JPH0588836B2 - - Google Patents
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- JPH0588836B2 JPH0588836B2 JP61099391A JP9939186A JPH0588836B2 JP H0588836 B2 JPH0588836 B2 JP H0588836B2 JP 61099391 A JP61099391 A JP 61099391A JP 9939186 A JP9939186 A JP 9939186A JP H0588836 B2 JPH0588836 B2 JP H0588836B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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Description
〔発明の目的〕
（発明の利用分野）
本発明は導電性基体上に非晶質シリコンにより
構成された光導電層を備えた電子写真用感光体、
特に導電性基体と下部障壁層の剥離防止に関する
ものである。 （従来技術とその問題点） 従来より電子写真感光体を形成する光導電材料
として、SeおよびSe化合物、Zno、CdS等の無機
光導電材料やポリ−Ｎビニルカルパゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が広く用いられている。
しかし上記の材料による感光体は、表面強度が弱
く摩耗に対して弱いため寿命が短いと云う欠点が
あるほか、熱的安定性が環境汚染性の点でも問題
がある。 そこでこのような問題点を解決するため、近年
非晶質シリコン（以下ａ−Siと略称する）を光導
電層とした電子写真用感光体が提案され実用化さ
れつつある。このａ−Siは表面強度が従来の材料
に比べて格段に大きく感光体の長寿命化が期待で
きると同時に、熱的安定性や無害なため環境汚染
の防止の点でもすぐれている。また画像は一般に
コロナ放電により感光体表面を正に帯電させ、露
光により静電潜像を形成することによつて得る
が、ａ−Si感光体では受容電位が高く多くの正電
荷を帯電できるため、コントラスト比の高い鮮明
な画像を得られる利点がある。 しかしその反面帯電露光を繰返すと暗時導電性
基体側から電子が流入し、これが正電荷と結合し
て表面帯電電位を低下させるため、画像欠陥を生
じさせるおそれがある。 そこでこれを防止するため一般には導電性基体
に接した光導電層にボロン原子を含有させて、所
謂P+型のブロツキング層即ち下部障壁層を形成
し、これより基体側から侵入する電子の寿命を小
さくして電子を再結合により消滅させて上記の問
題を解決することが行われている。しかしそのた
めには下部障壁層の抵抗値が少なくとも1010〓・
cm以下になるようにボロン濃度を増すことを要求
されるが、このようにすると使用中感光層中にク
ラツクを発生して寿命を大きく低下する欠点があ
り、甚だしい時には出荷前の温度衝撃試験時、そ
の開始より数サイクルの早い時期に感光層が導電
性基体から剥離して使用できなくなることさえあ
る。 本発明は上記のようなａ−Si感光体における含
有ボロン原子にもとづくクラツクや剥離を、残留
電位の低下など感光体としての諸特性を損なうこ
とがないうににして長寿命化を図つた電子写真用
感光体の提供を目的としてなされたものである。 次に図面を用いての詳細を説明する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は第１図に示すように導電性基体１
に、導電性基体１との界面において500ppM〜１
％原子濃度のボロン原子を含み、かつボロン原子
濃度とほぼ一定比量以上の酸素および窒素原子を
含有する下部障壁層２を形成すること、および
下部障壁層２のボロン、酸素および窒素原子濃度
が導電性基体と下部障壁層の界面において最高濃
度を示すと共に層厚方向に漸減させて形成するこ
とを特徴とし、この下部障壁層に続いて電位保持
層３と上部障壁層４を層した電子写真用感光体で
ある。 （発明の作用効果） 従来のようにａ−Siネツトワーク中に３配位の
ボロン原子が配位のシリコン原子と置換された場
合には、ボロン原子濃度が増すにつれて膜内歪み
が大きくなつてクラツクや剥離の発生の見る。即
ちａ−Siネツトワークは１箇のSiを中心とした最
隣接するSiやドービング原子とはほぼ秩序を維持
して配列しているが、数原子以上離れた原子とは
無秩序で配列している。従つてシリコンとボロン
の交合の割合が多くなると、シリコンとシリコン
の結合の割合に比べて３配位結合でイオン半径や
結合距離が異なることに原因して、長距離的結合
の歪みが大きくなり、クラツクや剥離を招く結果
になるものと考えられる。 これに対し本発明におけるボロン原子と同時に
含有される２配位の酸素のイオン半径は、シリコ
ンのそれよりかなり大きいが、シリコンと置換す
る形ではａ−Siネツトワーク中に入らない。この
ためネツトワークのどこの位置にでも結合するこ
とができ、歪みの大きな長距離的結合の途中に酸
素結合が入ることになる。このため歪みが分散さ
れてクラツクや剥離の発生がなくなるものと考え
られる。 またこの場合含有酸素原子の添加量には制限が
あり、量がが多くなると電荷をトラツプする局在
準位密度を大きくする。このため例えば残留電位
が第３図中のＡ曲線のように200V以上にもなる
と云う電子写真用感光体として望ましくない結果
を生ずる。本発明における窒素原子はこの欠点を
なくすように作用する。即ちSi−Ｂ−Si−Ｏネツ
トワーク中に窒素原子を添加すると、窒素原子も
また酸素原子と同様にシリコン原子と置換型であ
つてネツトワーク中に入らないことから、酸素原
子と同様にSi−Ｂ長距離結合歪みの緩和能力をも
ち、しかも窒素原子は深い準位の局在準位密度を
大きくすることがない。従つて窒素原子を同時に
添加することにより酸素原子の量をそれが持つ悪
効果を発揮させないために必要とされる最小限す
ることができる。ただ窒素原子は３配位であるの
で２配位の酸素原子より構造歪み緩和能力に劣
り、ボロン原子を高濃度にドープした３〓ｍ以上
の膜厚をもつシリコン膜の剥離防止の効果のため
には窒素原子のみでは実際的でない。 また光導電層内の電子密度はＰ型下部障壁層内
で消滅するから、導電性基体と下部障壁層との界
面が最大であり、層厚方向に向かつて漸減する分
布を示す。従つて本発明のようにボロン原子、酸
素原子、窒素原子のそれぞれの濃度分布が、第２
図のように導電性基体との界面において最高とな
り、層厚方向に行くに伴い漸減するようにしたこ
とにより、下部障壁層２によつて導電性基体１か
ら電子保持層３に向かつて侵入する電子の侵入を
よく阻止することができ、電子と正電荷の結合に
よる表面帯電電位の低下をよく阻止して画像欠陥
の発生を防止できる。 実験によれば次のように構成することにより目
的を達成できることを確かめ得た。導電性基体１
上にCVD法により基体１との界面における原子
濃度が500ppM（５×1018Atoms／cm3〜１％
（1020Atoms／cm3）の、ボロン原子とボロン原子
濃度Ａに対する酸素原子濃度Ｂと窒素原子濃度Ｃ
の和の比Ａ／（Ｂ＋Ｃ）が10-3〜10-1の範囲にな
るように添加された酸素および窒素原子からなる
と共に、各含有原子の濃度分布が導電性基体１と
の界面において最高となり、層厚方向に行くに伴
い漸減する層厚が１〜10〓ｍの下部障壁層２を設
ける。そしてこの上に極微量のボロン原子を添加
して補償して高抵抗に形成された層厚が20〜30〓
ｍの電位保持層３を形成し、更にその上に約1000
Å〜１〓ｍ厚の非晶質炭化シリコンによる上部障
壁層４を積層して電子写真用感光体を形成した。 この構成によれば温度差（〓Ｔ）／温度変化に
要する時間〓を100℃／分とした、−40℃〜常温〜
＋100℃の温度衝撃試験を50回繰返しても、下部
障壁層の剥離は全く発生せず、クラツクの発生も
全くなかつた。 また受容電位は＋650V、残留電位はは＋2V、
白色光感度は0.5lux・secであつてすぐれた光導
電特性を示した。また通常環境下（20℃60％R.
H））でのＡ−Ａ版紙50万枚の画像コピーでも受
容電位の変化がなく、定した画像特性が得られる
ことが確認された。 また後記するるCVD装置よる別な実験、即ち
第１表の実験例のように酸素原子供給源として
酸素（O2）を用いた場合、実験例のように酸
素（O2）と窒素（N2）又はアンモニアガス
（NH3）を用いた場合、および実験例のように
N2Oを用い
構成された光導電層を備えた電子写真用感光体、
特に導電性基体と下部障壁層の剥離防止に関する
ものである。 （従来技術とその問題点） 従来より電子写真感光体を形成する光導電材料
として、SeおよびSe化合物、Zno、CdS等の無機
光導電材料やポリ−Ｎビニルカルパゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料（OPC）が広く用いられている。
しかし上記の材料による感光体は、表面強度が弱
く摩耗に対して弱いため寿命が短いと云う欠点が
あるほか、熱的安定性が環境汚染性の点でも問題
がある。 そこでこのような問題点を解決するため、近年
非晶質シリコン（以下ａ−Siと略称する）を光導
電層とした電子写真用感光体が提案され実用化さ
れつつある。このａ−Siは表面強度が従来の材料
に比べて格段に大きく感光体の長寿命化が期待で
きると同時に、熱的安定性や無害なため環境汚染
の防止の点でもすぐれている。また画像は一般に
コロナ放電により感光体表面を正に帯電させ、露
光により静電潜像を形成することによつて得る
が、ａ−Si感光体では受容電位が高く多くの正電
荷を帯電できるため、コントラスト比の高い鮮明
な画像を得られる利点がある。 しかしその反面帯電露光を繰返すと暗時導電性
基体側から電子が流入し、これが正電荷と結合し
て表面帯電電位を低下させるため、画像欠陥を生
じさせるおそれがある。 そこでこれを防止するため一般には導電性基体
に接した光導電層にボロン原子を含有させて、所
謂P+型のブロツキング層即ち下部障壁層を形成
し、これより基体側から侵入する電子の寿命を小
さくして電子を再結合により消滅させて上記の問
題を解決することが行われている。しかしそのた
めには下部障壁層の抵抗値が少なくとも1010〓・
cm以下になるようにボロン濃度を増すことを要求
されるが、このようにすると使用中感光層中にク
ラツクを発生して寿命を大きく低下する欠点があ
り、甚だしい時には出荷前の温度衝撃試験時、そ
の開始より数サイクルの早い時期に感光層が導電
性基体から剥離して使用できなくなることさえあ
る。 本発明は上記のようなａ−Si感光体における含
有ボロン原子にもとづくクラツクや剥離を、残留
電位の低下など感光体としての諸特性を損なうこ
とがないうににして長寿命化を図つた電子写真用
感光体の提供を目的としてなされたものである。 次に図面を用いての詳細を説明する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は第１図に示すように導電性基体１
に、導電性基体１との界面において500ppM〜１
％原子濃度のボロン原子を含み、かつボロン原子
濃度とほぼ一定比量以上の酸素および窒素原子を
含有する下部障壁層２を形成すること、および
下部障壁層２のボロン、酸素および窒素原子濃度
が導電性基体と下部障壁層の界面において最高濃
度を示すと共に層厚方向に漸減させて形成するこ
とを特徴とし、この下部障壁層に続いて電位保持
層３と上部障壁層４を層した電子写真用感光体で
ある。 （発明の作用効果） 従来のようにａ−Siネツトワーク中に３配位の
ボロン原子が配位のシリコン原子と置換された場
合には、ボロン原子濃度が増すにつれて膜内歪み
が大きくなつてクラツクや剥離の発生の見る。即
ちａ−Siネツトワークは１箇のSiを中心とした最
隣接するSiやドービング原子とはほぼ秩序を維持
して配列しているが、数原子以上離れた原子とは
無秩序で配列している。従つてシリコンとボロン
の交合の割合が多くなると、シリコンとシリコン
の結合の割合に比べて３配位結合でイオン半径や
結合距離が異なることに原因して、長距離的結合
の歪みが大きくなり、クラツクや剥離を招く結果
になるものと考えられる。 これに対し本発明におけるボロン原子と同時に
含有される２配位の酸素のイオン半径は、シリコ
ンのそれよりかなり大きいが、シリコンと置換す
る形ではａ−Siネツトワーク中に入らない。この
ためネツトワークのどこの位置にでも結合するこ
とができ、歪みの大きな長距離的結合の途中に酸
素結合が入ることになる。このため歪みが分散さ
れてクラツクや剥離の発生がなくなるものと考え
られる。 またこの場合含有酸素原子の添加量には制限が
あり、量がが多くなると電荷をトラツプする局在
準位密度を大きくする。このため例えば残留電位
が第３図中のＡ曲線のように200V以上にもなる
と云う電子写真用感光体として望ましくない結果
を生ずる。本発明における窒素原子はこの欠点を
なくすように作用する。即ちSi−Ｂ−Si−Ｏネツ
トワーク中に窒素原子を添加すると、窒素原子も
また酸素原子と同様にシリコン原子と置換型であ
つてネツトワーク中に入らないことから、酸素原
子と同様にSi−Ｂ長距離結合歪みの緩和能力をも
ち、しかも窒素原子は深い準位の局在準位密度を
大きくすることがない。従つて窒素原子を同時に
添加することにより酸素原子の量をそれが持つ悪
効果を発揮させないために必要とされる最小限す
ることができる。ただ窒素原子は３配位であるの
で２配位の酸素原子より構造歪み緩和能力に劣
り、ボロン原子を高濃度にドープした３〓ｍ以上
の膜厚をもつシリコン膜の剥離防止の効果のため
には窒素原子のみでは実際的でない。 また光導電層内の電子密度はＰ型下部障壁層内
で消滅するから、導電性基体と下部障壁層との界
面が最大であり、層厚方向に向かつて漸減する分
布を示す。従つて本発明のようにボロン原子、酸
素原子、窒素原子のそれぞれの濃度分布が、第２
図のように導電性基体との界面において最高とな
り、層厚方向に行くに伴い漸減するようにしたこ
とにより、下部障壁層２によつて導電性基体１か
ら電子保持層３に向かつて侵入する電子の侵入を
よく阻止することができ、電子と正電荷の結合に
よる表面帯電電位の低下をよく阻止して画像欠陥
の発生を防止できる。 実験によれば次のように構成することにより目
的を達成できることを確かめ得た。導電性基体１
上にCVD法により基体１との界面における原子
濃度が500ppM（５×1018Atoms／cm3〜１％
（1020Atoms／cm3）の、ボロン原子とボロン原子
濃度Ａに対する酸素原子濃度Ｂと窒素原子濃度Ｃ
の和の比Ａ／（Ｂ＋Ｃ）が10-3〜10-1の範囲にな
るように添加された酸素および窒素原子からなる
と共に、各含有原子の濃度分布が導電性基体１と
の界面において最高となり、層厚方向に行くに伴
い漸減する層厚が１〜10〓ｍの下部障壁層２を設
ける。そしてこの上に極微量のボロン原子を添加
して補償して高抵抗に形成された層厚が20〜30〓
ｍの電位保持層３を形成し、更にその上に約1000
Å〜１〓ｍ厚の非晶質炭化シリコンによる上部障
壁層４を積層して電子写真用感光体を形成した。 この構成によれば温度差（〓Ｔ）／温度変化に
要する時間〓を100℃／分とした、−40℃〜常温〜
＋100℃の温度衝撃試験を50回繰返しても、下部
障壁層の剥離は全く発生せず、クラツクの発生も
全くなかつた。 また受容電位は＋650V、残留電位はは＋2V、
白色光感度は0.5lux・secであつてすぐれた光導
電特性を示した。また通常環境下（20℃60％R.
H））でのＡ−Ａ版紙50万枚の画像コピーでも受
容電位の変化がなく、定した画像特性が得られる
ことが確認された。 また後記するるCVD装置よる別な実験、即ち
第１表の実験例のように酸素原子供給源として
酸素（O2）を用いた場合、実験例のように酸
素（O2）と窒素（N2）又はアンモニアガス
（NH3）を用いた場合、および実験例のように
N2Oを用い
【表】
【表】
【表】
た場合について、第１表に示す反応条件の下にア
ルミニウム導電性基体１上にそれぞれ堆積膜厚が
５〓ｍの下部障壁層２を形成し、更にこの上に第
２表の反応条の下に堆積膜厚が25〓ｍの電位保持
層３と、2000ｍ上部障壁層４を積層したところ次
のような結果を得た。 実験例の下部障壁層２はその何れもが初期にお
いて（B2H6／SiH4）のモル比が１×10-3であつ
て、反応の結果得られる下部障壁層２と導電性基
体１との界面のボロン原子濃度は1019〜
1020Atoms／cm3（100pM〜１％）であつた。また
実験例に代表される酸素原子のみで歪みを緩和
した場合、上記のボロン濃度において酸素量を約
5SCCM以上とした領域で堆積ａ−Si層が剥離し
ないものが得られた。 また実験例に代表される少量の酸素原子に窒
素原子を添加した場合、窒素ガスと酸素ガスのモ
ル比が２以上で堆積ａ−Si層が導電性基体表面か
ら剥離しなくなり、実験例に比べて少量の酸素
ガス量でよいことが判つた。即ち（B2H6／
SiH44）＝１×10-3に対し、酸素ガスを3SCCM流
すと、添加窒素ガス量6SCCM以上で剥離が発生
しなくなり、第４図のように酸素と窒素の場合
Ｂ／（Ｏ＋Ｎ）における剥離が発生しない領域は
酸素のみの場合（Ｂ／Ｏ）に比べて酸素量が少な
くてすむ。またこのときのａ−Siネツトワーク内
に占める原子濃度を分析すると、ボロン原子が
1018〜1020Atoms／cm3に対して酸素原子が５×
1019〜５×1021Atoms／cm3あり、窒素原子も５×
1019〜５×1021Atoms／cm3の領域内にあることが
確認された。このような添加原子で構成された下
部障壁層２は、抵抗値が108〜１×1010〓・cm即
ち１×1010〓・cm以下であるから、導電性基体１
側から電子が侵入しても１〓ｍ以内で完全再結合
して消滅する。その結果剥離がなくしかも表面帯
電電位の低下による画像欠陥を生じにくい電子写
真感光体を提供できる。 また更に酸素と窒素原子が添加された場合、残
留電位は酸素原子のみの添加を示す第３図中のＡ
曲線のようなボロン原子濃度の上昇と共に高くな
ることがなく、Ｂ曲線のようにボロン原子濃度が
1018〜1020Atoms／cm3の範囲内において殆ど変わ
ることがない。また第３図中のＤ曲線によつて示
すように受容電位も酸素原子のみの添加時を示す
Ｃ曲線に比べて変化が少ない。従つて本発明によ
れば光導電層の導導電性基体からの剥離がなく、
しかも鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を
提供できる。 なお実験例は生産管理上の便利さから、窒素
と酸素の化合物を使用して窒素と酸素を一定比率
でCVD装置のプラズマ領域に送りこみうるよう
にしたものであつて、以上の各実験例には第５図
に示すCVD装置が使用された。 第５図において５は円筒状の真空反応室、６は
円筒状の対向電極、７はその高周波電源
（13.56MHz）、８は真空ポンプであつて、真空反
応室５内を0.2〜1.5torrのガス圧に制御できる。
９は反応ガスの導入パイプであつて、プラズマ領
域内に反応ガスを導入できるように配置され、図
示されない複数箇のガスボンベから供給された各
種反応ガスをそれぞれ図示されない流量調節器に
より所要のガス組成になるように調整したガスが
導入される。また前記したような濃度分布をもた
せるためシーケンスプロセツサによるるプログラ
ム制御手段により、反応時間と共にガス流量が調
整される。なお酸素原子供給源として純酸素が使
用されるときは、導入パイプ９と別に設けた導入
パイプ１０を用いてプラズマ領域に導入する。１
１は接地された電導電性基体の保持体であつて、
これに装着された導電性基体１を内部から加熱す
るための250〜300℃に温度制御される図示されな
い加熱ヒータを有する。１２はモータでCVD法
により堆して来る非晶質シリコンが馴染み易いよ
うに表面処理された導電性基体１を、５cm程度の
空間距離をもつて前記した対向電極６内において
同心的に回転させ、導電性基体１の全周面に均一
な非晶質膜が形成されるようにする。
ルミニウム導電性基体１上にそれぞれ堆積膜厚が
５〓ｍの下部障壁層２を形成し、更にこの上に第
２表の反応条の下に堆積膜厚が25〓ｍの電位保持
層３と、2000ｍ上部障壁層４を積層したところ次
のような結果を得た。 実験例の下部障壁層２はその何れもが初期にお
いて（B2H6／SiH4）のモル比が１×10-3であつ
て、反応の結果得られる下部障壁層２と導電性基
体１との界面のボロン原子濃度は1019〜
1020Atoms／cm3（100pM〜１％）であつた。また
実験例に代表される酸素原子のみで歪みを緩和
した場合、上記のボロン濃度において酸素量を約
5SCCM以上とした領域で堆積ａ−Si層が剥離し
ないものが得られた。 また実験例に代表される少量の酸素原子に窒
素原子を添加した場合、窒素ガスと酸素ガスのモ
ル比が２以上で堆積ａ−Si層が導電性基体表面か
ら剥離しなくなり、実験例に比べて少量の酸素
ガス量でよいことが判つた。即ち（B2H6／
SiH44）＝１×10-3に対し、酸素ガスを3SCCM流
すと、添加窒素ガス量6SCCM以上で剥離が発生
しなくなり、第４図のように酸素と窒素の場合
Ｂ／（Ｏ＋Ｎ）における剥離が発生しない領域は
酸素のみの場合（Ｂ／Ｏ）に比べて酸素量が少な
くてすむ。またこのときのａ−Siネツトワーク内
に占める原子濃度を分析すると、ボロン原子が
1018〜1020Atoms／cm3に対して酸素原子が５×
1019〜５×1021Atoms／cm3あり、窒素原子も５×
1019〜５×1021Atoms／cm3の領域内にあることが
確認された。このような添加原子で構成された下
部障壁層２は、抵抗値が108〜１×1010〓・cm即
ち１×1010〓・cm以下であるから、導電性基体１
側から電子が侵入しても１〓ｍ以内で完全再結合
して消滅する。その結果剥離がなくしかも表面帯
電電位の低下による画像欠陥を生じにくい電子写
真感光体を提供できる。 また更に酸素と窒素原子が添加された場合、残
留電位は酸素原子のみの添加を示す第３図中のＡ
曲線のようなボロン原子濃度の上昇と共に高くな
ることがなく、Ｂ曲線のようにボロン原子濃度が
1018〜1020Atoms／cm3の範囲内において殆ど変わ
ることがない。また第３図中のＤ曲線によつて示
すように受容電位も酸素原子のみの添加時を示す
Ｃ曲線に比べて変化が少ない。従つて本発明によ
れば光導電層の導導電性基体からの剥離がなく、
しかも鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を
提供できる。 なお実験例は生産管理上の便利さから、窒素
と酸素の化合物を使用して窒素と酸素を一定比率
でCVD装置のプラズマ領域に送りこみうるよう
にしたものであつて、以上の各実験例には第５図
に示すCVD装置が使用された。 第５図において５は円筒状の真空反応室、６は
円筒状の対向電極、７はその高周波電源
（13.56MHz）、８は真空ポンプであつて、真空反
応室５内を0.2〜1.5torrのガス圧に制御できる。
９は反応ガスの導入パイプであつて、プラズマ領
域内に反応ガスを導入できるように配置され、図
示されない複数箇のガスボンベから供給された各
種反応ガスをそれぞれ図示されない流量調節器に
より所要のガス組成になるように調整したガスが
導入される。また前記したような濃度分布をもた
せるためシーケンスプロセツサによるるプログラ
ム制御手段により、反応時間と共にガス流量が調
整される。なお酸素原子供給源として純酸素が使
用されるときは、導入パイプ９と別に設けた導入
パイプ１０を用いてプラズマ領域に導入する。１
１は接地された電導電性基体の保持体であつて、
これに装着された導電性基体１を内部から加熱す
るための250〜300℃に温度制御される図示されな
い加熱ヒータを有する。１２はモータでCVD法
により堆して来る非晶質シリコンが馴染み易いよ
うに表面処理された導電性基体１を、５cm程度の
空間距離をもつて前記した対向電極６内において
同心的に回転させ、導電性基体１の全周面に均一
な非晶質膜が形成されるようにする。
第１図および第２図本発明の層構造図および下部
障害層内の添加原子の濃度分布図、第３図は酸素
のみ添加と酸素と窒素添加時における受容電位と
残留電位とボロン原子濃度との相関図、第４図は
剥離傾向と添加原子の濃度比の相関図、第５図は
本発明の実施に用いられたCVD装置の概略構成
図である。 １……導電性基体、２……下部障壁層、３……
電位保持層、４……上部障壁層、５……真空反応
室、６……対向電極、７……高周波電源、８……
真空ポンプ、９……反応ガスの導入パイプ、１０
……純酸素の導入パイプ、１１……導電性基体保
持体、１２……モータ。
障害層内の添加原子の濃度分布図、第３図は酸素
のみ添加と酸素と窒素添加時における受容電位と
残留電位とボロン原子濃度との相関図、第４図は
剥離傾向と添加原子の濃度比の相関図、第５図は
本発明の実施に用いられたCVD装置の概略構成
図である。 １……導電性基体、２……下部障壁層、３……
電位保持層、４……上部障壁層、５……真空反応
室、６……対向電極、７……高周波電源、８……
真空ポンプ、９……反応ガスの導入パイプ、１０
……純酸素の導入パイプ、１１……導電性基体保
持体、１２……モータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基体上に非晶質シリコンを主体とする
光導電層を堆積した電子写真用感光体において、
前記光導電層中にボロン原子、酸素原子及び窒素
原子を含有し、前記ボロン原子の濃度を500ppM
より大きく１％以下の原子濃度とし、このボロン
原子濃度（Ａ）に対する前記酸素原子の濃度
（Ｂ）と前記窒素原子の濃度（Ｃ）との和の濃度
比（Ａ／（Ｂ＋Ｃ））が10-3〜10-1の範囲内に設
定すると共に、前記ボロン原子、酸素原子及び窒
素原子の濃度分布をそれぞれ前記導電性基体との
界面において高濃度とし、層厚方向に漸減させた
Ｐ型下部障壁層を形成するようにしたことを特徴
とする電子写真用感光体。 ２ 特許請求の範囲の第１項において、下部障壁
層上に電位保持層、上部障壁層の順序で積層した
ことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939186A JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939186A JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257172A JPS62257172A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0588836B2 true JPH0588836B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=14246195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9939186A Granted JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257172A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS5948769B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1984-11-28 | サン−ゴベン・インダストリ−ズ | ガラスシ−トの製法および装置 |
| JPS6073628A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948769U (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 岩田塗装機工業株式会社 | 自動塗装装置 |
-
1986
- 1986-05-01 JP JP9939186A patent/JPS62257172A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948769B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1984-11-28 | サン−ゴベン・インダストリ−ズ | ガラスシ−トの製法および装置 |
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6073628A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62257172A (ja) | 1987-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |