JPH0598491A - 電気銅めつき法 - Google Patents
電気銅めつき法Info
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- JPH0598491A JPH0598491A JP28710991A JP28710991A JPH0598491A JP H0598491 A JPH0598491 A JP H0598491A JP 28710991 A JP28710991 A JP 28710991A JP 28710991 A JP28710991 A JP 28710991A JP H0598491 A JPH0598491 A JP H0598491A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅めっき被膜の表面平滑性と形状の正確性を
十分に確保することができるような電気銅めっき法を提
供することを目的とする。 【構成】 金属表面に電気銅めっきを施すに際し、先ず
初めに硫酸イオンおよび銅イオンを含有する溶液を用い
て電気銅めっきを行ない、次に硫酸イオン、銅イオン、
塩素イオンおよび銅めっき被膜の表面平滑剤を含有する
溶液を用いて電気銅めっきを施すことを特徴とする電気
銅めっき法。
十分に確保することができるような電気銅めっき法を提
供することを目的とする。 【構成】 金属表面に電気銅めっきを施すに際し、先ず
初めに硫酸イオンおよび銅イオンを含有する溶液を用い
て電気銅めっきを行ない、次に硫酸イオン、銅イオン、
塩素イオンおよび銅めっき被膜の表面平滑剤を含有する
溶液を用いて電気銅めっきを施すことを特徴とする電気
銅めっき法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品等のリードを電
気銅めっきによって形成するに際し、該リード表面の平
滑性およびリード断面形状を改善し得るような電気銅め
っき法に関するものである。
気銅めっきによって形成するに際し、該リード表面の平
滑性およびリード断面形状を改善し得るような電気銅め
っき法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリンド配線板（ＰＷＢ）、フレキシブ
ルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等の電子部品はポリイミド樹脂等の絶
縁体の表面に銅被膜を形成し、銅被膜および絶縁体をフ
ォトリソグラフィー等によって加工することによって得
られている。また上記電子部品においてそのリードを形
成する方法としては、従来サブトラクティブ法セミアデ
ィティブ法およびフルアディティブ法が用いられてい
る。上記のリード形成法はそれぞれ長所と短所を持つ
が、ＴＡＢのような高密度配線が要求されるものに対し
てはセミアディティブ法によるのが有利であるとされて
いる。
ルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等の電子部品はポリイミド樹脂等の絶
縁体の表面に銅被膜を形成し、銅被膜および絶縁体をフ
ォトリソグラフィー等によって加工することによって得
られている。また上記電子部品においてそのリードを形
成する方法としては、従来サブトラクティブ法セミアデ
ィティブ法およびフルアディティブ法が用いられてい
る。上記のリード形成法はそれぞれ長所と短所を持つ
が、ＴＡＢのような高密度配線が要求されるものに対し
てはセミアディティブ法によるのが有利であるとされて
いる。
【０００３】一般的なセミアディティブ法によるリード
形成工程は、絶縁体表面に第一の金属層を形成し、該第
一の金属層の表面にフォトレジスト層を形成し、該レジ
スト層に露光、現像を行なうことにより露出した第一の
金属層に電気めっき法により第二の金属層を形成し、レ
ジスト除去後に露出した第一の金属層を該第二の金属層
をマスクとして溶解除去し、回路間の絶縁性を確保する
ことによってリードの形成が行なわれる。
形成工程は、絶縁体表面に第一の金属層を形成し、該第
一の金属層の表面にフォトレジスト層を形成し、該レジ
スト層に露光、現像を行なうことにより露出した第一の
金属層に電気めっき法により第二の金属層を形成し、レ
ジスト除去後に露出した第一の金属層を該第二の金属層
をマスクとして溶解除去し、回路間の絶縁性を確保する
ことによってリードの形成が行なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようにしてセミア
ディティブ法によって形成されたリードにおける側面形
状はフォトレジスト層の側面の形状によって決定される
ため、高解像度を有するフォトレジストを用いれば高密
度なリードを形成することが可能となる。一方セミアデ
ィティブ法によって形成されたリードの表面（上面）の
形状は、電気銅めっきによって形成された銅被膜の形状
によって決定される。ＴＡＢ等の電子部品のリードに要
求される形状は、電気的および機械的特性に対する信頼
性やボンディング性等の点からリード断面に対しては矩
形形状が、またリード表面に対しては平滑性が要求され
る。
ディティブ法によって形成されたリードにおける側面形
状はフォトレジスト層の側面の形状によって決定される
ため、高解像度を有するフォトレジストを用いれば高密
度なリードを形成することが可能となる。一方セミアデ
ィティブ法によって形成されたリードの表面（上面）の
形状は、電気銅めっきによって形成された銅被膜の形状
によって決定される。ＴＡＢ等の電子部品のリードに要
求される形状は、電気的および機械的特性に対する信頼
性やボンディング性等の点からリード断面に対しては矩
形形状が、またリード表面に対しては平滑性が要求され
る。
【０００５】上記の要求特性のうち、リード側面の形状
に関しては、現在のフォトレジストの性能において特に
問題がない。しかしながら、リードの表面形状に関して
は従来の電気めっき法によって形成されたリードでは、
上記した要求を十分に満足せず且つ現在これを解決する
ための技術は確立されていない。
に関しては、現在のフォトレジストの性能において特に
問題がない。しかしながら、リードの表面形状に関して
は従来の電気めっき法によって形成されたリードでは、
上記した要求を十分に満足せず且つ現在これを解決する
ための技術は確立されていない。
【０００６】本発明は電子部品等のリードを形成するた
めに行なわれる電気銅めっきにおいて、得られた銅めっ
き被膜の表面平滑性と要求される断面形状の正確性を十
分に確保することができるような電気銅めっき法を提供
することを目的とするものである。
めに行なわれる電気銅めっきにおいて、得られた銅めっ
き被膜の表面平滑性と要求される断面形状の正確性を十
分に確保することができるような電気銅めっき法を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、電気銅め
っき液の組成を改良することによって電気銅めっき被膜
の表面形状を改善し、結果的にリード形状を改良できる
ことを見出し本発明を完成するに至った。
っき液の組成を改良することによって電気銅めっき被膜
の表面形状を改善し、結果的にリード形状を改良できる
ことを見出し本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、上記課題解決のための本発明の方法
は、金属表面に電気銅めっきを施すに際し、先ず硫酸イ
オンおよび銅イオンを含有する溶液を用いて電気銅めっ
きを行ない、次に硫酸イオン、銅イオン、塩素イオンお
よび銅めっき被膜の表面平滑剤を含有する溶液を用いて
電気銅めっきを施すことを特徴とする電気銅めっき法で
ある。
は、金属表面に電気銅めっきを施すに際し、先ず硫酸イ
オンおよび銅イオンを含有する溶液を用いて電気銅めっ
きを行ない、次に硫酸イオン、銅イオン、塩素イオンお
よび銅めっき被膜の表面平滑剤を含有する溶液を用いて
電気銅めっきを施すことを特徴とする電気銅めっき法で
ある。
【０００９】本発明の方法において、硫酸イオンおよび
銅イオンを含有する溶液を用いて行なう第一の電気銅め
っき工程と硫酸イオン、銅イオン、塩素イオンおよび銅
めっき被膜の表面平滑剤を含有する溶液を用いて行なう
第二の電気銅めっき工程とを少なくとも一度以上繰り返
し行なってもよい。また本発明において第二の電気銅め
っき工程において用いられる銅めっき被膜の表面平滑剤
はチオカルボニル基を有する有機物が好ましい。
銅イオンを含有する溶液を用いて行なう第一の電気銅め
っき工程と硫酸イオン、銅イオン、塩素イオンおよび銅
めっき被膜の表面平滑剤を含有する溶液を用いて行なう
第二の電気銅めっき工程とを少なくとも一度以上繰り返
し行なってもよい。また本発明において第二の電気銅め
っき工程において用いられる銅めっき被膜の表面平滑剤
はチオカルボニル基を有する有機物が好ましい。
【００１０】
【作用】次に本発明による電気銅めっき法の詳細および
その作用について説明する。
その作用について説明する。
【００１１】従来、電気銅めっき液としては、銅源の種
類によって硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液、シ
アン化銅めっき液等が知られているが、ＰＷＢ、ＦＰ
Ｃ、ＴＡＢ等の電子部品に対しては、得られるめっき被
膜の物性、均一電着性および液管理のしやすさ等から主
に硫酸銅めっき液が用いられている。
類によって硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液、シ
アン化銅めっき液等が知られているが、ＰＷＢ、ＦＰ
Ｃ、ＴＡＢ等の電子部品に対しては、得られるめっき被
膜の物性、均一電着性および液管理のしやすさ等から主
に硫酸銅めっき液が用いられている。
【００１２】硫酸銅めっき液は硫酸および硫酸銅を基本
成分とし、最近ではこれにさらに種々の添加剤を加える
ことによって得られる銅めっき被膜の諸特性の改善が図
られている。しかしながら銅めっき被膜の表面平滑性に
ついては問題があり、しかも未だめっき被膜の表面平滑
性の改善について有効な添加剤は見出されていない。
成分とし、最近ではこれにさらに種々の添加剤を加える
ことによって得られる銅めっき被膜の諸特性の改善が図
られている。しかしながら銅めっき被膜の表面平滑性に
ついては問題があり、しかも未だめっき被膜の表面平滑
性の改善について有効な添加剤は見出されていない。
【００１３】本発明者等は電気めっき被膜において、表
面平滑性を高めるためには電気めっきによって析出する
銅の結晶を微細にする必要があるという見地から、硫酸
銅めっき液に加えるべき添加剤について検討を行なった
結果、チオカルボニル基を有する有機物を添加した場合
には微細な結晶を析出させることができ、これによって
めっき被膜の平滑性が大巾に改善されることが判かっ
た。
面平滑性を高めるためには電気めっきによって析出する
銅の結晶を微細にする必要があるという見地から、硫酸
銅めっき液に加えるべき添加剤について検討を行なった
結果、チオカルボニル基を有する有機物を添加した場合
には微細な結晶を析出させることができ、これによって
めっき被膜の平滑性が大巾に改善されることが判かっ
た。
【００１４】硫酸銅めっき液にチオカルボニル基を有す
る有機物を添加して電気めっきすることによって、微細
な結晶を析出させることができる理由については明らか
ではないが、恐らくチオカルボニル基に含まれる硫黄元
素と液中の銅イオンが配位結合を形成し、めっき析出反
応においてめっきの核生成反応を核発生反応に比べて抑
制するために結果的に微細な結晶を析出するものと推定
される。
る有機物を添加して電気めっきすることによって、微細
な結晶を析出させることができる理由については明らか
ではないが、恐らくチオカルボニル基に含まれる硫黄元
素と液中の銅イオンが配位結合を形成し、めっき析出反
応においてめっきの核生成反応を核発生反応に比べて抑
制するために結果的に微細な結晶を析出するものと推定
される。
【００１５】しかしながら、セミアディティブ法におい
て、第一の金属層上に直接上記チオカルボニル基を有す
る有機物を添加した硫酸銅めっき液により電気銅めっき
を施してリードを形成しようとすると、微細な結晶析出
によって得られる電気銅めっき被膜の表面には十分な平
滑性が得られるものの、リード断面における上辺は半円
形を呈し正確な矩形形状の断面が得られない。
て、第一の金属層上に直接上記チオカルボニル基を有す
る有機物を添加した硫酸銅めっき液により電気銅めっき
を施してリードを形成しようとすると、微細な結晶析出
によって得られる電気銅めっき被膜の表面には十分な平
滑性が得られるものの、リード断面における上辺は半円
形を呈し正確な矩形形状の断面が得られない。
【００１６】これは上記チオカルボニル基を有する有機
物添加剤を加えた硫酸銅めっき液によって電気めっきを
施した場合には、銅めっき被膜の平滑性は得られるもの
の均一電着性が損なわれるためである。上記の問題を解
決するために本発明者等はさらに検討を行なった結果、
絶縁体上に形成された第一の金属層上に電気銅めっきを
施すに際し、電気銅めっきを先ず初めに硫酸と硫酸銅か
らなる従来の硫酸銅めっき液によって行ない、引続き所
望の厚みになるまで硫酸、硫酸銅めっき液に、さらに塩
素イオンおよびチオカルボニル基を有する有機物を添加
しためっき液を用いて行なう方法を行なえば形状正確性
および表面平滑性をともに満足し得る電気銅めっき被膜
が得られることを見出した。
物添加剤を加えた硫酸銅めっき液によって電気めっきを
施した場合には、銅めっき被膜の平滑性は得られるもの
の均一電着性が損なわれるためである。上記の問題を解
決するために本発明者等はさらに検討を行なった結果、
絶縁体上に形成された第一の金属層上に電気銅めっきを
施すに際し、電気銅めっきを先ず初めに硫酸と硫酸銅か
らなる従来の硫酸銅めっき液によって行ない、引続き所
望の厚みになるまで硫酸、硫酸銅めっき液に、さらに塩
素イオンおよびチオカルボニル基を有する有機物を添加
しためっき液を用いて行なう方法を行なえば形状正確性
および表面平滑性をともに満足し得る電気銅めっき被膜
が得られることを見出した。
【００１７】即ち、硫酸と硫酸銅からなる通常の電気銅
めっき液を用いて得られた銅めっき被膜は前述したよう
に表面平滑性は劣るものの均一電着性が優れており、し
たがって所望の断面形状の銅めっき被膜を容易に得るこ
とができるものである。よってセミアディティブ法によ
って絶縁体上の第一の金属層上に先ず上記硫酸と硫酸銅
とからなるめっき液を用いて電気めっきを施すことによ
ってリードの一部を形成することにより、リードをほぼ
所望の矩形形状に形成しておいて、しかる後硫酸、硫酸
銅、塩素イオンおよびチオカルボニル基を有する有機物
からなるめっき液を用いて電気銅めっきを施せばリード
の表面は平滑に仕上がることとなり、結果的に断面が矩
形で表面平滑性の優れたリードを形成し得るのである。
この２種類のめっき液を用いて行なう電気銅めっきは効
果が不十分であれば繰り返し行なって最終的リードを形
成しても構わない。
めっき液を用いて得られた銅めっき被膜は前述したよう
に表面平滑性は劣るものの均一電着性が優れており、し
たがって所望の断面形状の銅めっき被膜を容易に得るこ
とができるものである。よってセミアディティブ法によ
って絶縁体上の第一の金属層上に先ず上記硫酸と硫酸銅
とからなるめっき液を用いて電気めっきを施すことによ
ってリードの一部を形成することにより、リードをほぼ
所望の矩形形状に形成しておいて、しかる後硫酸、硫酸
銅、塩素イオンおよびチオカルボニル基を有する有機物
からなるめっき液を用いて電気銅めっきを施せばリード
の表面は平滑に仕上がることとなり、結果的に断面が矩
形で表面平滑性の優れたリードを形成し得るのである。
この２種類のめっき液を用いて行なう電気銅めっきは効
果が不十分であれば繰り返し行なって最終的リードを形
成しても構わない。
【００１８】本発明においてチオカルボニル基を有する
有機物を用いためっき液にさらに塩素イオンを添加する
のはチオカルボニル基を有する有機物単独では微細な結
晶を析出させる作用は弱く、塩素イオンと共存させるこ
とによって初めて有効に微細結晶の析出を行なわせるこ
とが可能となるからである。
有機物を用いためっき液にさらに塩素イオンを添加する
のはチオカルボニル基を有する有機物単独では微細な結
晶を析出させる作用は弱く、塩素イオンと共存させるこ
とによって初めて有効に微細結晶の析出を行なわせるこ
とが可能となるからである。
【００１９】また本発明において用いるチオカルボニル
基を有する有機物の添加量は、該有機物の化学構造、電
気めっき液中に含まれる他の成分との関係により一概に
定めることはできない。よって実操業に当たっては予め
その適正添加量をもとめておくのがよい。塩素イオンの
供給源としては塩酸や塩化ナトリウム等が使用される
が、その濃度についても上記の理由により限定すること
はできない。またさらに本発明において用いられる電気
めっき液中の硫酸イオンおよび銅イオンの濃度について
も特に限定されるものでなく、上記と同様実操業に即し
て定めればよい。
基を有する有機物の添加量は、該有機物の化学構造、電
気めっき液中に含まれる他の成分との関係により一概に
定めることはできない。よって実操業に当たっては予め
その適正添加量をもとめておくのがよい。塩素イオンの
供給源としては塩酸や塩化ナトリウム等が使用される
が、その濃度についても上記の理由により限定すること
はできない。またさらに本発明において用いられる電気
めっき液中の硫酸イオンおよび銅イオンの濃度について
も特に限定されるものでなく、上記と同様実操業に即し
て定めればよい。
【００２０】本発明における電気銅めっき条件は第一の
電気銅めっき工程においては、通常硫酸銅めっき液を用
いて行なうときのめっき条件で構わないが、チオカルボ
ニル基を有する有機物を添加した第二の電気銅めっき工
程においては、チオカルボニル基の作用を損なわないよ
うな条件で行なう必要があるので実操業に当たっては予
めその適正条件を求めておく必要がある。
電気銅めっき工程においては、通常硫酸銅めっき液を用
いて行なうときのめっき条件で構わないが、チオカルボ
ニル基を有する有機物を添加した第二の電気銅めっき工
程においては、チオカルボニル基の作用を損なわないよ
うな条件で行なう必要があるので実操業に当たっては予
めその適正条件を求めておく必要がある。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例について同時に行なった
比較例とともに述べる。 実施例１ ポリイミド樹脂表面に厚さ１μｍの銅被膜を形成し、こ
れを第一の金属層とした。次いでこの第一の金属層上に
厚さ４０μｍのフォトレジスト層を形成し、該レジスト
層にリード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍになるよう
にマスキングを施して所定の強度の紫外線を照射したの
ち現像を行ない、現像によって露出した第一の金属層上
に厚さ３５μｍのリードを形成するに際して、先ず表１
に示す条件で電気銅めっきを行なって１７．５μｍの厚
さに銅被膜層によるリードを形成した後、さらに表２に
示す条件で電気銅めっきを行ない最終的に３５μｍの厚
さのリードを形成した。その後、レジスト層を剥離除去
し、これによって露出した残余の第一の金属層を塩化第
二鉄２００ｇ／ｌの水溶液を用いて２５℃で１分間の溶
解を行なって除去した。
比較例とともに述べる。 実施例１ ポリイミド樹脂表面に厚さ１μｍの銅被膜を形成し、こ
れを第一の金属層とした。次いでこの第一の金属層上に
厚さ４０μｍのフォトレジスト層を形成し、該レジスト
層にリード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍになるよう
にマスキングを施して所定の強度の紫外線を照射したの
ち現像を行ない、現像によって露出した第一の金属層上
に厚さ３５μｍのリードを形成するに際して、先ず表１
に示す条件で電気銅めっきを行なって１７．５μｍの厚
さに銅被膜層によるリードを形成した後、さらに表２に
示す条件で電気銅めっきを行ない最終的に３５μｍの厚
さのリードを形成した。その後、レジスト層を剥離除去
し、これによって露出した残余の第一の金属層を塩化第
二鉄２００ｇ／ｌの水溶液を用いて２５℃で１分間の溶
解を行なって除去した。
【００２２】以上の一連の処理を行なうことによってポ
リイミド樹脂上に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０
μｍのリードを形成することができた。得られたリード
の断面形状は正確に矩形形状をなしており、また表面平
滑性が優れたものであった。
リイミド樹脂上に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０
μｍのリードを形成することができた。得られたリード
の断面形状は正確に矩形形状をなしており、また表面平
滑性が優れたものであった。
【００２３】
【表１】 実施例１における第１回目の電気銅めっき条件 ───────────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： ３０分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー
【００２４】
【表２】 実施例１における第２回目の電気銅めっき条件 ───────────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ Ｃｌ− ： ５０ｍｇ／ｌ １−アセチル−２−チオウレア ： １ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： ３０分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー 実施例２ ポリイミド樹脂表面に厚さ１μｍの銅被膜を形成し、こ
れを第一の金属層とした。次いでこの第一の金属層上に
厚さ４０μｍのフォトレジスト層を形成し、該レジスト
層にリード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍになるよう
にマスキングを施して所定の強度の紫外線を照射したの
ち現像を行ない、現像によって露出した第一の金属層上
に厚さ３５μｍのリードを形成するに際して、先ず表３
に示す条件で第一回目の電気銅めっきを行なった。この
めっき操作を電気銅めっきＡと称する。電気銅めっきＡ
を行なうことによって露出第一金属層上に８．８μｍの
厚さにめっき銅被膜層が形成された。次に、得られた銅
被膜層上に表４に示す条件で電気銅めっきを行なった。
このめっき操作を電気銅めっきＢと称する。電気銅めっ
きＢを行なうことによって露出第一金属層上の銅めっき
被膜は１７．５μｍの厚みにまで増加した。さらに電気
銅めっきＡおよびＢの操作をもう一回づつ繰返して行な
うことにより、最終的に３５μｍの厚さのリード部を形
成した。その後レジスト層を剥離除去し、これによって
露出した残余の第一の金属層を塩化第二鉄２００ｇ／ｌ
の水溶液を用いて２５℃で１分間の溶解を行なって除去
した。
れを第一の金属層とした。次いでこの第一の金属層上に
厚さ４０μｍのフォトレジスト層を形成し、該レジスト
層にリード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍになるよう
にマスキングを施して所定の強度の紫外線を照射したの
ち現像を行ない、現像によって露出した第一の金属層上
に厚さ３５μｍのリードを形成するに際して、先ず表３
に示す条件で第一回目の電気銅めっきを行なった。この
めっき操作を電気銅めっきＡと称する。電気銅めっきＡ
を行なうことによって露出第一金属層上に８．８μｍの
厚さにめっき銅被膜層が形成された。次に、得られた銅
被膜層上に表４に示す条件で電気銅めっきを行なった。
このめっき操作を電気銅めっきＢと称する。電気銅めっ
きＢを行なうことによって露出第一金属層上の銅めっき
被膜は１７．５μｍの厚みにまで増加した。さらに電気
銅めっきＡおよびＢの操作をもう一回づつ繰返して行な
うことにより、最終的に３５μｍの厚さのリード部を形
成した。その後レジスト層を剥離除去し、これによって
露出した残余の第一の金属層を塩化第二鉄２００ｇ／ｌ
の水溶液を用いて２５℃で１分間の溶解を行なって除去
した。
【００２５】以上の一連の処理を行なうことによってポ
リイミド樹脂上に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０
μｍのリードを形成することができた。得られたリード
の断面形状は正確に矩形形状をなしており、また表面平
滑性が優れたものであった。
リイミド樹脂上に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０
μｍのリードを形成することができた。得られたリード
の断面形状は正確に矩形形状をなしており、また表面平
滑性が優れたものであった。
【００２６】
【表３】 実施例２における第１回目の電気銅めっき条件（電気銅めっきＡ） ────────────────────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： １５分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー
【００２７】
【表４】 実施例２における第２回目の電気銅めっき条件（電気銅めっきＢ） ────────────────────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ Ｃｌ− ： ５０ｍｇ／ｌ １−アセチル−２−チオウレア ： １ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： １５分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー 比較例１ 実施例１と同様な手順で第一の金属層上にレジスト層を
形成し、露光、現像後露出した第一の金属層上に表５に
示す条件で電気銅めっきを行ない、３５μｍの厚さの電
気銅めっきによるリード部を形成した。残余の第一の金
属層を実施例１と同様の手順で溶解除去してポリイミド
樹脂表面に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０μｍの
リードを形成することができたが、得られたリードは表
面平滑性において著しく劣るものであった。
形成し、露光、現像後露出した第一の金属層上に表５に
示す条件で電気銅めっきを行ない、３５μｍの厚さの電
気銅めっきによるリード部を形成した。残余の第一の金
属層を実施例１と同様の手順で溶解除去してポリイミド
樹脂表面に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０μｍの
リードを形成することができたが、得られたリードは表
面平滑性において著しく劣るものであった。
【００２８】
【表５】 比較例１における電気銅めっき条件 ──────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： ６０分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー 比較例２ 実施例１と同様な手順で第一の金属層上にレジスト層を
形成し、露光、現像後露出した第一の金属層上に表６に
示す条件で電気銅めっきを行ない、３５μｍの厚さの電
気銅めっきによるリード部を形成した。残余の第一の金
属層を実施例１と同様の手順で溶解除去してポリイミド
樹脂表面に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０μｍの
リードを形成することができたが、得られたリードの断
面形状は上辺が半円状をしており正確な矩形形状となっ
ていなかった。
形成し、露光、現像後露出した第一の金属層上に表６に
示す条件で電気銅めっきを行ない、３５μｍの厚さの電
気銅めっきによるリード部を形成した。残余の第一の金
属層を実施例１と同様の手順で溶解除去してポリイミド
樹脂表面に厚さ３５μｍ、幅５０μｍ、間隔５０μｍの
リードを形成することができたが、得られたリードの断
面形状は上辺が半円状をしており正確な矩形形状となっ
ていなかった。
【００２９】
【表６】 比較例２における電気銅めっき条件 ──────────────── （めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ：１８０ｇ／ｌ Ｃｌ− ： ５０ｍｇ／ｌ １−アセチル−２−チオウレア ： １ｇ／ｌ （めっき条件） 温 度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 陰 極 ： 含りん銅 時 間 ： ６０分間 攪 拌 ： 空気およびカソードロッカー
【００３０】
【発明の効果】本発明の電気銅めっき法によれば、従来
セミアディティブ法では困難であったリード表面の平滑
性とリード断面の正確な矩形形状の確保を同時に満足す
ることが可能になるので、電気的、機械的信頼性および
ボンディング性の優れたＴＡＢ等の電子部品の作成に好
適である。
セミアディティブ法では困難であったリード表面の平滑
性とリード断面の正確な矩形形状の確保を同時に満足す
ることが可能になるので、電気的、機械的信頼性および
ボンディング性の優れたＴＡＢ等の電子部品の作成に好
適である。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属表面に電気銅めっきを施すに際し、
先ず硫酸イオンおよび銅イオンを含有する溶液を用いて
電気銅めっきを行ない、次に硫酸イオン、銅イオン、塩
素イオンおよび銅めっき被膜の表面平滑剤を含有する溶
液を用いて電気銅めっきを施すことを特徴とする電気銅
めっき法。 - 【請求項２】 硫酸イオンおよび銅イオンを含有する溶
液を用いて行なう電気銅めっき工程と硫酸イオン、銅イ
オン、塩素イオンおよび銅めっき被膜の表面平滑剤を含
有する溶液を用いて行なう電気銅めっき工程とを少なく
とも一度以上繰り返し行なうことを特徴とする請求項１
記載の電気銅めっき法。 - 【請求項３】 銅めっき被膜の表面平滑剤はチオカルボ
ニル基を有する有機物である請求項１または請求項２記
載の電気銅めっき法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28710991A JPH0598491A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 電気銅めつき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28710991A JPH0598491A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 電気銅めつき法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0598491A true JPH0598491A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17713178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28710991A Pending JPH0598491A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 電気銅めつき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0598491A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014306A1 (en) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Ebara Corporation | Method for plating substrate and apparatus |
| EP1091024A4 (en) * | 1998-04-30 | 2006-03-22 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR COATING SUBSTRATES |
| JP2006316327A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Daiso Co Ltd | フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
| JP2007023344A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ２層めっき基板およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP28710991A patent/JPH0598491A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1091024A4 (en) * | 1998-04-30 | 2006-03-22 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR COATING SUBSTRATES |
| WO2000014306A1 (en) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Ebara Corporation | Method for plating substrate and apparatus |
| JP2006316327A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Daiso Co Ltd | フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
| JP4560726B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-10-13 | ダイソー株式会社 | フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
| JP2007023344A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ２層めっき基板およびその製造方法 |
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