JPH059740A

JPH059740A - 半導体ウエハー加熱装置

Info

Publication number: JPH059740A
Application number: JP3253678A
Authority: JP
Inventors: Ryusuke Ushigoe; 隆介牛越; 和宏 ▲昇▼; Kazuhiro Nobori; Yusuke Arai; 裕介新居; Kouichi Umemoto; 鍠一梅本
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1991-03-26
Filing date: 1991-10-01
Publication date: 1993-01-19
Anticipated expiration: 2011-08-21
Also published as: JP2525974B2

Abstract

(57)【要約】【目的】従来の金属ヒーターの場合のような汚染を防
止し、また間接加熱方式の場合のような熱効率の悪さや
赤外線透過窓への膜付着のような問題を解決する。その
上で、電極部材の腐食や電極部材間、電極部材とケース
との間の放電、漏電を防止する。また、熱電対に対する
混触や誘導の影響等を抑える。【構成】円盤状セラミックス基体３中に抵抗発熱体４
を埋設する。塊状端子５Ａ, ５Ｂを、例えば丸棒状の電
極部材８Ａ，８Ｂにそれぞれ連結する。熱電対21を中空
シース20内に収容し、中空シース20の先端をセラミック
ス基体3 の挿入孔に挿入、接合する。中空シース20は省
略してもよい。絶縁性の円筒状体11Ａ, 11Ｂ11Ｃをセラ
ミックスヒーター１に気密に接合し、フランジ15の貫通
孔に挿通する。円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃとフランジ15
との間を気密にシールする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧
ＣＶＤ、プラズマエッチング、光エッチング、スパッタ
装置等に使用される半導体ウエハー加熱装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】スーパークリーン状態を必要とする半導
体製造用装置では、腐食性ガス、エッチング用ガス、ク
リーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐
食性ガスが使用されている。このため、ウエハーをこれ
らの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱
装置として、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、
インコネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使
用すると、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化
物、弗化物、等の粒径数μm の、好ましくないパーティ
クルが発生する。

【０００３】そこで、デポジション用ガス等に曝露され
る容器の外側に赤外線ランプを設置し、容器外壁に赤外
線透過窓を設け、グラファイト等の耐食性良好な材質か
らなる被加熱体に赤外線を放射し、被加熱体の上面に置
かれたウエハーを加熱する、間接加熱方式のウエハー加
熱装置が開発されている。ところがこの方式のものは、
直接加熱式のものに比較して熱損失が大きいこと、温度
上昇に時間がかかること、赤外線透過窓へのＣＶＤ膜の
付着により赤外線の透過が次第に妨げられ、赤外線透過
窓で熱吸収が生じて窓が過熱すること等の問題があっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】こうした問題を解決す
るため、本発明者は、図８に概略的に示すような加熱装
置を先に開発した。図８において、17は半導体製造用Ｃ
ＶＤに使用される容器の本体、１はその内部のケース14
に取付けられたウエハー加熱用の円盤状のセラミックス
ヒーターであり、ウエハー加熱面２の大きさは４〜８イ
ンチとしてウエハーを設置可能なサイズとしておく。フ
ランジ部15の下側には、ケース取り付け用リング25を固
定し、ケース取付け用リング25の下側に、断熱リング26
を介してケース14を固定する。ケース取り付け用リング
25とケース14との間には若干の隙間を設け、両者が直接
には接触しないようにする。容器本体17の内部にはガス
供給孔18から熱ＣＶＤ用のガスが供給され、吸引孔19か
ら真空ポンプにより内部の空気が排出される。円盤状セ
ラミックスヒーター１は、窒化珪素のような緻密でガス
タイトな円盤状セラミックス基体３の内部にタングステ
ン系等の抵抗発熱体４をスパイラル状に埋設したもので
ある。

【０００５】円盤状セラミックス基体３の背面６側には
一対の塊状端子5A,5Bが設けられ、これら塊状端子５
Ａ，５Ｂが抵抗発熱体４に接続されている。棒状の電極
部材８Ａ，８Ｂの一端はそれぞれ塊状端子５Ａ，５Ｂに
連結される。各電極部材８Ａ，８Ｂは、容器のフランジ
部15の貫通孔に挿通され、各電極部材８Ａ，８Ｂとフラ
ンジ部15とはＯリング12によって気密にシールされてい
る。各電極部材８Ａ，８Ｂの他端にはそれぞれリード線
９が接続され、一対のリード線９が交流電源10に接続さ
れている。一対の電極部材８Ａ，８Ｂを通して抵抗発熱
体４に電力を供給し、円盤状セラミックスヒーター１を
例えば最高1100℃程度にまで加熱する。水冷ジャケット
16を設けたフランジ15によってケース14の上面を覆い、
Ｏリング12によってフランジ15と容器本体17の壁面とを
気密にシールし、フランジ15によって容器の天井壁面を
構成する。

【０００６】20はこのようなフランジ15の壁面を貫通し
て容器の内部へと挿入された中空シースであり、セラミ
ックスヒーター１に接合されている。中空シース20の内
部に、ステンレスシース付きの熱電対21が挿入されてい
る。中空シース20とフランジ15との間にはＯリングを設
け、大気の侵入を防止している。

【０００７】しかし、こうした半導体ウエハー加熱装置
を実際に半導体製造装置に用いると、未だ次のような問
題が発生することがわかった。即ち、ＣＶＤ用のガスを
供給すると、ヒーター背面６側へと不可避的に侵入し、
高温のヒーター背面６に堆積膜７が生成する。このメタ
ル製の堆積膜７は導電性であるので、一対の電極部材８
Ａと８Ｂとが短絡（ショート）し、セラミックスヒータ
ー１が使用できなくなる。

【０００８】また、本発明者は、電極部材８Ａ，８Ｂ
を、腐食に対して強いタングステン等によって形成し
た。しかし、エッチングガスを用いる半導体製造装置中
でこの加熱装置を長期間使用すると、電極部材８Ａ，８
Ｂの腐食が進み、セラミックスヒーター1 の性能が劣化
する場合があった。また、熱電対21側においても、問題
が残されている。まず、中空シース20を設けた理由につ
いて述べる。本発明者の研究によれば、特に真空中の場
合、熱電対の周囲のガス分子の挙動は、大気圧〜１torr
の真空状態においては粘性流域にあるが、真空度が高ま
ると分子流域に移行し、これに伴って熱電対の周囲にお
ける熱移動の態様が大幅に変化するため、正確な温度測
定ができなくなることが判っている。また、粘性流域に
おいても、圧力変動が大きい場合は温度測定誤差が存在
することが判っている。本発明者は、これを防止するた
め、熱電対21を中空シース20中に収容した。この中空シ
ースは、モリブデン等の高融点金属によって形成した。
しかし、半導体製造装置においては、高周波電源、高圧
電源を使用するため、混触、誘導が起こり、温度測定精
度が低下しうることが解った。

【０００９】本発明の課題は、従来の金属ヒーターの場
合のような汚染を防止でき、また間接加熱方式の場合の
ように熱効率の悪さや赤外線透過窓への膜付着のような
問題を生じず、しかも本発明者が先に開発した加熱装置
における電極部材の腐食や、電極部材間、電極部材とケ
ースとの間の放電、漏電をも防止できるような、半導体
ウエハー加熱装置を提供することである。

【００１０】また、本発明の課題は、従来の金属ヒータ
ーの場合のような汚染を防止でき、また間接加熱方式の
場合のように熱効率の悪さや赤外線透過窓への膜付着の
ような問題を生じず、しかも本発明者が先に開発した加
熱装置における温度測定精度の低下を防止することであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基体中に抵抗発熱体を埋設してなり、この抵抗発熱体に
接続された複数の端子がウエハー加熱面以外の面に露出
しているセラミックスヒーターと；このセラミックスヒ
ーターを保持するために容器内に設置された保持部材
と；一端が前記端子に連結された長尺状の電極部材と；
この電極部材の他端に接続されたリード線とを有する半
導体ウエハー加熱装置であって、前記電極部材のうち少
なくとも一つを、無機質絶縁材料からなる筒状体によっ
て包囲し、この筒状体の一端を前記セラミックス基体に
対して気密に接合し、前記容器に設けられた貫通孔に前
記筒状体を挿通し、前記容器と前記筒状体との間を気密
にシールしている、半導体ウエハー加熱装置に係るもの
である。

【００１２】また、本発明は、セラミックス基体中に抵
抗発熱体を埋設してなり、この抵抗発熱体に接続された
複数の端子がウエハー加熱面以外の面に露出しているセ
ラミックスヒーターと；このセラミックスヒーターを保
持するために容器内に設置された保持部材と；前記セラ
ミックス基体内に一端が挿入された温度測定器とを有す
る半導体ウエハー加熱装置であって、無機質絶縁材料か
らなる筒状体によって前記温度測定器が包囲され、この
筒状体の一端が前記セラミックス基体に対して接合さ
れ、前記容器に設けられた貫通孔に前記筒状体が挿通さ
れ、前記容器と前記筒状体との間が気密にシールされて
いる、半導体ウエハー加熱装置に係るものである。

【００１３】

【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る加熱装置を
容器に取り付けた状態を示す概略断面図、図２は図１の
要部拡大断面図である。図８に示した部材と同一機能部
材には同一符号を付し、その説明は省略することがあ
る。まず、円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃを準備する。各円
筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの底部には、リング状のフラン
ジ部13を設ける。これらの材質及び製法については後述
する。

【００１４】円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの底部は、ヒー
ター背面６に接合され、円盤状セラミックス基体３と接
合一体化されている。本例では、フランジ部15に三箇所
で円形貫通孔が設けられ、各円形貫通孔に円筒状体11
Ａ, 11Ｂ, 11Ｃがそれぞれ挿通される。各円筒状体11
Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの上端面は容器外に露出し、各円筒状体
11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの筒内空間は容器外雰囲気によって満
たされている。各円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの底部と円
盤状セラミックス基体３とは気密にシールされ、各円筒
状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃとフランジ15との間はＯリング12
によって気密シールされ、かつ電気的にも絶縁される。

【００１５】各電極部材８Ａ，８Ｂは、それぞれ塊状端
子５Ａ，５Ｂに連結されている。この連結方法について
は後述する。円筒状体11Ａの筒内空間には電極部材8Aが
固定され、円筒状体11Ｂの筒内空間には電極部材8Bが固
定されている。本実施例では、温度測定器として熱電対
21を挿入した中空シース20を用い、この中空シース20を
円筒状体11C の筒内空間に固定する。これにより、一対
の電極部材８Ａ，８Ｂ、一対の塊状端子５Ａ，５Ｂ、中
空シース20はいずれも容器外雰囲気に曝される。

【００１６】本実施例によれば、ヒーター背面６に導電
性の堆積膜７が生成しても、この堆積膜７が円筒状体11
Ａ，11Ｂによって遮断され、電極部材８Ａ，８Ｂが短絡
することはない。また、電極部材８Ａ，８Ｂと容器との
間での放電、漏電のおそれもない。更に、電極部材８
Ａ，８Ｂが容器内空間に露出しないので、電極部材8A,8
Bや塊状端子５Ａ，６Ｂの腐食やこれによる容器内の汚
染も生じない。また、電極部材８Ａ，８Ｂが腐食性ガス
にさらされることはないので、半導体ウエハーに対する
拡散係数の小さなタングステンを電極部材８Ａ，８Ｂの
材料として選択する必然性はなくなる。このため、他の
材料によって電極部材８Ａ，８Ｂを形成できるようにな
る。

【００１７】また、モリブデン等からなる中空シース20
が容器の内部空間に露出しないので、こうした重金属に
よる汚染の可能性もなくなる。また、中空シース20内の
熱電対21を、無機質絶縁材料からなる円筒状体11Ｃによ
って絶縁できる。このため、半導体装置で使用される高
周波電源、高圧電源による混触、誘導を防止できるの
で、一層高精度の測温が可能となった。しかも、円筒状
体11Ａ、11Ｂ、11Ｃの下端に、いずれもリング状のフラ
ンジ部13を形成しているので、セラミックス基体３の背
面６と円筒状体11Ａ、11Ｂ、11Ｃとの接触面積を大きく
することができ、両者の接合力を十分大きくすることが
できる。

【００１８】円盤状セラミックス基体３の材質として
は、窒化珪素、サイアロン、アルミナ、窒化アルミニウ
ム等が好ましく、窒化珪素やサイアロンが耐熱衝撃性の
点で更に好ましい。容器のフランジ15と各円筒状体11
Ａ, 11Ｂ, 11Ｃとの間のシールは、図１に示すＯリング
の他、メタルパッキング等によることができる。ウエハ
ー加熱面２は平滑面とすることが好ましく、特にウエハ
ー加熱面２にウエハーが直接セットされる場合には、平
面度を500μm 以下として平板状のウエハーを効率良く
加熱できるようにする必要がある。抵抗発熱体４として
は、高融点でありしかもSi₃N₄等との密着性に優れたタ
ングステン、モリブデン、白金等を使用することが適当
である。

【００１９】円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃの材質として
は、緻密質セラミックスが好ましい。特に円盤状セラミ
ックス基体３と同じ材質とすると、両者の熱膨張差がな
いので、両者を接合した後の接合部分における残留応力
が少なくなる。これにより、両者の接合強度について信
頼性が高くなる。

【００２０】円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11Ｃと円盤状セラミ
ックス基体３とを接合するには、以下の方法による。 (1) セラミックスヒーター１を常圧焼結又はホットプ
レス焼結し、その際、塊状端子5A, 5Bと抵抗発熱体４と
は予め成形体中に埋設しておく。この後、射出成形、押
し出し成形、プレス成形、静水圧プレス成形によって円
筒状の成形体を作製し、これを常圧焼結して円筒状体11
Ａ, 11Ｂ, 11Ｃを作製する。各円筒状体11Ａ, 11Ｂ, 11
Ｃを、円盤状セラミックス基体３の所定位置に、気密に
接合する。この接合方法としては、チタン蒸着金ろう、
チタン蒸着銀ろう等を用いたろう付けか、ガラス接合が
好ましい。特に、接合部分はその転位温度が充分に高い
方が好ましく、このためガラス接合用には石英ガラス、
オキシナイトライドガラスを用いることが好ましい。 (2) セラミックスヒーター１用の成形体と、円筒状体
11Ａ,11Ｂ, 11Ｃ用の成形体とをそれぞれ個別に、押し
出し成形、射出成形、プレス成形、静水圧プレス成形等
で成形する。これらの各成形体を、1/100 〜10mmの寸法
公差を持たせた嵌メ合イにより常圧焼結するか、あるい
は、ヒーター用成形体に円筒状体用成形体を充分な圧力
で押しつけ、加圧焼結する。

【００２１】図３は、本発明の他の実施例に係る加熱装
置を、半導体製造装置に取り付けた状態を示す概略断面
図である。図１に示したものと同一機能部材には同一符
号を付し、その説明は省略することがある。

【００２２】本実施例においては、一方の電極部材８Ａ
の方は円筒状体によって保護せず、他方の電極部材８Ｂ
の方を円筒状体11Ｂによって保護する。電極部材８Ａ，
８Ｂをそれぞれリード線９を通してコイル22に接続す
る。一方、交流電源10を、リード線９を通してコイル23
に接続する。コイル22と23とを対向させて、複巻き式絶
縁トランス24を構成する。この絶縁トランス24を介し、
抵抗発熱体４へと電力を供給する。この絶縁トランスに
おいて、一次側の交流電源10に対し、二次側の電極部材
8A, 8Bをフローティング状態とする。容器本体17はアー
スする。

【００２３】本実施例によれば、電極部材８Ｂの方は円
筒状体11Ｂで保護、絶縁されているので、電極部材8Aと
8Bとの間では放電、短絡は生じない。また、電極部材８
Ａとケース14やフランジ15との間に堆積膜７が形成され
ても、この間での地絡は生じない。

【００２４】図１及び図３の加熱装置を用い、シリコン
ウエハーを1000枚熱ＣＶＤ処理した。交流電源電圧は 2
00Ｖとした。円盤状セラミックス基体３、円筒状体11
Ａ，11Ｂ, 11Ｃの材質としては、窒化珪素を用いた。抵
抗発熱体４、塊状端子５Ａ，５Ｂ、電極部材８Ａ，８Ｂ
の材質としては、タングステンを用いた。この結果、電
極部材8A, 8Bからの漏電は観察されなかった。

【００２５】図４は、本発明の更に他の実施例に係る加
熱装置を容器に取り付けた状態を示す断面図、図５は、
図４の部分拡大図である。図１に示した部材と同一部材
には同一符号を付し、その説明は省略する。

【００２６】本実施例においては、図１の装置におい
て、中空シース20を省略した。そして、セラミックス基
体３の背面６に開口する細長い挿入孔30を設け、この挿
入孔30内に、熱電対21の先端を挿入している。ただし、
本実施例では、熱電対21の先端を挿入孔30内にガラス等
で固定することはしない。また、本実施例では、熱電対
21自体温度測定器として用いる。

【００２７】本実施例によれば、前述した効果に加え、
更に以下の効果を奏しうる。即ち、本実施例において
も、熱電対21を、無機質絶縁材料からなる円筒状体11Ｃ
によって絶縁できる。従って、本実施例でも、やはり高
周波電源、高圧電源による混触、誘導を防止できる。ま
た、本実施例においても、熱電対21は、円筒状体11Ｃに
よって容器内雰囲気から隔離される。従って、容器内圧
力が前述したように急激に変動しても、熱電対21による
測定値はこの圧力変動の影響を受けない。

【００２８】更に、図１及び図３の実施例と比較して考
えると、熱電対21とセラミックス基体３との間に中空シ
ース20が介在しないので、一層実際の値を正確に反映し
た測定温度を得られることになる。しかも、中空シース
20の先端を袋管状に封じる加工はかなり難しいので、歩
留り低下の原因となる。これに対し、中空シースを省略
した構成とすれば、こうした比較的難しい加工が不要に
なるので、歩留りが向上する。

【００２９】図６は、本発明の更に他の実施例に係る加
熱装置を容器に取り付けた状態を示す断面図である。図
４、図８に示したものと同一部材には同一符号を付し、
その説明は省略する。本実施例においては、熱電対21の
先端を挿入孔30内に挿入し、その周囲を円筒状体11Ｃで
包囲し、容器内雰囲気から隔離する。従って、この部分
については、図４、図５の例と同じ効果を得ることがで
きる。

【００３０】次に、図４〜図６に示したような、熱電対
21を包囲する円筒状体11Ｃについて、実際にセラミック
ス基体３と接合してみた。即ち、まず円盤状セラミック
ス基体３の所定位置に、背面６側へと開口する縦長の円
柱形状の挿入孔30を形成した。挿入孔30の直径は３mmと
し、深さは12mmとした。セラミックス基体３及び円筒状
体11Ｃは、共に窒化珪素セラミックスから形成し、抵抗
発熱体４はモリブデンから形成した。円筒状体11Ｃの内
径を６mmとし、外径を９mmとし、フランジ部13の外径を
15mmとした。そして、円筒状体11Ｃをセラミックス基体
３にガラス接合した。

【００３１】ただしこの際、まず円筒状体11Ｃと背面６
との接合部分を研削加工し、共に表面粗さを 0.8ｓ以下
とした。また、下記成分のガラス用粉体を準備した。Si
O₂：30重量％、Si₃N₄：10重量％、Al₂O₃：30重量％、
Y₂0₃：30重量％、この粉末を混合し、バインダーを加え
て分散し、テープ状に成形した。そして、このテープを
フランジ13の接合面の形状に合わせて切断し、切断後の
テープ31を、フランジ13の接合面と背面６との間に挟み
込んだ。そして、アルミナ製治具32Ａ、32Ｂ及び32Ｃを
用いて、円筒状体11Ｃの中心線を挿入孔30の中心にほぼ
位置合わせし、円筒状体11Ｃの上端面におもり33を載せ
た。この状態でセラミックスヒーターを電気炉中に入
れ、窒素雰囲気下、1500℃で１時間熱処理した。これに
より、円筒状体11Ｃをセラミックス基体３に接合した。
この後、絶縁性について確かめた。そして、800 ℃に
て、容器との耐圧が交流１kV以上、直流 500MVにて抵抗
１ＭΩ以上の絶縁性を確認した。

【００３２】上記の例ではウエハー加熱面を下向きに
し、ウエハーを図示しないピンにより下から支持して処
理を行ったが、ウエハー加熱面を上向きにしてもよい。
上記の例では、本発明の加熱装置を容器の天井側の壁面
に取り付けたが、容器の下側壁面や側壁に取り付けるこ
ともできる。なお、セラミックスヒーターの形状は、円
形ウエハーを均等に加熱するためには円盤状とするのが
好ましいが、他の形状、例えば四角盤状、六角盤状等と
してもよい。

【００３３】筒状体としては、上記の円筒状体11Ａ，11
Ｂ, 11Ｃの他、四角筒状体、六角筒状体等を使用でき
る。長尺状の電極部材としては、上記した丸棒状の電極
部材８Ａ, ８Ｂの他、四角棒状、六角棒状、円筒状、編
線ワイヤー等の電極部材を使用できる。本発明の加熱装
置は、プラズマエッチング装置、光エッチング装置等に
対しても適用可能である。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、セラミックスヒーター
が容器内に設置されたウエハーを直接に又は板を介して
加熱するために熱効率が高く、セラミックスヒーター
が、抵抗発熱体の埋設されたセラミックス基体からなる
ので、金属ヒーターの場合のような汚染を生じない。し
かも、電極部材のうち少なくとも一つを筒状体によって
包囲し、この筒状体の一端をセラミックス基体に対して
気密に接合し、かつ容器と筒状体との間も気密にシール
しているので、セラミックスヒーターの背面に導電性の
堆積膜が生成しても、この堆積膜が筒状体によって遮断
され、筒状体で包囲された電極部材が他の電極部材と短
絡することはない。また、筒状体で包囲された電極部材
と容器との間での放電、漏電のおそれもない。更に、筒
状体で包囲された電極部材は容器内空間に露出しないの
で、この電極部材及び塊状端子の腐食やこれによる容器
内の汚染も生じない。

【００３５】また、無機質絶縁材料からなる筒状体によ
って温度測定器が包囲され、この筒状体の一端がセラミ
ックス基体に対して接合され、容器と筒状体との間も気
密にシールされているので、半導体装置用の高周波電
源、高圧電源を使用しても、それによる混触、誘導を防
止できる。また、温度測定器を金属によって形成して
も、この金属は容器内空間に露出しないので、温度測定
器の腐食やこれによる容器内の汚染も生じない。しか
も、温度測定器が筒状体によって容器内雰囲気から隔離
されているので、容器内圧力が半導体製造時に急激に変
動しても、温度測定器による測定値はこの圧力変動の影
響を受けない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る半導体ウエハー加熱装置
を容器に取り付けた状態を示す概略断面図である。

【図２】図１の要部拡大断面図である。

【図３】本発明の他の実施例に係る半導体ウエハー加熱
装置を容器に取り付けた状態を示す概略断面図である。

【図４】本発明の更に他の実施例に係る半導体ウエハー
加熱装置を容器に取り付けた状態を示す概略断面図であ
る。

【図５】図４の加熱装置において円筒状体11Ｃの周辺を
示す拡大断面図である。

【図６】本発明の更に他の実施例に係る半導体ウエハー
加熱装置を容器に取り付けた状態を示す概略断面図であ
る。

【図７】円筒状体11Ｃをセラミックス基体３に接合する
直前の状態を示す断面図である。

【図８】本発明者が開発した、参考例に係る半導体ウエ
ハー加熱装置を容器に取り付けた状態を示す概略断面図
である。

【符号の説明】１セラミックスヒーター２ウエハー加熱面３円盤状セラミックス基体４抵抗発熱体５Ａ, ５Ｂ塊状端子６ヒーター背面７導電性の堆積膜８Ａ，８Ｂ丸棒状の電極部材９リード線 11Ａ，11Ｂ, 11Ｃ円筒状体 14 ケース (保持部材の例) 15 容器のフランジ部 17 容器本体 20 中空シース 21 熱電対 30 挿入孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 7353−4Ｍ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ (72)発明者梅本鍠一愛知県豊田市広美町上之切62番地

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス基体中に抵抗発熱体を埋設
してなり、この抵抗発熱体に接続された複数の端子がウ
エハー加熱面以外の面に露出しているセラミックスヒー
ターと；このセラミックスヒーターを保持するために容器内に設
置された保持部材と；一端が前記端子に連結された長尺状の電極部材と；この電極部材の他端に接続されたリード線とを有する半
導体ウエハー加熱装置であって、前記電極部材のうち少なくとも一つを、無機質絶縁材料
からなる筒状体によって包囲し、この筒状体の一端を前
記セラミックス基体に対して気密に接合し、前記容器に
設けられた貫通孔に前記筒状体を挿通し、前記容器と前
記筒状体との間を気密にシールしている、半導体ウエハ
ー加熱装置。
【請求項２】セラミックス基体中に抵抗発熱体を埋設
してなり、この抵抗発熱体に接続された複数の端子がウ
エハー加熱面以外の面に露出しているセラミックスヒー
ターと；このセラミックスヒーターを保持するために容器内に設
置された保持部材と；前記セラミックス基体内に一端が挿入された温度測定器
とを有する半導体ウエハー加熱装置であって、無機質絶縁材料からなる筒状体によって前記温度測定器
が包囲され、この筒状体の一端が前記セラミックス基体
に対して接合され、前記容器に設けられた貫通孔に前記
筒状体が挿通され、前記容器と前記筒状体との間が気密
にシールされている、半導体ウエハー加熱装置。