JPH0590960U - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- die pad
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本考案は、高集積化に際し、放熱性が良好で
クラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得る
ことのできるリードフレームを提供することを目的とす
る。 【構成】 本考案では、ダイパッドを構成する放熱板を
積層構造体で構成し、半導体チップ搭載面側に半導体チ
ップの熱膨張率により近い材料からなる第1のダイパッ
ドを配置するように構成している。
クラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得る
ことのできるリードフレームを提供することを目的とす
る。 【構成】 本考案では、ダイパッドを構成する放熱板を
積層構造体で構成し、半導体チップ搭載面側に半導体チ
ップの熱膨張率により近い材料からなる第1のダイパッ
ドを配置するように構成している。
Description
【0001】
本考案は、リードフレームに係り、特に、樹脂封止型半導体装置におけるチ ップクラックおよび封止樹脂のクラック防止に関する。
【0002】
IC、LSI等の半導体装置の実装に際して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄 系あるいは銅系等の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチングにより 所望のパタ―ンに成形することによって形成される。
【0003】 通常、リ―ドフレ―ム1は図4に示す如く、半導体集積回路チップ(以下半導 体チップ)を搭載するダイパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配設せし められた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ―ド12を一体的に連結するタ イバ―13と、各インナ―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸張するア ウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持するサイドバ―15,1 6と、ダイパッド11を支持するサポ―トバ―17とから構成されている。
【0004】 このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せしめられる半導体装置は図5に示す 如くであり、リ―ドフレ―ム1のダイパッド11上に、半導体チップ2を搭載し 、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ―ド1 2とを金線あるいはアルミ線のボンディングワイヤ3によって結線し、更にこれ らを樹脂やセラミック等の封止材料4で封止した後、タイバ―やサイドバ―を切 断し、アウタ―リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
【0005】 近年、半導体装置の高密度化および小型化が進み、パッケージサイズに対する 半導体チップの占有面積が大きくなり、半導体チップの発熱量が大きくなってき ている。このため、半導体チップを搭載するためのパッドが膨脹・収縮を繰り返 し、パッケージクラックを生じたりチップクラックを生じたりするという問題が ある。
【0006】 そこで複数のリードを有するリードフレーム本体部と、パッド部とを別々に形 成し、一体的に接合したリードフレームが提案されている。
【0007】 このような別体形成構造をとることにより、パッドのみを放熱性の良好な材料 で構成し、放熱性を向上させることはできるものの、半導体チップあるいは封止 材料との熱膨脹率の差によって生じるクラックを完全に防止することはできない という問題があった。
【0008】
このように、パッドのみを放熱性の良好な材料で構成し、放熱性を向上させ ることはできるものの、半導体チップとパッド、あるいは封止材料とパッドとの 熱膨脹率の差によって生じるクラックを完全に防止することはできないという問 題があった。
【0009】 本考案は、前記実情に鑑みてなされたもので、高集積化に際し、放熱性が良好 でクラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得ることのできるリードフ レームを提供することを目的とする。
【0010】
そこで本考案では、ダイパッドを構成する放熱板を積層構造体で構成し、半 導体チップ搭載面側に半導体チップの熱膨張率により近い材料からなる第1のダ イパッドを配置するように構成している。
【0011】 望ましくは、第1および第2のダイパッドの少なくとも一方にスリットを形成 するようにしている。
【0012】
【作用】 上記構造によれば、ダイパッドを構成する放熱板を積層構造体で構成するよ うにしているため、それぞれの面が接触する材料との親和性を向上させ、クラッ クの発生のない信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0013】 第1および第2のダイパッドの少なくとも一方にスリットを形成するようにし ているため、表裏両素材の熱膨張率の差によって生じる反りを防止するとともに 、パッケージング材料との接触面積を増大させ密着強度が向上する。
【0014】 ここで表裏の各素材の積層方法としては、熱圧着、溶接、接着剤による接合の 他、めっきやスパッタリングなどのように異種金属を被着させる方法によっても 良い。
【0015】
以下、本考案の実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0016】 本考案実施例のリ―ドフレ―ムは、図1(a) および(b) に示す如く、半導体チ ップ搭載面側を鉄−ニッケルで構成された厚さ0.25mmの第1のダイパッド1 1aの裏面側に銅箔からなる第2のダイパッド11bを貼着したことを特徴とす るものである。(ここで図1(a) は上面図、図1(b) はそのA−A断面図である 。)他部については図4に示したものと同様の構造を有している。
【0017】 次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法およびこれを用いた半導体装置の製造方 法について説明する。
【0018】 まず、鉄−ニッケルからなる厚さ0.25mmの帯状材を用いて、通常の如くプ レス加工により、第1のダイパッド11aを形成する。次いでこの裏面側に同一 形状に打ち抜き加工した厚さ0.25mmの銅板からなる第2のダイパッド11b を貼着する。
【0019】 また、42アロイからなる帯状材料を用いて、先端がチップ搭載領域を取り囲 むように配設せしめられた複数のインナ―リ―ド12とインナ―リ―ド12を一 体的に連結するタイバ―13と、各インナ―リ―ドに連結せしめられタイバ―の 外側に伸張するアウタ―リ―ド14と、タイバ―13を両サイドから支持するサ イドバ―15,16とからなるリードフレームを形成する。なお、インナーリー ド先端は打ち抜きに先立ち、コイニングにより薄く形成される。この後さらに必 要に応じてめっき工程等を経て、リードフレーム本体を形成した後、図2(a) に 示すように、このリードフレームの第1のダイパッド11aと銅箔からなる第2 のダイパッド11bとの積層体をポリイミドフィルム17を介してリードフレー ム本体に貼着する。
【0020】 そして、図2(b) に示すように、素子チップ2の搭載、ワイヤボンディング、 樹脂封止などの工程を経て図2(c) に示すように半導体装置が完成する。3はワ イヤ、4は樹脂パッケージである。
【0021】 本考案によれば、ダイパッドを構成する放熱板をニッケルと銅との積層構造体 で構成するようにしているため、それぞれの面が接触する材料との親和性を向上 させ、クラックの発生のない信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0022】 なお、前記実施例では、配設しなかったが、第1のダイパッドあるいは第2の ダイパッドのいずれかにスリットを形成するようにしてもよい。これによりダイ パッド同志の熱膨脹率の差に起因するそりの発生を防止することができる。また チップ搭載面側に位置する第1のダイパッドにスリットを形成することにより、 半導体チップを搭載する際に接着剤が流れ出すこともなく、信頼性の高い半導体 装置を得ることができる。
【0023】 また、スリットの形状としては、第1または第2のダイパッド全面に円形のス ルーホールを多数個形成したり、長溝型のスルーホールとするなど,適宜変形可 能である。図3に示すようにダイパッドの対角線上に沿ってスリットSを形成す ることにより応力の分散を容易にすることができる。
【0024】 さらに第1のパッドはチップの大きさよりも大きければ、第2のパッドよりも 小さくても良いし、大きくても良い。また、2層のみならず3層以上のパッドを 形成しても良いことはいうまでもない。さらにこれらのパッドの間に絶縁性部材 を挟むようにしてもよい。また第1のパッドと第2のパッドとの接合は貼着によ っておこなったが、銅板等からなる第2のパッド表面に所望の材料組成のめっき 層を形成することによって第1のパッドを構成したり、またスパッタリング法に よって第1のパッドを構成したり、あるいはまたこれらの組み合わせによっても よい。
【0025】 また、前記実施例では、スルーホールあるいはスリットはプレス加工によって 形成したが、エッチングによって形成してもよい。
【0026】
以上説明してきたように、本考案によれば、放熱板の、半導体チップ搭載面側 を半導体チップの熱膨張率により近い材料で構成しているため、チップからの発 熱によりチップや放熱板にクラックが入るのを防止し、樹脂との親和性が極めて 良好で信頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
【図1】本考案の実施例のリードフレームを示す図
【図2】同リードフレームを用いた半導体装置の製造工
程図
程図
【図3】本考案の他の実施例のリードフレームを示す図
【図4】従来例のリードフレームを示す図
【図5】従来例の半導体装置を示す図
1 リードフレーム 2 半導体チップ 3 ワイヤ 4 樹脂パッケージ 11 ダイパッド 12 インナ−リ−ド 13 ダムバー 14 アウターリード 15 サイドバー 16 サイドバー 17 ポリイミドフィルム 11a 第1のダイパッド 11b 第2のダイパッド
Claims (2)
- 【請求項1】 表面に半導体チップを搭載する第1のパ
ッドとこの裏面に配設された第2のパッドとを含む積層
構造体からなる半導体チップ搭載部と前記半導体チップ
搭載部から所定の間隔をおいて先端部が配列されたリー
ド部とを含み前記第1のパッドは、前記第2のパッドよ
りも熱膨張率が半導体チップに近い材料で構成されてい
ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 前記第1または第2のダイパッドがスリ
ットを具備してなることを特徴とする請求項1記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992030196U JP2552158Y2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992030196U JP2552158Y2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0590960U true JPH0590960U (ja) | 1993-12-10 |
JP2552158Y2 JP2552158Y2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=12297000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992030196U Expired - Fee Related JP2552158Y2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2552158Y2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58441U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | プラスチツクパツケ−ジ |
JPS60149137U (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-03 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH02125651A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | リードフレーム |
JPH03190264A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP1992030196U patent/JP2552158Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58441U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | プラスチツクパツケ−ジ |
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JPH03190264A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2552158Y2 (ja) | 1997-10-27 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |