダイオードで０．
６Ｖ程度の起電圧を発生し、端子１１，１２間で数ボル
トの電圧が発生する。図に示すようにＦＥＴを接続して
いた場合端子１１，１２間で発生した電圧がＦＥＴのゲ
ートに印加され、ＦＥＴをオンさせることができる。光
照射を無くすると、起電圧の発生はなくなり、ゲートに
蓄わえられていた電荷が拡散抵抗３を介して放電されＦ
ＥＴがオフする。通常拡散抵抗３に光照射されると拡散
抵抗の中で光電効果が発生し、本来の抵抗特性を示さな
くなる為アルミ膜５等で遮光して不具合をさけている。
に酸化膜等の絶縁体４を介して、複数個の単結晶島を形
成し、各々の単結晶島には受光ダイオード２、拡散抵抗
３等の素子が形成されている。この従来例は図６の等価
回路に示すように構成されており電界効果型トランジス
タ（以下ＦＥＴ）を駆動することを目的としている。こ
の受光素子に光を照射すると、各受光ダイオードで０．
６Ｖ程度の起電圧を発生し、端子１１，１２間で数ボル
トの電圧が発生する。図に示すようにＦＥＴを接続して
いた場合端子１１，１２間で発生した電圧がＦＥＴのゲ
ートに印加され、ＦＥＴをオンさせることができる。光
照射を無くすると、起電圧の発生はなくなり、ゲートに
蓄わえられていた電荷が拡散抵抗３を介して放電されＦ
ＥＴがオフする。通常拡散抵抗３に光照射されると拡散
抵抗の中で光電効果が発生し、本来の抵抗特性を示さな
くなる為アルミ膜５等で遮光して不具合をさけている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術では、拡散抵抗３の抵抗値を大きくとろうとし
たとき、図４に示すとおり、拡散抵抗３のパターンを蛇
行させ、長さをかせぐ必要がある。この様な拡散抵抗３
は、図５に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ
（寄生フォトトランジスタ）となる。上述したとおり、
アルミ膜５でこの拡散抵抗３領域が、フォトトランジス
タ動作しないように、この領域を遮光するのが通常であ
るが、このアルミ膜５は配線電極としても使用する為、
図４内のＢ部のようにすき間があき、このすき間から露
出する拡散抵抗３表面に光が照射されると、フォトトラ
ンジスタとして動作してしまうことが避けられない。従
って、この拡散抵抗３領域が光照射によりフォトトラン
ジスタ動作してしまうことから、正規の抵抗特性を示さ
ないという問題があった。
従来技術では、拡散抵抗３の抵抗値を大きくとろうとし
たとき、図４に示すとおり、拡散抵抗３のパターンを蛇
行させ、長さをかせぐ必要がある。この様な拡散抵抗３
は、図５に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ
（寄生フォトトランジスタ）となる。上述したとおり、
アルミ膜５でこの拡散抵抗３領域が、フォトトランジス
タ動作しないように、この領域を遮光するのが通常であ
るが、このアルミ膜５は配線電極としても使用する為、
図４内のＢ部のようにすき間があき、このすき間から露
出する拡散抵抗３表面に光が照射されると、フォトトラ
ンジスタとして動作してしまうことが避けられない。従
って、この拡散抵抗３領域が光照射によりフォトトラン
ジスタ動作してしまうことから、正規の抵抗特性を示さ
ないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題を鑑み成されたもので
あり、設計上、拡散抵抗表面に露出する部分ができてし
まい、もしこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することのなく、正規の抵
抗特性が得られる受光素子を提供することを目的とす
る。
あり、設計上、拡散抵抗表面に露出する部分ができてし
まい、もしこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することのなく、正規の抵
抗特性が得られる受光素子を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、第１の単結晶島に設けられる受光ダイ
オードと、この受光ダイオードへ光を照射することによ
り生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電
荷を放電し、かつ第２の単結晶島に設けられた拡散抵抗
とを有する受光素子であって、前記第２の単結晶島と前
記拡散抵抗とを同電位となるように構成した。
めに、本発明は、第１の単結晶島に設けられる受光ダイ
オードと、この受光ダイオードへ光を照射することによ
り生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電
荷を放電し、かつ第２の単結晶島に設けられた拡散抵抗
とを有する受光素子であって、前記第２の単結晶島と前
記拡散抵抗とを同電位となるように構成した。
【０００７】
【作用】本発明の受光素子は、上述のように構成される
ので、設計上、拡散抵抗表面の露出する部分ができてし
まい、且つこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがなくなる。
ので、設計上、拡散抵抗表面の露出する部分ができてし
まい、且つこの部分に光が照射されたとしても、寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがなくなる。
【０００８】
【実施例】図１〜３を用いて本発明の実施例につき説明
をする。
をする。
【０００９】本発明の受光素子は、ｐｏｌｙ Ｓｉ基板
１８内には、複数の単結晶島１７ａ，１７ｂが設けられ
ている。各単結晶島１７ａ，１７ｂには、単結晶島と異
なる導電型の不純物を拡散させ、ダイオード１４、及び
拡散抵抗１３を設けられている。これらの拡散層を設け
た後、図３に示すような等価回路に基づき、アルミ膜又
は、アルミ合金等で配置することによって、接続電極１
５、端子２１ａ，２２及び遮光膜２１ｂを形成する。
１８内には、複数の単結晶島１７ａ，１７ｂが設けられ
ている。各単結晶島１７ａ，１７ｂには、単結晶島と異
なる導電型の不純物を拡散させ、ダイオード１４、及び
拡散抵抗１３を設けられている。これらの拡散層を設け
た後、図３に示すような等価回路に基づき、アルミ膜又
は、アルミ合金等で配置することによって、接続電極１
５、端子２１ａ，２２及び遮光膜２１ｂを形成する。
【００１０】次に、単結晶島１７ａ表面及び拡散抵抗１
３表面上に遮光膜２１ｂを設ける工程を図２を用いて説
明する。なお、図２は、図１のＡ−Ａ′断面図である。
３表面上に遮光膜２１ｂを設ける工程を図２を用いて説
明する。なお、図２は、図１のＡ−Ａ′断面図である。
【００１１】ｐｏｌｙ Ｓｉ基板１８内には、単結晶島
１７ａが設けられ、単結晶島１７ａ表面には、拡散抵抗
１３が設けられている。ここで遮光膜２１ｂは、単結晶
島１７ａ表面上に絶縁層１６を介して設けられる。ま
た、遮光膜２１ｂは、拡散抵抗１３，単結晶島１７ａ
と、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れる。
１７ａが設けられ、単結晶島１７ａ表面には、拡散抵抗
１３が設けられている。ここで遮光膜２１ｂは、単結晶
島１７ａ表面上に絶縁層１６を介して設けられる。ま
た、遮光膜２１ｂは、拡散抵抗１３，単結晶島１７ａ
と、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れる。
【００１２】上述のように本発明の受光素子は、特に拡
散抵抗１３と、この拡散抵抗１３を有する単結晶島１７
ａとを同電位にするため、遮光膜２１ｂにより短絡する
ように構成した。このように構成されているため、本発
明の受光素子は、例えば、設計上、拡散抵抗１３表面の
露出する部分Ｂができてしまい、もし、この部分に光が
照射されたとしても、拡散抵抗１３と単結晶島１７ａ
は、同電位となっているため、拡散抵抗１３間が寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがない。
散抵抗１３と、この拡散抵抗１３を有する単結晶島１７
ａとを同電位にするため、遮光膜２１ｂにより短絡する
ように構成した。このように構成されているため、本発
明の受光素子は、例えば、設計上、拡散抵抗１３表面の
露出する部分Ｂができてしまい、もし、この部分に光が
照射されたとしても、拡散抵抗１３と単結晶島１７ａ
は、同電位となっているため、拡散抵抗１３間が寄生フ
ォトトランジスタとして動作することがない。
【００１３】図１，２を用いて説明した本発明の受光素
子は、ＦＥＴを駆動することを目的としており、以下、
ＦＥＴをこの受光素子に接続したときの動作につき、図
３を用いて説明する。
子は、ＦＥＴを駆動することを目的としており、以下、
ＦＥＴをこの受光素子に接続したときの動作につき、図
３を用いて説明する。
【００１４】この受光素子に光を照射すると、各受光ダ
イオード１４で０．６Ｖ程度の起電力が発生し、これに
より端子２１ａ，２２間で５Ｖ程度の電圧が発生する。
この電圧の発生により生じる電荷は、被駆動トランジス
タであるＦＥＴのゲート２３に蓄積され、ＦＥＴをオン
させる。この際、拡散抵抗１３にも光が照射されるが、
拡散抵抗１３と、この拡散抵抗を有する単結晶島は同電
位となっているため、拡散抵抗１３間が寄生フォトトラ
ンジスタとして動作することはなく、拡散抵抗１３の領
域は、正規の抵抗特性を示す。光の照射がなくなると、
起電力の発生はなくなり、ＦＥＴのゲート２３に蓄えら
れた電荷は拡散抵抗１３を介して放電され、ＦＥＴがオ
フする。
イオード１４で０．６Ｖ程度の起電力が発生し、これに
より端子２１ａ，２２間で５Ｖ程度の電圧が発生する。
この電圧の発生により生じる電荷は、被駆動トランジス
タであるＦＥＴのゲート２３に蓄積され、ＦＥＴをオン
させる。この際、拡散抵抗１３にも光が照射されるが、
拡散抵抗１３と、この拡散抵抗を有する単結晶島は同電
位となっているため、拡散抵抗１３間が寄生フォトトラ
ンジスタとして動作することはなく、拡散抵抗１３の領
域は、正規の抵抗特性を示す。光の照射がなくなると、
起電力の発生はなくなり、ＦＥＴのゲート２３に蓄えら
れた電荷は拡散抵抗１３を介して放電され、ＦＥＴがオ
フする。
【００１５】なお、本発明は、上述の実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可
能でありこれらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
るものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可
能でありこれらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１６】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように本発明
の受光素子は、複数個の受光ダイオードを直列接続し、
光起電力を出力する受光素子内の拡散抵抗において、拡
散抵抗とこの拡散抵抗を有する単結晶島とを同電位とな
るように構成したので、設計上、拡散抵抗表面に露出す
る部分ができてしまい、もし、この部分に光が照射され
たとしても、寄生フォトトランジスタとして動作するこ
とのなく、正規の抵抗特性を得ることができる。
の受光素子は、複数個の受光ダイオードを直列接続し、
光起電力を出力する受光素子内の拡散抵抗において、拡
散抵抗とこの拡散抵抗を有する単結晶島とを同電位とな
るように構成したので、設計上、拡散抵抗表面に露出す
る部分ができてしまい、もし、この部分に光が照射され
たとしても、寄生フォトトランジスタとして動作するこ
とのなく、正規の抵抗特性を得ることができる。
【図１】本発明の受光素子を説明するための平面図。
【図２】本発明の受光素子を説明するための断面図。
【図３】本発明の受光素子を説明するための等価回路。
【図４】従来の受光素子を説明するための平面図。
【図５】従来の受光素子を説明するための断面図。
【図６】従来の受光素子を説明するための等価回路。
１３ 拡散抵抗 １４ 受光ダイオード １５ 接続電極 １６ 絶縁層 １７ａ，ｂ 単結晶島 １８ ｐｏｌｙ Ｓｉ基板 ２１ａ，２２ 端子 ２１ｂ 遮光膜 ２３ ゲート
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の単結晶島に設けられる受光ダイオ
ードと、この受光ダイオードへ光を照射することにより
生ずる光起電力で被駆動トランジスタに蓄積された電荷
を放電し、かつ第２の単結晶島に設けられた拡散抵抗と
を有する受光素子であって、 前記第２の単結晶島と前記拡散抵抗とを同電位となるよ
うに構成したことを特徴とする受光素子。 - 【請求項２】 前記第２の単結晶島と前記拡散抵抗とを
遮光膜により電気的に接続して同電位にすることを特徴
とする請求項１記載の受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249690A JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249690A JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104476A true JPH06104476A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3026395B2 JP3026395B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=17196758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249690A Expired - Fee Related JP3026395B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026395B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0908956A2 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249690A patent/JP3026395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936904B2 (en) | 1997-04-10 | 2005-08-30 | Denso Corporation | Photo sensing integrated circuit device and related circuit adjustment |
| EP0908956A2 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
| EP0908956A3 (en) * | 1997-10-06 | 2000-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
| US6150704A (en) * | 1997-10-06 | 2000-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
| EP1688998A2 (en) * | 1997-10-06 | 2006-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
| EP1688998A3 (en) * | 1997-10-06 | 2006-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3026395B2 (ja) | 2000-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991221 |
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