JPH06103508A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH06103508A JPH06103508A JP25095192A JP25095192A JPH06103508A JP H06103508 A JPH06103508 A JP H06103508A JP 25095192 A JP25095192 A JP 25095192A JP 25095192 A JP25095192 A JP 25095192A JP H06103508 A JPH06103508 A JP H06103508A
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- Japan
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- head
- magnetoresistive
- diode
- magnetoresistive head
- disk device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスク装置に関し、磁気ディスク装置に
電源を投入し、その動作の立ち上げ時などに、磁気抵抗
効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子へ流れるセン
ス電流が、オーバーシュートして過大電流とならないよ
うにして、磁気抵抗効果素子の燒損を防止し、また、前
記磁気抵抗効果素子の急激な温度変化による応力などに
よりノイズを発生しやすい磁区構造の形成を防止するこ
とである。 【構成】磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した磁気ディス
ク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド１と並列に
ダイオード１３や定電圧ダイオード１４や磁気抵抗効果
型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵抗１５を接続し、
または磁気抵抗効果型ヘッド１を形成する磁気抵抗効果
素子１ａと並列に、この磁気抵抗効果素子１ａより小さ
い抵抗値の抵抗体１ｃを接続した磁気ディスク装置。
電源を投入し、その動作の立ち上げ時などに、磁気抵抗
効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子へ流れるセン
ス電流が、オーバーシュートして過大電流とならないよ
うにして、磁気抵抗効果素子の燒損を防止し、また、前
記磁気抵抗効果素子の急激な温度変化による応力などに
よりノイズを発生しやすい磁区構造の形成を防止するこ
とである。 【構成】磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した磁気ディス
ク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド１と並列に
ダイオード１３や定電圧ダイオード１４や磁気抵抗効果
型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵抗１５を接続し、
または磁気抵抗効果型ヘッド１を形成する磁気抵抗効果
素子１ａと並列に、この磁気抵抗効果素子１ａより小さ
い抵抗値の抵抗体１ｃを接続した磁気ディスク装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置、
特に磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気ディスク装置
に関するものである。
特に磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気ディスク装置
に関するものである。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気ディスク装置の小型化、大容量化に伴い、高性能な
磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足するもの
として、磁気記録媒体の速度に依存せず高出力が得られ
る磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目されてい
る。
磁気ディスク装置の小型化、大容量化に伴い、高性能な
磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足するもの
として、磁気記録媒体の速度に依存せず高出力が得られ
る磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目されてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した
磁気ディスク装置は、図５に示すような回路構成となっ
ていた。この図５において、１は読取専用の周知の磁気
抵抗効果型ヘッドで、結合コンデンサー２，２を介して
再生回路３に接続され、この再生回路３は復調回路４に
接続され、この復調回路４から端子５，５を介して再生
データが出力される。また、この磁気抵抗効果型ヘッド
１には定電流回路などで構成されたセンス電流供給回路
６が接続され、このセンス電流供給回路６は電源端子７
に接続されている。
磁気ディスク装置は、図５に示すような回路構成となっ
ていた。この図５において、１は読取専用の周知の磁気
抵抗効果型ヘッドで、結合コンデンサー２，２を介して
再生回路３に接続され、この再生回路３は復調回路４に
接続され、この復調回路４から端子５，５を介して再生
データが出力される。また、この磁気抵抗効果型ヘッド
１には定電流回路などで構成されたセンス電流供給回路
６が接続され、このセンス電流供給回路６は電源端子７
に接続されている。
【０００４】８は記録ヘッドで、ライト回路９に接続さ
れ、このライト回路９はライトゲート１０に接続され、
このライトゲート１０には端子１１，１１より記録デー
タが入力され、端子１２よりライトゲート１０に印加さ
れたライト制御信号による制御により、ライトゲート１
０よりライト回路９へ記録データが出力されるようにな
っている。
れ、このライト回路９はライトゲート１０に接続され、
このライトゲート１０には端子１１，１１より記録デー
タが入力され、端子１２よりライトゲート１０に印加さ
れたライト制御信号による制御により、ライトゲート１
０よりライト回路９へ記録データが出力されるようにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】周知のように、磁気抵
抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子は極めて
小さなものであり、この磁気抵抗効果素子に流すセンス
電流は１０7 Ａ／ｃｍ2程度の比較的大電流である。そ
れに、従来の磁気ディスク装置の磁気抵抗効果型ヘッド
１に流すセンス電流は、図６で示すように、その流し始
時から定常電流に至るまでにオーバーシュートして過大
電流となり、それによって磁気抵抗効果型ヘッド１を燒
損したり、磁気抵抗効果型ヘッド１の急激な温度変化に
よる応力などにより、ノイズを発生しやすい磁区構造に
なる、という問題があった。
抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子は極めて
小さなものであり、この磁気抵抗効果素子に流すセンス
電流は１０7 Ａ／ｃｍ2程度の比較的大電流である。そ
れに、従来の磁気ディスク装置の磁気抵抗効果型ヘッド
１に流すセンス電流は、図６で示すように、その流し始
時から定常電流に至るまでにオーバーシュートして過大
電流となり、それによって磁気抵抗効果型ヘッド１を燒
損したり、磁気抵抗効果型ヘッド１の急激な温度変化に
よる応力などにより、ノイズを発生しやすい磁区構造に
なる、という問題があった。
【０００６】この発明は、磁気ディスク装置に電源を投
入し、その動作の立ち上げ時などに、センス電流供給回
路から磁気抵抗効果型ヘッドへ流れるセンス電流が、そ
の流し始時から定常電流に至るまでにオーバーシュート
して過大電流とならないように、すなわち、磁気抵抗効
果型ヘッドへのセンス電流の過大電流分を、磁気抵抗効
果型ヘッドに並列に接続したダイオードや定電圧ダイオ
ードや磁気抵抗効果型ヘッドより小さい抵抗値の固定抵
抗、あるいは磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗
効果素子に並列に接続した磁気抵抗効果素子より小さい
抵抗値の抵抗体へバイパスさせることによって、磁気抵
抗効果素子の燒損を防止し、また、前記磁気抵抗効果素
子の急激な温度変化による応力などによりノイズを発生
しやすい磁区構造の形成を防止することを目的としたも
のである。
入し、その動作の立ち上げ時などに、センス電流供給回
路から磁気抵抗効果型ヘッドへ流れるセンス電流が、そ
の流し始時から定常電流に至るまでにオーバーシュート
して過大電流とならないように、すなわち、磁気抵抗効
果型ヘッドへのセンス電流の過大電流分を、磁気抵抗効
果型ヘッドに並列に接続したダイオードや定電圧ダイオ
ードや磁気抵抗効果型ヘッドより小さい抵抗値の固定抵
抗、あるいは磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗
効果素子に並列に接続した磁気抵抗効果素子より小さい
抵抗値の抵抗体へバイパスさせることによって、磁気抵
抗効果素子の燒損を防止し、また、前記磁気抵抗効果素
子の急激な温度変化による応力などによりノイズを発生
しやすい磁区構造の形成を防止することを目的としたも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド１
と並列にダイオード１３を接続した磁気ディスク装置と
したものである。
達成するために、磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド１
と並列にダイオード１３を接続した磁気ディスク装置と
したものである。
【０００８】また、磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１と並列に定電圧ダイオード１４を接続した磁気ディス
ク装置としたものである。
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１と並列に定電圧ダイオード１４を接続した磁気ディス
ク装置としたものである。
【０００９】また、磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１と並列に、この磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵
抗値の固定抵抗１５を接続した磁気ディスク装置とした
ものである。
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１と並列に、この磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵
抗値の固定抵抗１５を接続した磁気ディスク装置とした
ものである。
【００１０】また、磁気抵抗効果型ヘッド１を搭載した
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１を形成する磁気抵抗効果素子と並列に、この磁気抵抗
効果素子１ａより小さい抵抗値の抵抗体１ｃを接続した
磁気ディスク装置としたものである。
磁気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
１を形成する磁気抵抗効果素子と並列に、この磁気抵抗
効果素子１ａより小さい抵抗値の抵抗体１ｃを接続した
磁気ディスク装置としたものである。
【００１１】また、前記磁気抵抗効果型ヘッド１を形成
する磁気抵抗効果素子と並列に接続する抵抗体１ｃが、
磁気抵抗効果素子１ａの形成と同時に形成された第二の
磁気抵抗効果素子としたものである。
する磁気抵抗効果素子と並列に接続する抵抗体１ｃが、
磁気抵抗効果素子１ａの形成と同時に形成された第二の
磁気抵抗効果素子としたものである。
【００１２】
【作用】この発明のように、磁気抵抗効果型ヘッド１と
並列にダイオード１３や定電圧ダイオード１４あるいは
磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵抗１
５を接続することにより、また、磁気抵抗効果型ヘッド
１を構成する磁気抵抗効果素子１ａと並列に磁気抵抗効
果素子１ａより小さい抵抗値の抵抗体１ｃを接続するこ
とにより、磁気ディスク装置に電源を投入し、その動作
の立ち上げ時などに、センス電流供給回路６から磁気抵
抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子１ａへ流
れようとするセンス電流の過大電流分を、前記ダイオー
ド１３や定電圧ダイオード１４や固定抵抗１５、あるい
は磁気抵抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子
１ａと並列に接続した抵抗体１ｃへバイパスさせること
によって、磁気抵抗効果素子１ａの燒損を防止し、ま
た、磁気抵抗効果素子１ａの急激な温度変化による応力
などによりノイズを発生しやすい磁区構造の形成を防止
することができる。
並列にダイオード１３や定電圧ダイオード１４あるいは
磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵抗１
５を接続することにより、また、磁気抵抗効果型ヘッド
１を構成する磁気抵抗効果素子１ａと並列に磁気抵抗効
果素子１ａより小さい抵抗値の抵抗体１ｃを接続するこ
とにより、磁気ディスク装置に電源を投入し、その動作
の立ち上げ時などに、センス電流供給回路６から磁気抵
抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子１ａへ流
れようとするセンス電流の過大電流分を、前記ダイオー
ド１３や定電圧ダイオード１４や固定抵抗１５、あるい
は磁気抵抗効果型ヘッド１を構成する磁気抵抗効果素子
１ａと並列に接続した抵抗体１ｃへバイパスさせること
によって、磁気抵抗効果素子１ａの燒損を防止し、ま
た、磁気抵抗効果素子１ａの急激な温度変化による応力
などによりノイズを発生しやすい磁区構造の形成を防止
することができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の磁気ディスク装置の各実施
例を図面とともに説明する。図１はこの発明の第一の実
施例の概略図であり、図５に示す従来例と同一部には同
一符号を付けてその詳細な説明は省略する。
例を図面とともに説明する。図１はこの発明の第一の実
施例の概略図であり、図５に示す従来例と同一部には同
一符号を付けてその詳細な説明は省略する。
【００１４】この発明が従来例と相違する点は、前記磁
気抵抗効果型ヘッド１と並列にダイオード１３を接続し
たことである。ここで、磁気抵抗効果型ヘッド１の定常
時の抵抗値が３０Ω、定常時のセンス電流が２０ｍＡと
すると、磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電圧は６００
ｍＶとなるので、前記ダイオード１３としてシリコンダ
イオードでその順方向電圧降下が例えば６５０ｍＶ程度
のものを選んでおく。
気抵抗効果型ヘッド１と並列にダイオード１３を接続し
たことである。ここで、磁気抵抗効果型ヘッド１の定常
時の抵抗値が３０Ω、定常時のセンス電流が２０ｍＡと
すると、磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電圧は６００
ｍＶとなるので、前記ダイオード１３としてシリコンダ
イオードでその順方向電圧降下が例えば６５０ｍＶ程度
のものを選んでおく。
【００１５】そうすると、通常はダイオード１３の両端
の電圧６００ｍＶとなり、センス電流は全て磁気抵抗効
果型ヘッド１に流れるが、ここで、例えば過大電流が流
れようとするとき磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電
圧、すなわち、ダイオード１３の両端の電圧が６５０ｍ
Ｖを越ると、それによる過大電流がダイオード１３へ流
れ、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。
の電圧６００ｍＶとなり、センス電流は全て磁気抵抗効
果型ヘッド１に流れるが、ここで、例えば過大電流が流
れようとするとき磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電
圧、すなわち、ダイオード１３の両端の電圧が６５０ｍ
Ｖを越ると、それによる過大電流がダイオード１３へ流
れ、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。
【００１６】また、磁気抵抗効果型ヘッド１の温度の上
昇などで、磁気抵抗効果型ヘッド１の抵抗値が上昇して
も、前記同様の原理で磁気抵抗効果型ヘッド１へ流れる
電流を抑え、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。な
お、この実施例ではシリコンダイオードでの例を説明し
たが、他のダイオードでも適用されることは言うまでも
ない。
昇などで、磁気抵抗効果型ヘッド１の抵抗値が上昇して
も、前記同様の原理で磁気抵抗効果型ヘッド１へ流れる
電流を抑え、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。な
お、この実施例ではシリコンダイオードでの例を説明し
たが、他のダイオードでも適用されることは言うまでも
ない。
【００１７】図２はこの発明の第二の実施例の概略図で
あり、図１に示す第一の実施例と相違する点は、前記磁
気抵抗効果型ヘッド１と並列に定電圧ダイオード１４を
接続したことである。ここで、磁気抵抗効果型ヘッド１
の定常時の抵抗値が３０Ω、定常時のセンス電流が２０
ｍＡとすると、磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電圧は
６００ｍＶとなるので、前記定電圧ダイオード１４のツ
ェナー電圧は例えば６５０ｍＶ程度のものを選んでお
く。
あり、図１に示す第一の実施例と相違する点は、前記磁
気抵抗効果型ヘッド１と並列に定電圧ダイオード１４を
接続したことである。ここで、磁気抵抗効果型ヘッド１
の定常時の抵抗値が３０Ω、定常時のセンス電流が２０
ｍＡとすると、磁気抵抗効果型ヘッド１の両端の電圧は
６００ｍＶとなるので、前記定電圧ダイオード１４のツ
ェナー電圧は例えば６５０ｍＶ程度のものを選んでお
く。
【００１８】そうすると、通常は定電圧ダイオード１４
の両端の電圧６００ｍＶとなり、センス電流は全て磁気
抵抗効果型ヘッド１に流れるが、ここで、例えば過大電
流が流れようとするとき、磁気抵抗効果型ヘッド１の両
端の電圧、すなわち、定電圧ダイオード１４の両端の電
圧が６５０ｍＶを越えると、それによる過大電流が定電
圧ダイオード１４へ流れ、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒
損を防ぐ。
の両端の電圧６００ｍＶとなり、センス電流は全て磁気
抵抗効果型ヘッド１に流れるが、ここで、例えば過大電
流が流れようとするとき、磁気抵抗効果型ヘッド１の両
端の電圧、すなわち、定電圧ダイオード１４の両端の電
圧が６５０ｍＶを越えると、それによる過大電流が定電
圧ダイオード１４へ流れ、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒
損を防ぐ。
【００１９】また、磁気抵抗効果型ヘッド１の温度の上
昇などで、磁気抵抗効果型ヘッド１の抵抗値が上昇して
も、前記同様の原理で磁気抵抗効果型ヘッド１へ流れる
電流を抑え、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。
昇などで、磁気抵抗効果型ヘッド１の抵抗値が上昇して
も、前記同様の原理で磁気抵抗効果型ヘッド１へ流れる
電流を抑え、磁気抵抗効果型ヘッド１の燒損を防ぐ。
【００２０】図３はこの発明の第三の実施例の概略図で
あり、図１および図２に示す第一および第二の実施例と
相違する点は、前記磁気抵抗効果型ヘッド１と並列に、
この磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵
抗１５を接続した点である。
あり、図１および図２に示す第一および第二の実施例と
相違する点は、前記磁気抵抗効果型ヘッド１と並列に、
この磁気抵抗効果型ヘッド１より小さい抵抗値の固定抵
抗１５を接続した点である。
【００２１】ここで前記磁気抵抗効果型ヘッド１の定常
時の抵抗値を１５Ω、固定抵抗１５の抵抗値を１０Ω、
定常時の磁気抵抗効果型ヘッド１と固定抵抗１５との並
列回路に流れる全電流が２５ｍＡとすると、磁気抵抗効
果型ヘッド１に流れるセンス電流は１０ｍＡ、固定抵抗
１５に流れる電流は１５ｍＡとなる。
時の抵抗値を１５Ω、固定抵抗１５の抵抗値を１０Ω、
定常時の磁気抵抗効果型ヘッド１と固定抵抗１５との並
列回路に流れる全電流が２５ｍＡとすると、磁気抵抗効
果型ヘッド１に流れるセンス電流は１０ｍＡ、固定抵抗
１５に流れる電流は１５ｍＡとなる。
【００２２】ここで、何らかの原因で、磁気抵抗効果型
ヘッド１の温度が上昇し、その抵抗値が例えば５Ω上昇
して２０Ωになったとすると、磁気抵抗効果型ヘッド１
に流れるセンス電流は約８．３ｍＡ、固定抵抗１５に流
れる電流は約１６．７ｍＡとなり、磁気抵抗効果型ヘッ
ド１に流れるセンス電流が減少し、磁気抵抗効果型ヘッ
ド１の温度が下降し、その燒損を防ぐことができる。な
お、固定抵抗１５はなるべく温度上昇の小さい場所に設
置するのが望ましい。
ヘッド１の温度が上昇し、その抵抗値が例えば５Ω上昇
して２０Ωになったとすると、磁気抵抗効果型ヘッド１
に流れるセンス電流は約８．３ｍＡ、固定抵抗１５に流
れる電流は約１６．７ｍＡとなり、磁気抵抗効果型ヘッ
ド１に流れるセンス電流が減少し、磁気抵抗効果型ヘッ
ド１の温度が下降し、その燒損を防ぐことができる。な
お、固定抵抗１５はなるべく温度上昇の小さい場所に設
置するのが望ましい。
【００２３】図４はこの発明の第四の実施例を示す磁気
抵抗効果型ヘッドの要部の拡大図であり、１ａは磁気抵
抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子、１ｂ，１
ｂはセンス電流を流す引き出し導体、１ｃは引き出し導
体１ｂ，１ｂ間に接続した磁気抵抗効果素子１ａより小
さい抵抗値の抵抗体である。ここで、磁気抵抗効果素子
１ａの抵抗値を１５Ω、磁気抵抗効果素子１ａと抵抗体
１ｃの並列回路に流れる全電流が２５ｍＡ、定常時に磁
気抵抗効果素子１ａに流れる電流が１０ｍＡとすると、
抵抗体１ｃはその抵抗値が１０Ωとなるように断面積な
どの形状を決めて成膜する。
抵抗効果型ヘッドの要部の拡大図であり、１ａは磁気抵
抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子、１ｂ，１
ｂはセンス電流を流す引き出し導体、１ｃは引き出し導
体１ｂ，１ｂ間に接続した磁気抵抗効果素子１ａより小
さい抵抗値の抵抗体である。ここで、磁気抵抗効果素子
１ａの抵抗値を１５Ω、磁気抵抗効果素子１ａと抵抗体
１ｃの並列回路に流れる全電流が２５ｍＡ、定常時に磁
気抵抗効果素子１ａに流れる電流が１０ｍＡとすると、
抵抗体１ｃはその抵抗値が１０Ωとなるように断面積な
どの形状を決めて成膜する。
【００２４】このようにすることによって、前記第三の
実施例と同じ原理で、磁気抵抗効果素子１ａの温度上昇
を防ぐことができる。前記抵抗体１ｃはなるべく温度上
昇の小さい場所に設けるのが望ましい。また、抵抗体１
ｃは磁気抵抗効果素子１ａと同時に同じ組成で形成され
た膜すなわち第二の磁気抵抗効果素子でも、その形状を
適当に決めることによって前記第三の実施例と同じ効果
が得られ、製造工程が簡単になる。
実施例と同じ原理で、磁気抵抗効果素子１ａの温度上昇
を防ぐことができる。前記抵抗体１ｃはなるべく温度上
昇の小さい場所に設けるのが望ましい。また、抵抗体１
ｃは磁気抵抗効果素子１ａと同時に同じ組成で形成され
た膜すなわち第二の磁気抵抗効果素子でも、その形状を
適当に決めることによって前記第三の実施例と同じ効果
が得られ、製造工程が簡単になる。
【００２５】
【発明の効果】この発明のように、磁気抵抗効果型ヘッ
ドと並列にダイオードや定電圧ダイオードあるいは磁気
抵抗効果型ヘッドより小さい抵抗値の固定抵抗を接続す
ることにより、また、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する
磁気抵抗効果素子と並列に磁気抵抗効果素子より小さい
抵抗値の抵抗体を接続することにより、磁気ディスク装
置に電源を投入し、その動作の立ち上げ時などに、セン
ス電流供給回路から磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁
気抵抗効果素子へ流れようとするセンス電流の過大電流
分を、前記ダイオードや定電圧ダイオードや固定抵抗、
あるいは磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果
素子と並列に接続した抵抗体へバイパスさせることによ
って、磁気抵抗効果素子の燒損を防止し、また、磁気抵
抗効果素子の急激な温度変化による応力などによりノイ
ズを発生しやすい磁区構造の形成を防止することができ
る。
ドと並列にダイオードや定電圧ダイオードあるいは磁気
抵抗効果型ヘッドより小さい抵抗値の固定抵抗を接続す
ることにより、また、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する
磁気抵抗効果素子と並列に磁気抵抗効果素子より小さい
抵抗値の抵抗体を接続することにより、磁気ディスク装
置に電源を投入し、その動作の立ち上げ時などに、セン
ス電流供給回路から磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁
気抵抗効果素子へ流れようとするセンス電流の過大電流
分を、前記ダイオードや定電圧ダイオードや固定抵抗、
あるいは磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果
素子と並列に接続した抵抗体へバイパスさせることによ
って、磁気抵抗効果素子の燒損を防止し、また、磁気抵
抗効果素子の急激な温度変化による応力などによりノイ
ズを発生しやすい磁区構造の形成を防止することができ
る。
【図１】この発明の磁気ディスク装置の第一の実施例の
概略図でる。
概略図でる。
【図２】この発明の磁気ディスク装置の第二の実施例の
概略図でる。
概略図でる。
【図３】この発明の磁気ディスク装置の第三の実施例の
概略図でる。
概略図でる。
【図４】この発明の磁気ディスク装置の第四の実施例の
概略図でる。
概略図でる。
【図５】従来の磁気ディスク装置の概略図でる。
【図６】従来の磁気ディスク装置の問題点の説明図であ
る。
る。
１ 磁気抵抗効果型ヘッド １ａ 磁気抵抗効果素子 １ｂ 引き出し導体 １ｃ 抵抗体 ２ 結合コンデンサー ３ 再生回路 ４ 復調回路 ５ 端子 ６ センス電流供給回路 ７ 電源端子 ８ 記録ヘッド ９ ライト回路 １０ ライトゲート １１ 端子 １２ 端子 １３ ダイオード １４ 定電圧ダイオード １５ 固定抵抗
Claims (5)
- 【請求項１】磁気抵抗効果型ヘッド（１）を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
（１）と並列にダイオード（１３）を接続したことを特
徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】磁気抵抗効果型ヘッド（１）を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
（１）と並列に定電圧ダイオード（１４）を接続したこ
とを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項３】磁気抵抗効果型ヘッド（１）を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
（１）と並列に、この磁気抵抗効果型ヘッド（１）より
小さい抵抗値の固定抵抗（１５）を接続したことを特徴
とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】磁気抵抗効果型ヘッド（１）を搭載した磁
気ディスク装置において、前記磁気抵抗効果型ヘッド
（１）を形成する磁気抵抗効果素子と並列に、この磁気
抵抗効果素子（１ａ）より小さい抵抗値の抵抗体（１
ｃ）を接続したことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項５】請求項４に記載の抵抗体（１ｃ）が、磁気
抵抗効果素子（１ａ）の形成と同時に形成された第二の
磁気抵抗効果素子であることを特徴とする磁気ディスク
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25095192A JPH06103508A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25095192A JPH06103508A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103508A true JPH06103508A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17215439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25095192A Withdrawn JPH06103508A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103508A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0651375A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head |
| EP0867864A2 (en) * | 1997-03-24 | 1998-09-30 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US5903415A (en) * | 1997-12-11 | 1999-05-11 | International Business Machines Corporation | AP pinned spin valve sensor with pinning layer reset and ESD protection |
| US6507466B1 (en) * | 1999-04-22 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect head with diode in parallel |
| KR100510449B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2005-11-01 | 삼성전자주식회사 | 정전 충격 방지 회로 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP25095192A patent/JPH06103508A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0651375A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head |
| EP0867864A2 (en) * | 1997-03-24 | 1998-09-30 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| EP0867864A3 (en) * | 1997-03-24 | 1999-03-17 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US5903415A (en) * | 1997-12-11 | 1999-05-11 | International Business Machines Corporation | AP pinned spin valve sensor with pinning layer reset and ESD protection |
| KR100510449B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2005-11-01 | 삼성전자주식회사 | 정전 충격 방지 회로 |
| US6507466B1 (en) * | 1999-04-22 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect head with diode in parallel |
| KR100388832B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2003-06-25 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 자기저항 효과 헤드 및 그의 제조 방법 |
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