JPH0588541B2 - - Google Patents
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- JPH0588541B2 JPH0588541B2 JP27132086A JP27132086A JPH0588541B2 JP H0588541 B2 JPH0588541 B2 JP H0588541B2 JP 27132086 A JP27132086 A JP 27132086A JP 27132086 A JP27132086 A JP 27132086A JP H0588541 B2 JPH0588541 B2 JP H0588541B2
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラトランジスタの製造方法に
関する。
関する。
バイポーラトランジスタは電界効果トランジス
タに比べて、電流駆動能力が大きいという優れた
特徴を有している。このため、近年、Siのみなら
ずGaAsなどの化合物半導体を用いたバイポーラ
トランジスタの研究開発が盛んに行なわれてい
る。特に、化合物半導体を用いたバイポーラトラ
ンジスタは、分子線エピタキシー（以降MBEと
称す）技術などを用いることによりエミツタ・ベ
ース接合をヘテロ接合に構成でき、ベースを高濃
度としても、エミツタ注入効率を大きく保てるな
ど利点は大きい。
タに比べて、電流駆動能力が大きいという優れた
特徴を有している。このため、近年、Siのみなら
ずGaAsなどの化合物半導体を用いたバイポーラ
トランジスタの研究開発が盛んに行なわれてい
る。特に、化合物半導体を用いたバイポーラトラ
ンジスタは、分子線エピタキシー（以降MBEと
称す）技術などを用いることによりエミツタ・ベ
ース接合をヘテロ接合に構成でき、ベースを高濃
度としても、エミツタ注入効率を大きく保てるな
ど利点は大きい。
このような化合物半導体のバイポーラトランジ
スタをより高周波化するためには、エミツタ電極
及びベース電極を微細化することと同時に、自己
整合的に配置することは勿論、ベース電極とコレ
クタ電極との間も自己整合的に配置する必要があ
る。
スタをより高周波化するためには、エミツタ電極
及びベース電極を微細化することと同時に、自己
整合的に配置することは勿論、ベース電極とコレ
クタ電極との間も自己整合的に配置する必要があ
る。
第３図ａ〜ｃは従来のバイポーラトランジスタ
の製造方法を説明するための工程順に示した半導
体チツプの断面図である。
の製造方法を説明するための工程順に示した半導
体チツプの断面図である。
この従来例は、先ず、第３図ａに示すように、
GaAs半絶縁性基板１′上にｎ−GaAsからなる半
導体層２′，Ｐ−GaAsからなる半導体層３′及び
ｎ−AlGaAsからなる半導体層４′を順次MBE法
により形成し、更に、所定のパターンのAuGeNi
層からなるエミツタ電極６′及びその上のSiO2膜
７を形成した後これをマスクとして半導体層３′
上にAuZnNi層１０a′を自己整合的に形成する。
ここでは、AuGeNi層からなるエミツタ電極６′
の上には、SiO2膜７′とAuZnNi層１０a′が残る。
GaAs半絶縁性基板１′上にｎ−GaAsからなる半
導体層２′，Ｐ−GaAsからなる半導体層３′及び
ｎ−AlGaAsからなる半導体層４′を順次MBE法
により形成し、更に、所定のパターンのAuGeNi
層からなるエミツタ電極６′及びその上のSiO2膜
７を形成した後これをマスクとして半導体層３′
上にAuZnNi層１０a′を自己整合的に形成する。
ここでは、AuGeNi層からなるエミツタ電極６′
の上には、SiO2膜７′とAuZnNi層１０a′が残る。
続いて、エミツタ電極６′を覆う所定のパター
ンのホトレジスト膜１３′を形成し、ベース電極
の幅WBが所定の値になるようにする。
ンのホトレジスト膜１３′を形成し、ベース電極
の幅WBが所定の値になるようにする。
次に、第３図ｂに示すように、ホトレジスト膜
１３′をマスクとしてAuZnNi層１０a′をエツチ
ングしてベース電極１０′を形成すると共に等方
性エツチングによつて半導体層３′と半導体層
２′の表面とを除去し、更にホトレジスト膜１
３′をマスクとして半導体層２′の表面にオーミツ
ク金属のAuGeNi層１２a′を上方から蒸着する。
１３′をマスクとしてAuZnNi層１０a′をエツチ
ングしてベース電極１０′を形成すると共に等方
性エツチングによつて半導体層３′と半導体層
２′の表面とを除去し、更にホトレジスト膜１
３′をマスクとして半導体層２′の表面にオーミツ
ク金属のAuGeNi層１２a′を上方から蒸着する。
次に、第３図ｃに示すように、有機溶剤中でホ
トレジスト膜１３′を溶かしリストオフを行つて、
コレクタ電極１２′を形成する。
トレジスト膜１３′を溶かしリストオフを行つて、
コレクタ電極１２′を形成する。
上述した従来のバイポーラトランジスタの製造
方法では、ベース電極をその上に形成したホトレ
ジストでパターニングするが、そのときホトレジ
ストとベース電極のAuZnNi層との密着性が悪
く、通常用いられるリン酸系あるいは硫酸系エツ
チング液がしみ込みAuZnNi層の部分もエツチン
グされてしまうという欠点があった。
方法では、ベース電極をその上に形成したホトレ
ジストでパターニングするが、そのときホトレジ
ストとベース電極のAuZnNi層との密着性が悪
く、通常用いられるリン酸系あるいは硫酸系エツ
チング液がしみ込みAuZnNi層の部分もエツチン
グされてしまうという欠点があった。
このためこの方法では、ベース電極の幅WBは
2μm程度が下限で、それ以上の微細化は極めて困
難であつた。
2μm程度が下限で、それ以上の微細化は極めて困
難であつた。
従つて、従来方法による構造では、ベース電極
の下部の寄生のベース・コレクタ接合容量が大き
く、バイポーラトランジスタの高速・高周波特性
向上の妨げになつていた。
の下部の寄生のベース・コレクタ接合容量が大き
く、バイポーラトランジスタの高速・高周波特性
向上の妨げになつていた。
本発明の目的は、ベース電極を微細化しかつコ
レクタ電極をベース電極に自己整合的に形成して
高速・高周波性能の極めて優れたバイポーラトラ
ンジスタの製造方法を提供することにある。
レクタ電極をベース電極に自己整合的に形成して
高速・高周波性能の極めて優れたバイポーラトラ
ンジスタの製造方法を提供することにある。
本発明の特徴は、半絶縁性基板上に、一導電型
の第１の半導体層、反対導電型の第２の半導体
層、一導電型のエミツタ層、エミツタ電極金属お
よび第１の絶縁膜を順次堆積して形成する工程
と、前記第１の絶縁膜上に被着して第１のホトレ
ジスト膜パターンを形成する工程と、前記第１の
ホトレジスト膜パターンをマスクとして前記第１
の絶縁膜、前記エミツタ電極金属および前記エミ
ツタ層を順次エツチング除去し、これにより前記
エミツタ電極金属からエミツタ電極を形状形成
し、かつ、該エミツタ電極の端より内部にサイド
エツチングされた形状に前記エミツタ層を形状形
成する工程と、前記第２の半導体層上に選択的に
ベース電極金属を形成する工程と、前記ベース電
極金属上を含む全面上に第２の絶縁膜を形成し、
該第２の絶縁膜上に被着して第２のホトレジスト
パターンを形成する工程と、前記第２のホトレジ
ストパターンをマスクにして前記第２の絶縁膜、
前記ベース電極金属および前記第２の半導体層を
順次エツチング除去し、これにより前記ベース電
極金属からベース電極を形状形成し、かつ、該ベ
ース電極の端より内部にサイドエツチングされた
ベース層を前記第２の半導体層から形状形成する
工程と、前記第２のホトレジストパターンを再度
マスクとし、リフトオフ法により前記第１の半導
体層上に選択的にコレクタ電極を形成する工程と
を含み、前記コレクタ電極を前記ベース電極に自
己整合的に形成するバイポーラトランジスタの製
造方法にある。
の第１の半導体層、反対導電型の第２の半導体
層、一導電型のエミツタ層、エミツタ電極金属お
よび第１の絶縁膜を順次堆積して形成する工程
と、前記第１の絶縁膜上に被着して第１のホトレ
ジスト膜パターンを形成する工程と、前記第１の
ホトレジスト膜パターンをマスクとして前記第１
の絶縁膜、前記エミツタ電極金属および前記エミ
ツタ層を順次エツチング除去し、これにより前記
エミツタ電極金属からエミツタ電極を形状形成
し、かつ、該エミツタ電極の端より内部にサイド
エツチングされた形状に前記エミツタ層を形状形
成する工程と、前記第２の半導体層上に選択的に
ベース電極金属を形成する工程と、前記ベース電
極金属上を含む全面上に第２の絶縁膜を形成し、
該第２の絶縁膜上に被着して第２のホトレジスト
パターンを形成する工程と、前記第２のホトレジ
ストパターンをマスクにして前記第２の絶縁膜、
前記ベース電極金属および前記第２の半導体層を
順次エツチング除去し、これにより前記ベース電
極金属からベース電極を形状形成し、かつ、該ベ
ース電極の端より内部にサイドエツチングされた
ベース層を前記第２の半導体層から形状形成する
工程と、前記第２のホトレジストパターンを再度
マスクとし、リフトオフ法により前記第１の半導
体層上に選択的にコレクタ電極を形成する工程と
を含み、前記コレクタ電極を前記ベース電極に自
己整合的に形成するバイポーラトランジスタの製
造方法にある。
本発明では、べース電極の上に密着性のよい酸
化膜又は窒化膜等からなる絶縁膜を形成して保護
するため、ベース電極の幅WBを0.5μm程度に狭
くしても、ホトレジスト膜の下のAuZnNi層がエ
ツチングされることがなく、微細化したベース電
極とそれに自己接合的なコレクタ電極が形成出
来、高速、高周波性能の極めて優れた化合物のバ
イポーラトランジスタが実現できる。
化膜又は窒化膜等からなる絶縁膜を形成して保護
するため、ベース電極の幅WBを0.5μm程度に狭
くしても、ホトレジスト膜の下のAuZnNi層がエ
ツチングされることがなく、微細化したベース電
極とそれに自己接合的なコレクタ電極が形成出
来、高速、高周波性能の極めて優れた化合物のバ
イポーラトランジスタが実現できる。
以下に本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図ａ〜ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チツプの断面図であ
る。この実施例では、先ず、 第１図ａに示すようにGaAsの半絶縁性基板１
表面に順次にｎ−GaAsからなる半導体層２，ｐ
−GaAsからなる半導体層３及びｎ−AlGaAsか
らなる半導体層４をMBE法により形成し、続い
てバイポーラトランジスタを形成する部分を除い
て他の部分に水素イオンH+をイオン注入し絶縁
領域５を形成する。
めの工程順に示した半導体チツプの断面図であ
る。この実施例では、先ず、 第１図ａに示すようにGaAsの半絶縁性基板１
表面に順次にｎ−GaAsからなる半導体層２，ｐ
−GaAsからなる半導体層３及びｎ−AlGaAsか
らなる半導体層４をMBE法により形成し、続い
てバイポーラトランジスタを形成する部分を除い
て他の部分に水素イオンH+をイオン注入し絶縁
領域５を形成する。
次に、第１図ｂに示すように、半導体層４のオ
ーミツク金属のAuGeNi層６ａとSiO2膜７とを順
次形成する。
ーミツク金属のAuGeNi層６ａとSiO2膜７とを順
次形成する。
次に、第１図ｃに示すように、所定のパターン
のホトレジスト膜８を形成し、これをマスクとし
てSiO2膜７及びAuGeNi層６ａをAr+によるイオ
ンミリング法による異方性エツチングで除去して
エミツタ電極６を形成し、さらにリン酸、過酸化
水素及び水の混合液により、半導体層４を等方性
エツチングして半導体層３表面を露出する。ここ
でエミツタ電極６は密着性のよいSiO2膜７に保
護されている。
のホトレジスト膜８を形成し、これをマスクとし
てSiO2膜７及びAuGeNi層６ａをAr+によるイオ
ンミリング法による異方性エツチングで除去して
エミツタ電極６を形成し、さらにリン酸、過酸化
水素及び水の混合液により、半導体層４を等方性
エツチングして半導体層３表面を露出する。ここ
でエミツタ電極６は密着性のよいSiO2膜７に保
護されている。
次に、第１図ｄに示すように、ホトレジスト膜
８を除去した後、絶縁領域５の上にホトレジスト
膜９を形成し、更に、上方より半導体層２のオー
ミツク金属のAuZnNi層１０ａを蒸着によつてエ
ミツタ電極６に自己整合的に形成する。以上の工
程が示すようにエミツタ電極６が2μm以下に微細
化されても、SiO2膜７からなる保護膜があるた
め、エミツタ電極６がオーバーエツチングされる
ことがなく設計通りに自己整合的にAuZnNi層１
０ａを形成できる。
８を除去した後、絶縁領域５の上にホトレジスト
膜９を形成し、更に、上方より半導体層２のオー
ミツク金属のAuZnNi層１０ａを蒸着によつてエ
ミツタ電極６に自己整合的に形成する。以上の工
程が示すようにエミツタ電極６が2μm以下に微細
化されても、SiO2膜７からなる保護膜があるた
め、エミツタ電極６がオーバーエツチングされる
ことがなく設計通りに自己整合的にAuZnNi層１
０ａを形成できる。
次に、第１図ｅに示すように、有機溶剤による
洗浄を行いホトレジスト膜９を溶かした後、
CVD法により全面にSiO2膜１１を形成し、続い
て、コレクタ電極形成用のホトレジスト膜１３を
形成した後、バツフアードフツ酸にてSiO2膜１
１をエツチングし、AuZnNi層１０ａをイオンミ
リング法による異方性エツチングで除去し、更
に、リン酸、過酸化水素及び水の混合液により半
導体層３をエツチングして、半導体層２を露出す
る。続いて、上方よりｎ−GaAsからなる半導体
層４のオーミツク金属のAuGeNi層１２ａ蒸着す
る。このとき、半導体層２の表面にはベース電極
１０に自己整合的にコレクタ電極１２が形成され
る。
洗浄を行いホトレジスト膜９を溶かした後、
CVD法により全面にSiO2膜１１を形成し、続い
て、コレクタ電極形成用のホトレジスト膜１３を
形成した後、バツフアードフツ酸にてSiO2膜１
１をエツチングし、AuZnNi層１０ａをイオンミ
リング法による異方性エツチングで除去し、更
に、リン酸、過酸化水素及び水の混合液により半
導体層３をエツチングして、半導体層２を露出す
る。続いて、上方よりｎ−GaAsからなる半導体
層４のオーミツク金属のAuGeNi層１２ａ蒸着す
る。このとき、半導体層２の表面にはベース電極
１０に自己整合的にコレクタ電極１２が形成され
る。
最後に、第１図ｆに示すように、有機溶剤によ
るリフトオフによつてAuGeNi層１２ａを除去し
て化合物半導体のバイポーラトランジスタができ
る。
るリフトオフによつてAuGeNi層１２ａを除去し
て化合物半導体のバイポーラトランジスタができ
る。
従つて、ここに示した工程によつて、ベース電
極１０の幅が2μm以下となつてもSiO2膜１１か
らなる保護膜があるためベース電極１０がオーバ
ーエツチングされることがなくコレクタ電極１２
の自己整合配置が行なえる。
極１０の幅が2μm以下となつてもSiO2膜１１か
らなる保護膜があるためベース電極１０がオーバ
ーエツチングされることがなくコレクタ電極１２
の自己整合配置が行なえる。
第２図は本発明の一実施例を説明するための半
導体チツプの平面図である。
導体チツプの平面図である。
この実施例では、上述した製造方法によつて、
第２図に示すように、半絶縁性基板１上の絶縁領
域５によつて囲まれた素子形成領域内に、エミツ
タ電極６とそれに自己整合的に配置したベース電
極１０とベース電極１０に自己整合的に配置され
たコレクタ電極１２とを備えた化合物半導体のバ
イポーラトランジスタが出来る。
第２図に示すように、半絶縁性基板１上の絶縁領
域５によつて囲まれた素子形成領域内に、エミツ
タ電極６とそれに自己整合的に配置したベース電
極１０とベース電極１０に自己整合的に配置され
たコレクタ電極１２とを備えた化合物半導体のバ
イポーラトランジスタが出来る。
なお本発明の実施例においては、絶縁膜として
SiO2膜を用いたが、これに限らずSiNx等の窒化
膜を用いても効果は同じである。
SiO2膜を用いたが、これに限らずSiNx等の窒化
膜を用いても効果は同じである。
又、半導体としてはGaAsを用いたものについ
て述べたが、GaAsに限らずInP等の他の化合物
半導体でもよい。
て述べたが、GaAsに限らずInP等の他の化合物
半導体でもよい。
以上説明したように本発明は、ベース電極上に
絶縁膜を設けてベース電極の幅を0.5〜0.2μmとい
う極めて微細なパターンに形成し、更にコレクタ
電極をベース電極に自己整合的に配置することに
よつて、高速、高周波性の非常に優れた化合物半
導体のバイポーラトランジスタを実現出来るとい
う効果がある。
絶縁膜を設けてベース電極の幅を0.5〜0.2μmとい
う極めて微細なパターンに形成し、更にコレクタ
電極をベース電極に自己整合的に配置することに
よつて、高速、高周波性の非常に優れた化合物半
導体のバイポーラトランジスタを実現出来るとい
う効果がある。
このことにより、遮断周波数が30GH以上のバ
イポーラトランジスタの量産化を可能にして価格
を低減すると共に動作周波数20GH2以上の分周
器の集積化が可能となる。
イポーラトランジスタの量産化を可能にして価格
を低減すると共に動作周波数20GH2以上の分周
器の集積化が可能となる。
第１図ａ〜ｆは本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チツプの断面図、第２
図は本発明の一実施例を説明するための半導体チ
ツプの平面図、第３図ａ〜ｃは従来のバイポーラ
トランジスタの製造方法を説明するための工程順
に示した半導体チツプの断面図である。 １，１′……半絶縁性基板、２，２′，３，３′，
４，４′……半導体層、５……絶縁領域、６，
６′……エミツタ電極、６ａ……AuGeNi層、７，
７′……SiO2膜、８，９……ホトレジスト膜、１
０，１０′……ベース電極、１０ａ，１０a′……
AuZnNi層、１１……SiO2膜、１２，１２′……
コレクタ電極、１２ａ，１２a′……AuGeNi層、
１３……ホトレジスト膜。
めの工程順に示した半導体チツプの断面図、第２
図は本発明の一実施例を説明するための半導体チ
ツプの平面図、第３図ａ〜ｃは従来のバイポーラ
トランジスタの製造方法を説明するための工程順
に示した半導体チツプの断面図である。 １，１′……半絶縁性基板、２，２′，３，３′，
４，４′……半導体層、５……絶縁領域、６，
６′……エミツタ電極、６ａ……AuGeNi層、７，
７′……SiO2膜、８，９……ホトレジスト膜、１
０，１０′……ベース電極、１０ａ，１０a′……
AuZnNi層、１１……SiO2膜、１２，１２′……
コレクタ電極、１２ａ，１２a′……AuGeNi層、
１３……ホトレジスト膜。
Claims (1)
- １ 半絶縁性基板上に、一導電型の第１の半導体
層、反対導電型の第２の半導体層、一導電型のエ
ミツタ層、エミツタ電極金属および第１の絶縁膜
を順次堆積して形成する工程と、前記第１の絶縁
膜上に被着して第１のホトレジスト膜パターンを
形成する工程と、前記第１のホトレジスト膜パタ
ーンをマスクとして前記第１の絶縁膜、前記エミ
ツタ電極金属および前記エミツタ層を順次エツチ
ング除去し、これにより前記エミツタ電極金属か
らエミツタ電極を形状形成し、かつ、該エミツタ
電極の端より内部にサイドエツチングされた形状
に前記エミツタ層を形状形成する工程と、前記第
２の半導体層上に選択的にベース電極金属を形成
する工程と、前記ベース電極金属上を含む全面上
に第２の絶縁膜を形成し、該第２の絶縁膜上に被
着して第２のホトレジストパターンを形成する工
程と、前記第２のホトレジストパターンをマスク
にして前記第２の絶縁膜、前記ベース電極金属お
よび前記第２の半導体層を順次エツチング除去
し、これにより前記ベース電極金属からベース電
極を形状形成し、かつ、該ベース電極の端より内
部にサイドエツチングされたベース層を前記第２
の半導体層から形状形成する工程と、前記第２の
ホトレジストパターンを再度マスクとし、リフト
オフ法により前記第１の半導体層上に選択的にコ
レクタ電極を形成する工程とを含み、前記コレク
タ電極を前記ベース電極に自己整合的に形成する
ことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132086A JPS63124465A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132086A JPS63124465A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124465A JPS63124465A (ja) | 1988-05-27 |
| JPH0588541B2 true JPH0588541B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=17498409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27132086A Granted JPS63124465A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124465A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69128123T2 (de) * | 1990-08-31 | 1998-03-05 | Texas Instruments Inc | Verfahren zum Herstellen selbst-ausrichtender bipolarer Transistoren mit Heteroübergang |
| US5702958A (en) * | 1994-08-09 | 1997-12-30 | Texas Instruments Incorporated | Method for the fabrication of bipolar transistors |
| US5665614A (en) * | 1995-06-06 | 1997-09-09 | Hughes Electronics | Method for making fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor |
| JP4895421B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2012-03-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヘテロ接合型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JP5491233B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-05-14 | 日本電信電話株式会社 | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP27132086A patent/JPS63124465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124465A (ja) | 1988-05-27 |
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