JPH0154875B2 - - Google Patents
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- JPH0154875B2 JPH0154875B2 JP54169267A JP16926779A JPH0154875B2 JP H0154875 B2 JPH0154875 B2 JP H0154875B2 JP 54169267 A JP54169267 A JP 54169267A JP 16926779 A JP16926779 A JP 16926779A JP H0154875 B2 JPH0154875 B2 JP H0154875B2
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- Japan
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- film
- plating
- thickness
- copper
- electroless plating
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
本発明は高密度、高信頼性の厚膜フアインパタ
ーンの製造法に関するものである。厚膜フアイン
パターンは、電流値が必要とされる小型コイル、
高密度コネクター、高密度配線などの分野で要求
されている。コイルの製造法としては、通常巻き
線方式が用いられているが、この方法では小型の
コイルを製造する事は困難であり、かつ巻き線の
状態にバラツキが生じる。また35μm銅箔をエツ
チングしたいわゆるプリントコイルは、サイドエ
ツチングのため、フアインパターンは得られず、
たかだか２〜３本／mmのパターンしか得られずこ
の方法も小型のコイルを製造することはむつかし
い。しかしながら、近年モーターの小型化にとも
ない、10〜20本／mmのフアインパターンを有する
フアインコイルの開発が要望されている。 本発明は、まずフオトレジストでマスクして、
無電解メツキで膜厚１〜10μmの薄膜パターンを
形成した後、陰極の電流密度５〜15A／ｄm2の件
で電解メツキして厚付けすることにより、高密
度、高信頼性の厚膜フアインパターンが得られる
ことを見い出したものである。 すなわち、本発明は、フイルム状基板に無電解
メツキに対する活性化処理を施す段階と、回路部
以外の部分にレジストを形成する段階と、回路部
に無電解メツキで膜厚１〜10μmの導電体を形成
する段階を経て得られた薄膜パターンを、ピロリ
ン酸銅メツキ液をを用いて陰極の電流密度５〜
15A／ｄm2の条件で導電体を電解メツキすること
を特徴とする線密度５本／mm以上で厚み20μm以
上の厚膜フアインパターンの製造法を提供するも
のである。 厚膜フアインパターン（５本／mm以上で膜厚
45μm以上）の所望望する回路部の膜厚、例えば
20〜50μmまで、無電解メツキで厚付けすると、
膜厚以上に幅方向に太りが生じるため、フアイン
パターンは得られず、またメツキ速度が遅く生産
性も劣る。更に例えば銅の無電解メツキ液の如く
強アルカリ水溶液に長時間耐えるフオトレジスト
はほとんどないなどの問題点が生じる。これらの
問題点を解決するためには、無電解メツキ膜厚が
重要であり、１〜10μmが好ましい範囲であり、
特に２〜5μmが好ましい。無電解メツキ膜厚が
1μm以下の場合は、その後の電解メツキでメツキ
膜厚が不均一になつてしまい、10μm以上の場合
はフアインパターンを得ることが困難になる。ま
た、本発明の方法の場合、レジストが無電解メツ
キの太り防止の作用も有し、フアインパターンを
得るのに適している。 以上のような無電解メツキ後、ピロリン酸銅メ
ツキ液を電解メツキで厚付けを行うが、薄膜パタ
ーン上に厚さ20μm以上の線密度５本／mm以上の
回路パターンを厚付けするためには、ピロリン酸
銅メツキ液を用いて、電解電流密度5A／ｄm2の
下で電解メツキすることが肝要である。 第１図及び第２図は、ピロリン酸銅メツキ液を
用いて陰極電流密度2A／ｄm2と5A／ｄm2下で電
解メツキしたときの場合の電解メツキ層（厚付け
層）の断面成長を示すもので、ポリイミドフイル
ム（厚さ25μm）の表面を後述の実施例１の方法
で活性化処理し、ついでレジスト形成の後、シプ
レー社製無電解メツキ液「CP―70」を用いてパ
ターン状に3μmの厚さの無電解メツキ層を形成
し、その後レジストを除去して得た幅85μm、間
隔40μm（線密度８本／mm）の薄膜導電体パターン
上に電解メツキにより厚付け層を成長させた場合
の例で示す。 陰極電流密度が2A／ｄm2の電解メツキでは、
電解メツキ層の幅方向は厚み方向の約２倍の速さ
で成長し、厚さ方向で20μm成長したときに隣接
のメツキ層と衝突し短絡してしまう（第１図）の
に対し、陰極電流密度が5A／ｄm2の電解メツキ
では逆メツキ層の厚さ方向の成長は、幅方向の２
倍に近い速さで成長する（第２図）。 第３図は、第１図、第２図で説明した手法で得
た電解メツキ層の幅方向の成長長さ（線の幅方向
の長さ）に対して成長厚さ方向の長さをプロツト
して得た電解メツキ層の成長曲線で、ピロリン酸
銅メツキ液を用いる電解メツキでは、厚さ方向の
メツキ層成長速度が幅方向のメツキ層成長速度よ
りも著しく大きいという異方向性のメツキ層成長
が陰極電流密度5A／ｄm2以上で生じることを示
している。 無電解メツキパターン上に、線密度５本／mm以
上で厚さ20μm以上の導体を有する厚膜フアイン
パターンを線間短絡を生じせしめないで厚付けす
るには陰極電流密度5A／ｄm2以上で電解メツキ
することが必要である。特に好適な陰極電流密度
条件は5A／ｄm2〜15A／ｄm2である。 本発明方法は、フイルム状基板の片面だけに形
成してもよいが、必要に応じて両面に形成しても
よい。両面に形成する場合は無電解メツキに対す
る活性化処理を施す前に、フイルム状基板に穴あ
けし、スルーホール接続を行う必要がある。１枚
のフイルム状基板の複数のパターンを形成する場
合は、フイルム状基板の両面にパターンを形成
し、スルーホール接続した方がつなぎ込みが容易
であり好ましい。 本発明に使用される状基板としては、ポリエス
テルフイルム、エポキシフイルム、ポリイミドフ
イルム、ポリパラバン酸フイルム、トリアジンフ
イルムなどフイルム状のものはすべて使用出来る
が、可撓性、耐熱性の点からポリイミドフイル
ム、ポリパラバン酸フイルム、トリアジンフイル
ムが好ましい。フイルム状基板の膜厚は、高密度
化という意味では出来るだけ薄いものが好ましい
が、余り薄過ぎると作業性が悪くなり、膜厚とし
ては５〜50μ、特に10〜25μmが好ましい範囲であ
る。 また、必要に応じて、フイルム状基板と導電体
の接着性を向上するために、フイルム状基板に接
着層を設けてもよい。接着剤としては、ポリエス
テル―イソシアネート系、フエノール樹脂―ブチ
ラール系、フエノール樹脂―ニトリルゴム系、エ
ポキシ―ナイロン系、エポキシ―ニトリルゴム系
などがあり、耐熱性、耐湿性、接着性の優れたも
のが好まく、特にエポキシ―ニトリルゴム系接着
剤が好ましい。接着剤の膜厚は高密度化、接着性
の点から、１〜20μm、特に２〜10μmが好ましい
範囲である。 本発明において行われる無電解メツキに対する
活性処理としては、元素周期律表の第1B族およ
び第８族の金属、これらの金属の塩又は酸化物を
溶解或いは分散せしめた溶液で処理する方法など
がある。上記化合物の例としては、銅、銀、金、
鉄、コバルト、ニツケル、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金
などの金属、或いはこれらの塩化物、臭化物、フ
ツ化物、フルオロ硼素錯塩、ヨウ化物、硫酸塩、
酢酸塩および酸化物などがある。これらは必要に
より、塩化第１錫などの還元剤と組合わせて使用
される。また上記化合物の溶液で処理するかわり
に、上記化合物を接着剤中に配合してもよい。 本発明において行われる回路部以外の部分にレ
ジストを形成する方法としては、スクリーン印刷
或いはグラビア印刷などで形成しても良いが、フ
アインパターンが得易いフオトレジストを用いて
形成するのが好ましい。形成法としては、塗布、
露光、現像プロセスを経て得る事が出来る。フオ
トレジストとしては、イーストマンコダツク社の
KPR，KOR，KPL，KTFR，KMER，東京応
化社のTPR，OMR81，富士薬品工業のFSRなど
のネガ型、およびイーストマンコグツク社の
KADR、シプレ―社のAZ―1350などのポジ型な
どがあるが、耐メツキ性に優れたものが好まし
く、特にネガ型が好ましく使用される。膜厚は厚
い方がメツキの太り防止として役立つが、余り厚
過ぎるとフアインパターンが得られなくなつてし
まい、0.1〜10μm、特に１〜8μmが好ましい。
0.1μm以下ではピンホールが生じ易い。 無電解メツキの種類としては、導電体であれば
何でも良いが、銀、金、銅、ニツケル、スズなど
が好ましく、特に導電性および経済性および経済
性の点から銅が好ましく使用される。無電解メツ
キ膜厚は前に述べた様にフアインパターンを得る
上で重要であり、１〜10μmが好ましい範囲でり、
特に２〜5μが好ましい範囲である。膜厚が1μm以
下の場合は、その後の電解メツキの膜厚が不均一
になり、10μm以上の場合は、フアインパターン
を得る事が困難になる。 銅の電解メツキのメツキ液に、シアン化銅メツ
キ、ピロリン酸銅メツキ、硫酸銅メツキ、ホウフ
ツ化銅メツキなどがあるが、特に中性領域でのメ
ツキが可能なピロリン酸銅メツキを用いる。フア
インパターンを電解メツキする場合、前記した通
り重要な因子としては陰極の電流密度があり、陰
極電流密度が小さい場合は、膜厚方向以上に幅方
向への太りが生じ、かつメツキ膜厚が不均一にな
り易く、陰極電流密度としては5A／ｄm2以上、
特に５〜15A／ｄm2が好ましい範囲である。陰極
電流密度が5A／ｄm2以下の場合は幅方向への太
りが生じ、陰極電流密度が20A／ｄm2以上になる
と、やけが生じる様になる。電解メツキ膜厚は設
計値により異るが、一般的には10〜50μmが好ま
しい範囲である。 また、より信頼性を向上する為に、必要に応じ
て、電解メツキ後、熱処理或いは金、スズ、ハン
ダ、又はポリマーから成る保護層を設けるなどの
処理が行われる。 以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実
施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではなく、種々の変形が可能で
ある。 実施例 １ デユポン社製がポリイミドフイルム「カプト
ン」（膜厚25μm）を、10％水酸化ナトリウム水溶
液に浸漬処理した後、塩化第１スズの塩酸水溶
液、ついで塩化パラジウムの塩酸水溶液で処理、
乾燥した。その後、イーストマンコダツク社製ネ
ガ型フオトレジスト「マイクロレジスト752」を
乾燥後、膜厚が5μmになるように塗布、プレベー
クして、回路パターンを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現
像し、乾燥、ポストベークして、回路部以外の部
分にレジストを形成した。次いで、シプレー社製
無電解メツキ液「CP―70」を用いて、回路部に
銅を5μm厚無電解メツキした。この様にして得ら
れた薄膜パターンを、ハーシヨウ村田社製ピロリ
ン酸銅メツキ液を用いて、陰極の電流密度14A／
ｄm2の条件で銅を20μm厚電解メツキを行つて、
均一な膜厚を有する15本／mmのフアインパターン
を得た。 実施例 ２ エツソ化学社製ポリパラバン酸フイルム「トラ
ドロン」（膜厚25μm）の両面に、ボスチツク社製
エポキシ―ニトルゴム系接着剤「XA―564―４」
を乾燥後膜厚が片面5μmになるように塗布して、
180℃で30分間熱処理した。その後、パンチング
でスルーホール部の穴あけを行い、塩化第１スズ
の塩酸水溶液次いで塩化パラジウムの塩酸水溶液
で処理，乾燥した後、イーストマンコダツク社製
ネガ型フオトレジスト「マイクロレジスト752」
を乾燥後、片面膜厚3μmになるように塗布、プレ
ベークを行つて、回路パターンマスクを通して高
圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリン
ス液を用いて現像し、乾燥、ポストベークして、
回路部以外の部分にレジストを形成した。次い
で、室町化学工業社製無電解銅メツキ液
「MK400」を用いて、回路部に銅を3μm厚に無電
解メツキした。この様して得られた薄膜パターン
を、ハーシヨン村田社製ピロリン酸銅メツキ液を
用いて、陰極の電流密度7A／ｄm2の条件で銅を
22μm厚電解メツキを行つて、均一な膜厚を有す
る15本／mmの両面スルーホール接続されたフアイ
ンパターンを得た。 比較例 １〜４ 無電解メツキ膜厚および陰極電流密度を第１表
に示す如く代える以外は、実施例１と同様に処理
した。その結果を第１表に示す。
ーンの製造法に関するものである。厚膜フアイン
パターンは、電流値が必要とされる小型コイル、
高密度コネクター、高密度配線などの分野で要求
されている。コイルの製造法としては、通常巻き
線方式が用いられているが、この方法では小型の
コイルを製造する事は困難であり、かつ巻き線の
状態にバラツキが生じる。また35μm銅箔をエツ
チングしたいわゆるプリントコイルは、サイドエ
ツチングのため、フアインパターンは得られず、
たかだか２〜３本／mmのパターンしか得られずこ
の方法も小型のコイルを製造することはむつかし
い。しかしながら、近年モーターの小型化にとも
ない、10〜20本／mmのフアインパターンを有する
フアインコイルの開発が要望されている。 本発明は、まずフオトレジストでマスクして、
無電解メツキで膜厚１〜10μmの薄膜パターンを
形成した後、陰極の電流密度５〜15A／ｄm2の件
で電解メツキして厚付けすることにより、高密
度、高信頼性の厚膜フアインパターンが得られる
ことを見い出したものである。 すなわち、本発明は、フイルム状基板に無電解
メツキに対する活性化処理を施す段階と、回路部
以外の部分にレジストを形成する段階と、回路部
に無電解メツキで膜厚１〜10μmの導電体を形成
する段階を経て得られた薄膜パターンを、ピロリ
ン酸銅メツキ液をを用いて陰極の電流密度５〜
15A／ｄm2の条件で導電体を電解メツキすること
を特徴とする線密度５本／mm以上で厚み20μm以
上の厚膜フアインパターンの製造法を提供するも
のである。 厚膜フアインパターン（５本／mm以上で膜厚
45μm以上）の所望望する回路部の膜厚、例えば
20〜50μmまで、無電解メツキで厚付けすると、
膜厚以上に幅方向に太りが生じるため、フアイン
パターンは得られず、またメツキ速度が遅く生産
性も劣る。更に例えば銅の無電解メツキ液の如く
強アルカリ水溶液に長時間耐えるフオトレジスト
はほとんどないなどの問題点が生じる。これらの
問題点を解決するためには、無電解メツキ膜厚が
重要であり、１〜10μmが好ましい範囲であり、
特に２〜5μmが好ましい。無電解メツキ膜厚が
1μm以下の場合は、その後の電解メツキでメツキ
膜厚が不均一になつてしまい、10μm以上の場合
はフアインパターンを得ることが困難になる。ま
た、本発明の方法の場合、レジストが無電解メツ
キの太り防止の作用も有し、フアインパターンを
得るのに適している。 以上のような無電解メツキ後、ピロリン酸銅メ
ツキ液を電解メツキで厚付けを行うが、薄膜パタ
ーン上に厚さ20μm以上の線密度５本／mm以上の
回路パターンを厚付けするためには、ピロリン酸
銅メツキ液を用いて、電解電流密度5A／ｄm2の
下で電解メツキすることが肝要である。 第１図及び第２図は、ピロリン酸銅メツキ液を
用いて陰極電流密度2A／ｄm2と5A／ｄm2下で電
解メツキしたときの場合の電解メツキ層（厚付け
層）の断面成長を示すもので、ポリイミドフイル
ム（厚さ25μm）の表面を後述の実施例１の方法
で活性化処理し、ついでレジスト形成の後、シプ
レー社製無電解メツキ液「CP―70」を用いてパ
ターン状に3μmの厚さの無電解メツキ層を形成
し、その後レジストを除去して得た幅85μm、間
隔40μm（線密度８本／mm）の薄膜導電体パターン
上に電解メツキにより厚付け層を成長させた場合
の例で示す。 陰極電流密度が2A／ｄm2の電解メツキでは、
電解メツキ層の幅方向は厚み方向の約２倍の速さ
で成長し、厚さ方向で20μm成長したときに隣接
のメツキ層と衝突し短絡してしまう（第１図）の
に対し、陰極電流密度が5A／ｄm2の電解メツキ
では逆メツキ層の厚さ方向の成長は、幅方向の２
倍に近い速さで成長する（第２図）。 第３図は、第１図、第２図で説明した手法で得
た電解メツキ層の幅方向の成長長さ（線の幅方向
の長さ）に対して成長厚さ方向の長さをプロツト
して得た電解メツキ層の成長曲線で、ピロリン酸
銅メツキ液を用いる電解メツキでは、厚さ方向の
メツキ層成長速度が幅方向のメツキ層成長速度よ
りも著しく大きいという異方向性のメツキ層成長
が陰極電流密度5A／ｄm2以上で生じることを示
している。 無電解メツキパターン上に、線密度５本／mm以
上で厚さ20μm以上の導体を有する厚膜フアイン
パターンを線間短絡を生じせしめないで厚付けす
るには陰極電流密度5A／ｄm2以上で電解メツキ
することが必要である。特に好適な陰極電流密度
条件は5A／ｄm2〜15A／ｄm2である。 本発明方法は、フイルム状基板の片面だけに形
成してもよいが、必要に応じて両面に形成しても
よい。両面に形成する場合は無電解メツキに対す
る活性化処理を施す前に、フイルム状基板に穴あ
けし、スルーホール接続を行う必要がある。１枚
のフイルム状基板の複数のパターンを形成する場
合は、フイルム状基板の両面にパターンを形成
し、スルーホール接続した方がつなぎ込みが容易
であり好ましい。 本発明に使用される状基板としては、ポリエス
テルフイルム、エポキシフイルム、ポリイミドフ
イルム、ポリパラバン酸フイルム、トリアジンフ
イルムなどフイルム状のものはすべて使用出来る
が、可撓性、耐熱性の点からポリイミドフイル
ム、ポリパラバン酸フイルム、トリアジンフイル
ムが好ましい。フイルム状基板の膜厚は、高密度
化という意味では出来るだけ薄いものが好ましい
が、余り薄過ぎると作業性が悪くなり、膜厚とし
ては５〜50μ、特に10〜25μmが好ましい範囲であ
る。 また、必要に応じて、フイルム状基板と導電体
の接着性を向上するために、フイルム状基板に接
着層を設けてもよい。接着剤としては、ポリエス
テル―イソシアネート系、フエノール樹脂―ブチ
ラール系、フエノール樹脂―ニトリルゴム系、エ
ポキシ―ナイロン系、エポキシ―ニトリルゴム系
などがあり、耐熱性、耐湿性、接着性の優れたも
のが好まく、特にエポキシ―ニトリルゴム系接着
剤が好ましい。接着剤の膜厚は高密度化、接着性
の点から、１〜20μm、特に２〜10μmが好ましい
範囲である。 本発明において行われる無電解メツキに対する
活性処理としては、元素周期律表の第1B族およ
び第８族の金属、これらの金属の塩又は酸化物を
溶解或いは分散せしめた溶液で処理する方法など
がある。上記化合物の例としては、銅、銀、金、
鉄、コバルト、ニツケル、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金
などの金属、或いはこれらの塩化物、臭化物、フ
ツ化物、フルオロ硼素錯塩、ヨウ化物、硫酸塩、
酢酸塩および酸化物などがある。これらは必要に
より、塩化第１錫などの還元剤と組合わせて使用
される。また上記化合物の溶液で処理するかわり
に、上記化合物を接着剤中に配合してもよい。 本発明において行われる回路部以外の部分にレ
ジストを形成する方法としては、スクリーン印刷
或いはグラビア印刷などで形成しても良いが、フ
アインパターンが得易いフオトレジストを用いて
形成するのが好ましい。形成法としては、塗布、
露光、現像プロセスを経て得る事が出来る。フオ
トレジストとしては、イーストマンコダツク社の
KPR，KOR，KPL，KTFR，KMER，東京応
化社のTPR，OMR81，富士薬品工業のFSRなど
のネガ型、およびイーストマンコグツク社の
KADR、シプレ―社のAZ―1350などのポジ型な
どがあるが、耐メツキ性に優れたものが好まし
く、特にネガ型が好ましく使用される。膜厚は厚
い方がメツキの太り防止として役立つが、余り厚
過ぎるとフアインパターンが得られなくなつてし
まい、0.1〜10μm、特に１〜8μmが好ましい。
0.1μm以下ではピンホールが生じ易い。 無電解メツキの種類としては、導電体であれば
何でも良いが、銀、金、銅、ニツケル、スズなど
が好ましく、特に導電性および経済性および経済
性の点から銅が好ましく使用される。無電解メツ
キ膜厚は前に述べた様にフアインパターンを得る
上で重要であり、１〜10μmが好ましい範囲でり、
特に２〜5μが好ましい範囲である。膜厚が1μm以
下の場合は、その後の電解メツキの膜厚が不均一
になり、10μm以上の場合は、フアインパターン
を得る事が困難になる。 銅の電解メツキのメツキ液に、シアン化銅メツ
キ、ピロリン酸銅メツキ、硫酸銅メツキ、ホウフ
ツ化銅メツキなどがあるが、特に中性領域でのメ
ツキが可能なピロリン酸銅メツキを用いる。フア
インパターンを電解メツキする場合、前記した通
り重要な因子としては陰極の電流密度があり、陰
極電流密度が小さい場合は、膜厚方向以上に幅方
向への太りが生じ、かつメツキ膜厚が不均一にな
り易く、陰極電流密度としては5A／ｄm2以上、
特に５〜15A／ｄm2が好ましい範囲である。陰極
電流密度が5A／ｄm2以下の場合は幅方向への太
りが生じ、陰極電流密度が20A／ｄm2以上になる
と、やけが生じる様になる。電解メツキ膜厚は設
計値により異るが、一般的には10〜50μmが好ま
しい範囲である。 また、より信頼性を向上する為に、必要に応じ
て、電解メツキ後、熱処理或いは金、スズ、ハン
ダ、又はポリマーから成る保護層を設けるなどの
処理が行われる。 以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実
施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではなく、種々の変形が可能で
ある。 実施例 １ デユポン社製がポリイミドフイルム「カプト
ン」（膜厚25μm）を、10％水酸化ナトリウム水溶
液に浸漬処理した後、塩化第１スズの塩酸水溶
液、ついで塩化パラジウムの塩酸水溶液で処理、
乾燥した。その後、イーストマンコダツク社製ネ
ガ型フオトレジスト「マイクロレジスト752」を
乾燥後、膜厚が5μmになるように塗布、プレベー
クして、回路パターンを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現
像し、乾燥、ポストベークして、回路部以外の部
分にレジストを形成した。次いで、シプレー社製
無電解メツキ液「CP―70」を用いて、回路部に
銅を5μm厚無電解メツキした。この様にして得ら
れた薄膜パターンを、ハーシヨウ村田社製ピロリ
ン酸銅メツキ液を用いて、陰極の電流密度14A／
ｄm2の条件で銅を20μm厚電解メツキを行つて、
均一な膜厚を有する15本／mmのフアインパターン
を得た。 実施例 ２ エツソ化学社製ポリパラバン酸フイルム「トラ
ドロン」（膜厚25μm）の両面に、ボスチツク社製
エポキシ―ニトルゴム系接着剤「XA―564―４」
を乾燥後膜厚が片面5μmになるように塗布して、
180℃で30分間熱処理した。その後、パンチング
でスルーホール部の穴あけを行い、塩化第１スズ
の塩酸水溶液次いで塩化パラジウムの塩酸水溶液
で処理，乾燥した後、イーストマンコダツク社製
ネガ型フオトレジスト「マイクロレジスト752」
を乾燥後、片面膜厚3μmになるように塗布、プレ
ベークを行つて、回路パターンマスクを通して高
圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリン
ス液を用いて現像し、乾燥、ポストベークして、
回路部以外の部分にレジストを形成した。次い
で、室町化学工業社製無電解銅メツキ液
「MK400」を用いて、回路部に銅を3μm厚に無電
解メツキした。この様して得られた薄膜パターン
を、ハーシヨン村田社製ピロリン酸銅メツキ液を
用いて、陰極の電流密度7A／ｄm2の条件で銅を
22μm厚電解メツキを行つて、均一な膜厚を有す
る15本／mmの両面スルーホール接続されたフアイ
ンパターンを得た。 比較例 １〜４ 無電解メツキ膜厚および陰極電流密度を第１表
に示す如く代える以外は、実施例１と同様に処理
した。その結果を第１表に示す。
【表】
第１図は、2A／ｄm2の陰極電流密度で電解メ
ツキを行つた場合の電解メツキ層の成長状況を示
す図、第２図は、5A／ｄm2の陰極電流密度で電
解メツキを行つた場合の電解メツキ層の成長状況
を示す図、第３図は、ピロリン酸銅メツキ液での
電解メツキによる電解メツキ層の成長曲線であ
る。 図中、１は基板、２は金属薄板、３は電解メツ
キ層を示す。
ツキを行つた場合の電解メツキ層の成長状況を示
す図、第２図は、5A／ｄm2の陰極電流密度で電
解メツキを行つた場合の電解メツキ層の成長状況
を示す図、第３図は、ピロリン酸銅メツキ液での
電解メツキによる電解メツキ層の成長曲線であ
る。 図中、１は基板、２は金属薄板、３は電解メツ
キ層を示す。
Claims (1)
- １ フイルム状基板に、無電解メツキに対する活
性化処理を施す段階と、回路部以外の部分にレジ
ストを形成する段階と、回路部に無電解メツキで
膜厚１〜10μmの導電体を形成する段階を経て得
られた薄膜パターン上に、更にピロリン酸銅メツ
キ液を用いて陰極の電流密度５〜15A／ｄm2の条
件で導電体を電解メツキすることを特徴とする線
密度５本／mm以上で厚さ20μm以上の厚膜フアイ
ンパターンの製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926779A JPS5694690A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Method of manufacturing thick film fine pattern |
| NLAANVRAGE8006987,A NL183380C (nl) | 1979-12-27 | 1980-12-22 | Van een patroon voorziene en een dikke laag omvattende geleiderconstructie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| US06/219,155 US4392013A (en) | 1979-12-27 | 1980-12-22 | Fine-patterned thick film conductor structure and manufacturing method thereof |
| DE3048740A DE3048740C2 (de) | 1979-12-27 | 1980-12-23 | Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung |
| GB8041120A GB2066583B (en) | 1979-12-27 | 1980-12-23 | Thick film conductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926779A JPS5694690A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Method of manufacturing thick film fine pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694690A JPS5694690A (en) | 1981-07-31 |
| JPH0154875B2 true JPH0154875B2 (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=15883334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16926779A Granted JPS5694690A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Method of manufacturing thick film fine pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5694690A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3423457A1 (de) * | 1984-06-26 | 1986-01-02 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
| JP2842631B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1999-01-06 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160957A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-27 | Nippon Kokuen Kogyo Kk | Purintokibanseizoho |
| JPS5243976A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Sumitomo Bakelite Co | Method of producing printed circuit board |
| JPS5472460A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Preparation of printing plug board |
-
1979
- 1979-12-27 JP JP16926779A patent/JPS5694690A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694690A (en) | 1981-07-31 |
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