JPH0589556A - 熱磁気記録装置 - Google Patents
熱磁気記録装置Info
- Publication number
- JPH0589556A JPH0589556A JP8122292A JP8122292A JPH0589556A JP H0589556 A JPH0589556 A JP H0589556A JP 8122292 A JP8122292 A JP 8122292A JP 8122292 A JP8122292 A JP 8122292A JP H0589556 A JPH0589556 A JP H0589556A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 希土類−遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を
記録媒体としたときに、記録情報の不安定現象が生ずる
ことがない補助磁場の値の適切な条件を備えた熱磁気記
録装置を提供する。 【構成】 透明基板１上に膜面に垂直な磁化容易軸を有
する希土類−遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜２を形成
した光磁気ディスクメモリに、レーザ光４を集光照射し
て情報の記録、消去を行う際に補助磁場印加手段６、７
によって印加する外部磁場を非晶質合金磁性体薄膜２の
保磁力Ｈｃの１／３以下とする。
記録媒体としたときに、記録情報の不安定現象が生ずる
ことがない補助磁場の値の適切な条件を備えた熱磁気記
録装置を提供する。 【構成】 透明基板１上に膜面に垂直な磁化容易軸を有
する希土類−遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜２を形成
した光磁気ディスクメモリに、レーザ光４を集光照射し
て情報の記録、消去を行う際に補助磁場印加手段６、７
によって印加する外部磁場を非晶質合金磁性体薄膜２の
保磁力Ｈｃの１／３以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光の照射熱により
情報の記録と消去を行う熱磁気記録装置に関する。
情報の記録と消去を行う熱磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度、大容量、高速アクセス等
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推
進されている。中でも半導体レーザを用いて情報の記
録、再生、消去が可能な光磁気ディスクメモリは画像、
文字等のファイルメモリやビデオディスクメモリへの応
用が考えられるために特に注目されている。
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推
進されている。中でも半導体レーザを用いて情報の記
録、再生、消去が可能な光磁気ディスクメモリは画像、
文字等のファイルメモリやビデオディスクメモリへの応
用が考えられるために特に注目されている。
【０００３】光磁気ディスクメモリへの記録はキューリ
点記録、補償点記録、保磁力の温度変化を利用する記録
に分類される。これらはいずれの方式も適当な外部磁場
を印加した状態でレーザ光等を用いて局所的に記録媒体
（磁性体薄膜）の温度を上げ、その部分の磁化を外部磁
場の向きに変化させることで記録する、いわゆる熱磁気
記録である。
点記録、補償点記録、保磁力の温度変化を利用する記録
に分類される。これらはいずれの方式も適当な外部磁場
を印加した状態でレーザ光等を用いて局所的に記録媒体
（磁性体薄膜）の温度を上げ、その部分の磁化を外部磁
場の向きに変化させることで記録する、いわゆる熱磁気
記録である。
【０００４】この熱磁気記録の方式は、図１に示すよう
に、ガラス等の透明基板１上に記録磁性体薄膜２を形成
し、さらに保護板３を設けた光磁気ディスクメモリに、
レーザ光４を集光レンズ５で集光照射して記録、再生、
消去する際に、同図（ａ）に示すようにコイル６あるい
は（ｂ）のように永久磁石７で記録磁性体薄膜に対して
磁場を供給する。
に、ガラス等の透明基板１上に記録磁性体薄膜２を形成
し、さらに保護板３を設けた光磁気ディスクメモリに、
レーザ光４を集光レンズ５で集光照射して記録、再生、
消去する際に、同図（ａ）に示すようにコイル６あるい
は（ｂ）のように永久磁石７で記録磁性体薄膜に対して
磁場を供給する。
【０００５】同図（ａ）に示すようにコイル６を使用す
る方式の場合にはコイルに流す電流の方向あるいは電流
の大きさを変えれば容易に必要とする磁場を得ることが
できるので、機構上は簡単になる。しかし、記録磁性体
薄膜２へ磁場を供給するためには透明基板１ごしに磁場
を供給しなければならず、そのためできる限りコイル６
を透明基板１に近付けて、コイル６の記録磁性体薄膜２
への供給磁場を充分なものにする必要がある。ところ
が、通常記録磁性体薄膜には記録時あるいは消去時に記
録磁性体薄膜上で１００Ｏｅ（エルステッド）以上の非
常に大きな磁場を必要としたのでコイル６に流す電流を
多くするか、コイル６を大きくするといった対応が必要
である。
る方式の場合にはコイルに流す電流の方向あるいは電流
の大きさを変えれば容易に必要とする磁場を得ることが
できるので、機構上は簡単になる。しかし、記録磁性体
薄膜２へ磁場を供給するためには透明基板１ごしに磁場
を供給しなければならず、そのためできる限りコイル６
を透明基板１に近付けて、コイル６の記録磁性体薄膜２
への供給磁場を充分なものにする必要がある。ところ
が、通常記録磁性体薄膜には記録時あるいは消去時に記
録磁性体薄膜上で１００Ｏｅ（エルステッド）以上の非
常に大きな磁場を必要としたのでコイル６に流す電流を
多くするか、コイル６を大きくするといった対応が必要
である。
【０００６】一方、同図（ｂ）に示すように永久磁石７
を用いる方式の場合には、同図（ａ）の方式とは異な
り、コイル６の代わりに記録磁性体薄膜２を挟んで集光
レンズ５と反対側に永久磁石７を配置し、この永久磁石
７により記録磁性体薄膜２に磁場を供給する。永久磁石
は比較的小型のものでも強い磁場を得ることができるの
で、この方式であれば装置を小型化することができる。
ただし永久磁石を用いると常に記録磁性体薄膜へ磁場が
印加された状態になるので、永久磁石７の磁場の大きさ
については充分に注意しなければならない。
を用いる方式の場合には、同図（ａ）の方式とは異な
り、コイル６の代わりに記録磁性体薄膜２を挟んで集光
レンズ５と反対側に永久磁石７を配置し、この永久磁石
７により記録磁性体薄膜２に磁場を供給する。永久磁石
は比較的小型のものでも強い磁場を得ることができるの
で、この方式であれば装置を小型化することができる。
ただし永久磁石を用いると常に記録磁性体薄膜へ磁場が
印加された状態になるので、永久磁石７の磁場の大きさ
については充分に注意しなければならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は永久磁石
７の磁場の記録磁性体薄膜２に対する悪影響について調
べた。図２は記録磁性体薄膜として有用なＧｄＴｂＦｅ
非晶質磁性体薄膜の磁気ヒステリシス特整を示す。同図
のようにＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃは
３．８ｋＯｅである。このＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄
膜に４ｋＯｅの消去磁場を与えて図３（ａ）に示すよう
に一様に薄膜の磁化をそろえた後、同図（ｂ）に示すよ
うに磁化と逆向きの外部磁場Ｈｅを印加しその状態を保
持した。
７の磁場の記録磁性体薄膜２に対する悪影響について調
べた。図２は記録磁性体薄膜として有用なＧｄＴｂＦｅ
非晶質磁性体薄膜の磁気ヒステリシス特整を示す。同図
のようにＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃは
３．８ｋＯｅである。このＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄
膜に４ｋＯｅの消去磁場を与えて図３（ａ）に示すよう
に一様に薄膜の磁化をそろえた後、同図（ｂ）に示すよ
うに磁化と逆向きの外部磁場Ｈｅを印加しその状態を保
持した。
【０００８】この時のＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の
残留磁化の量の時間的変化を図４に示す。同図のように
残留磁化量が安定していたのは外部磁場Ｈｅが１ｋＯｅ
の時でそれより大きな２．０ｋＯｅ、２．４ｋＯｅの場
合では時間の経過とともに残留磁化量は減少した。
残留磁化の量の時間的変化を図４に示す。同図のように
残留磁化量が安定していたのは外部磁場Ｈｅが１ｋＯｅ
の時でそれより大きな２．０ｋＯｅ、２．４ｋＯｅの場
合では時間の経過とともに残留磁化量は減少した。
【０００９】また、同様な例としてＧｄＴｂＤｙＦｅ
（Ｇｄ0・125Ｔｂ0・1Ｄｙ0・125Ｆｅ0・75）非晶質磁性体
薄膜についても調べた。この磁性体薄膜の保磁力Ｈｃは
６００Ｏｅであるが、この磁性体薄膜を用いて記録円盤
を作成し特定の信号を記録した後外部磁場Ｈｅを消去方
向に３００Ｏｅ印加しその状態で４８〜７２時間放置し
たところ記録ビット径が小さくなり再生信号の品質が悪
くなった。
（Ｇｄ0・125Ｔｂ0・1Ｄｙ0・125Ｆｅ0・75）非晶質磁性体
薄膜についても調べた。この磁性体薄膜の保磁力Ｈｃは
６００Ｏｅであるが、この磁性体薄膜を用いて記録円盤
を作成し特定の信号を記録した後外部磁場Ｈｅを消去方
向に３００Ｏｅ印加しその状態で４８〜７２時間放置し
たところ記録ビット径が小さくなり再生信号の品質が悪
くなった。
【００１０】また、さらに磁性体薄膜の組成調整によっ
て保磁力Ｈｃを８００ＯｅとしたＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶
質磁性体薄膜についても調べた。この磁性体薄膜を用い
て記録円盤を作成し特定の信号を記録した後、外部磁場
Ｈｅを記録方向に３００Ｏｅ印加して放置したところ、
記録ビット径が大きくなり、これも再生信号の品質を劣
化させた。
て保磁力Ｈｃを８００ＯｅとしたＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶
質磁性体薄膜についても調べた。この磁性体薄膜を用い
て記録円盤を作成し特定の信号を記録した後、外部磁場
Ｈｅを記録方向に３００Ｏｅ印加して放置したところ、
記録ビット径が大きくなり、これも再生信号の品質を劣
化させた。
【００１１】以上に示した記録情報の不安定現象は磁性
体薄膜の微小欠陥の部分の磁化が磁性体薄膜の保磁力よ
り小さな逆磁場でも反転し、それを核として磁壁移動に
より徐々に反転磁化部分が広がることに起因している。
体薄膜の微小欠陥の部分の磁化が磁性体薄膜の保磁力よ
り小さな逆磁場でも反転し、それを核として磁壁移動に
より徐々に反転磁化部分が広がることに起因している。
【００１２】本発明は上記実験結果を元にしてなされた
もので、希土類−遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を記
録媒体としたときに、記録情報の不安定現象が生ずるこ
とがない補助磁場の値の適切な条件を備えた熱磁気記録
装置を提供することを目的とする。
もので、希土類−遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を記
録媒体としたときに、記録情報の不安定現象が生ずるこ
とがない補助磁場の値の適切な条件を備えた熱磁気記録
装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−
遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を記録媒体とし、該記
録媒体に補助磁場を印加する補助磁場印加手段を備え、
前記記録媒体に対するレーザ光による加熱と前記補助磁
場印加手段による磁場とによって情報の記録と消去を行
う熱磁気記録装置において、前記補助磁場印加手段によ
って印加される磁場の前記記録媒体上での強さを前記記
録媒体の保磁力の１／３以下に設定することを特徴とす
る熱磁気記録装置である。
め、本発明は膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−
遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を記録媒体とし、該記
録媒体に補助磁場を印加する補助磁場印加手段を備え、
前記記録媒体に対するレーザ光による加熱と前記補助磁
場印加手段による磁場とによって情報の記録と消去を行
う熱磁気記録装置において、前記補助磁場印加手段によ
って印加される磁場の前記記録媒体上での強さを前記記
録媒体の保磁力の１／３以下に設定することを特徴とす
る熱磁気記録装置である。
【００１４】
【作用】上述のように、情報の記録、消去時に記録媒体
に印加される外部磁場の大きさを記録媒体の保磁力の１
／３以下にすると、記録情報は外部磁場による影響を受
けることがなく、経時変化もきたさない。
に印加される外部磁場の大きさを記録媒体の保磁力の１
／３以下にすると、記録情報は外部磁場による影響を受
けることがなく、経時変化もきたさない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る実施例について説明す
る。
る。
【００１６】本発明に係る一実施例は図１（ａ）に示し
た永久磁石７によって記録磁性体薄膜２に磁場を供給す
る熱磁気記録装置において、記録磁性体薄膜２をＧｄＴ
ｂＦｅ非晶質磁性体薄膜にて形成し、かつ永久磁石７に
よって、情報の記録、消去の際にＧｄＴｂＦｅ非晶質磁
性体薄膜２上に１ｋＯｅの強さの磁場を印加するものと
している。
た永久磁石７によって記録磁性体薄膜２に磁場を供給す
る熱磁気記録装置において、記録磁性体薄膜２をＧｄＴ
ｂＦｅ非晶質磁性体薄膜にて形成し、かつ永久磁石７に
よって、情報の記録、消去の際にＧｄＴｂＦｅ非晶質磁
性体薄膜２上に１ｋＯｅの強さの磁場を印加するものと
している。
【００１７】上述したようにＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体
薄膜の保磁力Ｈｃは３．８ｋＯｅである。ここで本発明
者等は外部から印加する補助磁場のＧｄＴｂＦｅ非晶質
磁性体薄膜上での磁場の値が１．３ｋＯｅ程度（ＧｄＴ
ｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃの約１／３）以下
であれば補助磁場がＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜に悪
影響を及ぼさない、すなわち残留磁化が安定であること
を確認している。
薄膜の保磁力Ｈｃは３．８ｋＯｅである。ここで本発明
者等は外部から印加する補助磁場のＧｄＴｂＦｅ非晶質
磁性体薄膜上での磁場の値が１．３ｋＯｅ程度（ＧｄＴ
ｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃの約１／３）以下
であれば補助磁場がＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜に悪
影響を及ぼさない、すなわち残留磁化が安定であること
を確認している。
【００１８】また、ＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体薄膜
を記録磁性体薄膜２とした場合についても実験したが、
この場合も補助磁場のＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体薄
膜上での磁場の値が上記ＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体
薄膜の保磁力Ｈｃの約１／３以下であれば補助磁場がＧ
ｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体薄膜に悪影響を及ぼさない
ことを確認している。
を記録磁性体薄膜２とした場合についても実験したが、
この場合も補助磁場のＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体薄
膜上での磁場の値が上記ＧｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体
薄膜の保磁力Ｈｃの約１／３以下であれば補助磁場がＧ
ｄＴｂＤｙＦｅ非晶質磁性体薄膜に悪影響を及ぼさない
ことを確認している。
【００１９】本発明に係る補助磁場印加手段の磁場の強
さの値であれば消去時、記録時に拘わらず外部磁場は非
晶質磁性体薄膜に悪影響を及ぼさないので、消去時、記
録時ともに同じ値の磁場を印加することができる。
さの値であれば消去時、記録時に拘わらず外部磁場は非
晶質磁性体薄膜に悪影響を及ぼさないので、消去時、記
録時ともに同じ値の磁場を印加することができる。
【００２０】さらに、補助磁場印加手段としては図１
（ｂ）のように、非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃの１／
３の磁場を薄膜表面に発生することのできるコイルを使
用することもできる。
（ｂ）のように、非晶質磁性体薄膜の保磁力Ｈｃの１／
３の磁場を薄膜表面に発生することのできるコイルを使
用することもできる。
【００２１】なお、永久磁石を用いる場合で、記録時に
おける永久磁石の磁場の強さを消去時の磁場の強さより
小さくする必要がある場合には、記録時においては永久
磁石を消去時より記録媒体から離間させて使用する等の
方法が考えられる。
おける永久磁石の磁場の強さを消去時の磁場の強さより
小さくする必要がある場合には、記録時においては永久
磁石を消去時より記録媒体から離間させて使用する等の
方法が考えられる。
【００２２】また、本発明に係る補助磁場の値は記録磁
性体薄膜が希土類−遷移金属系の非晶質合金薄膜（実施
例以外のもにＴｂＤｙＦｅ膜、ＴｂＦｅ膜等がある。）
であればいずれのものにおいても適用可能なものであ
る。
性体薄膜が希土類−遷移金属系の非晶質合金薄膜（実施
例以外のもにＴｂＤｙＦｅ膜、ＴｂＦｅ膜等がある。）
であればいずれのものにおいても適用可能なものであ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば希土類−遷
移金属系非晶質合金磁性体薄膜の記録媒体に長時間補助
磁場を印加した状態に放置しておいても、記録磁性体薄
膜に記録された情報に不安定現象が生ずることがなく安
定して保持されるので、記録情報が消滅する等の事故が
発生する虞れがない熱磁気記録装置を提供することがで
きる。
移金属系非晶質合金磁性体薄膜の記録媒体に長時間補助
磁場を印加した状態に放置しておいても、記録磁性体薄
膜に記録された情報に不安定現象が生ずることがなく安
定して保持されるので、記録情報が消滅する等の事故が
発生する虞れがない熱磁気記録装置を提供することがで
きる。
【図１】熱磁気記録方式の一例を示す説明図である。
【図２】ＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の磁気ヒステリ
シス特性を示す図である。
シス特性を示す図である。
【図３】ＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜に外部磁場を印
加した説明図である。
加した説明図である。
【図４】ＧｄＴｂＦｅ非晶質磁性体薄膜の残留磁化の量
の時間的な変化を示す図である。
の時間的な変化を示す図である。
１ 透明基板 ２ 記録磁性体薄膜 ３ 保護板 ４ レーザ光 ５ 集光レンズ ６ コイル ７ 永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−
遷移金属系非晶質合金磁性体薄膜を記録媒体とし、該記
録媒体に補助磁場を印加する補助磁場印加手段を備え、
前記記録媒体に対するレーザ光による加熱と前記補助磁
場印加手段による磁場とによって情報の記録と消去を行
う熱磁気記録装置において、 前記補助磁場印加手段によって印加される磁場の前記記
録媒体上での強さを前記記録媒体の保磁力の１／３以下
に設定することを特徴とする熱磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081222A JP2889427B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 熱磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081222A JP2889427B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 熱磁気記録装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165880A Division JP2519197B2 (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 熱磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589556A true JPH0589556A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2889427B2 JP2889427B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=13740457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4081222A Expired - Lifetime JP2889427B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 熱磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889427B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724047A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recorder and reproducer |
| JPS57176505A (en) * | 1981-04-23 | 1982-10-29 | Olympus Optical Co Ltd | Bias magnetic field applying system |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP4081222A patent/JP2889427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724047A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recorder and reproducer |
| JPS57176505A (en) * | 1981-04-23 | 1982-10-29 | Olympus Optical Co Ltd | Bias magnetic field applying system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2889427B2 (ja) | 1999-05-10 |
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