JPH0597578A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0597578A JPH0597578A JP28946391A JP28946391A JPH0597578A JP H0597578 A JPH0597578 A JP H0597578A JP 28946391 A JP28946391 A JP 28946391A JP 28946391 A JP28946391 A JP 28946391A JP H0597578 A JPH0597578 A JP H0597578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow channel
- cooling
- gas
- raw material
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 フロ−チャネルを有する気相成長装置に、該
フロ−チャネルの天井部に冷却ガスを吹き付けて冷却す
るようにした気相成長装置。 【効果】 フロ−チャネル内壁に付着した反応析出物が
剥離することにより生じるエピタキシャル薄膜の表面欠
陥密度を低減することができる。
フロ−チャネルの天井部に冷却ガスを吹き付けて冷却す
るようにした気相成長装置。 【効果】 フロ−チャネル内壁に付着した反応析出物が
剥離することにより生じるエピタキシャル薄膜の表面欠
陥密度を低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フローチャネルを有す
る気相成長装置に関するものである。
る気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】気相成長装置として、反応管内に原料ガ
スを基板まで案内するフロ−チャネルを有するタイプの
気相成長装置がある。
スを基板まで案内するフロ−チャネルを有するタイプの
気相成長装置がある。
【０００３】この気相成長装置を用いて気相エピタキシ
ャル成長すると反応析出物がフローチャネル内壁に付着
してしまい、この付着した反応析出物が剥離して基板上
に落下することにより、エピタキシャル薄膜の表面欠陥
密度を大きくしていた。これを防止するためには、成長
ごとあるいは数回成長するごとにフローチャネルの洗浄
を行なわなければならなかった。
ャル成長すると反応析出物がフローチャネル内壁に付着
してしまい、この付着した反応析出物が剥離して基板上
に落下することにより、エピタキシャル薄膜の表面欠陥
密度を大きくしていた。これを防止するためには、成長
ごとあるいは数回成長するごとにフローチャネルの洗浄
を行なわなければならなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決したもので、本発明の目的はエピタキシャル薄
膜の表面欠陥密度を低減することにある。
点を解決したもので、本発明の目的はエピタキシャル薄
膜の表面欠陥密度を低減することにある。
【０００５】
【問題点を解決するための手段及び作用】本発明は、フ
ローチャネルを有する気相成長装置において、該フロー
チャネルの天井部を冷却する手段を有することを特徴と
する気相成長装置を提供するものである。
ローチャネルを有する気相成長装置において、該フロー
チャネルの天井部を冷却する手段を有することを特徴と
する気相成長装置を提供するものである。
【０００６】また、上記冷却手段として冷却したガスを
フローチャネルの天井部に吹き付けるものである。
フローチャネルの天井部に吹き付けるものである。
【０００７】図１に、本発明による気相成長装置を示
す。反応管１内に原料ガスを基板２まで案内するフロ−
チャネル３がある。フローチャネル天井部４への冷却ガ
ス供給を可能とした噴出口５が設けられている。噴出口
５の幅はフローチャネルの幅と同等もしくはフローチャ
ネルの幅より広くしてある。またノズルの長さは調整可
能になっている。冷却ガスの冷却器６として恒温槽を用
い、恒温槽内に数十回巻いた直径１／４インチのステン
レスパイプ７を浸してあり、十分に冷却用のガスを冷却
することができるようになっている。ここで、冷却用の
ガスとしては、反応管内を汚染したり、腐食したりする
ことのない高純度水素あるいは高純度不活性ガスを用い
る。また、冷却装置から反応管までのつなぎ配管には結
露を防止するため断熱材８にて断熱処置を施してある。
す。反応管１内に原料ガスを基板２まで案内するフロ−
チャネル３がある。フローチャネル天井部４への冷却ガ
ス供給を可能とした噴出口５が設けられている。噴出口
５の幅はフローチャネルの幅と同等もしくはフローチャ
ネルの幅より広くしてある。またノズルの長さは調整可
能になっている。冷却ガスの冷却器６として恒温槽を用
い、恒温槽内に数十回巻いた直径１／４インチのステン
レスパイプ７を浸してあり、十分に冷却用のガスを冷却
することができるようになっている。ここで、冷却用の
ガスとしては、反応管内を汚染したり、腐食したりする
ことのない高純度水素あるいは高純度不活性ガスを用い
る。また、冷却装置から反応管までのつなぎ配管には結
露を防止するため断熱材８にて断熱処置を施してある。
【０００８】このようにして、フローチャネル天井部の
温度を原料ガスの分解温度よりも低く保つことによっ
て、フローチャネル内壁近傍での原料ガスの分解が抑え
られ、フローチャネル内壁への反応析出物の付着を起り
にくくすることが可能となる。
温度を原料ガスの分解温度よりも低く保つことによっ
て、フローチャネル内壁近傍での原料ガスの分解が抑え
られ、フローチャネル内壁への反応析出物の付着を起り
にくくすることが可能となる。
【０００９】
【実施例】本発明に従ってフローチャネルの天井部を冷
却した場合と、従来通り冷却を行わなかった場合のそれ
ぞれについて、気相成長回数と表面欠陥密度の関係を比
較した。なお、気相成長は直径２インチのＩｎＰウエハ
上にＩｎＰエピタキシャル薄膜を成長させた。
却した場合と、従来通り冷却を行わなかった場合のそれ
ぞれについて、気相成長回数と表面欠陥密度の関係を比
較した。なお、気相成長は直径２インチのＩｎＰウエハ
上にＩｎＰエピタキシャル薄膜を成長させた。
【００１０】その結果、気相成長回数５回目と１０回目
での欠陥の長さが２５μｍ以上の表面欠陥のウエハ１枚
当りの個数は、従来の装置ではそれぞれ６個と２３個で
あったのに対し、本発明の装置ではそれぞれ１個と８個
となった。
での欠陥の長さが２５μｍ以上の表面欠陥のウエハ１枚
当りの個数は、従来の装置ではそれぞれ６個と２３個で
あったのに対し、本発明の装置ではそれぞれ１個と８個
となった。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による気相
成長装置によってフローチャネル内壁に付着した反応析
出物が剥離することにより生じるエピタキシャル薄膜の
表面欠陥密度を著しく低減することできた。
成長装置によってフローチャネル内壁に付着した反応析
出物が剥離することにより生じるエピタキシャル薄膜の
表面欠陥密度を著しく低減することできた。
【図１】本発明による気相成長装置を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 フローチャネルを有する気相成長装置に
おいて、該フローチャネルの天井部を冷却する手段を有
することを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 上記冷却手段が冷却したガスをフローチ
ャネルの天井部に吹き付けることである請求項１の気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28946391A JPH0597578A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28946391A JPH0597578A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597578A true JPH0597578A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17743598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28946391A Pending JPH0597578A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0597578A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8850715B2 (en) * | 2006-09-07 | 2014-10-07 | Eisenmann Ag | Process and installation for drying articles |
| US11162187B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor phase growth device, and EPI wafer producing method |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP28946391A patent/JPH0597578A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8850715B2 (en) * | 2006-09-07 | 2014-10-07 | Eisenmann Ag | Process and installation for drying articles |
| US11162187B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor phase growth device, and EPI wafer producing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6210486B1 (en) | CVD film forming method in which a film formation preventing gas is supplied in a direction from a rear surface of an object to be processed | |
| EP0409603B1 (en) | Process and apparatus for chemical vapour deposition | |
| CN101754937A (zh) | 浮法玻璃制造方法及浮法玻璃制造设备 | |
| US7942951B2 (en) | Apparatus and method for providing heated effluent gases to a scrubber | |
| JPH0597578A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2006228782A (ja) | 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびその保守方法 | |
| JPH11335849A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0582450A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JPH01109714A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0447955Y2 (ja) | ||
| JP3407400B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH04163912A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN218860956U (zh) | 一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构 | |
| JPH0773099B2 (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2000219971A (ja) | 固定オリフィス及びそれを用いた排出システム | |
| JP2963310B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH03236221A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04228496A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPS632435Y2 (ja) | ||
| JPH04354327A (ja) | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2004071883A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0614476Y2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2525009B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| KR940007175Y1 (ko) | 웨이퍼의 저압 증착장치 | |
| JP2891991B1 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |