JPH0588210B2 - - Google Patents
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- JPH0588210B2 JPH0588210B2 JP5339285A JP5339285A JPH0588210B2 JP H0588210 B2 JPH0588210 B2 JP H0588210B2 JP 5339285 A JP5339285 A JP 5339285A JP 5339285 A JP5339285 A JP 5339285A JP H0588210 B2 JPH0588210 B2 JP H0588210B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
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Description
産業上の利用分野
本発明は特異な分子構造や光反応特性を持つこ
とから、高分子液晶、超高弾性高分子材料、可逆
性の高分子記録材料やレジスト材料、光学材料の
合成原料として有望なシクロブタン環化合物、特
にβ−トルキシン酸ジエステル及びβ−トルキシ
ン酸の合成法に関する。 従来の技術 ケイ皮酸に固相中で光を照射することにより二
量化物が生成されることは、よく知られている。
しかし一般にこの反応性は低いために非常に長い
時間、光を照射しなければ目的とする量の二量化
物は得られない。 ウケイ皮酸のα型結晶に光を照射するとα−ト
ルキシル酸(トランス、head to tail型)型が生
成し、ケイ皮酸のβ結晶に同様に光を照射する
と、β−トルキシン酸(トランス、head to
head 型)が生成する。 しかしながら、ケイ皮酸のβ型結晶は不安定で
あつて、反応中に容易にα型結晶に相転移するた
めに、生成物はα−トルキシン酸とβ−トルキシ
ン酸の混合物である場合が殆んどでβ−トルキシ
ン酸及びα−トルキシル酸をそれぞれ収率よく合
成することはできなかつた。又β−トルキシン酸
とα−トルキシル酸の混合物の分離は極めて困難
であり、その分離操作も煩雑である。 さらにケイ皮酸のα型およびβ型の固相での光
反応の速度は極めておそく、実験室的にそれらの
二量体を得ることは可能であるが、工業的な見地
から、その二量体を大規模なスケールで効果的な
状態で製造することはこれまで不可能であつた。
また一方ケイ皮酸のメチルエステルやエチルエス
テルも溶液状態での光反応で、二量化が起こり、
α−トルキシル酸、β−トルキシン酸、δ−トル
キシン酸のエステルを主成分とする多くの異性体
の混合物を生成するが、同様にこの光反応の速度
は遅く、またその分離等を考慮すると、この方法
においても工業的な規模でのα−トルキシル酸お
よびそのエステル類、またはβ−トルキシン酸お
よびそのエステル類を合成することには問題があ
つた。 本発明者は先に、p−ニトロフエニル基や4−
ニトロナフチル基のケイ皮酸エステルへの光増感
作用に着目して、種々検討を行なつた結果、p−
ニトロフエニルシンナメートを合成し、これを光
二量化させると容易にβ−トルキシン酸の(p−
ニトロフエニル)ジエステルが合成できることを
見出し、この成果は1984年4月の日本化学会で発
表した(日本化学会第49春季年会、1984年、講演
予稿集第957頁)。またこのエステルはアルカリ
で加水分解処理することによりβ−トルキシン酸
に変換することができることも既に見出してい
る。 しかしながら、前記の反応系は、これまで一般
に行なわれていた実験室的規模での反応条件をそ
のまま踏襲したものであり、特にその反応濃度
(分散量)は1.6g/400ml(4g/1)であり、工業
的規模の見地からは満足できるものではなく、そ
の上、収率の点でも充分なものではなかつた。 即ち、前記実験室的な分散量である1.6g/
400mlのスケールではシスートランス異性化反応
が生起し、目的とするβ−トルキシン酸(エステ
ル)及び/又はα−トルキシル酸(エステル)の
収率は満足できるもきではなかつたのである。 発明が解決しようとする問題点 そこでさらに本発明者は工業的な見地からのβ
−トルキシン酸の合成、製造条件の確立を目的と
して検討を行なつた結果、驚くべきことに、原料
であるケイ皮酸エステルの分散媒溶液中の分散量
を増加させると、β−トルキシン酸ジエステルが
選択的に収率よく生成することを見出し、本発明
に到達したものである。 即ち、本発明は同一分子内にシンナモイル基と
その増感基を有する下記一般式で表わされるケ
イ皮酸エステルに、分散媒の存在下、12g/l以
上、200g/l以下の分散濃度で、280nmを超える
波長の照射することを特徴とする下記一般式で
表わされるβ−トルキシン酸ジエステルの合成
法、
とから、高分子液晶、超高弾性高分子材料、可逆
性の高分子記録材料やレジスト材料、光学材料の
合成原料として有望なシクロブタン環化合物、特
にβ−トルキシン酸ジエステル及びβ−トルキシ
ン酸の合成法に関する。 従来の技術 ケイ皮酸に固相中で光を照射することにより二
量化物が生成されることは、よく知られている。
しかし一般にこの反応性は低いために非常に長い
時間、光を照射しなければ目的とする量の二量化
物は得られない。 ウケイ皮酸のα型結晶に光を照射するとα−ト
ルキシル酸(トランス、head to tail型)型が生
成し、ケイ皮酸のβ結晶に同様に光を照射する
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head 型)が生成する。 しかしながら、ケイ皮酸のβ型結晶は不安定で
あつて、反応中に容易にα型結晶に相転移するた
めに、生成物はα−トルキシン酸とβ−トルキシ
ン酸の混合物である場合が殆んどでβ−トルキシ
ン酸及びα−トルキシル酸をそれぞれ収率よく合
成することはできなかつた。又β−トルキシン酸
とα−トルキシル酸の混合物の分離は極めて困難
であり、その分離操作も煩雑である。 さらにケイ皮酸のα型およびβ型の固相での光
反応の速度は極めておそく、実験室的にそれらの
二量体を得ることは可能であるが、工業的な見地
から、その二量体を大規模なスケールで効果的な
状態で製造することはこれまで不可能であつた。
また一方ケイ皮酸のメチルエステルやエチルエス
テルも溶液状態での光反応で、二量化が起こり、
α−トルキシル酸、β−トルキシン酸、δ−トル
キシン酸のエステルを主成分とする多くの異性体
の混合物を生成するが、同様にこの光反応の速度
は遅く、またその分離等を考慮すると、この方法
においても工業的な規模でのα−トルキシル酸お
よびそのエステル類、またはβ−トルキシン酸お
よびそのエステル類を合成することには問題があ
つた。 本発明者は先に、p−ニトロフエニル基や4−
ニトロナフチル基のケイ皮酸エステルへの光増感
作用に着目して、種々検討を行なつた結果、p−
ニトロフエニルシンナメートを合成し、これを光
二量化させると容易にβ−トルキシン酸の(p−
ニトロフエニル)ジエステルが合成できることを
見出し、この成果は1984年4月の日本化学会で発
表した(日本化学会第49春季年会、1984年、講演
予稿集第957頁)。またこのエステルはアルカリ
で加水分解処理することによりβ−トルキシン酸
に変換することができることも既に見出してい
る。 しかしながら、前記の反応系は、これまで一般
に行なわれていた実験室的規模での反応条件をそ
のまま踏襲したものであり、特にその反応濃度
(分散量)は1.6g/400ml(4g/1)であり、工業
的規模の見地からは満足できるものではなく、そ
の上、収率の点でも充分なものではなかつた。 即ち、前記実験室的な分散量である1.6g/
400mlのスケールではシスートランス異性化反応
が生起し、目的とするβ−トルキシン酸(エステ
ル)及び/又はα−トルキシル酸(エステル)の
収率は満足できるもきではなかつたのである。 発明が解決しようとする問題点 そこでさらに本発明者は工業的な見地からのβ
−トルキシン酸の合成、製造条件の確立を目的と
して検討を行なつた結果、驚くべきことに、原料
であるケイ皮酸エステルの分散媒溶液中の分散量
を増加させると、β−トルキシン酸ジエステルが
選択的に収率よく生成することを見出し、本発明
に到達したものである。 即ち、本発明は同一分子内にシンナモイル基と
その増感基を有する下記一般式で表わされるケ
イ皮酸エステルに、分散媒の存在下、12g/l以
上、200g/l以下の分散濃度で、280nmを超える
波長の照射することを特徴とする下記一般式で
表わされるβ−トルキシン酸ジエステルの合成
法、
【化】
〔式中Phはフエニル基を、Rはp−ニトロフ
エニル、4−ニトロ−1−ナフチル−4−(p−
ニトロフエノキシ)ブチル、2−(p−ニトロフ
エノキシ)エチル又は2−(4−ニトロ−1−ナ
フトキシ)エチル基を表わす。〕及び上記のよう
にして得られるβ−トルキシン酸ジエステル
()を加水分解することからなるβ−トルキシ
ン酸()
エニル、4−ニトロ−1−ナフチル−4−(p−
ニトロフエノキシ)ブチル、2−(p−ニトロフ
エノキシ)エチル又は2−(4−ニトロ−1−ナ
フトキシ)エチル基を表わす。〕及び上記のよう
にして得られるβ−トルキシン酸ジエステル
()を加水分解することからなるβ−トルキシ
ン酸()
【化】
の合成法に関するものである。
本発明の前記式で表わされる原料化合物ケイ
皮酸エステルはケイ皮酸p−ニトロフエニルエス
テル(NPC)(m.p.144〜145℃)、ケイ皮酸4−
ニトロ−1−ナフチルエステル(NNC)(m.
p.149.5〜150℃)、ケイ皮酸4−(pニトロフエノ
キシ)ブチルエステル(NPBC)(m.p.82〜83
℃)、ケイ皮酸2−(p−ニトロフエノキシ)エチ
ルエステル(NPEC)(m.p.104〜105℃)、ケイ皮
酸2−(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチルエ
ステル(NNEC)(m.p.112〜113℃)等が挙げら
れる。又、同アミドとしては、ケイ皮酸4−ニト
ロフエニルアミド(NPCA)(m.p.228〜229℃)、
ケイ皮酸4−ニトロ−1−ナフチルアミド
(NNCA)(m.p.204〜205℃)等を挙げることが
できる。 又、目的生成物である一般式で表わされるβ
−トルキシン酸ジエステルはβトルキシン酸ジ
(p−ニトロフエニル)エステル、β−トルキシ
ン酸ジ(4−ニトロ−1−ナフチル)エステル、
β−トルキシン酸ジ〔4−(p−ニトロフエノキ
シ)ブチル〕エステル、β−トルキシン酸ジ〔2
−(p−ニトロフエノキシ)エチル〕エステル、
β−トルキシン酸ジ〔2−(4−ニトロ−1−ナ
フトキシ)エチル〕エステル、β−トルキシン酸
ジ(4−ニトロフエニル)アミド、β−トルキシ
ン酸ジ(4−ニトロ−1−ナフチル)アミド等で
ある。 固相での光二量化反応の原料としては、他のケ
イ皮酸エステル類と比較してNPCが優れている。
またβ−トルキシン酸を経済的に合成スケール
で、さらにはプラントスケールで製造する際にお
いても、その原料の価格やプロセスの容易から考
えてNPCの使用が好ましく、前記の原料ケイ皮
酸エステル類のうち、β−トルキシン酸エステル
及びβ−トルキシン酸の合成原料として最も好ま
しいのはケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)である。 原料ケイ皮酸エステルの分散量(分散濃度)が
重要である。例えば、NPCの光二量化反応で従
来報告されている前記実験室的規模での分散濃度
1.6g/400ml(4g/l)(n−ヘキサン/メタノー
ル、95/5)では対応する二量体β−トルキシン
酸ジ(p−ニトロフエニル)エステルの生産率は
約70%(67.3%)である(第1表)。それ故、こ
の濃度におけるNPCの変化率(反応率)は約85
%であるが、対応する二量体β−トルキシン酸ジ
(p−ニトロフエニル)エステルの生産率は約70
%であるから(第1図)、この変化率と生産率の
差だけの光反応の副生成物(これはシス体や他の
構造の二量体)が生成したことになり、濃度が低
い場合は、副反応の生成が多く、ケイ皮酸p−ニ
トロフエニルエステルのシーストランス異性体混
合物が生じ、又、反応率も低く、目的とするβ−
トルキシン酸エステル及び酸の収率が低下するの
である。 そして、この原料の分散濃度が高くなるにつれ
て、この副反応は低下し、前記1.6g/400mlの7
倍量以上の濃度すなわち11.2g/400ml以上では
副反応は全く起らず、目的とするβ−トルキシン
酸エステルが定量的に生成することを見出し得た
のである(第1表)。さらに工業的な見地から見
て好ましいと考えられるこの分散量が32g/
400ml程度まではケイ皮酸のp−ニトロフエニル
エステルの固相反応により、定量的に反応するβ
−トルキシン酸のエステルを合成できることが分
つたのである。そして特に好ましいものは1.6g/
400ml(4g/l)の10倍量に相当する16g/400ml
(40g/l)である(第2図)。しかしこの濃度を
さらに増加させて80g/400ml(200g/l)とする
と、副反応の進行はみとめられないものの、二量
化物の生成速度が著しく低下した(第1表及び第
2図)。以上のことから本発明におけるケイ皮酸
エステル、特にケイ皮酸p−ニトロフエニルエス
テルの二量化反応はその選択率及び反応率の点及
び工業的規模での生産性の見地からみて、原料分
散濃度は4.8g/400ml(12g/l)〜80g/400ml
(200g/l)の範囲であることが適当であり、好
ましくは11.2g/400ml(28g/l)から32g/
400ml(80g/l)の範囲である。 低濃度において、二量化物の生成率が低下する
理由は定かではないが、原料の一部が溶媒に溶解
するとシス−トランス異性化が起こり、低濃度の
場合には高濃度の場合よりその影響を強く受ける
ために、二量体の生成率が低下するものと考えら
れる。 分散媒は限定されないが、水系、n−ヘキサン
系のものが利用でき、水/メタノール、水/エタ
ノール、n−ヘキサン/メタノール、n−ヘキサ
ン/ブタノール等が挙げられる。又、界面活性剤
等の分散剤を添加して分散性をよくすることもで
きる。これらの分散剤のうち、水系は若干収率の
点でn−ヘキサン系を上まわるように思われる
が、生成物の乾燥その他を考慮すると、n−ヘキ
サン系のものが適当である。 なお、ケイ皮酸p−ニトロフエニルエステルの
光固相反応は分散媒を使用しなくても粉末状で光
を照射しても反応がよく進行することも見出され
ているので、その目的に適う反応系と反応条件
(装置)を見出せば、分散媒を使用しなくても、
同様にβ−トルキシン酸エステルう効率よく製造
することも可能であろうが、工業的規模でのその
ような条件は現在のところ見出されていない。 本発明において、反応温度は特に限定されない
が、通常は100℃以下の温度で行なわれ、−10℃〜
30、さらに好ましくは0℃〜20℃である。又、反
応時間は通常3〜10時間であり、NPC(16g/
400ml)では反応時間6時間で相応するβ−トル
キシン酸エステルが99.2%の生産率が得られ、ほ
ぼ定量的に合成することができる(第3図)。 光反応に使用される光照射装置は通常用いられ
るものはいずれでもよく、キセノンランプ、水銀
灯、メタルハライドランプ等の一般に光化学反応
に使用される光源が用いられる。 これらの光源からの光照射では280nm以上の波
長、例えば313nm、365nm等の波長の光が反応に
あづかる。 本発明の化合物はシクロブタン環のため不安定
であつて、280nm以下の単波長の光のみが照射さ
れる場合は、該シクロブタン環の開裂が生ずる
が、280nmを超える波長の光が併存する場合は、
これら長波長の光が優先的に作用し、シクロブタ
ン環の開裂を生ずることなく、正の反応が起こ
る。 得られたβ−トルキシン酸エステルは加水分解
してβ−トルキシン酸とすることができる。加水
分解は通常行なわれる方法で行なわれ、例えばア
ルカリで加水分解して酸で中和する方法が採られ
る。 添付の図面について説明すると、第1図は
NPCの従来報告されている実験室的規模の濃度
1.6g/400ml(4.0g/l)での変化率と二量体β−
トルキシン酸ジ(p−ニトロフエニル)エステル
の生産率を示すものであり、第2図はNPCの分
散濃度1.6g/400ml(4.0g/l)、6.4g/400ml
(16g/l)、16g/400ml(40g/l)、32g/400ml
(80g/l)及び80g/400ml(200g/l)における
光反応による二量体の生産率を示すものである
(但し、分散媒はヘキサン380ml/20mlメタノー
ルである)。 又、第3図はNPC16g/400ml(40g/l)の濃
度で、10℃における光反応の時間に対する二量体
の生成率を示すものである。 作 用 ケイ皮酸エステルの光反応において、原料の該
エステルの分散媒中の濃度を上げることにより、
副反応の抑制及び反応率をあげることができ、収
率の向上をはかることができる。 実施例 以下に本発明の実施例を示すが、本発明がこれ
らの実施例に限定されないものであることは言う
までもない。 参考例 ケイ皮酸エステル及びアミドの合成 (1) ケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)の合成 β−トルキシン酸ジ−(p−ニトロフエニル)
エステルの合成原料であるケイ皮酸p−ニトロ
フエニルエステルは下記のような方法で合成し
た。 p−ニトロフエノール55.6g/(0.4mol)と
ピリジン32.3ml(0.4mol)をテトラヒドロフラ
ン200mlに溶かした。この溶液を5℃に保ちな
がら70mlのテトラヒドロフランに溶かしたケ
イ皮酸クロリド66.6g(0.4mol)溶液をゆつくり
と滴下した。滴下終了後2時間室温で攪拌し、
反応生成物溶液を21の水に加えて生成物を沈澱
させた。生成物は吸引ろ別し、数回水洗したの
ち乾燥させた。 粗生成物の収量102g(収率95%)。得られた
粗生成物はエタノールで再結晶し、無色針状結
晶を得た。融点145〜146℃(文献値144〜145
℃)。 (2) 他のケイ皮酸エステル及びアミドの合成 MPCの合成方法と同様にして、それぞれケ
イ皮酸クロリドと対応する化合物より合成し、
再結晶により精製して、以下の化合物を合成し
た。 ケイ皮酸4−ニトロ−1−ナフチルエステル
(NNC)(収率89.7%、mp.149.5〜150℃)、ケ
イ皮酸フエニルエステル(PC)、ケイ皮酸α−
ナフチルエステル(NC)、ケイ皮酸4−(p−
ニトロフエノキシ)ブチルエステル(NPBC)
(収率91%、mp.82〜83℃)、ケイ皮酸2−(p
−ニトロフエノキシ)エチルエステル
(NPEC)(収率70%、mp.104〜105℃)、ケイ
皮酸2−(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチ
ルエステル(NNEC)(収率20%、mp.112〜
113℃)、ケイ皮酸4−ニトロフエニルアミド
(NPCA)(収率97%、mp.228〜229℃)、ケイ
皮酸4−ニトロ−1−ナフトルアミド
(NNCA)(収率98%、mp.204〜205℃)。 実施例 1 反応容器(耐熱ガラス製)の中心に光照射用ラ
ンプ(ウシオ電機正UM−102,100W高圧水銀
灯)のついた400mlの光化学反応用五ツ口フラス
コにケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)16g(0.059mol)を取り、n−ヘキサンと
メタノールの混合溶媒(380ml/20ml)に分散
(20g/l)させ、マグネチツクスターラーで均
一に攪拌しながら30℃で6時間光照射を行なつ
た。(313nm及び365nmの波長の光が反応にかか
わる。)反応生成物は吸引ろ別し、乾燥した。回
収率91.2%、回収物中のβ−トルキシン酸ジ(p
−ニトロフエニル)エステルの含有率99.2%
(UVスペクトルおよび液体クロマトグラフイー
より確認、またこれに含まれる不純物は未反応の
NPCであると考えられる)。 粗生成物はメチルエチルケトンで再結晶により
精製した。融点192〜193℃(回収率79%) 元素分析 C30H22N2O8として C,66.91%,H,4.12%,N,5.20% 実測値 C,66.51%,H,4.10%,N,5.10% 又、NPCの濃度を変えたものを用いて同様に
光反応を行ないβ−トルキシン酸ジ(ニトロフエ
ニル)エステルを得た結果を第1表に示す。
皮酸エステルはケイ皮酸p−ニトロフエニルエス
テル(NPC)(m.p.144〜145℃)、ケイ皮酸4−
ニトロ−1−ナフチルエステル(NNC)(m.
p.149.5〜150℃)、ケイ皮酸4−(pニトロフエノ
キシ)ブチルエステル(NPBC)(m.p.82〜83
℃)、ケイ皮酸2−(p−ニトロフエノキシ)エチ
ルエステル(NPEC)(m.p.104〜105℃)、ケイ皮
酸2−(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチルエ
ステル(NNEC)(m.p.112〜113℃)等が挙げら
れる。又、同アミドとしては、ケイ皮酸4−ニト
ロフエニルアミド(NPCA)(m.p.228〜229℃)、
ケイ皮酸4−ニトロ−1−ナフチルアミド
(NNCA)(m.p.204〜205℃)等を挙げることが
できる。 又、目的生成物である一般式で表わされるβ
−トルキシン酸ジエステルはβトルキシン酸ジ
(p−ニトロフエニル)エステル、β−トルキシ
ン酸ジ(4−ニトロ−1−ナフチル)エステル、
β−トルキシン酸ジ〔4−(p−ニトロフエノキ
シ)ブチル〕エステル、β−トルキシン酸ジ〔2
−(p−ニトロフエノキシ)エチル〕エステル、
β−トルキシン酸ジ〔2−(4−ニトロ−1−ナ
フトキシ)エチル〕エステル、β−トルキシン酸
ジ(4−ニトロフエニル)アミド、β−トルキシ
ン酸ジ(4−ニトロ−1−ナフチル)アミド等で
ある。 固相での光二量化反応の原料としては、他のケ
イ皮酸エステル類と比較してNPCが優れている。
またβ−トルキシン酸を経済的に合成スケール
で、さらにはプラントスケールで製造する際にお
いても、その原料の価格やプロセスの容易から考
えてNPCの使用が好ましく、前記の原料ケイ皮
酸エステル類のうち、β−トルキシン酸エステル
及びβ−トルキシン酸の合成原料として最も好ま
しいのはケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)である。 原料ケイ皮酸エステルの分散量(分散濃度)が
重要である。例えば、NPCの光二量化反応で従
来報告されている前記実験室的規模での分散濃度
1.6g/400ml(4g/l)(n−ヘキサン/メタノー
ル、95/5)では対応する二量体β−トルキシン
酸ジ(p−ニトロフエニル)エステルの生産率は
約70%(67.3%)である(第1表)。それ故、こ
の濃度におけるNPCの変化率(反応率)は約85
%であるが、対応する二量体β−トルキシン酸ジ
(p−ニトロフエニル)エステルの生産率は約70
%であるから(第1図)、この変化率と生産率の
差だけの光反応の副生成物(これはシス体や他の
構造の二量体)が生成したことになり、濃度が低
い場合は、副反応の生成が多く、ケイ皮酸p−ニ
トロフエニルエステルのシーストランス異性体混
合物が生じ、又、反応率も低く、目的とするβ−
トルキシン酸エステル及び酸の収率が低下するの
である。 そして、この原料の分散濃度が高くなるにつれ
て、この副反応は低下し、前記1.6g/400mlの7
倍量以上の濃度すなわち11.2g/400ml以上では
副反応は全く起らず、目的とするβ−トルキシン
酸エステルが定量的に生成することを見出し得た
のである(第1表)。さらに工業的な見地から見
て好ましいと考えられるこの分散量が32g/
400ml程度まではケイ皮酸のp−ニトロフエニル
エステルの固相反応により、定量的に反応するβ
−トルキシン酸のエステルを合成できることが分
つたのである。そして特に好ましいものは1.6g/
400ml(4g/l)の10倍量に相当する16g/400ml
(40g/l)である(第2図)。しかしこの濃度を
さらに増加させて80g/400ml(200g/l)とする
と、副反応の進行はみとめられないものの、二量
化物の生成速度が著しく低下した(第1表及び第
2図)。以上のことから本発明におけるケイ皮酸
エステル、特にケイ皮酸p−ニトロフエニルエス
テルの二量化反応はその選択率及び反応率の点及
び工業的規模での生産性の見地からみて、原料分
散濃度は4.8g/400ml(12g/l)〜80g/400ml
(200g/l)の範囲であることが適当であり、好
ましくは11.2g/400ml(28g/l)から32g/
400ml(80g/l)の範囲である。 低濃度において、二量化物の生成率が低下する
理由は定かではないが、原料の一部が溶媒に溶解
するとシス−トランス異性化が起こり、低濃度の
場合には高濃度の場合よりその影響を強く受ける
ために、二量体の生成率が低下するものと考えら
れる。 分散媒は限定されないが、水系、n−ヘキサン
系のものが利用でき、水/メタノール、水/エタ
ノール、n−ヘキサン/メタノール、n−ヘキサ
ン/ブタノール等が挙げられる。又、界面活性剤
等の分散剤を添加して分散性をよくすることもで
きる。これらの分散剤のうち、水系は若干収率の
点でn−ヘキサン系を上まわるように思われる
が、生成物の乾燥その他を考慮すると、n−ヘキ
サン系のものが適当である。 なお、ケイ皮酸p−ニトロフエニルエステルの
光固相反応は分散媒を使用しなくても粉末状で光
を照射しても反応がよく進行することも見出され
ているので、その目的に適う反応系と反応条件
(装置)を見出せば、分散媒を使用しなくても、
同様にβ−トルキシン酸エステルう効率よく製造
することも可能であろうが、工業的規模でのその
ような条件は現在のところ見出されていない。 本発明において、反応温度は特に限定されない
が、通常は100℃以下の温度で行なわれ、−10℃〜
30、さらに好ましくは0℃〜20℃である。又、反
応時間は通常3〜10時間であり、NPC(16g/
400ml)では反応時間6時間で相応するβ−トル
キシン酸エステルが99.2%の生産率が得られ、ほ
ぼ定量的に合成することができる(第3図)。 光反応に使用される光照射装置は通常用いられ
るものはいずれでもよく、キセノンランプ、水銀
灯、メタルハライドランプ等の一般に光化学反応
に使用される光源が用いられる。 これらの光源からの光照射では280nm以上の波
長、例えば313nm、365nm等の波長の光が反応に
あづかる。 本発明の化合物はシクロブタン環のため不安定
であつて、280nm以下の単波長の光のみが照射さ
れる場合は、該シクロブタン環の開裂が生ずる
が、280nmを超える波長の光が併存する場合は、
これら長波長の光が優先的に作用し、シクロブタ
ン環の開裂を生ずることなく、正の反応が起こ
る。 得られたβ−トルキシン酸エステルは加水分解
してβ−トルキシン酸とすることができる。加水
分解は通常行なわれる方法で行なわれ、例えばア
ルカリで加水分解して酸で中和する方法が採られ
る。 添付の図面について説明すると、第1図は
NPCの従来報告されている実験室的規模の濃度
1.6g/400ml(4.0g/l)での変化率と二量体β−
トルキシン酸ジ(p−ニトロフエニル)エステル
の生産率を示すものであり、第2図はNPCの分
散濃度1.6g/400ml(4.0g/l)、6.4g/400ml
(16g/l)、16g/400ml(40g/l)、32g/400ml
(80g/l)及び80g/400ml(200g/l)における
光反応による二量体の生産率を示すものである
(但し、分散媒はヘキサン380ml/20mlメタノー
ルである)。 又、第3図はNPC16g/400ml(40g/l)の濃
度で、10℃における光反応の時間に対する二量体
の生成率を示すものである。 作 用 ケイ皮酸エステルの光反応において、原料の該
エステルの分散媒中の濃度を上げることにより、
副反応の抑制及び反応率をあげることができ、収
率の向上をはかることができる。 実施例 以下に本発明の実施例を示すが、本発明がこれ
らの実施例に限定されないものであることは言う
までもない。 参考例 ケイ皮酸エステル及びアミドの合成 (1) ケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)の合成 β−トルキシン酸ジ−(p−ニトロフエニル)
エステルの合成原料であるケイ皮酸p−ニトロ
フエニルエステルは下記のような方法で合成し
た。 p−ニトロフエノール55.6g/(0.4mol)と
ピリジン32.3ml(0.4mol)をテトラヒドロフラ
ン200mlに溶かした。この溶液を5℃に保ちな
がら70mlのテトラヒドロフランに溶かしたケ
イ皮酸クロリド66.6g(0.4mol)溶液をゆつくり
と滴下した。滴下終了後2時間室温で攪拌し、
反応生成物溶液を21の水に加えて生成物を沈澱
させた。生成物は吸引ろ別し、数回水洗したの
ち乾燥させた。 粗生成物の収量102g(収率95%)。得られた
粗生成物はエタノールで再結晶し、無色針状結
晶を得た。融点145〜146℃(文献値144〜145
℃)。 (2) 他のケイ皮酸エステル及びアミドの合成 MPCの合成方法と同様にして、それぞれケ
イ皮酸クロリドと対応する化合物より合成し、
再結晶により精製して、以下の化合物を合成し
た。 ケイ皮酸4−ニトロ−1−ナフチルエステル
(NNC)(収率89.7%、mp.149.5〜150℃)、ケ
イ皮酸フエニルエステル(PC)、ケイ皮酸α−
ナフチルエステル(NC)、ケイ皮酸4−(p−
ニトロフエノキシ)ブチルエステル(NPBC)
(収率91%、mp.82〜83℃)、ケイ皮酸2−(p
−ニトロフエノキシ)エチルエステル
(NPEC)(収率70%、mp.104〜105℃)、ケイ
皮酸2−(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチ
ルエステル(NNEC)(収率20%、mp.112〜
113℃)、ケイ皮酸4−ニトロフエニルアミド
(NPCA)(収率97%、mp.228〜229℃)、ケイ
皮酸4−ニトロ−1−ナフトルアミド
(NNCA)(収率98%、mp.204〜205℃)。 実施例 1 反応容器(耐熱ガラス製)の中心に光照射用ラ
ンプ(ウシオ電機正UM−102,100W高圧水銀
灯)のついた400mlの光化学反応用五ツ口フラス
コにケイ皮酸p−ニトロフエニルエステル
(NPC)16g(0.059mol)を取り、n−ヘキサンと
メタノールの混合溶媒(380ml/20ml)に分散
(20g/l)させ、マグネチツクスターラーで均
一に攪拌しながら30℃で6時間光照射を行なつ
た。(313nm及び365nmの波長の光が反応にかか
わる。)反応生成物は吸引ろ別し、乾燥した。回
収率91.2%、回収物中のβ−トルキシン酸ジ(p
−ニトロフエニル)エステルの含有率99.2%
(UVスペクトルおよび液体クロマトグラフイー
より確認、またこれに含まれる不純物は未反応の
NPCであると考えられる)。 粗生成物はメチルエチルケトンで再結晶により
精製した。融点192〜193℃(回収率79%) 元素分析 C30H22N2O8として C,66.91%,H,4.12%,N,5.20% 実測値 C,66.51%,H,4.10%,N,5.10% 又、NPCの濃度を変えたものを用いて同様に
光反応を行ないβ−トルキシン酸ジ(ニトロフエ
ニル)エステルを得た結果を第1表に示す。
【表】
第1表よりわかるとおり、従来報告されている
実験室的規模の濃度1.6g/400ml(4g/l)の約
3倍量以上から著しく目的生成物の収率が向上す
る。そして、約10倍の16.0g/400ml(40g/l)
の濃度付近で最高収率が得られ、その濃度で6時
間の反応でほぼ定量的な99.2%という高収率で目
的生成物が得られる(第3図参照)。 実施例 2 参考例(2)で得られたケイ皮酸エステル及びアミ
ドについても実施例1と同様にして以下に示す対
応するβ−トルキシン酸ジエステル及びアミドを
合成し、実施例1と同様の結果が得られた。二量
化物:β−トルキシン酸ジ(4−ニトロ−1−ナ
フチル)エステル、β−トルキシン酸ジ〔4−
(p−ニトロフエノキシ)ブチル〕エステル、β
−トルキシン酸ジ〔2−(p−ニトロフエノキシ)
エチル〕エステル、β−トルキシン酸ジ〔2−
(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチル〕エステ
ル、β−トルキシン酸ジ(4−ニトロフエニル)
アミド、β−トルキシン酸ジ(4−ニトロ−1−
ナフチル)アミド。 実施例3 β−トルキシン酸ジエステルの加水分
解によるβ−トルキシン酸の合成 β−トルキシン酸ジ(p−ニトロフエニル)を
水酸化ナトリウムを用いて加水分解して、それぞ
れβ−トルキシン酸ナトリウムおよびナトリウム
p−ニトロフエノキシドを生成し、その後塩酸で
中和してβ−トルキシン酸およびp−ニトロフエ
ノールとした。この際、両方の化合物の溶解性の
差(β−トルキシン酸は水に難溶、p−ニトロフ
エノールは水に可溶)を利用してβ−トルキシン
酸を析出させ、吸引ろ過、水洗の後乾燥させた。
粗生成物の収率は88%、その融点は206〜207℃
(文献値209〜210℃)であつた。さらに再結晶す
ることにより純粋なβ−トルキシン酸を得た。
又、他のエステルについて同様にして、β−トル
キシン酸を得た。 発明の効果 本発明は、ケイ皮酸エステルの光反応により相
応するβ−トルキシン酸ジエステルを合成するに
あたり、前記原料ケイ皮酸エステルの分散媒中の
分散量(分散濃度)を従来行なわれている分散濃
度の3倍量以上、特に7倍量以上とすることによ
り、副反応による副生成物がなく、高収率で目的
生成物が得られるというすぐれた効果を奏し得る
ものである。又、本発明の化合物はシクロブタン
環のため不安定であつて、280nm以下の短波長の
光照射によりシクロブタン環が開裂し、又、再
度、長波長、たとえば310nm以上の光照射を行な
うと再びシクロブタン環となるという性質があ
り、これらβ−トルキシン酸エステルやβ−トル
キシン酸を新しい機能性高分子材料、例えば高分
子液晶、超高弾性高分子材料、可逆性の高分子記
録材料、レジスト材料、光学材料の原料として活
用することが期待できる。そして、特に光デバイ
ス材料や光反応を照射する波長の長さによりコン
トロールすることのできる高機能感光材料となし
得る。
実験室的規模の濃度1.6g/400ml(4g/l)の約
3倍量以上から著しく目的生成物の収率が向上す
る。そして、約10倍の16.0g/400ml(40g/l)
の濃度付近で最高収率が得られ、その濃度で6時
間の反応でほぼ定量的な99.2%という高収率で目
的生成物が得られる(第3図参照)。 実施例 2 参考例(2)で得られたケイ皮酸エステル及びアミ
ドについても実施例1と同様にして以下に示す対
応するβ−トルキシン酸ジエステル及びアミドを
合成し、実施例1と同様の結果が得られた。二量
化物:β−トルキシン酸ジ(4−ニトロ−1−ナ
フチル)エステル、β−トルキシン酸ジ〔4−
(p−ニトロフエノキシ)ブチル〕エステル、β
−トルキシン酸ジ〔2−(p−ニトロフエノキシ)
エチル〕エステル、β−トルキシン酸ジ〔2−
(4−ニトロ−1−ナフトキシ)エチル〕エステ
ル、β−トルキシン酸ジ(4−ニトロフエニル)
アミド、β−トルキシン酸ジ(4−ニトロ−1−
ナフチル)アミド。 実施例3 β−トルキシン酸ジエステルの加水分
解によるβ−トルキシン酸の合成 β−トルキシン酸ジ(p−ニトロフエニル)を
水酸化ナトリウムを用いて加水分解して、それぞ
れβ−トルキシン酸ナトリウムおよびナトリウム
p−ニトロフエノキシドを生成し、その後塩酸で
中和してβ−トルキシン酸およびp−ニトロフエ
ノールとした。この際、両方の化合物の溶解性の
差(β−トルキシン酸は水に難溶、p−ニトロフ
エノールは水に可溶)を利用してβ−トルキシン
酸を析出させ、吸引ろ過、水洗の後乾燥させた。
粗生成物の収率は88%、その融点は206〜207℃
(文献値209〜210℃)であつた。さらに再結晶す
ることにより純粋なβ−トルキシン酸を得た。
又、他のエステルについて同様にして、β−トル
キシン酸を得た。 発明の効果 本発明は、ケイ皮酸エステルの光反応により相
応するβ−トルキシン酸ジエステルを合成するに
あたり、前記原料ケイ皮酸エステルの分散媒中の
分散量(分散濃度)を従来行なわれている分散濃
度の3倍量以上、特に7倍量以上とすることによ
り、副反応による副生成物がなく、高収率で目的
生成物が得られるというすぐれた効果を奏し得る
ものである。又、本発明の化合物はシクロブタン
環のため不安定であつて、280nm以下の短波長の
光照射によりシクロブタン環が開裂し、又、再
度、長波長、たとえば310nm以上の光照射を行な
うと再びシクロブタン環となるという性質があ
り、これらβ−トルキシン酸エステルやβ−トル
キシン酸を新しい機能性高分子材料、例えば高分
子液晶、超高弾性高分子材料、可逆性の高分子記
録材料、レジスト材料、光学材料の原料として活
用することが期待できる。そして、特に光デバイ
ス材料や光反応を照射する波長の長さによりコン
トロールすることのできる高機能感光材料となし
得る。
第1図はNPCの固相での光反応率、第2図は
NPCの各分散濃度における二量体の生産率、及
び第3図はNPCの分散濃度16g/400mlにおける
光照射時間に対する二量体の生産率を示す図であ
る。
NPCの各分散濃度における二量体の生産率、及
び第3図はNPCの分散濃度16g/400mlにおける
光照射時間に対する二量体の生産率を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 同一分子内にシンナモイル基とその増感基を
有する下記一般式で表わされるケイ皮酸エステ
ルに、分散媒の存在下、12g/l以上、200g/l
以下の分散濃度で、280nmを超える波長の光を照
射することを特徴とする下記一般式で表わされ
るβ−トルキシン酸ジエステルの合成法。 【化】 (式中Phはフエニル基を、Rはp−ニトロフ
エニル、4−ニトロ−1−ナフチル、4−(p−
ニトロフエノキシ)ブチル、2−(p−ニトロフ
エノキシ)エチル又は2−(4−ニトロ−1−ナ
フトキシ)エチル基を表わす。) 2 同一分子内にシンナモイル基とその増感基を
有する下記一般式で表わされるケイ皮酸エステ
ルに、分散媒の存在下、12g/l以上、200g/l
以下の分散濃度で、280nmを超える波長の光を照
射して、下記一般式で表わされるβ−トルキシ
ン酸ジエステルを合成し、ついで加水分解するこ
とを特徴とする下記式で表わされるβ−トルキ
シン酸の合成法。 【化】 (式中Ph、Rは前記と同一)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5339285A JPS61212532A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | シクロブタン環化合物の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5339285A JPS61212532A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | シクロブタン環化合物の合成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61212532A JPS61212532A (ja) | 1986-09-20 |
JPH0588210B2 true JPH0588210B2 (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=12941550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5339285A Granted JPS61212532A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | シクロブタン環化合物の合成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61212532A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001199884A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Seiwa Yakuhin Kk | 鎮痛作用剤 |
JP4074155B2 (ja) | 2001-09-17 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 四員環化合物、それを用いた複屈折媒体および光学部材 |
CN102898322B (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-07 | 林励 | 一种化合物及其制法和用途 |
JP6483481B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2019-03-13 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | トルキシン酸系ポリマーおよびその製造中間体 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5339285A patent/JPS61212532A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61212532A (ja) | 1986-09-20 |
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