JPH0589523A - 光デイスク - Google Patents
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- JPH0589523A JPH0589523A JP4016757A JP1675792A JPH0589523A JP H0589523 A JPH0589523 A JP H0589523A JP 4016757 A JP4016757 A JP 4016757A JP 1675792 A JP1675792 A JP 1675792A JP H0589523 A JPH0589523 A JP H0589523A
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- Japan
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- resin protective
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- protective layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチック基板の両面に樹脂保護層を設け
た光ディスクの反りを低減すること。 【構成】 プラスチック基板の一方の面に少なくとも光
記録層が形成され、その上に樹脂保護層が形成されると
ともに、他方の面に第２の樹脂保護層が形成される光デ
ィスクにおいて、この第１及び第２の樹脂保護層の厚さ
をそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、第１及び第２の樹脂保護
層に生ずる内部応力（単位断面積当たりの力）をそれぞ
れσ1 及びσ2 として、実質的にσ1 ×ｄ1 ＝σ2 ×ｄ
2 の条件が成立するようにしている。これにより、プラ
スチック基板の両面の各樹脂保護層に生ずる内部応力が
実質的に等しくなってバランスするので、光ディスクの
反りの発生が極力防止される。
た光ディスクの反りを低減すること。 【構成】 プラスチック基板の一方の面に少なくとも光
記録層が形成され、その上に樹脂保護層が形成されると
ともに、他方の面に第２の樹脂保護層が形成される光デ
ィスクにおいて、この第１及び第２の樹脂保護層の厚さ
をそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、第１及び第２の樹脂保護
層に生ずる内部応力（単位断面積当たりの力）をそれぞ
れσ1 及びσ2 として、実質的にσ1 ×ｄ1 ＝σ2 ×ｄ
2 の条件が成立するようにしている。これにより、プラ
スチック基板の両面の各樹脂保護層に生ずる内部応力が
実質的に等しくなってバランスするので、光ディスクの
反りの発生が極力防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチック基板に光
記録層を形成した光ディスクに関する。
記録層を形成した光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＣＤ−ＲＯＭのような記録情報の
読み取り専用（リード・オンリー）型、情報を一度だけ
書き込めるライト・ワンス型、情報の再書き込みが可能
なリライタブル型等の光ディスクが開発され実用化され
始めている。
読み取り専用（リード・オンリー）型、情報を一度だけ
書き込めるライト・ワンス型、情報の再書き込みが可能
なリライタブル型等の光ディスクが開発され実用化され
始めている。
【０００３】このような光ディスクの基板材料としてガ
ラスまたはプラスチックが一般的に使用されているが、
プラスチックは加工や複製が容易であり、材料コストの
面でも有利である等の理由でガラス基板よりも好適に使
用されている。このプラスチック基板の一方の面には少
なくとも光記録層が形成され、この光記録層を外的な
傷、水分による腐食等から保護するために、光記録層の
上に一般に樹脂保護層と称されている第１の樹脂保護層
が紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などによって形成さ
れる。また、他方の面には基板表面への外的な傷や静電
気による塵埃の付着等を防ぐために、一般にハードコー
ト層と称されている導電性を付与した第２の樹脂保護層
が形成される。この第２の樹脂保護層の材料としては第
１の樹脂保護層と同様に紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹
脂などが用いられる。
ラスまたはプラスチックが一般的に使用されているが、
プラスチックは加工や複製が容易であり、材料コストの
面でも有利である等の理由でガラス基板よりも好適に使
用されている。このプラスチック基板の一方の面には少
なくとも光記録層が形成され、この光記録層を外的な
傷、水分による腐食等から保護するために、光記録層の
上に一般に樹脂保護層と称されている第１の樹脂保護層
が紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などによって形成さ
れる。また、他方の面には基板表面への外的な傷や静電
気による塵埃の付着等を防ぐために、一般にハードコー
ト層と称されている導電性を付与した第２の樹脂保護層
が形成される。この第２の樹脂保護層の材料としては第
１の樹脂保護層と同様に紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹
脂などが用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような硬化型樹脂は塗布後の硬化収縮によって内部応力
が生じ、更に高温高湿の環境下に長時間さらされた場合
などの経時変化に伴う体積収縮によっても内部応力が生
ずる。特に、後者の経時変化に伴う応力発生は影響が大
きく、ガラス基板に比べて剛性が小さいプラスチック基
板の場合には、両面の樹脂保護層の内部応力の差による
反りが顕著に発生しやすいという問題があった。
ような硬化型樹脂は塗布後の硬化収縮によって内部応力
が生じ、更に高温高湿の環境下に長時間さらされた場合
などの経時変化に伴う体積収縮によっても内部応力が生
ずる。特に、後者の経時変化に伴う応力発生は影響が大
きく、ガラス基板に比べて剛性が小さいプラスチック基
板の場合には、両面の樹脂保護層の内部応力の差による
反りが顕著に発生しやすいという問題があった。
【０００５】なお、例えば特開平2-193341号公報には、
基板の一方の面に形成された誘電体保護層の圧縮応力と
その上に形成された紫外線硬化型樹脂からなる樹脂保護
層の内部応力とをバランスさせることにより、製造時に
おける光ディスクの反りを小さくすることが提案されて
いるが、このような提案では基板の両面に形成された樹
脂保護層の経時変化によって生ずる反りを低減させるこ
とはできない。
基板の一方の面に形成された誘電体保護層の圧縮応力と
その上に形成された紫外線硬化型樹脂からなる樹脂保護
層の内部応力とをバランスさせることにより、製造時に
おける光ディスクの反りを小さくすることが提案されて
いるが、このような提案では基板の両面に形成された樹
脂保護層の経時変化によって生ずる反りを低減させるこ
とはできない。
【０００６】そこで、本発明は上述の問題点に着目し、
プラスチック基板の両面に樹脂保護層を設けた光ディス
クの反りを低減することを課題としてなされたものであ
る。
プラスチック基板の両面に樹脂保護層を設けた光ディス
クの反りを低減することを課題としてなされたものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明では、プラスチック基板の一方の面に少な
くとも光記録層が形成され、その上に樹脂保護層が形成
されるとともに、他方の面に第２の樹脂保護層が形成さ
れる光ディスクにおいて、この第１及び第２の樹脂保護
層の厚さをそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、第１及び第２の
樹脂保護層に生ずる内部応力（単位断面積当たりの力）
をそれぞれσ1 及びσ2 として、実質的にσ1 ×ｄ1 ＝
σ2 ×ｄ2 の条件が成立するようにしている。これによ
り、プラスチック基板の両面の各樹脂保護層に生ずる内
部応力が実質的に等しくなってバランスするので、光デ
ィスクの反りの発生が極力防止される。
めに、本発明では、プラスチック基板の一方の面に少な
くとも光記録層が形成され、その上に樹脂保護層が形成
されるとともに、他方の面に第２の樹脂保護層が形成さ
れる光ディスクにおいて、この第１及び第２の樹脂保護
層の厚さをそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、第１及び第２の
樹脂保護層に生ずる内部応力（単位断面積当たりの力）
をそれぞれσ1 及びσ2 として、実質的にσ1 ×ｄ1 ＝
σ2 ×ｄ2 の条件が成立するようにしている。これによ
り、プラスチック基板の両面の各樹脂保護層に生ずる内
部応力が実質的に等しくなってバランスするので、光デ
ィスクの反りの発生が極力防止される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る実施例を詳細に説明す
る。図１において、１はポリカーボネート樹脂の基板、
２は光記録層、３は第１の樹脂保護層である樹脂保護
層、４は第２の樹脂保護層であるハードコート層を示
す。
る。図１において、１はポリカーボネート樹脂の基板、
２は光記録層、３は第１の樹脂保護層である樹脂保護
層、４は第２の樹脂保護層であるハードコート層を示
す。
【０００９】光記録層２は、マグネトロンスパッタリン
グ装置を用いて非晶質イットリウムサイアロンの第１誘
電体層（100 nm厚）、非晶質Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁
気記録層（20nm厚）、非晶質イットリウムサイアロンの
第２誘電体層（30nm厚）、及び金属アルミニウム反射層
（100 nm厚）を順次積層したものである。
グ装置を用いて非晶質イットリウムサイアロンの第１誘
電体層（100 nm厚）、非晶質Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ系の光磁
気記録層（20nm厚）、非晶質イットリウムサイアロンの
第２誘電体層（30nm厚）、及び金属アルミニウム反射層
（100 nm厚）を順次積層したものである。
【００１０】また、樹脂保護層３とハードコート層４と
は以下に示す各種樹脂試料、すなわち樹脂Ａ，Ｂ，Ｃ,
Ｄ, Ｅ，Ｆについて後述する試験を行い、これら樹脂の
うち最適なものを塗布して形成した。
は以下に示す各種樹脂試料、すなわち樹脂Ａ，Ｂ，Ｃ,
Ｄ, Ｅ，Ｆについて後述する試験を行い、これら樹脂の
うち最適なものを塗布して形成した。
【００１１】ここで、樹脂Ａとしてはアクリル酸エステ
ル系の紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）製 ＳＤ
−１７）を、また樹脂Ｂとしては、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）製 ＳＤ
−３０１）をそれぞれ使用し、樹脂ＡにＳｂ−ＳｎＯ2
（粒径約0.15μm , 水に対する接触角θ＝約5 °）のフ
ィラーを混入させたものを樹脂Ｃとした。また、アクリ
ル系の紫外線硬化型樹脂（三菱レイヨン（株）製アクリ
ル系樹脂）にＳｉＯ2 （粒径5 〜8 μm,θ＝0〜10°）
のフィラーを混入させたものを樹脂Ｄとし、樹脂ＡにＡ
ｌ2 Ｏ3 （粒径5 〜8 μm,θ＝20〜30°）のフィラーを
分散させたものを樹脂Ｅとし、樹脂Ａにポリエチレン
（粒径4 〜6 μm,θ＝約88°）のフィラーを分散させた
ものを樹脂Ｆとした。
ル系の紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）製 ＳＤ
−１７）を、また樹脂Ｂとしては、ウレタンアクリレー
ト系の紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）製 ＳＤ
−３０１）をそれぞれ使用し、樹脂ＡにＳｂ−ＳｎＯ2
（粒径約0.15μm , 水に対する接触角θ＝約5 °）のフ
ィラーを混入させたものを樹脂Ｃとした。また、アクリ
ル系の紫外線硬化型樹脂（三菱レイヨン（株）製アクリ
ル系樹脂）にＳｉＯ2 （粒径5 〜8 μm,θ＝0〜10°）
のフィラーを混入させたものを樹脂Ｄとし、樹脂ＡにＡ
ｌ2 Ｏ3 （粒径5 〜8 μm,θ＝20〜30°）のフィラーを
分散させたものを樹脂Ｅとし、樹脂Ａにポリエチレン
（粒径4 〜6 μm,θ＝約88°）のフィラーを分散させた
ものを樹脂Ｆとした。
【００１２】上記各樹脂の経時変化後の内部応力を調べ
るために、事前に次のような試験を行った。すなわち、
75μm の薄い板ガラス基板に各樹脂を塗布成膜した後、
80℃，90％ＲＨの高温高湿試験を1000時間実施し、その
前後における基板の反りを測定して内部応力を算出し、
また鉛筆硬度についても測定を行った。その結果は表１
に示すように、樹脂Ａの場合は1 ×10-7dyn/cm 2、樹脂
Ｂは3 ×10-8dyn/cm 2、樹脂Ｃは8 ×10-8dyn/cm 2、樹
脂Ｄは4 ×10-8dyn/cm 2、樹脂Ｅは5 ×10-8dyn/cm 2、
樹脂Ｆは6 ×10-8dyn/cm 2であった。また、表には示し
ていないが、フィラーを樹脂に混入させた試料( 樹脂
Ｃ, Ｄ, Ｅ, Ｆ) の場合、反り角を示すチルト角は試験
開始後約250 時間程度で飽和し、以後ほとんど変化しな
いことが判明し、特に、水との接触角が30°未満の材質
のフィラーを樹脂に混入させた試料( 樹脂Ｃ, Ｄ, Ｅ)
は、鉛筆硬度がフィラーが無い試料と同様であって、硬
度の低下が全くみられなかった。一方、水との接触角が
30°より大の材質のフィラーを樹脂に混入させた試料の
場合は硬度が著しく低下し耐傷性が不十分であった。こ
れは、主剤となる樹脂との密着性が弱いために硬度が低
下したものと考えられる。なお、各樹脂層に生ずる実際
の内部応力はこれらの数値と層の断面積とから算出され
る。
るために、事前に次のような試験を行った。すなわち、
75μm の薄い板ガラス基板に各樹脂を塗布成膜した後、
80℃，90％ＲＨの高温高湿試験を1000時間実施し、その
前後における基板の反りを測定して内部応力を算出し、
また鉛筆硬度についても測定を行った。その結果は表１
に示すように、樹脂Ａの場合は1 ×10-7dyn/cm 2、樹脂
Ｂは3 ×10-8dyn/cm 2、樹脂Ｃは8 ×10-8dyn/cm 2、樹
脂Ｄは4 ×10-8dyn/cm 2、樹脂Ｅは5 ×10-8dyn/cm 2、
樹脂Ｆは6 ×10-8dyn/cm 2であった。また、表には示し
ていないが、フィラーを樹脂に混入させた試料( 樹脂
Ｃ, Ｄ, Ｅ, Ｆ) の場合、反り角を示すチルト角は試験
開始後約250 時間程度で飽和し、以後ほとんど変化しな
いことが判明し、特に、水との接触角が30°未満の材質
のフィラーを樹脂に混入させた試料( 樹脂Ｃ, Ｄ, Ｅ)
は、鉛筆硬度がフィラーが無い試料と同様であって、硬
度の低下が全くみられなかった。一方、水との接触角が
30°より大の材質のフィラーを樹脂に混入させた試料の
場合は硬度が著しく低下し耐傷性が不十分であった。こ
れは、主剤となる樹脂との密着性が弱いために硬度が低
下したものと考えられる。なお、各樹脂層に生ずる実際
の内部応力はこれらの数値と層の断面積とから算出され
る。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例１〜５及び比較例は、それぞれ表２
に示すように、樹脂保護層３とハードコート層４の樹脂
の種類と塗布厚さを選定してある。ここで、実施例１は
同一樹脂を同一厚さで塗布しており、実施例２〜５は樹
脂の硬化収縮と体積収縮の変化量を考慮して樹脂保護層
３とハードコート層４の内部応力と層の厚さとの積が実
質的に等しくなるようにしている。ここで、実質的に等
しいとは、樹脂保護層３及びハードコート層４の厚さ
（μm ）をそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、それぞれの層に
生ずる内部応力（単位面積当たりの力；dyn/cm 2）をそ
れぞれσ1 及びσ2 とした場合に、σ1 ×ｄ1 とσ2 ×
ｄ2 との差が±10-7dyn/cm以内の程度のことをいう。ま
た、比較例はこの条件が成立しないようにそれぞれの樹
脂の種類と塗布厚さを選定してある。なお、内部応力の
正の値は引張り応力を示し、負の値は圧縮応力を示す。
また、実施例５は樹脂Ｂを約5 μm とし、この上に樹脂
Ｄを約6 μm 塗布したものである。
に示すように、樹脂保護層３とハードコート層４の樹脂
の種類と塗布厚さを選定してある。ここで、実施例１は
同一樹脂を同一厚さで塗布しており、実施例２〜５は樹
脂の硬化収縮と体積収縮の変化量を考慮して樹脂保護層
３とハードコート層４の内部応力と層の厚さとの積が実
質的に等しくなるようにしている。ここで、実質的に等
しいとは、樹脂保護層３及びハードコート層４の厚さ
（μm ）をそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、それぞれの層に
生ずる内部応力（単位面積当たりの力；dyn/cm 2）をそ
れぞれσ1 及びσ2 とした場合に、σ1 ×ｄ1 とσ2 ×
ｄ2 との差が±10-7dyn/cm以内の程度のことをいう。ま
た、比較例はこの条件が成立しないようにそれぞれの樹
脂の種類と塗布厚さを選定してある。なお、内部応力の
正の値は引張り応力を示し、負の値は圧縮応力を示す。
また、実施例５は樹脂Ｂを約5 μm とし、この上に樹脂
Ｄを約6 μm 塗布したものである。
【００１５】
【表２】
【００１６】このようにして形成した実施例１〜５及び
比較例に対して、上述した80℃,90％ＲＨの条件下での
高温高湿環境試験を1000時間実施し、その前後での反り
の変化を機械特性装置によりチルト角を測定して調べ
た。表２に示すように、実施例１〜５では初期の反りが
小さく、しかも環境試験後の反りに変化が極めて小さい
のに対して、比較例では初期の反りは小さいが、環境試
験後では実施例１の４倍以上も増大した反りとなったう
え剥離も生じていた。すなわち、樹脂保護層の形成時の
硬化収縮だけでなく、経時変化による体積収縮の変化量
を実質的に等しくすることにより、製造初期と経時変化
後の反りを小さい値に保持することができるのである。
比較例に対して、上述した80℃,90％ＲＨの条件下での
高温高湿環境試験を1000時間実施し、その前後での反り
の変化を機械特性装置によりチルト角を測定して調べ
た。表２に示すように、実施例１〜５では初期の反りが
小さく、しかも環境試験後の反りに変化が極めて小さい
のに対して、比較例では初期の反りは小さいが、環境試
験後では実施例１の４倍以上も増大した反りとなったう
え剥離も生じていた。すなわち、樹脂保護層の形成時の
硬化収縮だけでなく、経時変化による体積収縮の変化量
を実質的に等しくすることにより、製造初期と経時変化
後の反りを小さい値に保持することができるのである。
【００１７】なお、光ディスクを構成する基板や各層に
は上記以外の種々の材料が使用可能である。すなわち、
基板としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂等の各種樹脂が使用
可能である。
は上記以外の種々の材料が使用可能である。すなわち、
基板としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂等の各種樹脂が使用
可能である。
【００１８】また、樹脂保護層とハードコート層として
は、アクリル酸エステル系、ウレタンアクリレート系、
エポキシ系、ポリエステル系、アクリル系などの各種紫
外線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂が使用可能であ
り、これら樹脂に混入させるフィラーとしては水との接
触角が30°以下の材質であればよく、例えばＩＴＯ、Ｓ
ｂ−ＳｎＯ2 、Ｐ−ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＩｒＯ2 、
ＭｏＯ2 、ＮｂＯ2 、ＰｔＯ2 、ＲｕＯ2 、ＷＯ2 、Ｍ
ｏＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、ＷＣ、ＮｂＮ、Ｔａ2
Ｎ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＶＮなどの導電性のセラミックや
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＣｄＳ、
ＺｎＳ、ＳｉＯなどの絶縁性セラミック、Ａｇ、Ｎｉ、
Ａｕ、Ｔｉなどの金属・合金などが単一あるいは２種以
上の混合物として使用可能である。
は、アクリル酸エステル系、ウレタンアクリレート系、
エポキシ系、ポリエステル系、アクリル系などの各種紫
外線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂が使用可能であ
り、これら樹脂に混入させるフィラーとしては水との接
触角が30°以下の材質であればよく、例えばＩＴＯ、Ｓ
ｂ−ＳｎＯ2 、Ｐ−ＳｎＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＩｒＯ2 、
ＭｏＯ2 、ＮｂＯ2 、ＰｔＯ2 、ＲｕＯ2 、ＷＯ2 、Ｍ
ｏＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、ＷＣ、ＮｂＮ、Ｔａ2
Ｎ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＶＮなどの導電性のセラミックや
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＣｄＳ、
ＺｎＳ、ＳｉＯなどの絶縁性セラミック、Ａｇ、Ｎｉ、
Ａｕ、Ｔｉなどの金属・合金などが単一あるいは２種以
上の混合物として使用可能である。
【００１９】また、第１及び第２誘電体層には、他に窒
化シリコン、窒化アルミニウム、窒化チタン、炭化シリ
コン、硫化カドミウム、硫化亜鉛、フッ化マグネシウ
ム、酸化カドミウム、酸化ビスマス等が単独あるいはこ
れらを組合せた材料が使用可能である。
化シリコン、窒化アルミニウム、窒化チタン、炭化シリ
コン、硫化カドミウム、硫化亜鉛、フッ化マグネシウ
ム、酸化カドミウム、酸化ビスマス等が単独あるいはこ
れらを組合せた材料が使用可能である。
【００２０】さらに、光磁気記録層には他にＧｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｎｄ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｎｄ−Ｇｄ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ系等の遷移金属−希土類金属系の各種
非晶質磁性合金が使用可能である。
−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｎｄ−Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｎｄ−Ｇｄ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ系等の遷移金属−希土類金属系の各種
非晶質磁性合金が使用可能である。
【００２１】また、反射層には他にＣｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳ等が単独あるいは組合せた材料が使
用可能である。
Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳ等が単独あるいは組合せた材料が使
用可能である。
【００２２】なおまた、上述の実施例では光磁気記録層
を有したいわゆる光磁気ディスクの場合について示した
が、本発明は、光磁気記録層が無く反射層などから成る
光記録層を有したいわゆるＣＤ−ＲＯＭのような光ディ
スクでも適用可能であることはもちろんである。
を有したいわゆる光磁気ディスクの場合について示した
が、本発明は、光磁気記録層が無く反射層などから成る
光記録層を有したいわゆるＣＤ−ＲＯＭのような光ディ
スクでも適用可能であることはもちろんである。
【００２３】
【発明の効果】上述の実施例から明らかなように、本発
明は、プラスチック基板の両面にそれぞれ形成される第
１及び第２の樹脂保護層の内部応力と層の厚さの積が実
質的に等しくなるようにしたものである。
明は、プラスチック基板の両面にそれぞれ形成される第
１及び第２の樹脂保護層の内部応力と層の厚さの積が実
質的に等しくなるようにしたものである。
【００２４】したがって、基板の両面に発生する内部応
力をバランスさせて反りの発生を防止することができる
ので、反りが生じやすいというプラスチックの問題点を
解決して、他の多くの利点をいかんなく発揮させること
が容易となり、特に大径の光ディスクにとっては極めて
有利となる。また、貼り合わせの光ディスクでは貼り合
わせ部での剥離をなくすことも可能となる。
力をバランスさせて反りの発生を防止することができる
ので、反りが生じやすいというプラスチックの問題点を
解決して、他の多くの利点をいかんなく発揮させること
が容易となり、特に大径の光ディスクにとっては極めて
有利となる。また、貼り合わせの光ディスクでは貼り合
わせ部での剥離をなくすことも可能となる。
【００２５】さらに、上記樹脂保護層に水との接触角が
30°未満の無機質粒子を分散させることによって、高温
高湿の過酷な環境下においても硬度の低下を極力防止す
ることができる。
30°未満の無機質粒子を分散させることによって、高温
高湿の過酷な環境下においても硬度の低下を極力防止す
ることができる。
【図１】本発明に係る一実施例の光ディスクの構造を示
す断面図である。
す断面図である。
１ ・・・ 基板 ２ ・・・ 光
記録層 ３ ・・・ 第１の樹脂保護層 ５ ・・・ 第
２の樹脂保護層
記録層 ３ ・・・ 第１の樹脂保護層 ５ ・・・ 第
２の樹脂保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 プラスチック基板の一方の面に少なくと
も光記録層が形成され、その上に樹脂保護層が形成され
るとともに、他方の面に第２の樹脂保護層が形成される
光ディスクにおいて、前記第１及び第２の樹脂保護層の
厚さをそれぞれｄ1 及びｄ2 とし、第１及び第２の樹脂
保護層に生ずる内部応力をそれぞれσ1 及びσ2 とした
場合に、実質的に下記の（１）式が成立するようにした
ことを特徴とする光ディスク。 σ1 ×ｄ1 ＝σ2 ×ｄ2 （１） - 【請求項２】 前記第１及び第２の樹脂保護層に、水と
の接触角が30°未満の無機質粒子を分散させたことを特
徴とする請求項１に記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016757A JPH0589523A (ja) | 1991-07-31 | 1992-01-31 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-216144 | 1991-07-31 | ||
| JP21614491 | 1991-07-31 | ||
| JP4016757A JPH0589523A (ja) | 1991-07-31 | 1992-01-31 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589523A true JPH0589523A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=26353150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016757A Pending JPH0589523A (ja) | 1991-07-31 | 1992-01-31 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001037274A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk and optical disk device |
| US6657948B1 (en) * | 1999-02-24 | 2003-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4016757A patent/JPH0589523A/ja active Pending
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| US7196975B1 (en) | 1999-11-12 | 2007-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical disk with protective layer, and optical disk device |
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