JPH0595289A - 電流スイツチセルとそれを用いたda変換器 - Google Patents

電流スイツチセルとそれを用いたda変換器

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JPH0595289A
JPH0595289A JP19808991A JP19808991A JPH0595289A JP H0595289 A JPH0595289 A JP H0595289A JP 19808991 A JP19808991 A JP 19808991A JP 19808991 A JP19808991 A JP 19808991A JP H0595289 A JPH0595289 A JP H0595289A
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Masaaki Matsumoto
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 DA変換器用野電流セルおよびこの電流セル
を用いたDA変換器に関し、新規な構成のセルアレイマ
トリクス方式DA変換器を提供することを目的とする。 【構成】 DA変換器用の電流スイッチセルであって、
1つの電流源と、前記電流源に直列に接続され、制御端
子に基準電圧を受ける第1能動素子と、前記電流源に直
列に、かつ前記第1能動素子と並列に接続され、それぞ
れの制御端子にそれぞれの入力信号を受ける第2能動素
子と第3能動素子と、アドレス信号を受け、前記第2能
動素子と第3能動素子を制御する制御信号を形成する論
理回路とを含み、前記第2能動素子ないし第3能動素子
が導通すると前記第1能動素子に実質的な電流は流れな
いように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、DA変換器に関し、特
にDA変換器用の電流セルおよびこの電流セルを用いた
DA変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、セルアレイ方式のDA変換器が提
案されている。均一な電流セルをアレイないしマトリク
ス状に配置し、入力デジタル信号をデコードしてアドレ
ス信号を形成し、デジタル信号の大きさ分の電流セルを
オンさせる。オンした電流セルからの電流信号を加算
し、負荷抵抗に流すことによって入力デジタル信号に対
応したアナログ電圧を得る。
【0003】電流セルは、定電流源と電流スイッチとを
含み、電流スイッチは差動トランジスタ対で構成され
る。各電流セルは、さらにアドレス信号を受ける論理回
路を含み、アドレス信号に基づいて電流スイッチを制御
する入力信号を形成して、電流スイッチを駆動する。
【0004】図33に、このような従来技術による電流
スイッチセルの例を示す。図33(A)は、オア回路と
ナンド回路を用いて2段の論理回路を構成した場合、図
33(B)はアンド回路とオア回路を用いて2段の論理
回路を構成した場合を示す。電流スイッチは共に1つの
入力によって制御されている。
【0005】図33(A)においては、電流スイッチセ
ル100にX方向アドレス信号としてXi が印加され、
Y方向アドレス信号としてYajとYbjが印加されてい
る。これらのアドレス信号のうち、Xi とYajとはオア
回路101に印加されてXi +Yajを形成する。
【0006】この信号と他のY方向アドレス信号Ybj
がナンド回路102に印加され、電流スイッチ103の
入力信号となる信号(−Xi )・(−Yaj)+(−
bj)を形成しいる。
【0007】また、この信号はインバータ105を介し
て反転され、電流スイッチ103に対する他の入力Y信
号を形成している。電流スイッチ103は、定電流源1
04に直列に接続され、定電流源104からの電流を2
つの電流路に振り分けることにより、出力電圧Vout
形成する。
【0008】アドレス信号から電流スイッチの駆動信号
を得るまでの論理回路の段数は2段であり、1段当たり
の論理ゲートの遅れ時間をtpdとすると、論理回路の遅
れ時間は2tpdとなる。
【0009】また、1つの電流スイッチセルの占める面
積は、1つのゲートの占める面積をAとすると、3A+
CSとなる。ただし、CSは電流スイッチ53と定電流
源54の占める面積である。
【0010】図33(B)においては、電流スイッチセ
ル100に図33(A)と同様のアドレス信号Xi およ
びYajとYbjとが印加されている。アドレス信号Xi
ajとはアンド回路106に印加され、信号Xi ・Yaj
を形成する。
【0011】この信号と他のアドレス信号Ybjとがオア
回路107に印加され、Xi ・Yaj+Ybjを形成する。
この信号が電流スイッチ108の入力信号として印加さ
れ、定電流源109の供給する電流をスイッチする。
【0012】なお、電流スイッチ108には、基準電圧
ref 110も印加されている。電流スイッチ108
は、これらの制御信号に基づいて定電流源109からの
電流を振り分け、出力電圧Vout を形成する。
【0013】図33(B)の構成においても、アドレス
信号が電流スイッチ108の入力信号を形成するまでに
2段の論理回路が挿入されている。したがって、論理回
路の遅れ時間は2tpdである。また、1つの電流スイッ
チセルに必要な面積は、2A+CSである。
【0014】このようなセルアレイマトリクス方式のD
A変換器をより高速で動作することが望まれている。ま
た、ビット数の大きなDA変換器を構成することも望ま
れる。
【0015】このような要求に対処するためには、1つ
の電流スイッチセルの占める面積をなるべく小さく、か
つ遅れ時間をなるべく短くすることが必要である。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】従来のセルアレイマト
リクス方式DA変換器においては、各電流スイッチセル
における論理段数は2であり、論理回路における遅れ時
間は2tpdであった。
【0017】より高速、高集積度のDA変換器を実検す
るには、論理回路における遅れ時間を短縮し、セル当た
りの必要面積を減少させることが望まれる。
【0018】本発明の目的は、新規な構成のセルアレイ
マトリクス方式DA変換器を提供することである。
【0019】本発明の他の目的は、より高速動作の可能
なセルアレイマトリクス方式DA変換器を提供すること
である。
【0020】本発明の他の目的は、セル当たり必要面積
をより減少させることのできるセルアレイマトリクス方
式DA変換器を提供することである。
【0021】本発明の他の目的は、このようなセルアレ
イマトリクス方式DA変換器を実現することのできる電
流スイッチセルを提供することである。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明の電流スイッチセ
ルは、DA変換器用の電流スイッチセルであって、1つ
の電流源と、前記電流源に直列に接続され、制御端子に
基準電圧を受ける第1能動素子と、前記電流源に直列
に、かつ前記第1能動素子と並列に接続され、それぞれ
の制御端子にそれぞれの入力信号を受ける第2能動素子
と第3能動素子と、アドレス信号を受け、前記第2能動
素子と第3能動素子を制御する制御信号を形成する論理
回路とを含み、前記第2能動素子ないし第3能動素子が
導通すると前記第1能動素子に実質的な電流は流れな
い。
【0023】論理回路は、好ましくは論理段数が1段で
ある。
【0024】
【作用】電流スイッチセルの電流スイッチ部分が3つの
能動素子を含むので、そのうちの1つの能動素子に流す
電流を他の2つの能動素子のいずれを制御することによ
っても変化させることができる。
【0025】このため、アドレス信号から電流スイッチ
を制御する制御信号を作成するための論理回路の構成を
簡単にすることができる。
【0026】論理回路の構成を簡単にすることにより、
1つの電流スイッチセルが占める占有面積を減少させる
ことが可能となる。
【0027】論理回路の論理段数を1段とすれば、論理
回路内での遅れ時間を減少させることが可能となる。
【0028】
【実施例】図1は、2入力電流スイッチセルの構成を示
す。図1(A)は基本構成を示し、図1(B)はその一
形態を示す。
【0029】図1(A)において、電流スイッチ1は電
流源2と直列に接続され、電流をスイッチングすること
によって出力電圧Vout を供給する。電流スイッチ1
は、2つの入力信号を受けて電流をスイッチングさせ
る。この2つの入力信号は、1段の論理回路3と、1つ
のアドレス信号によって構成されている。
【0030】1段の論理回路3は、Xアドレス信号Xi
と1つのYアドレス信号Yajとを受け、1つの出力信号
を発する。この出力信号が電流スイッチ1の1つの入力
信号となる。
【0031】また、他のYアドレス信号Ybjは、直接電
流スイッチ1の他の入力信号を構成する。なお、1段の
論理回路3を破線のように拡大して考えると、論理回路
3が電流スイッチ1の2つの駆動信号を形成すると考え
ることもできる。電流スイッチ1は、2つの入力信号の
他、基準電圧信号Vrefも受ける。
【0032】たとえば、基準電圧と2つの入力信号によ
って3つの電流路を制御することができる。
【0033】図1(B)は、図1(A)の基本構成にし
たがう一形態を示す。Xアドレス信号Xi と1つのYア
ドレス信号Yajが、ノア回路NOR1に印加され、−
(Xi +Yaj)を形成する。他のYアドレス信号Ybj
そのまま電流スイッチ1に印加される。
【0034】また、基準電圧Vref も電流スイッチ1に
印加されている。これら3つの制御信号によって、電流
スイッチ1内の電流通路が制御される。出力信号Vout
を発生する電流経路にスイッチが付勢されているとき、
電流源2の供給する電流は出力回路に流れ、出力電圧を
形成する。
【0035】このような電流スイッチ1は、たとえば3
つのトランジスタを並列に接続することによって形成す
ることができる。
【0036】1つのトランジスタには基準電圧Vref
印加し、残り2つのトランジスタが付勢されないときは
このトランジスタに電流が流れるように制御する。残り
2つのトランジスタのいずれか一方が付勢されると、こ
の電流路はより低インピーダンスを実現し、電流をこの
低インピーダンス通路に流す。このため、出力電圧を形
成すべき電流路に電流が流れなくなる.2つのトランジ
スタのうちいずれに電流が流れるようになっても、出力
トランジスタの電流は消滅する。
【0037】このような電流スイッチを制御する論理回
路は、1段の構成で実現されている。このため、アドレ
ス信号から電流スイッチを制御する制御信号にを作成す
る論理段数が最小で済み、論理演算による遅延時間が最
小にできる。
【0038】図2は、図1に示すような電流スイッチセ
ルをCMOS回路で構成した例を示す。図2(A)は構
成を示し、図2(B)はその真理値表を示す。
【0039】図2(A)において、電流スイッチ1は3
つのnチャネルMOSトランジスタMN3、MN4、M
N5で構成されている。これら3つのMOSトランジス
タは、ソースを共通に接続され、電流源2となるnチャ
ネルMOSトランジスタMN6のドレインに接続されて
いる。
【0040】なお、MOSトランジスタMN6のソース
は接地されている。電流源となるMOSトランジスタM
N6のゲートには、定電流源を規定するためのバイアス
電圧VCSが印加され、電流スイッチの1つのMOSトラ
ンジスタMN5のゲートには基準電圧Vref が接続され
ている。
【0041】また、このMOSトランジスタMN5のド
レインは、電流スイッチセル外の負荷抵抗RL に接続さ
れ、出力電圧Vout を形成するように出力端子に接続さ
れている。
【0042】他の2つのMOSトランジスタMN3とM
N4のドレインは、それぞれ電流スイッチセル外の電源
電圧Vccに接続される。電流スイッチセル5には、X
アドレス信号Xi と2つのYアドレス信号YajとYbj
が印加されている。1つのYアドレス信号Ybjは、直接
1つのMOSトランジスタMN4のゲート電極に接続さ
れている。
【0043】論理回路3においては、一対のpチャネル
MOSトランジスタMP1とMP2とは直列に接続さ
れ、そのゲート電極にそれぞれXアドレス信号Xi とY
アドレス信号Yajとを受ける。
【0044】また、一対のnチャネルMOSトランジス
タMN1とMN2は並列に接続され、そのドレインは共
通にpチャネルMOSトランジスタMP2のドレインに
接続され、そのソースは共通に接地に接続されている。
【0045】また、これらのnチャネルMOSトランジ
スタMN1とMN2のゲート電極には、それぞれXアド
レス信号Xi およびYアドレス信号Yajが印加されてい
る。
【0046】アドレス信号Xi とYajとが共にローの状
態のとき、pチャネルMOSトランジスタMP1とMP
2とは共にオンの状態となる。したがって、論理回路3
はハイの出力信号を与える。
【0047】一方、Xアドレス信号Xi またはYアドレ
ス信号Yajのいずれかがハイとなると、nチャネルMO
SトランジスタMN1かMN2のいずれかはオンとな
り、pチャネルMOSトランジスタMP1かMP2のい
ずれかはオフとなる。このため、MOSトランジスタM
N3のゲート電極にはローの信号が印加され、MOSト
ランジスタMN3はオフとなる。
【0048】すなわち、論理回路3はノア(NOR)回
路を構成する。このようにして、2つのpチャネルMO
SトランジスタMP1とMP2および2つのnチャネル
MOSトランジスタMN1とMN2とが、1段構成の論
理回路3を構成し、pチャネルMOSトランジスタMP
2のドレインとnチャネルMOSトランジスタMN1、
MN2のドレインとの相互接続点から出力信号を発生
し、電流スイッチ1のnチャネルMOSトランジスタM
N3のゲート電極に印加している。
【0049】次に、電流スイッチ1の出力トランジスタ
MN5がオンのとき、電流スイッチセル5がオンである
とし、出力トランジスタMN5がオフのとき、電流スイ
ッチセル5がオフであるとして、図2(B)の真理値表
を参照して、図2(A)の電流スイッチセルの動作を説
明する。
【0050】今、Yアドレス信号Ybjがハイの状態にあ
るとする。すなわち、電流スイッチ1に印加される2入
力の一方Ybjがハイの状態にあると、MOSトランジス
タMN4はオンとなり、電流源MN6の電流はMOSト
ランジスタMN4に流れる。
【0051】このため、出力トランジスタMN5には電
流が流れず、電流スイッチセル5の状態はオフとなる。
この状態は、Xアドレス信号Xi および他のYアドレス
信号Yajの状態によらない。この論理状態を図2(B)
の表最下段に示す。
【0052】次に、Yアドレス信号Ybjがロー(0)の
ときを考える。したがって、MOSトランジスタMN4
はオフとなる。この時、他のYアドレス信号Yajがハイ
(1)とすると、トランジスタMP2がオフとなり、ト
ランジスタMN2がオンとなる。
【0053】したがって、論理回路3の出力はローとな
り、電流スイッチ1内のトランジスタMN3はオフとな
る。トランジスタMN3とMN4とがオフとなるため、
電流源MN6の電流は出力トランジスタMN5に流れ
る。
【0054】このため、出力端子Vout に電流が流れ、
電流スイッチセル5の状態はオンとなる。この状態は、
Xアドレス信号Xi の状態によらない。この論理状態
を、図2(B)の真理値表の最上段に示す。
【0055】次に、2つのYアドレス信号YajとYbj
が共にロー(0)のときを考える。この時、論理回路3
内のトランジスタMP2はオン、MN2はオフとなり、
電流スイッチ1内のトランジスタMN4はオフとなる。
【0056】電流スイッチ1内の他のトランジスタMN
3の状態は、Xアドレス信号Xi の状態に依存する。
【0057】Xアドレス信号Xi がハイ(1)のとき
は、論理回路3内のトランジスタMP1がオフ、MN1
がオンとなる。このため、論理回路3の出力信号はロー
(0)となり、電流スイッチ1内のトランジスタMN3
はオフとなる。このため、電流源MN6の電流は出力ト
ランジスタMN5に流れ、出力端子Vout に電流が流
れ、電流スイッチセル5の状態はオンとなる。
【0058】Xアドレス信号Xi がロー(0)のとき
は、論理回路3内のトランジスタMP1がオン、MN1
がオフとなる。このため、論理回路3の出力信号はハイ
(1)となり、電流スイッチ1内のトランジスタMN3
がオンとなる。
【0059】したがって、電流源MN6の電流はトラン
ジスタMN3を流れ、出力トランジスタMN5には流れ
ない。このため、出力端子Vout に電流が流れず、電流
スイッチセル5の状態はオフとなる。これらの論理状態
が図2(B)の中段に示されている。
【0060】図2に示すようなCMOS2入力電流スイ
ッチセルの構成によれば、論理回路の構成が簡単であ
り、必要とする素子数が減少する。このため、電流スイ
ッチセル5に必要なチップ占有面積が減少する。
【0061】また、CMOS回路を用いるため、消費電
力が低減する。また、アドレス信号によって電流スイッ
チを駆動する論理回路の段数が1段であるため、論理演
算に必要な遅延時間が短くなる。このような電流スイッ
チセルを用いて電流スイッチセルアレイを構成し、高速
動作できるDA変換器を構成することができる。
【0062】図3は、上述のような電流スイッチセルを
用いた4ビットDA変換器の構成を示す。4ビットデジ
タル入力信号A0 〜A3 は、(A0 、A1 )と(A2
3 )の2組に分けられ、デコーダ回路12、14に印
加される。
【0063】なお、ここではA0 が最上位ビットを示
し、A3 が最下位ビットを示すとする。デコーダ回路1
2は、入力信号A0 とA1 とをデコードし、Xアドレス
信号を形成してラッチ回路13に供給する。
【0064】また、デコーダ回路14は、入力信号A2
とA3 をデコードし、Yアドレス信号を形成してラッチ
回路15に供給する。なお、Yアドレス信号はラッチ回
路15内でXアドレス信号の2倍の数の信号とされる。
【0065】すなわち、ラッチ回路13は3つのXアド
レス信号を発生し、直流電源Vccの発生する信号と合
わせ、4つのXアドレス信号を2入力電流スイッチセル
アレイ11に供給する。
【0066】また、ラッチ回路15は、6個のYアドレ
ス信号を形成し、2つの接地電位と共に8個のYアドレ
ス信号を2入力電流スイッチセルアレイ11に供給す
る。
【0067】図4は、デコーダ回路12、14の構成例
を示す。図4(A)はデコーダ回路12の構成例を示
し、図4(B)はデコーダ回路14の構成例を示す。
【0068】図4(A)において、オア回路OR1は、
入力信号A0 とA1 のオアを形成し、出力信号A0 +A
1 を供給する。また、入力信号A1 はそのまま出力信号
の1つを構成する。アンド回路AND1は、入力信号A
0 とA1 のアンドを形成し、出力信号A0 ・A1 を供給
する。
【0069】図4(B)においては、図4(A)と同
様、オア回路OR2が入力信号A2 とA3 のオアA2
3 を形成し、アンド回路AND2が入力信号A2 とA
3 のアンドA2 ・A3 を形成する。また、1つの入力信
号A3はそのまま直接1つの出力信号を形成する。
【0070】図5は、図3に示すラッチ回路13、15
の構成例を示す。図5(A)はラッチ回路13の構成例
を示し、図5(B)はラッチ回路15の構成例を示す。
なお、ラッチ回路と共に、アドレス信号を形成するため
の電圧源も併せて示す。
【0071】図示の構成においては、ラッチ回路は複数
のフリップフロップ回路FF1〜FF3およびFF4〜
FF6で構成される。ラッチ回路13においては、フリ
ップフロップFFの−Q出力が反転出力信号を形成し、
Xアドレス信号X0 、X1 、X2 を供給する。また、X
アドレス信号X3 は電圧源Vccから供給される。
【0072】ラッチ回路15においては、フリップフロ
ップ回路FFのQ出力と−Q出力とが相補型Yアドレス
信号を供給する。
【0073】また、接地電位から2つのYアドレス信号
a0とYb3を形成する。このようにして、4つのXアド
レス信号と8つのYアドレス信号が形成される。
【0074】図6は、図3に示す2入力電流スイッチセ
ルアレイ11の構成を概略的に示す。2入力電流スイッ
チセルアレイ11は、4×4のセル構成を有し、各セル
には図2(A)に示すような電流スイッチセルが配置さ
れる。このように構成された電流スイッチセルアレイ
に、図5で示すようなXアドレス信号X0 〜X3 および
Yアドレス信号Y0 〜Y3 が印加される。
【0075】Xアドレス信号およびYアドレス信号にし
たがって、電流スイッチセルアレイ11内の電流スイッ
チセルは選択的にオンとなり、その電流値の総和に対応
するアナログ出力信号を形成する。
【0076】図7は、4ビットデジタル入力信号によっ
てどのようなアドレス信号が形成されるかを示す。図7
(A)は、上位2ビットA0 、A1 によって形成される
Xアドレス信号を示し、図7(B)は下位2ビット
2 、A3 によってどのようなYアドレス信号が形成さ
れるかを示す。
【0077】図7(A)においては、入力信号A0 、A
1 が共にローのとき、アドレス信号X0 〜X3 は全てハ
イとなり、A0 がハイ、A1 がローのときはX0 がロ
ー、X 1 、X2 、X3 はハイとなる。A0 がロー、A1
がハイのとき、X0 とX1 がロー、X2 とX3 がハイと
なる。A0 、A1 が共にハイのとき、X0 、X1 、X2
はロー、X3 はハイとなる。
【0078】下位ビットA2 、A3 については、図7
(B)に示すようにデコードされる。A2 、A3 が共に
ローのときは、Ya0、Yb0は共にローとなり、Ya1はハ
イ、Y b1はロー、Ya2はハイ、Yb2はロー、Ya3はハ
イ、Yb3はローとなる。
【0079】A2 がハイ、A3 がローのときは、Ya0
ロー、Yb0はハイ、Ya1、Yb1は共にロー、Ya2はハ
イ、Yb2はロー、Ya3はハイ、Yb3はローとなる。
【0080】A2 がロー、A3 がハイのときは、Ya0
ロー、Yb0はハイ、Ya1はロー、Y b1はハイ、Ya2、Y
b2は共にロー、Ya3はハイ、Yb3はローとなる。
【0081】A2 、A3 が共にハイのときは、Ya0はロ
ー、Yb0はハイとなり、Ya1はロー、Yb1はハイ、Ya2
はロー、Yb2はハイ、Ya3、Yb3は共にローとなる。
【0082】このように、入力デジタル信号の4ビット
0 〜A3 に基づき、Xアドレス信号X0 〜X3 および
Yアドレス信号Ya0、Yb0〜Ya3、Yb3が発生する。こ
れらのアドレス信号に基づき、図6に示すような電流ス
イッチセルアレイの電流スイッチセルが選択的にオンと
され、出力端子Vout に出力電圧が発生する。
【0083】図8は、入力信号の各ビットA0 〜A3
組に対する出力電圧Vout の関係を示すグラフである。
入力信号のビットA0 〜A3 が全て0のとき、16個の
電流スイッチセルは全てオンとなり、出力端子Vout
電位はVcc−16RL Iとなる。
【0084】また、入力信号の各ビットA0 〜A3 が全
てハイのときは、電流スイッチセルの1つのみがオンと
なり、他の電流スイッチセルはオフとなる。このため、
出力電位Vout はVcc−RL Iとなる。入力信号がこ
れらの中間の値の場合は、出力電位もこれらの値の中間
の値となる。このように、4ビットのDA変換が実行さ
れる。
【0085】なお、上述のDA変換器においては、図2
に示すCMOS2入力電流スイッチセルを用いるとした
が、電流スイッチセルは図2に示すものに限らない。
【0086】図9は、pチャネルMOSトランジスタの
みで電流スイッチセルを構成する場合を示す。図9
(A)は、PMOS電流スイッチセルの回路構成を示
し、図9(B)は入力アドレス信号による真理値表を示
す。
【0087】図9(A)において、電流スイッチセル5
が電流源2、電流源2に直列接続された複数のトランジ
スタからなる電流スイッチ1および電流スイッチ1に制
御信号を供給する論理回路3から構成されることは図2
の場合と同様である。
【0088】本構成においては、電流スイッチセル5内
のトランジスタは、全てpチャネルMOSトランジスタ
から構成される。電流源2となるMOSトランジスタM
P3は、そのソースが電源ラインVccに接続され、ゲ
ートにバイアス電圧VCSが印加され、ドレインが電流ス
イッチ1に接続される。
【0089】電流スイッチ1内では3つのMOSトラン
ジスタMP4、MP5、MP6が並列に接続され、その
ソースは共通に電流源トランジスタMP3のドレインに
接続される。
【0090】MOSトランジスタMP6は出力信号を形
成する出力トランジスタとなり、他の2つのMOSトラ
ンジスタMP4とMP5は電流バイパス用のトランジス
タを構成する。出力トランジスタMP6のゲートには基
準電圧Vref が印加され、トランジスタMP4とMP5
には電流スイッチ1に対する2つの入力信号が印加され
る。
【0091】また、トランジスタMP4とMP5のドレ
インは共通に電源ラインVEEに接続される。なお、出力
トランジスタMP6のドレインは、出力端子Vout に接
続され、電流スイッチセル外で負荷抵抗RLを介して電
源電圧VEEに接続される。
【0092】1つのYアドレス信号Ybjは直接MOSト
ランジスタMP5のゲート電極に接続される。また、X
アドレス信号Xi と1つのYアドレス信号Yajは、ノア
回路NOR1に印加され、出力信号(−Xi )・(−Y
aj)を発生し、電流スイッチ1のMOSトランジスタM
P4のゲートに印加する。
【0093】図9(A)の構成によれば、入力するアド
レス信号Xi 、Yaj、Ybjによって、図9(B)に示す
ような論理動作が行われる。
【0094】トランジスタのタイプおよびそれに伴う回
路形式の相違により、図9(B)の真理値表は図2
(B)の真理値表と異なるが、図2(B)の真理値表と
同様に、アドレス信号の状態により、セルの状態として
2つのオン状態と2つのオフ状態が得られることは、図
2(B)と同等である。
【0095】すなわち、Xアドレス信号Xi の状態によ
らず、一組のオン状態とオフ状態が得られ、Xアドレス
信号Xi に依存してもう一組のオン状態とオフ状態が得
られる。
【0096】図10は、BICMOSを用いた電流スイ
ッチセルを示す。本実施例においては、電流源および電
流スイッチをバイポーラ接合トランジスタで構成し、論
理回路はCMOS回路で構成している。バイポーラ接合
トランジスタのベース・エミッタ間電圧の閾値VBE特性
のばらつきは、MOSトランジスタのゲート電圧の閾値
TH特性のばらつきより小さいため、電流源の電流値の
ばらつきを小さくできる。
【0097】本構成においては、電流スイッチ1はnp
nバイポーラ接合トランジスタQ1、Q2、Q3で構成
され、電流源2はnpnバイポーラ接合トランジスタQ
4と抵抗R1で構成されている。
【0098】論理回路3は、図2の構成と同様、直列接
続されたpチャネルMOSトランジスタMP1、MP2
と、それに直列に接続された並列接続nチャネルMOS
トランジスタMN1とMN2で構成されている。この電
流スイッチセルは、図2の電流スイッチセルと同等の論
理動作を行う。
【0099】図10(B)に、図10(A)の電流スイ
ッチセルのオン/オフ真理値表を示すが、この真理値表
は図2(B)の真理値表と同等である。
【0100】したがって、図3に示す4ビットDA変換
器の電流スイッチセルアレイ11の各電流スイッチセル
に、図10(A)に示す電流スイッチセルを用いること
により、BICMOSを用いた4ビットDA変換器が構
成される。
【0101】図11は、バイポーラ接合トランジスタを
用いた電流スイッチセルの他の構成を示す。図11
(A)は電流スイッチセルの回路構成を示し、図11
(B)はそのオン/オフ真理値表を示す。
【0102】図11(A)において、電流スイッチ1が
npnバイポーラ接合トランジスタQ1、Q2、Q3で
構成され、電流源2がnpnバイポーラ接合トランジス
タQ4と抵抗R1で構成される点は、図10の電流スイ
ッチセルと同様である。
【0103】本構成の論理回路3は、2つのダイオード
D1、D2と、抵抗R2によって構成されている。すな
わち、Xアドレス信号Xi とYアドレス信号Yajは、逆
方向接続されたダイオードD1とD2を介して電流スイ
ッチセルのトランジスタQ1のベースに接続され、トラ
ンジスタQ1のベースはさらに抵抗R2を介して電源電
圧Vccに接続されている。
【0104】図11(A)に示す電流スイッチセルの構
成により、図11(B)に示すオン/オフ真理値表が得
られる。
【0105】Yアドレス信号YajとYbjが共にローのと
きは、トランジスタQ1とQ2とは共にオフとなり、電
流源2の供給する電流は出力トランジスタQ3を流れ、
電流スイッチセル5はオンとなる。
【0106】Yアドレス信号Ybjがローで、他のYアド
レス信号Yajがハイのときは、トランジスタQ2はオフ
となり、トランジスタQ1のオン/オフは、Xアドレス
信号Xi の状態によって定まる。すなわち、Xアドレス
信号Xi がローであれば、トランジスタQ1はオフとな
り、電流源2の電流は出力トランジスタQ3に流れ、電
流スイッチセル5はオンとなる。
【0107】一方、Xアドレス信号Xi がハイの状態の
ときは、トランジスタQ1のベースは抵抗R2を介して
電源電圧Vccに接続されるため、トランジスタQ1が
オンとなり、電流スイッチセル5はオフとなる。
【0108】また、Yアドレス信号Ybjがハイのとき
は、トランジスタQ2がオンとなるため、電流源2の供
給する電流はトランジスタQ2を流れ、電流スイッチセ
ル5はオフとなる。
【0109】このようにして、Xアドレス信号Xi の状
態によらないオン/オフ状態と、X i の状態によるオン
/オフ状態が得られる。
【0110】なお、図11(A)の構成は、バイポーラ
接合トランジスタ、ダイオードおよび抵抗によって構成
することができ、バイポーラトランジスタを作成するバ
イポーラプロセスで作成することができる。この構成に
よれば、図10の実施例同様の利点が得られると共に、
構成素子数が減少する。
【0111】図11に示すような電流スイッチセルを用
いて、図3に示すような4ビットDA変換器を構成する
には、図11(B)の真理値表に応じてデコーダ回路1
2、ラッチ回路13およびデコーダ回路14、ラッチ回
路15を、図12に示すように構成すればよい。
【0112】図12(A)は、上位ビットA0 、A1
デコードするデコーダ回路およびその出力をラッチする
ラッチ回路を示す。デコーダ回路は、図4(A)に示す
デコーダ回路と同様である。ラッチ回路は、図5(A)
に示すラッチ回路と異なり、フリップフロップFF1、
FF2、FF3のQ出力を出力として取り出す。
【0113】すなわち、形成されるアドレス信号は、図
5(A)のアドレス信号と反転の関係にある。
【0114】図12(B)は、下位ビットA2 、A3
対するデコーダ回路およびラッチ回路の構成を示す。デ
コーダ回路は、図4(B)に示すデコーダ回路と同様で
ある。
【0115】ラッチ回路は、フリップフロップFF4、
FF5、FF6のQ出力と、電源電圧Vccおよび接地
電圧を用いて、Yアドレス信号Ya0、Yb0〜Ya3、Yb3
を形成している。
【0116】このようなデコーダ回路とラッチ回路によ
り、図13に示すようなアドレス信号が得られる。図1
3(A)は上位2ビットA0 、A1 によって得られるX
アドレス信号X0 〜X3 を示し、図13(B)は下位ビ
ットA2 、A3 によって得られるYアドレス信号Ya0
b0〜Ya3、Yb3を示す。
【0117】このようなアドレス信号により、図8のグ
ラフに示す関係と同様の入力信号に対する出力信号の関
係が得られる。
【0118】本構成においては、デコーダ回路およびラ
ッチ回路もバイポーラトランジスタを用いて構成するこ
とができる。この場合、DA変換器回路全体をバイポー
ラプロセスで形成することができる。電流駆動部にバイ
ポーラ接合トランジスタを用いることにより、電流値の
ばらつきを小さくすることができ、また高速動作させる
ことができる。
【0119】図14は、電流スイッチセルアレイが分割
されているDA変換器の回路構成を概略的に示す。6ビ
ットのDA変換器を、2ビットの2入力電流スイッチセ
ルアレイと4ビットの2入力電流スイッチセルアレイを
用いて構成する場合を示す。
【0120】6ビットの入力信号A0 〜A5 が与えら
れ、最下位ビットがA0 、最上位ビットがA5 であると
する。X方向のデコーダ回路22には、最下位ビットA
0 と2ビット信号A2 、A3 が与えられ、Y方向デコー
ダ回路24には最下位ビットの次に小さなビットA1
2ビット信号A4 、A5 が与えられる。デコーダ回路2
2、24は、それぞれ入力信号をデコードし、アドレス
信号をラッチ回路23、25に供給する。
【0121】ここで、デコーダ回路22は3つの入力信
号をA0 とA2 、A3 に分け、それぞれ独立にデコード
する。デコーダ回路24は、同様に3つの入力信号のう
ち、A1 とA4 、A5 とを独立にデコードする。
【0122】ラッチ回路23、25はそれぞれXアドレ
ス信号およびYアドレス信号を2入力電流スイッチセル
アレイ21に供給する。電流スイッチセルアレイ21
は、2×2構成の第1電流スイッチセルアレイ26と、
4×4構成の第2電流スイッチセルアレイ27とを含
む。
【0123】ここで、第1電流スイッチセルアレイ26
の各電流スイッチが流す電流は、第2電流スイッチセル
アレイ27の各セルが流す電流の1/4の大きさである
とする。
【0124】すなわち、第1電流スイッチセルアレイ2
6の4つの電流スイッチが全てオンになったとき、第2
電流スイッチセルアレイ27の1つのセルが流す電流と
等しい電流が供給される。
【0125】したがって、6ビットDA変換器を構成す
るのに、第2電流スイッチセルアレイ27は4ビット構
成をもてば足りる。電流スイッチセルアレイ21の各電
流スイッチセルには、図2に示す構成を用いるとする。
【0126】図15は、図14における第1電流スイッ
チセルアレイの構成および動作を説明する。図15
(A)はセルアレイの回路図を示し、図15(B)は入
力信号A 0 、A1 に基づくXアドレス信号X0 、X1
およびYアドレス信号Y0 、Y1を示し、図15(C)
は、入力信号に基づくアナログ出力信号の変化を示す。
【0127】図15(A)においては、入力信号の最下
位ビットA0 に応じて、反転信号であるXアドレス信号
0 と、一定値を有するもう1つのX1 が形成され、次
に下位のビットA1 に応じて接地電位であるYa0、A1
と等しいYb0、A1 の反転信号であるYa1、接地電位で
あるYb1の4つのYアドレス信号が形成される。
【0128】このようにして形成されたXアドレス信号
およびYアドレス信号は、4つの電流スイッチセルアレ
イを含む第1電流スイッチセルアレイ26に印加されて
いる。
【0129】図15(B)は、入力信号のA0 ビットの
ハイ/ロー状態に対応するXアドレス信号X0 、X1
状態を示す表と、入力信号のA1 ビットのハイ/ロー状
態に対するYアドレス信号Ya0、Yb0、Ya1、Yb1の状
態を示す。
【0130】このようなアドレス信号により、入力信号
0 、A1 に対応して、図15(C)に示すような出力
電圧の変化が得られる。
【0131】第2電流スイッチセルアレイ27に対応す
るデコーダ回路22、24およびラッチ回路23、25
は、図16に示すようなアドレス信号を発生する。
【0132】図16(A)は、入力信号の2つのビット
2 、A3 の状態に応じたXアドレス信号X2 〜X5
状態を示す。また、図16(B)は他の2つの入力ビッ
トA 4 、A5 の状態に対応するYアドレス信号Ya2、Y
b2〜Ya5、Yb5の状態を示す。このようなアドレス信号
により、図14に示す第2電流スイッチセルアレイ27
は、その構成各セルの電流を制御し、出力電圧を与え
る。
【0133】本構成によれば、電流スイッチセルアレイ
を構成するチップ面積を大幅に減少させることができ
る。6ビットDA変換器を均等な電流スイッチセルを用
いて構成する場合、電流スイッチセルアレイは8×8構
成となる。
【0134】本構成のように、6ビットDA変換器を2
ビットと4ビットの部分に分け、電流値の異なる電流ス
イッチセルで構成する場合、電流スイッチセルアレイは
2×2構成と4×4構成で足りる。
【0135】この場合、4×4構成の電流スイッチセル
アレイの電流源トランジスタは2×2構成の電流スイッ
チセルアレイの電流源トランジスタよりも大きな素子と
する必要があるが、これはエミッタサイズ(面積)の調
整等によって行える。一方、セル数は8×8構成の64
個に対し、20個で足りる。
【0136】さらに、第2電流スイッチセルアレイ27
の1つの電流スイッチセルがオンした状態は、第1電流
スイッチセルアレイの4つの電流スイッチセルがオンし
た状態と同一であり、第2電流スイッチセルアレイのセ
ル数をさらに1減じることができる。
【0137】図17は、6ビットDA変換器のデジタル
入力に対するアナログ出力の変化を示す。図中、破線で
示した区分は第1電流スイッチセルアレイによる変化の
1サイクルを示す。
【0138】図18は、新たな回路形式を有するセルア
レイマトリクス方式8ビットDA変換器の回路構成を示
す。入力信号のビット数が多くなると、入力信号の各ビ
ット間にタイミングずれが生じる可能性が増加する。こ
のような入力信号のビット間タイミングずれによって誤
動作が生じることを入力信号用のラッチ回路32、35
を用いて防止する。
【0139】2入力電流スイッチセルアレイ31は、1
6×16のセル構成を有する。8ビット入力信号のう
ち、4ビットA0 〜A3 は、ラッチ回路32に供給さ
れ、残り4ビットA4 〜A7 は、ラッチ回路35に供給
される。
【0140】これらのラッチ回路32、35は全入力信
号を受けた後、各4ビットの入力信号をデコーダ回路3
3、36に供給し、入力信号をデコードしてXアドレス
信号およびYアドレス信号を形成する。これらのアドレ
ス信号は、ラッチ回路34、37を介して2入力電流ス
イッチセルアレイ31に供給される。
【0141】2入力電流スイッチセルアレイ31は、図
2に示す電流スイッチセルを用いて構成するものとす
る。
【0142】図19は、図18に示すラッチ回路32、
デコーダ回路33、ラッチ回路34の構成をより詳細に
示す。入力信号A0 〜A3 がフリップフロップで構成さ
れるラッチ回路32に入力し、その出力がオア回路、ア
ンド回路で構成されるデコーダ回路33によってデコー
ドされ、フリップフロップで構成されるラッチ回路34
に供給されている。このラッチ回路34からはXアドレ
ス信号X0 〜X15が供給される。
【0143】図20は、図18に示すラッチ回路35、
デコーダ回路36、ラッチ回路37の構成をより詳細に
示す。
【0144】4ビット入力信号A4 〜A7 が、フリップ
フロップで構成されるラッチ回路35に供給され、ラッ
チ回路35の出力がオア回路、アンド回路で構成される
デコーダ回路36に供給されてアドレス信号を形成す
る。これらのアドレス信号は、フリップフロップで構成
されるラッチ回路37に供給され、定電位信号と共にY
アドレス信号Ya0、Yb0、…Ya15 、Yb15 を形成し、
2入力電流スイッチセルアレイ31に供給する。
【0145】図21は、図19に示す回路によって入力
信号A0 〜A4 がどのようにデコードされ、Xアドレス
信号が形成されるかを示す。また、図22、図23は、
図20に示す回路によって、入力信号A4 〜A7 がどの
ようにデコードされ、Yアドレス信号が形成されるかを
示す。
【0146】このようにして、16×16構成の2入力
電流スイッチセルアレイ31を制御するXアドレス信号
およびYアドレス信号が得られる。
【0147】図24は、セルアレイマトリクス方式の1
0ビットDA変換器の回路構成を示す。10ビットのD
A変換器を均一な電流スイッチセルを用いて構成する
と、セルアレイは32×32構成となる。
【0148】セルアレイ構成を簡単化するため、10ビ
ットを2ビットと8ビットに分割し、電流スイッチセル
アレイの素子数を減少させる。電流スイッチセルアレイ
の分割に関しては、図14と同様である。各電流スイッ
チセルとしては、図2に示す構成を用いる。
【0149】また、入力信号が10ビットとビット数が
多いため、入力信号間のタイミングずれを防止するた
め、入力信号用のラッチ回路42、45を設ける。入力
信号用ラッチ回路を設ける点は、図18の構成と同様で
ある。
【0150】すなわち、入力信号のうち、A0 、A2
5 の5ビットはラッチ回路42を介してデコーダ回路
43に送られ、Xアドレス信号を形成する。これらXア
ドレス信号はラッチ回路44を介して電流スイッチセル
アレイ41に供給される。
【0151】また、A1 、A6 〜A9 の5ビットは、ラ
ッチ回路45を介してデコーダ回路46に供給され、デ
コードされてYアドレス信号を形成する。Yアドレス信
号は、ラッチ回路47を介し、電流スイッチセルアレイ
41にYアドレス信号として供給される。
【0152】電流スイッチセルアレイ41は、下位2ビ
ットA0 、A1 を処理するための第1電流スイッチセル
アレイ48と、上位8ビットを処理するための第2電流
スイッチセルアレイ49とを含む。
【0153】なお、第1電流スイッチセルアレイ48は
2×2構成であり、第2電流スイッチセルアレイ49は
16×16構成であるが、第2電流スイッチセルアレイ
のうち、1セルは図示のように省略することができる。
これは、第1電流スイッチセルアレイの4つの電流スイ
ッチセルが第2電流スイッチセルアレイの1つの電流ス
イッチセルに対応するからである。
【0154】図示の構成においては、第2電流スイッチ
セルアレイ49は255セルによって構成されている。
各電流スイッチセルの電流の和が負荷抵抗RL を流れ、
出力端子Vout に出力電圧を発生する点は他の構成と同
様である。
【0155】図25は、図24に示す回路のうち、第1
電流スイッチセルアレイ48に関連する部分のみを抽出
して示す。
【0156】入力信号A0 は、ラッチ回路42に供給さ
れ、他の入力信号とタイミングを合わせてデコーダ回路
43にその出力を与える。デコーダ回路43は、Xアド
レス信号を発生し、ラッチ回路44に供給する。ラッチ
回路44は他のアドレス信号とタイミングを合わせてX
アドレス信号を第1電流スイッチセルアレイ48に供給
する。
【0157】同様、入力信号A1 は、ラッチ回路45に
供給され、他の入力信号とタイミングを合わせてデコー
ダ回路46に供給される。デコーダ回路46は、入力信
号をデコードしてYアドレス信号を発生させ、ラッチ回
路47に供給する。ラッチ回路47は、他のアドレス信
号とタイミングを合わせてYアドレス信号を第1電流ス
イッチセルアレイ48に供給する。
【0158】図26は、入力信号からXアドレス信号を
形成する回路の主要部を示す。なお、図25に示した部
分は図示を省略している。
【0159】4ビットの入力信号A2 〜A5 は、フリッ
プフロップで構成された入力信号用ラッチ回路42に供
給される。入力信号用ラッチ回路42は、クロック信号
CKによりタイミングを合わせて入力信号A2〜A5
デコーダ回路43に供給する。
【0160】デコーダ回路43は、インバータ、ナンド
回路等によって構成され、4ビット入力信号A2 〜A5
からXアドレス信号X0 〜X14を形成する。これらXア
ドレス信号は、フリップフロップで構成されたラッチ回
路44に供給され、クロック信号CKによりタイミング
を合わせて第2電流スイッチセルアレイ49に供給され
る。
【0161】図27は、図24に示す回路のうち、ラッ
チ回路45、デコーダ回路46、ラッチ回路47の主要
部を示す。なお、図25に示した回路部分は図示を省略
している。
【0162】4ビット入力信号A6 〜A9 は、フリップ
フロップで構成された入力信号用ラッチ回路45に供給
され、クロック信号によりタイミングを合わせてデコー
ダ回路46に供給される。デコーダ回路46はインバー
タ、アンド回路等によって構成され、入力信号A6 〜A
9 からYアドレス信号Y0 〜Y14を形成する。
【0163】これらYアドレス信号は、フリップフロッ
プで構成されるラッチ回路47に供給され、クロック信
号によりタイミングを合わせて第2電流スイッチセルア
レイ49にYアドレス信号Ya0、Yb0、…Ya15 、Y
b15 を供給する。
【0164】図28、図29は、図26に示す回路によ
って入力信号A2 〜A5 がどのようにデコードされ、X
アドレス信号X0 〜X15が形成されるかを示す表であ
る。
【0165】図30、図31は、図27に示す回路によ
って入力信号A6 〜A9 がどのようにデコードされ、Y
アドレス信号が形成されるかを示す表である。
【0166】このように形成されたXアドレス信号、Y
アドレス信号によって、図24に示す電流スイッチセル
アレイが制御される。
【0167】たとえば、入力信号が100MHz以上で
あるような場合、入力信号のタイミングのばらつきによ
る誤動作が問題になるが、入力信号用ラッチ回路42、
45を設けたことにより、このような誤動作を防止する
ことができる。
【0168】図32は、多ビット用簡略型DA変換器の
構成を概略的に示す。入力信号のビット数が増加する
と、図14、図24に示すような電流スイッチセルアレ
イを分割した構成によっても電流スイッチセルの素子数
は増大する。
【0169】本構成は、さらに電流スイッチセルの素子
数を減少させるのに有効な構成を示す。
【0170】多ビット入力信号は、所定ビット数の2組
の入力信号に分離され、それぞれラッチ回路52、55
に供給される。ラッチ回路52、55は入力信号をデコ
ーダ回路53、56に供給し、デコードされたアドレス
信号をラッチ回路54、57に供給する。
【0171】この際、ラッチ回路54、57は、所定ビ
ット数の下位ビットを上位ビットとは分離して重み付き
電流源59に供給する。2入力電流スイッチセルアレイ
58は、所定ビット数の入力信号に対応するXアドレス
信号、Yアドレス信号を受け、前述の構成と同様、入力
信号に対応した電流を供給する。
【0172】ここで、2入力電流スイッチセルアレイ5
8の1つの電流スイッチセルが供給する電流をiとす
る。
【0173】重み付き電流源59は、複数の下位ビット
に対応する電流を分担するもので、たとえば電流スイッ
チセルアレイ58の電流スイッチセルが供給する電流i
の1/2、1/4、1/8を単位とする電流を選択的に
供給する。すなわち、重み付き電流源59は、入力信号
のうち下位3ビット分を3つの電流源によって表現す
る。このように、2進数に合わせて、2進的に変化する
電流源を設けると、ビット数と1:1に対応した電流源
により必要な電流を供給できる。
【0174】このように、重み付き電流源によって電流
スイッチセルアレイの単位電流の(1/2)n の電流を
供給することにより、電流スイッチセルアレイのセル数
を制限し、かつ多ビットの入力信号をDA変換すること
が可能となる。重み付き電流源59が3種類の電流源を
備える場合を図示したが、重み付き電流源の数は3に限
らない。
【0175】なお、このように重み付き電流源または分
割電流スイッチセルアレイを用いる場合は、各電流値を
正確に供給できるよう、構成素子の相対的寸法等を高精
度に制御することが好ましい。
【0176】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【0177】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
2入力電流スイッチセルを用いることにより、電流スイ
ッチセルアレイの構成を簡単化することができる。
【0178】電流スイッチセルにおける論理回路を1段
構成とすることにより、論理動作に必要な時間を短縮す
ることができる。
【0179】簡略化された構成で高精度、高動作速度の
DA変換器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】2入力電流スイッチセルを示す。図1(A)は
基本構成を示し、図1(B)はその一形態を示す。
【図2】CMOS2入力電流スイッチセルを示す。図2
(A)は構成を示す回路図、図2(B)はオン/オフ真
理値表である。
【図3】4ビットDA変換器の構成を示す回路図であ
る。
【図4】図3の回路におけるデコーダ回路の構成を示す
回路図である。
【図5】図3の回路におけるラッチ回路の構成を示す回
路図である。
【図6】図3の回路における電流スイッチセルアレイの
構成を示す概略図である。
【図7】図4、図5の構成によって形成されるXアドレ
ス信号、Yアドレス信号の態様を示す表である。
【図8】図3に示す4ビットDA変換器の入出力特性を
示すグラフである。
【図9】PMOS電流スイッチセルを示す。図9(A)
は構成を示す回路図、図9(B)はオン/オフ真理値表
である。
【図10】BICMOS電流スイッチセルを示す。図1
0(A)はセル構造を示す回路図、図10(B)はオン
/オフ真理値表である。
【図11】バイポーラ型電流スイッチセルを示す。図1
1(A)は構成を示す回路図、図11(B)はオン/オ
フ真理値表である。
【図12】図3の回路構成において、図11に示す電流
スイッチセルを用いた場合のデコーダ回路とラッチ回路
の構成を示す回路図である。
【図13】図12に示すデコーダ回路とラッチ回路を用
いた場合に入力信号に対応して得られるアドレス信号を
示す表である。
【図14】分割電流スイッチセルアレイを用いたDA変
換器の回路図である。
【図15】図14の回路における第1電流スイッチセル
アレイ26を説明する図である。図15(A)は第1電
流スイッチセルアレイの回路構成を示す回路図、図15
(B)は入力信号に対応するアドレス信号を示す表、図
15(C)は入力信号による出力信号の変化を示すグラ
フである。
【図16】図14の回路における第2電流スイッチセル
アレイ27に対応するアドレス信号を示す表である。
【図17】図14に示すDA変換器の入出力特性を示す
グラフである。
【図18】8ビットDA変換器の構成を示す回路図であ
る。
【図19】図18のラッチ回路32、デコーダ回路3
3、ラッチ回路34の詳細を示す回路図である。
【図20】図18の回路において、ラッチ回路35、デ
コーダ回路36、ラッチ回路37の詳細を示す回路図で
ある。
【図21】図19に示す回路によって入力信号A0 〜A
4 がXアドレス信号にデコーダされる態様を示す表であ
る。
【図22】図20に示す回路によって、入力信号A4
7 がYアドレス信号にデコーダされる態様を示す表で
ある。
【図23】図20に示す回路によって、入力信号A4
7 がYアドレス信号にデコーダされる態様を示す表で
ある。
【図24】10ビットDA変換器の構成を示す回路図で
ある。
【図25】図24の回路における第1電流スイッチセル
アレイ48に関連した部分を示す回路図である。
【図26】図24の回路において、第2電流スイッチセ
ルアレイ49に関連するラッチ回路42、デコーダ回路
43、ラッチ回路44の詳細を示す回路図である。
【図27】図24の回路において、第2電流スイッチセ
ルアレイ49に関連するラッチ回路45、デコーダ回路
46、ラッチ回路47の詳細を示す回路図である。
【図28】図26の回路において、入力信号A2 〜A5
によってXアドレス信号が形成される態様を示す表であ
る。
【図29】図26の回路において、入力信号A2 〜A5
によってXアドレス信号が形成される態様を示す表であ
る。
【図30】図27に示す回路において、入力信号A6
9 によってYアドレス信号が形成される態様を示す表
である。
【図31】図27に示す回路において、入力信号A6
9 によってYアドレス信号が形成される態様を示す表
である。
【図32】多ビット用簡略型DA変換器の構成を示す回
路図である。
【図33】従来の技術による電流スイッチセルを示す回
路図である。
【符号の説明】
1 電流スイッチ 2 電流源 3 1段論理回路 5 電流スイッチセル 11 2入力電流スイッチセルアレイ 12 デコーダ回路 13 ラッチ回路 14 デコーダ回路 15 ラッチ回路 21 電流スイッチセルアレイ 22 デコーダ回路 23 ラッチ回路 24 デコーダ回路 25 ラッチ回路 26 第1電流スイッチセルアレイ 27 第2電流スイッチセルアレイ 31 2入力電流スイッチセルアレイ 32 ラッチ回路 33 デコーダ回路 34 ラッチ回路 35 ラッチ回路 36 デコーダ回路 37 ラッチ回路 41 電流スイッチセルアレイ 42 ラッチ回路 43 デコーダ回路 44 ラッチ回路 45 ラッチ回路 46 デコーダ回路 47 ラッチ回路 48 第1電流スイッチセルアレイ 49 第2電流スイッチセルアレイ 51 電流スイッチ手段 52 ラッチ回路 53 デコーダ回路 54 ラッチ回路 55 ラッチ回路 56 デコーダ回路 57 ラッチ回路 58 2入力電流スイッチセルアレイ 59 重み付き電流源

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 DA変換器用の電流スイッチセルであっ
    て、 1つの電流源と、 前記電流源に直列に接続され、制御端子に基準電圧を受
    ける第1能動素子と、 前記電流源に直列に、かつ前記第1能動素子と並列に接
    続され、それぞれの制御端子にそれぞれの入力信号を受
    ける第2能動素子と第3能動素子と、 アドレス信号を受け、前記第2能動素子と第3能動素子
    を制御する制御信号を形成する論理回路とを含み、前記
    第2能動素子ないし第3能動素子が導通すると前記第1
    能動素子に実質的な電流は流れない電流スイッチセル。
  2. 【請求項2】 前記論理回路は論理段数が1段である請
    求項1記載の電流スイッチセル。
  3. 【請求項3】 前記論理回路は、1つのXアドレス信号
    と2つのYアドレス信号を受け、1つのYアドレス信号
    とXアドレス信号から前記第2能動素子を駆動する1段
    論理の部分と、他のYアドレス信号から前記第3能動素
    子を駆動する部分を含む請求項1または2記載の電流ス
    イッチセル。
  4. 【請求項4】 前記電流源、第1能動素子、第2能動素
    子、第3能動素子、論理回路がMOSトランジスタで形
    成されている請求項1〜3のいずれかに記載の電流スイ
    ッチセル。
  5. 【請求項5】 少なくとも前記電流源、第1能動素子第
    2能動素子、第3能動素子がバイポーラ接合トランジス
    タで形成され、前記論理回路がMOSトランジスタで形
    成されている請求項1〜3のいずれかに記載の電流スイ
    ッチセル。
  6. 【請求項6】 前記電流源、第1能動素子、第2能動素
    子、第3能動素子、論理回路がバイポーラ接合トランジ
    スタで形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の
    電流スイッチセル。
  7. 【請求項7】 入力デジタル信号をデコードしてアドレ
    ス信号を形成するデコーダ回路と、 前記アドレス信号をラッチするラッチ回路と、 ラッチ回路から供給されるアドレス信号に基づき、入力
    デジタル信号に対応した量の電流を供給する電流スイッ
    チセルアレイであって、請求項1〜6のいずれかに記載
    の電流スイッチセルを複数個含む電流スイッチセルアレ
    イとを含むDA変換器。
  8. 【請求項8】 前記デコーダ回路と前記ラッチ回路はC
    MOS回路で構成された請求項7記載のDA変換器。
  9. 【請求項9】 前記電流スイッチセルアレイが第1の電
    流スイッチセルアレイと第2の電流スイッチセルアレイ
    を含み、第1の電流スイッチセルアレイの1つの電流ス
    イッチセルが流す電流は第2の電流スイッチセルアレイ
    の1つの電流スイッチセルが流す電流の2n 倍(nは整
    数)である請求項7または8記載のDA変換器。
  10. 【請求項10】 前記電流スイッチセルアレイが、均一
    な電流スイッチセルで構成された主電流スイッチセルア
    レイと、前記均一な電流スイッチセルを流れる電流の1
    /2、1/4の電流を流す電流スイッチセルを含む請求
    項7または8記載のDA変換器。
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