JPH0588029A - オプトエレクトロニクデバイス - Google Patents
オプトエレクトロニクデバイスInfo
- Publication number
- JPH0588029A JPH0588029A JP4056181A JP5618192A JPH0588029A JP H0588029 A JPH0588029 A JP H0588029A JP 4056181 A JP4056181 A JP 4056181A JP 5618192 A JP5618192 A JP 5618192A JP H0588029 A JPH0588029 A JP H0588029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- waveguide
- lens
- sub
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光の入出力を行い更に別の光学デバイス又は
オプトエレクトロニクデバイスと共に融通性に富む装置
を実現するオプトエレクトロニクデバイスのための容易
に製造可能な構造を提供する。 【構成】 導波路２から鏡３を介して基板１を貫き光を
入出力し、基板１の導波路２と反対側の表面１８には平
凸レンズ４が組み込まれる。
オプトエレクトロニクデバイスと共に融通性に富む装置
を実現するオプトエレクトロニクデバイスのための容易
に製造可能な構造を提供する。 【構成】 導波路２から鏡３を介して基板１を貫き光を
入出力し、基板１の導波路２と反対側の表面１８には平
凸レンズ４が組み込まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、導波路中を導かれる
光の入出力のためのオプトエレクトロニクデバイスに関
する。
光の入出力のためのオプトエレクトロニクデバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】光はオプトエレクトロニクデバイス中で
信号キャリヤ又はエネルギーキャリヤとして用いられ
る。信号又はエネルギーを異なる要素の間で交換するた
めには光を伝達しなければならない。このために送信器
と受信器との間の結合が必要である。この結合は導波路
（ガラスファイバ）を経るか又は空間（導波路無し）を
通して行うことができる。しかしすべての場合に光をオ
プトエレクトロニクデバイスから出力するかこのデバイ
スに入力しなければならない。
信号キャリヤ又はエネルギーキャリヤとして用いられ
る。信号又はエネルギーを異なる要素の間で交換するた
めには光を伝達しなければならない。このために送信器
と受信器との間の結合が必要である。この結合は導波路
（ガラスファイバ）を経るか又は空間（導波路無し）を
通して行うことができる。しかしすべての場合に光をオ
プトエレクトロニクデバイスから出力するかこのデバイ
スに入力しなければならない。
【０００３】オプトエレクトロニクデバイスにおいて基
板を貫いての光の結合は、この基板が放射された光に対
し透明であるときに可能である。ＧａＡｓ及びＩｎＰ基
板に対しては真空波長は０．９μｍ以上でなければなら
ず、Ｓｉ基板に対しては１．１μｍ以上でなければなら
ない。光が基板を貫いて結合される装置では、電子結合
と光結合とを二つの分離した平面上に分配することがで
きる。光を導波路により基板の縁に沿って導くことはこ
の場合には必要でない。従ってオプトエレクトロニクデ
バイスの配置において比較的大きい自由度が得られる。
板を貫いての光の結合は、この基板が放射された光に対
し透明であるときに可能である。ＧａＡｓ及びＩｎＰ基
板に対しては真空波長は０．９μｍ以上でなければなら
ず、Ｓｉ基板に対しては１．１μｍ以上でなければなら
ない。光が基板を貫いて結合される装置では、電子結合
と光結合とを二つの分離した平面上に分配することがで
きる。光を導波路により基板の縁に沿って導くことはこ
の場合には必要でない。従ってオプトエレクトロニクデ
バイスの配置において比較的大きい自由度が得られる。
【０００４】電子結合を光結合から分離するための前提
条件は、光が正確に定められた角度のもとに基板を離れ
ることを保証する技術が利用されるということである。
さもないと光パワーの大きい損失が生じるので、この損
失を個々のオプトエレクトロニクデバイスの個々の組み
立てにより低減しなければならない。そのために前記の
利点が失われる。各オプトエレクトロニクデバイスの製
造工程中にしばしば結晶面の方位が良好な効果を得るた
めに利用されるので、この出射角の決定のためには導波
路に対し垂直な方向が重要である。光をこのように出力
するには、ブラッグ反射形格子による導波路に沿った分
布帰還を用いることができる。しかしながらオプトエレ
クトロニクデバイスと光ファイバとの間の結合のため
に、導波路に対し直角に出射する光の横方向の電磁界分
布が主として導波路の導波特性により決定されるのが更
に有利である。この場合には導波路に対し正確に４５°
の傾斜角を有する鏡で光を方向変換しなければならな
い。更にこの鏡には大きい平滑度の要求が課せられる。
すなわち鏡表面の粗さは光の波長に比べて小さくなけれ
ばならない。光学的な意味で非常に平滑な鏡は従来鏡面
劈開及びドライエッチングとこれに続くウエットエッチ
ングによるしか実現できない。この方向すなわち導波路
に対し４５°の鏡面劈開は結晶学上の理由から不可能で
あるので、可能性としてエッチングだけが残る。ドライ
エッチングは多くの場合結晶方位に無関係に可能であり
特に粗面化された鏡を供給するので、エッチング工程を
伴う後処理が必要である。ウエットエッチング自体は劈
開と同様に本来結晶学的に卓越した面又は方向に沿って
のみ多くの場合に成功する。
条件は、光が正確に定められた角度のもとに基板を離れ
ることを保証する技術が利用されるということである。
さもないと光パワーの大きい損失が生じるので、この損
失を個々のオプトエレクトロニクデバイスの個々の組み
立てにより低減しなければならない。そのために前記の
利点が失われる。各オプトエレクトロニクデバイスの製
造工程中にしばしば結晶面の方位が良好な効果を得るた
めに利用されるので、この出射角の決定のためには導波
路に対し垂直な方向が重要である。光をこのように出力
するには、ブラッグ反射形格子による導波路に沿った分
布帰還を用いることができる。しかしながらオプトエレ
クトロニクデバイスと光ファイバとの間の結合のため
に、導波路に対し直角に出射する光の横方向の電磁界分
布が主として導波路の導波特性により決定されるのが更
に有利である。この場合には導波路に対し正確に４５°
の傾斜角を有する鏡で光を方向変換しなければならな
い。更にこの鏡には大きい平滑度の要求が課せられる。
すなわち鏡表面の粗さは光の波長に比べて小さくなけれ
ばならない。光学的な意味で非常に平滑な鏡は従来鏡面
劈開及びドライエッチングとこれに続くウエットエッチ
ングによるしか実現できない。この方向すなわち導波路
に対し４５°の鏡面劈開は結晶学上の理由から不可能で
あるので、可能性としてエッチングだけが残る。ドライ
エッチングは多くの場合結晶方位に無関係に可能であり
特に粗面化された鏡を供給するので、エッチング工程を
伴う後処理が必要である。ウエットエッチング自体は劈
開と同様に本来結晶学的に卓越した面又は方向に沿って
のみ多くの場合に成功する。
【０００５】基板からの光の出射後に回折現象に基づき
光ビームの著しい拡幅が起こる。従来技術では光ファイ
バの前に置かれた球レンズにより光を集束することによ
りこれに対処する。従って装置は直列に並べられたオプ
トエレクトロニクデバイス、球レンズ及び光ファイバを
備える。
光ビームの著しい拡幅が起こる。従来技術では光ファイ
バの前に置かれた球レンズにより光を集束することによ
りこれに対処する。従って装置は直列に並べられたオプ
トエレクトロニクデバイス、球レンズ及び光ファイバを
備える。
【０００６】光エネルギーの結合はオプトエレクトロニ
クデバイスでは一般に導波路へ向かう方向へ、導波路に
対し直角に配置された鏡により行われる。従来導波に対
し直角には、分布帰還に基づくブラック反射形格子によ
るか、又は導波に対し４５°だけ傾けられた鏡により出
力される。これに関しては下記の文献を参照されたい。
リオー（Z.L. Liau ）、ウォルポール（J.N.Walpol
e）、ミサギア（L.J. Missaggia）及びムル（D.E. Mull
）の論文「モノリシック集積された二焦点ミクロレン
ズを備えたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ埋め込みヘテロ構造
表面放射ダイオードレーザ（InGaAsP/InP buried-heter
ostructure surface-emitting diode laserwith monoli
thic integrated bifocal microlens）」アプライド
フィジックスレターズ（Appl. Phys. Lett. ）、第５６
巻、第１２１９〜１２２１ページ（１９９０年）；リオ
ー（Z.L. Liau ）及びウォルポール（J.N. Walpole）の
論文「低いしきい電流及び高効率を有する表面放射Ｇａ
ＩｎＡｓＰ／ＩｎＰレーザ（Surface-emitting GaInAsP
/InP laser with low threshold current and high eff
iciency ）」アプライド フィジックス レターズ（Ap
pl. Phys. Lett. ）、第４６巻、第１１５〜１１７ペー
ジ（１９８５年）；ウォルポール（J.N. Walpole）の論
文「表面放射ダイオードレーザの研究開発（Ｒ＆Ｄ on
Surface-Emitting Diode Lasers ）」レーザ フォーカ
ス／エレクトロオプティックス（LaserF ocus/Electro-
Optics ）、第６６〜７４ページ（１９８７年）：斎藤
（H. Saito）及び野口（Y. Noguchi）の論文「ミクロコ
ーティングされた反射器を備える反射形表面放射１．３
μｍ・ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレーザアレー（Reflecti
on-Type Surface-Emitting 1.3μm InGaAsP/InP Laser
Array with Microcoated Reflector）」日本応用物理学
会誌、第２８巻、第Ｌ１２３９〜Ｌ１２４１ページ（１
９８９年）；三原（M. Mihara ）の論文「新しい表面放
射レーザダイオードの直接的な光ファイバへの結合（Ne
w Surface-Emitting Laser Diode Connectsto Optical
Fiber Directly ）」ＪＥＥ、ハイテクレポート（Hi-Te
ch Report）、第７４〜７７ページ（１９８９年）：ド
ネリイ（J.P. Donnelly）、バイレイ（R.J. Bailey
）、ワン（C.A. Wang ）、シンプソン（G.A. Simpso
n）、ラウシェンバッハ（K. Rauschenbach ）の論文
「二次元表面放射ダイオードレーザアレーへのハイブリ
ッド的取り組み（Hybrid approach to two-dimensional
surface-emitting diodes laser arrays ）」アプライ
ド フィジックス レターズ（Appl. Phys. Lett. ）、
第５３巻、第９３８〜９４０ページ（１９８８年）；伊
賀（K. Iga）、小山（F. Koyama ）及び木下（S. Kinos
hita）の論文「表面放射半導体レーザ（Surface-Emitti
ng Semiconductor Lasers ）」アイトリプルイージャー
ナル（IEEE Journ. ）量子エレクトロニクス編、第ＱＥ
−２４巻、第１８４５〜１８５５ページ（１９８８
年）。
クデバイスでは一般に導波路へ向かう方向へ、導波路に
対し直角に配置された鏡により行われる。従来導波に対
し直角には、分布帰還に基づくブラック反射形格子によ
るか、又は導波に対し４５°だけ傾けられた鏡により出
力される。これに関しては下記の文献を参照されたい。
リオー（Z.L. Liau ）、ウォルポール（J.N.Walpol
e）、ミサギア（L.J. Missaggia）及びムル（D.E. Mull
）の論文「モノリシック集積された二焦点ミクロレン
ズを備えたＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ埋め込みヘテロ構造
表面放射ダイオードレーザ（InGaAsP/InP buried-heter
ostructure surface-emitting diode laserwith monoli
thic integrated bifocal microlens）」アプライド
フィジックスレターズ（Appl. Phys. Lett. ）、第５６
巻、第１２１９〜１２２１ページ（１９９０年）；リオ
ー（Z.L. Liau ）及びウォルポール（J.N. Walpole）の
論文「低いしきい電流及び高効率を有する表面放射Ｇａ
ＩｎＡｓＰ／ＩｎＰレーザ（Surface-emitting GaInAsP
/InP laser with low threshold current and high eff
iciency ）」アプライド フィジックス レターズ（Ap
pl. Phys. Lett. ）、第４６巻、第１１５〜１１７ペー
ジ（１９８５年）；ウォルポール（J.N. Walpole）の論
文「表面放射ダイオードレーザの研究開発（Ｒ＆Ｄ on
Surface-Emitting Diode Lasers ）」レーザ フォーカ
ス／エレクトロオプティックス（LaserF ocus/Electro-
Optics ）、第６６〜７４ページ（１９８７年）：斎藤
（H. Saito）及び野口（Y. Noguchi）の論文「ミクロコ
ーティングされた反射器を備える反射形表面放射１．３
μｍ・ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレーザアレー（Reflecti
on-Type Surface-Emitting 1.3μm InGaAsP/InP Laser
Array with Microcoated Reflector）」日本応用物理学
会誌、第２８巻、第Ｌ１２３９〜Ｌ１２４１ページ（１
９８９年）；三原（M. Mihara ）の論文「新しい表面放
射レーザダイオードの直接的な光ファイバへの結合（Ne
w Surface-Emitting Laser Diode Connectsto Optical
Fiber Directly ）」ＪＥＥ、ハイテクレポート（Hi-Te
ch Report）、第７４〜７７ページ（１９８９年）：ド
ネリイ（J.P. Donnelly）、バイレイ（R.J. Bailey
）、ワン（C.A. Wang ）、シンプソン（G.A. Simpso
n）、ラウシェンバッハ（K. Rauschenbach ）の論文
「二次元表面放射ダイオードレーザアレーへのハイブリ
ッド的取り組み（Hybrid approach to two-dimensional
surface-emitting diodes laser arrays ）」アプライ
ド フィジックス レターズ（Appl. Phys. Lett. ）、
第５３巻、第９３８〜９４０ページ（１９８８年）；伊
賀（K. Iga）、小山（F. Koyama ）及び木下（S. Kinos
hita）の論文「表面放射半導体レーザ（Surface-Emitti
ng Semiconductor Lasers ）」アイトリプルイージャー
ナル（IEEE Journ. ）量子エレクトロニクス編、第ＱＥ
−２４巻、第１８４５〜１８５５ページ（１９８８
年）。
【０００７】これらの公知装置の場合出力はリオー（Z.
L. Liau ）ほかの論文に記載された装置を除いては基板
を貫いては行われない。この例外の場合には基板の体積
はレーザの共振空間に属する。レーザの共振条件はここ
では活性の導波路に直角な鏡と反射性の基板下面とによ
り決定される。レーザ運転を可能にするためにまたその
際光を出力するために、この装置の場合には基板下面の
有効な反射を金属被膜により高めなければならないが、
しかし金属被膜は部分的にしかレンズを越えて延びてい
ない。レンズの中央には金属被膜は丸い孔を有する。組
み込まれたレンズの球形の表面が複数の同心のメサのエ
ッチング及びこれに続く質量移動によるメサ段の面取り
により達成される。
L. Liau ）ほかの論文に記載された装置を除いては基板
を貫いては行われない。この例外の場合には基板の体積
はレーザの共振空間に属する。レーザの共振条件はここ
では活性の導波路に直角な鏡と反射性の基板下面とによ
り決定される。レーザ運転を可能にするためにまたその
際光を出力するために、この装置の場合には基板下面の
有効な反射を金属被膜により高めなければならないが、
しかし金属被膜は部分的にしかレンズを越えて延びてい
ない。レンズの中央には金属被膜は丸い孔を有する。組
み込まれたレンズの球形の表面が複数の同心のメサのエ
ッチング及びこれに続く質量移動によるメサ段の面取り
により達成される。
【０００８】類似の方法により導波路に対し４５°傾け
られた鏡も加工される（リオー（Z.L. Liau ）及びウォ
ルポール（J.N. Walpole）の論文参照）。
られた鏡も加工される（リオー（Z.L. Liau ）及びウォ
ルポール（J.N. Walpole）の論文参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、光
の入出力を行い更に別の光学デバイス又はオプトエレク
トロニクデバイスと共にできる限り融通性のある装置を
実現するオプトエレクトロニクデバイスのための容易に
製造可能な構成を提供することにある。
の入出力を行い更に別の光学デバイス又はオプトエレク
トロニクデバイスと共にできる限り融通性のある装置を
実現するオプトエレクトロニクデバイスのための容易に
製造可能な構成を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題はこの発明に基
づき、基板と、導波路と、この導波路を一つの方向に制
限し、かつ導波路中を導かれる光が基板の導波路に向か
う側の表面に対し垂直に基板中へ反射されるように、導
波路に対し４５°傾けられている平らな鏡と、基板の導
波路と反対側の表面上に組み込まれた平凸レンズとを備
えることを特徴とするオプトエレクトロニクデバイスに
より解決される。この発明の実施態様は請求項２以下に
記載されている。
づき、基板と、導波路と、この導波路を一つの方向に制
限し、かつ導波路中を導かれる光が基板の導波路に向か
う側の表面に対し垂直に基板中へ反射されるように、導
波路に対し４５°傾けられている平らな鏡と、基板の導
波路と反対側の表面上に組み込まれた平凸レンズとを備
えることを特徴とするオプトエレクトロニクデバイスに
より解決される。この発明の実施態様は請求項２以下に
記載されている。
【００１１】
【作用効果】この発明では光は４５°の角度のもとに導
波路層から基板中へ反射される。基板の導波路と反対側
の表面上には基板の材料中に、光を集束する平凸レンズ
が形成される。従ってこの発明に基づく構造ではレンズ
がオプトエレクトロニクデバイスの基板中に組み込ま
れ、それにより製造時の作業工程がプレーナ技術の方向
へ移行される。III −Ｖ族半導体材料は石英に比べて高
い屈折率を有するので、レンズの等しい集束効果を得る
ためには公知の装置の場合より大きい曲率半径で十分で
ある。
波路層から基板中へ反射される。基板の導波路と反対側
の表面上には基板の材料中に、光を集束する平凸レンズ
が形成される。従ってこの発明に基づく構造ではレンズ
がオプトエレクトロニクデバイスの基板中に組み込ま
れ、それにより製造時の作業工程がプレーナ技術の方向
へ移行される。III −Ｖ族半導体材料は石英に比べて高
い屈折率を有するので、レンズの等しい集束効果を得る
ためには公知の装置の場合より大きい曲率半径で十分で
ある。
【００１２】
【実施例】次にこの発明に基づくオプトエレクトロニク
デバイスの複数の実施例を示す図面により、この発明を
詳細に説明する。
デバイスの複数の実施例を示す図面により、この発明を
詳細に説明する。
【００１３】図１には基板１（例えばＩｎＰ）上の導波
路２が示されている。デバイスの表面にはＶ字形溝１２
がエッチングされている。この溝の側面は長手方向に導
波路２を制限し、かつ導波路の端部に長手方向に対し４
５°だけ傾いた鏡３を形成する。基板１の導波路２と反
対側の表面１８上にはレンズ４が基板の構成部分として
形成されている。このレンズ４は基板の外面では凸状の
表面１５により、また基板１の内部では想定上の平らな
境界面１６により形成される。レンズ４の直径６は５μ
ｍないし３５０μｍの間で変更できる。直径に応じて曲
率半径５も変化する。レンズはドライエッチング法（反
応性イオンエッチング又は（反応性）イオンビームエッ
チング）により加工される。レンズの表面すなわち凸状
の表面１５は誘電体の層（例えばＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 ）によりコーティングできる。
路２が示されている。デバイスの表面にはＶ字形溝１２
がエッチングされている。この溝の側面は長手方向に導
波路２を制限し、かつ導波路の端部に長手方向に対し４
５°だけ傾いた鏡３を形成する。基板１の導波路２と反
対側の表面１８上にはレンズ４が基板の構成部分として
形成されている。このレンズ４は基板の外面では凸状の
表面１５により、また基板１の内部では想定上の平らな
境界面１６により形成される。レンズ４の直径６は５μ
ｍないし３５０μｍの間で変更できる。直径に応じて曲
率半径５も変化する。レンズはドライエッチング法（反
応性イオンエッチング又は（反応性）イオンビームエッ
チング）により加工される。レンズの表面すなわち凸状
の表面１５は誘電体の層（例えばＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 ）によりコーティングできる。
【００１４】図２は図１の装置に比べて改善された構成
を示し、この場合にはレンズ４は基板１の導波路２と反
対側の表面１８上の凹所２１の中に配置されている。こ
うしてレンズの表面が基板のこの表面１８の平らな部分
を越えて突出しないことが達成される。更に図２に示さ
れた距離７をこの凹所２１の深さ２２により決定するこ
とができる。鏡３はＶ字形溝１２のエッチングにより加
工される。この溝１２はイオンビームエッチング又はウ
エット化学エッチング又はイオンビームエッチングとこ
れに続くウエット化学エッチングにより加工される。同
様に斜めの入射角の反応性イオンビームエッチングの使
用も可能であり、この場合には必要な入射角を達成する
ために基板１が傾けられる。図２の実施例では溝１２の
幅１３は溝の深さ１４より大きく、深さ自体は１μｍな
いし５μｍである。距離７は２０μｍないし２００μｍ
である。基板１の厚さは２００μｍ以下である。この実
施例では導波路２中に活性領域１１が設けられ、この活
性領域へは図示の電極９、１０を介して電流を供給でき
る。レーザ放射の励起のために分布帰還形格子８が設け
られている。この分布帰還形レーザ中で生じた光は鏡３
を介して基板１を貫き出力される。導波路２にはこの装
置により送られた光を検出する受信器を結合することが
できる。光はこの発明に基づく別の装置中へ入力するこ
とができる。
を示し、この場合にはレンズ４は基板１の導波路２と反
対側の表面１８上の凹所２１の中に配置されている。こ
うしてレンズの表面が基板のこの表面１８の平らな部分
を越えて突出しないことが達成される。更に図２に示さ
れた距離７をこの凹所２１の深さ２２により決定するこ
とができる。鏡３はＶ字形溝１２のエッチングにより加
工される。この溝１２はイオンビームエッチング又はウ
エット化学エッチング又はイオンビームエッチングとこ
れに続くウエット化学エッチングにより加工される。同
様に斜めの入射角の反応性イオンビームエッチングの使
用も可能であり、この場合には必要な入射角を達成する
ために基板１が傾けられる。図２の実施例では溝１２の
幅１３は溝の深さ１４より大きく、深さ自体は１μｍな
いし５μｍである。距離７は２０μｍないし２００μｍ
である。基板１の厚さは２００μｍ以下である。この実
施例では導波路２中に活性領域１１が設けられ、この活
性領域へは図示の電極９、１０を介して電流を供給でき
る。レーザ放射の励起のために分布帰還形格子８が設け
られている。この分布帰還形レーザ中で生じた光は鏡３
を介して基板１を貫き出力される。導波路２にはこの装
置により送られた光を検出する受信器を結合することが
できる。光はこの発明に基づく別の装置中へ入力するこ
とができる。
【００１５】図３には別の実施例が示され、この場合に
はオプトエレクトロニクデバイスが別の支持体（以下で
副基板と呼ぶ）上に配置されている。この副基板２３は
例えばシリコンから成る。副基板２３の表面は平らとす
るか、又は組み込まれた別の平凸レンズを備えることが
できる。このレンズの加工はIII −Ｖ族材料の場合と同
様に行われる。ただ別のエッチングガスを用いなければ
ならない。基板２３中に組み込まれるレンズ２４は、図
３に示すように基板１と反対側に、又は基板１に向かう
側に、又は両側に設けることができる。図３では基板１
は図２のような凹所２１を有する。この凹所の直径３２
はレンズの直径６より約５０μｍ大きい。この凹所２１
中の基板１及び副基板２３の表面は反射防止層１９を備
える。中間室１７は例えば反射低減性材料を充填するこ
とができる。中間室１７は単に空気を含むこともでき
る。レンズ２４を備えた基板１と反対側の基板２３の表
面は同様に反射防止層１９により覆われている。
はオプトエレクトロニクデバイスが別の支持体（以下で
副基板と呼ぶ）上に配置されている。この副基板２３は
例えばシリコンから成る。副基板２３の表面は平らとす
るか、又は組み込まれた別の平凸レンズを備えることが
できる。このレンズの加工はIII −Ｖ族材料の場合と同
様に行われる。ただ別のエッチングガスを用いなければ
ならない。基板２３中に組み込まれるレンズ２４は、図
３に示すように基板１と反対側に、又は基板１に向かう
側に、又は両側に設けることができる。図３では基板１
は図２のような凹所２１を有する。この凹所の直径３２
はレンズの直径６より約５０μｍ大きい。この凹所２１
中の基板１及び副基板２３の表面は反射防止層１９を備
える。中間室１７は例えば反射低減性材料を充填するこ
とができる。中間室１７は単に空気を含むこともでき
る。レンズ２４を備えた基板１と反対側の基板２３の表
面は同様に反射防止層１９により覆われている。
【００１６】シリコンから成る基板２３中には図４に示
すように光ファイバ２８をはめ込むことができ、光ファ
イバの端面は光ビーム方向に対し丁度直角とするか又は
傾けることができる。図４には副基板２３の凹所２５中
のレンズ２４が示されている。この凹所２５の深さ２６
は、基板１中にレンズ４を設けまた副基板２３中にレン
ズ２４を設けるために十分に大きく寸法を選択されてい
る。基板１の成長面上には誘電体の保護層２０が設けら
れている。レンズ４、２４は反射防止層１９を備える。
副基板２３の基板１と反対側には光ファイバ２８を収容
するための空所が設けられている。この空所はファイバ
のための結合域２７を形成し同様に反射防止層１９によ
り覆われている。ファイバはファイバクラッド２９及び
ファイバコア３０から成り、コア３０は基板１から出射
する光の光路の延長線上に配置されている。この光ファ
イバの端面３１は光ビーム方向に対し丁度直角とするか
又は傾けることができる。この光ファイバの端面に対し
てテーパ形の形状もまた可能である。すなわち端面はレ
ンズ状に膨らむか又は円錐形に尖るようにすることもで
きる。
すように光ファイバ２８をはめ込むことができ、光ファ
イバの端面は光ビーム方向に対し丁度直角とするか又は
傾けることができる。図４には副基板２３の凹所２５中
のレンズ２４が示されている。この凹所２５の深さ２６
は、基板１中にレンズ４を設けまた副基板２３中にレン
ズ２４を設けるために十分に大きく寸法を選択されてい
る。基板１の成長面上には誘電体の保護層２０が設けら
れている。レンズ４、２４は反射防止層１９を備える。
副基板２３の基板１と反対側には光ファイバ２８を収容
するための空所が設けられている。この空所はファイバ
のための結合域２７を形成し同様に反射防止層１９によ
り覆われている。ファイバはファイバクラッド２９及び
ファイバコア３０から成り、コア３０は基板１から出射
する光の光路の延長線上に配置されている。この光ファ
イバの端面３１は光ビーム方向に対し丁度直角とするか
又は傾けることができる。この光ファイバの端面に対し
てテーパ形の形状もまた可能である。すなわち端面はレ
ンズ状に膨らむか又は円錐形に尖るようにすることもで
きる。
【００１７】再現可能なエッチング技術により、鏡３、
基板１中のレンズ４及び光ファイバ２８の正確な幾何学
的すなわち特に光学的な整合が、場合によっては副基板
２３中に組み込まれた別のレンズ２４を介して可能であ
る。多重に一つのウェーハ上に配置されたこの発明に基
づく同一のデバイスに対して製造の際に一つの調節工程
で十分である。続いてデバイスを個々に分割することも
できる。
基板１中のレンズ４及び光ファイバ２８の正確な幾何学
的すなわち特に光学的な整合が、場合によっては副基板
２３中に組み込まれた別のレンズ２４を介して可能であ
る。多重に一つのウェーハ上に配置されたこの発明に基
づく同一のデバイスに対して製造の際に一つの調節工程
で十分である。続いてデバイスを個々に分割することも
できる。
【００１８】オプトエレクトロニクデバイスのこの発明
に基づく構成は特に下記の長所を有する。すなわち分布
帰還形格子又はブラッグ反射形格子を用いることができ
る。従って導波路の共振器を画成するファブリペロー形
の鏡を必要としない。４５°の光の反射をもたらす鏡３
の別個の鏡面化も必要でない。唯一の条件は導波路のこ
の端面で全反射が４５°以下で行われるということであ
る。ウエットエッチングによる鏡３の加工は容易に実施
可能であり非常に平滑な面を作り出すので、遠視野特性
の劣化が生じない。このオプトエレクトロニクデバイス
はシリコンから成る支持体上に構成することができ、そ
れにより色消しレンズ系を用いるという可能性が開かれ
る。ドライエッチングによるプレーナ技術での組み込み
凸レンズの加工は再現可能に実施され、問題の無い方法
である。更にレンズを基板の凹所中に沈め従って保護す
ることも可能である。
に基づく構成は特に下記の長所を有する。すなわち分布
帰還形格子又はブラッグ反射形格子を用いることができ
る。従って導波路の共振器を画成するファブリペロー形
の鏡を必要としない。４５°の光の反射をもたらす鏡３
の別個の鏡面化も必要でない。唯一の条件は導波路のこ
の端面で全反射が４５°以下で行われるということであ
る。ウエットエッチングによる鏡３の加工は容易に実施
可能であり非常に平滑な面を作り出すので、遠視野特性
の劣化が生じない。このオプトエレクトロニクデバイス
はシリコンから成る支持体上に構成することができ、そ
れにより色消しレンズ系を用いるという可能性が開かれ
る。ドライエッチングによるプレーナ技術での組み込み
凸レンズの加工は再現可能に実施され、問題の無い方法
である。更にレンズを基板の凹所中に沈め従って保護す
ることも可能である。
【図１】この発明に基づくオプトエレクトロニクデバイ
スの一実施例の長手方向断面図である。
スの一実施例の長手方向断面図である。
【図２】デバイスの異なる実施例の長手方向断面図であ
る。
る。
【図３】デバイスの異なる実施例の長手方向断面図であ
る。
る。
【図４】デバイスの異なる実施例の長手方向断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 導波路 ３ 鏡 ４、２４ レンズ ８ 分布帰還形格子 ９、１０ 電極 １１ 活性領域 １８ 表面 ２１、２５ 凹所 ２２ 深さ ２３ 副基板 ２７ 結合域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルハルト フランツ ドイツ連邦共和国 8000 ミユンヘン 90 ウイルヘルム‐クーネルト‐シユトラー セ ２ (72)発明者 ヨツヒエン ハイネン ドイツ連邦共和国 8013 ハール デイア ナシユトラーセ 38
Claims (11)
- 【請求項１】 基板（１）と、導波路（２）と、この導
波路（２）を一つの方向に制限し、かつ導波路（２）中
を導かれる光が基板（１）の導波路（２）に向かう側の
表面に対し垂直に基板（１）中へ反射されるように、導
波路（２）に対し４５°傾けられている平らな鏡（３）
と、基板（１）の導波路（２）と反対側の表面（１８）
上に組み込まれた平凸レンズ（４）とを備えることを特
徴とするオプトエレクトロニクデバイス。 - 【請求項２】 レンズ（４）が基板（１）の導波路
（２）と反対側の表面（１８）上の凹所（２１）の中に
設けられ、この凹所（２１）の深さ（２２）が少なくと
もレンズ（４）の厚さに等しいことを特徴とする請求項
１記載のデバイス。 - 【請求項３】 基板（１）がレンズ（４）を有する表面
（１８）により副基板（２３）上に取り付けられている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のデバイス。 - 【請求項４】 基板（１）がIII −Ｖ族の材料であり、
副基板（２３）がシリコンであることを特徴とする請求
項３記載のデバイス。 - 【請求項５】 副基板（２３）の基板（１）に向かう側
の表面上にレンズ（２４）が組み込まれていることを特
徴とする請求項３又は４記載のデバイス。 - 【請求項６】 副基板（２３）の基板（１）に向かう側
の表面がレンズ（４、２４）の範囲に凹所（２５）を有
することを特徴とする請求項３ないし５の一つに記載の
デバイス。 - 【請求項７】 副基板（２３）の基板（１）と反対側の
表面上に光ファイバの接続のための結合域（２７）が設
けられていることを特徴とする請求項３ないし６の一つ
に記載のデバイス。 - 【請求項８】 導波路（２）中にレーザ光発生のための
活性領域（１１）及び給電のための電極（９、１０）が
設けられていることを特徴とする請求項１ないし７の一
つに記載のデバイス。 - 【請求項９】 活性領域（１１）が分布帰還形格子
（８）を有することを特徴とする請求項８記載のデバイ
ス。 - 【請求項１０】 活性領域（１１）がブラッグ反射形格
子を備えることを特徴とする請求項８記載のデバイス。 - 【請求項１１】 共通の一つのチップ上に複数のデバイ
スが設けられることを特徴とする請求項１ないし１０の
一つに記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4103930 | 1991-02-08 | ||
| DE4103930.0 | 1991-02-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588029A true JPH0588029A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=6424704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4056181A Withdrawn JPH0588029A (ja) | 1991-02-08 | 1992-02-05 | オプトエレクトロニクデバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5195150A (ja) |
| EP (2) | EP0498169B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0588029A (ja) |
| DE (1) | DE59204710D1 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000039530A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Sony Corp | 光信号伝送システムおよびその製造方法 |
| JP2001166167A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層及びその製造方法並びに光・電気配線基板及びその製造法並びに実装基板 |
| JP2001174657A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層、光・電気配線基板及び実装基板 |
| JP2004109425A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
| JP2007005594A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及びそれを用いたモジュール |
| US7359594B2 (en) | 2003-09-17 | 2008-04-15 | Fujitsu Limited | Optical waveguide structure and optical module |
| JP2008277445A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザおよび光モジュール |
| JP2009135528A (ja) * | 2009-03-13 | 2009-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
| JP2009265676A (ja) * | 2008-04-26 | 2009-11-12 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 光配線構造物およびその製造方法 |
| JP2009267037A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2010251649A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hitachi Ltd | 面出射型レーザモジュールおよび面受光型モジュール |
| JP2012074453A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光素子搭載基板 |
| JP2013070105A (ja) * | 2013-01-22 | 2013-04-18 | Japan Oclaro Inc | 半導体光素子 |
| JP2016189437A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4313493A1 (de) * | 1992-11-25 | 1994-05-26 | Ant Nachrichtentech | Anordnung zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters an ein lichtaussendendes oder -empfangendes Element |
| DE4436204C1 (de) * | 1994-09-29 | 1996-03-21 | Siemens Ag | Optische Kopplungsanordnung |
| US5911022A (en) * | 1994-09-29 | 1999-06-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical coupling arrangement |
| US5790730A (en) * | 1994-11-10 | 1998-08-04 | Kravitz; Stanley H. | Package for integrated optic circuit and method |
| DE19510559C1 (de) * | 1995-03-23 | 1996-07-25 | Bosch Gmbh Robert | Optische Sende- und Empfangsanordnung |
| DE19519059A1 (de) * | 1995-05-24 | 1996-11-28 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur Ankopplung eines Lasers |
| GB2307786B (en) * | 1996-05-16 | 1997-10-15 | Bookham Technology Ltd | Assembly of an optical component and an optical waveguide |
| DE19718949A1 (de) * | 1997-05-05 | 1998-11-12 | Bosch Gmbh Robert | Elektrooptisches Modul |
| US6981804B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-01-03 | Arrayed Fiberoptics Corporation | Vertically integrated optical devices coupled to optical fibers |
| US6328482B1 (en) | 1998-06-08 | 2001-12-11 | Benjamin Bin Jian | Multilayer optical fiber coupler |
| US6847491B1 (en) * | 1999-09-27 | 2005-01-25 | Arrayed Fiberoptics Corporation | Hybrid microlens array |
| US6999491B2 (en) * | 1999-10-15 | 2006-02-14 | Jmar Research, Inc. | High intensity and high power solid state laser amplifying system and method |
| DE10004411A1 (de) * | 2000-02-02 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptisches Sende-/Empfangsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR100395492B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-08-25 | 한국전자통신연구원 | 레이저 소자 |
| JP2002258081A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Fujitsu Ltd | 光配線基板、光配線基板の製造方法及び多層光配線 |
| US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
| WO2003012512A1 (en) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Nanyang Technological University | High density fibre coupling |
| US6787868B1 (en) | 2001-09-25 | 2004-09-07 | Lightwave Microsystems Corporation | Microlenses for integrated optical devices |
| JP2003241005A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光モジュール |
| US20040021214A1 (en) * | 2002-04-16 | 2004-02-05 | Avner Badehi | Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof |
| EP1502135A2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-02-02 | Xloom Photonics Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
| ATE306679T1 (de) * | 2002-12-03 | 2005-10-15 | Cit Alcatel | Dünnschichtfilter auf der endfläche eines glasfasersegments, herstellungsverfahren und integrierte optische vorrichtung |
| US6898347B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-05-24 | Intel Corporation | Monitoring power in optical networks |
| US7324723B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-01-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide having specular surface formed by laser beam machining |
| US7538358B2 (en) | 2003-10-15 | 2009-05-26 | Xloom Communications, Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
| US7251393B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-07-31 | Lockheed Martin Corporation | Optical router |
| US7308167B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-12-11 | Agilent Technologies, Inc. | Optical assembly with optoelectronic device alignment |
| US7085449B2 (en) * | 2004-09-03 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Waveguide coupling mechanism |
| US20060071149A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Microlens structure for opto-electric semiconductor device, and method of manufacture |
| US7389013B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-06-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and system for vertical optical coupling on semiconductor substrate |
| CN101147088B (zh) * | 2005-02-16 | 2011-08-17 | 应用材料股份有限公司 | 光学耦合至ic芯片 |
| KR100818622B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | 광 인쇄회로기판 및 그 제작방법 |
| US20090093137A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Xloom Communications, (Israel) Ltd. | Optical communications module |
| US8515217B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-08-20 | Alcatel Lucent | Vertical optically emitting photonic devices with electronic steering capability |
| US8488921B2 (en) * | 2010-07-16 | 2013-07-16 | International Business Machines Corporation | Packaged multicore fiber optical transceiver module |
| US8901576B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Silicon photonics wafer using standard silicon-on-insulator processes through substrate removal or transfer |
| US9285554B2 (en) | 2012-02-10 | 2016-03-15 | International Business Machines Corporation | Through-substrate optical coupling to photonics chips |
| US8934745B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for use in optoelectronics having a sandwiched lens |
| JP6871672B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2021-05-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 光デバイス |
| US10146009B2 (en) | 2013-07-04 | 2018-12-04 | Mellanox Technologies, Ltd. | Silicon photonics connector |
| EP3345029A1 (en) * | 2015-09-04 | 2018-07-11 | CCS Technology, Inc. | Fiber coupling device for coupling of at last one optical fiber |
| KR20190009515A (ko) * | 2017-07-19 | 2019-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
| US11262605B2 (en) * | 2017-08-31 | 2022-03-01 | Lightwave Logic Inc. | Active region-less polymer modulator integrated on a common PIC platform and method |
| US11360269B2 (en) * | 2019-03-04 | 2022-06-14 | Lumentum Operations Llc | High-power all fiber telescope |
| WO2021090066A1 (en) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | Rockley Photonics Limited | Optoelectronic device and method of manufacture thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3967877A (en) * | 1974-07-16 | 1976-07-06 | International Business Machines (Ibm) | Coupler for coupling optical energy transmitted by optical fiber to optical waveguide and method of manufacture |
| US4163953A (en) * | 1977-07-07 | 1979-08-07 | Northern Telecom Limited | Double heterostructure laser for direct coupling to an optical fiber |
| EP0164834B1 (en) * | 1984-04-06 | 1989-03-01 | Plessey Overseas Limited | Improvements relating to the fabrication of optical devices |
| DE3413704A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-24 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Optischer leistungsteiler |
| JPH0786578B2 (ja) * | 1988-06-06 | 1995-09-20 | 日本電信電話株式会社 | 光結合回路 |
| DE3914835C1 (ja) * | 1989-05-05 | 1990-07-26 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De |
-
1992
- 1992-01-14 DE DE59204710T patent/DE59204710D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 EP EP92100524A patent/EP0498169B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-14 EP EP95103073A patent/EP0658784A3/de not_active Withdrawn
- 1992-01-27 US US07/826,433 patent/US5195150A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-05 JP JP4056181A patent/JPH0588029A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000039530A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Sony Corp | 光信号伝送システムおよびその製造方法 |
| JP2001166167A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層及びその製造方法並びに光・電気配線基板及びその製造法並びに実装基板 |
| JP4677651B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2011-04-27 | 凸版印刷株式会社 | 光配線層の製造方法、及び光・電気配線基板とその製造法、並びに実装基板 |
| JP2001174657A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層、光・電気配線基板及び実装基板 |
| JP2004109425A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
| US7359594B2 (en) | 2003-09-17 | 2008-04-15 | Fujitsu Limited | Optical waveguide structure and optical module |
| JP2007005594A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及びそれを用いたモジュール |
| JP2008277445A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザおよび光モジュール |
| JP2009267037A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2009265676A (ja) * | 2008-04-26 | 2009-11-12 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 光配線構造物およびその製造方法 |
| US8340483B2 (en) | 2008-04-26 | 2012-12-25 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Optical interconnection structure and method for manufacturing the same |
| JP2009135528A (ja) * | 2009-03-13 | 2009-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
| JP2010251649A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hitachi Ltd | 面出射型レーザモジュールおよび面受光型モジュール |
| US8755423B2 (en) | 2009-04-20 | 2014-06-17 | Hitachi, Ltd. | Surface emitting laser module and vertical illuminated photodiode module |
| JP2012074453A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光素子搭載基板 |
| JP2013070105A (ja) * | 2013-01-22 | 2013-04-18 | Japan Oclaro Inc | 半導体光素子 |
| JP2016189437A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59204710D1 (de) | 1996-02-01 |
| EP0658784A3 (de) | 1995-08-23 |
| EP0498169A1 (de) | 1992-08-12 |
| EP0498169B1 (de) | 1995-12-20 |
| EP0658784A2 (de) | 1995-06-21 |
| US5195150A (en) | 1993-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0588029A (ja) | オプトエレクトロニクデバイス | |
| US10181694B2 (en) | Optical module | |
| US8611716B2 (en) | Channeled substrates for integrated optical devices employing optical fibers | |
| US7245645B2 (en) | Surface emitting and receiving photonic device with lens | |
| KR20050033875A (ko) | 면발광 레이저, 면발광 레이저의 제조 방법, 및 광전송모듈 | |
| US20020003824A1 (en) | Surface-emitting laser devices with integrated beam-shaping optics and power-monitoring detectors | |
| US5253263A (en) | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors | |
| JP3884155B2 (ja) | 面型光デバイス、光結合用コネクタ、光ファイバとの光結合方法、光デバイスアレー | |
| US6273620B1 (en) | Semiconductor light emitting module | |
| JP2000208871A (ja) | 導波路型光素子，導波路型光素子の製造方法，光モジュ―ル，及び光モジュ―ルの製造方法 | |
| KR100413708B1 (ko) | 광자리사이클링을지닌마이크로공동발광다이오드 | |
| JPH06196814A (ja) | 面発光素子 | |
| JP2001028456A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6944386B2 (en) | Optical devices | |
| US20060139743A1 (en) | Semiconductor optical device with beam focusing | |
| JP2002374039A (ja) | 光送受信システムおよび光通信システム | |
| JPH054835B2 (ja) | ||
| US6865207B1 (en) | Semiconductor laser device withspot-size converter and method for fabricating the same | |
| JP3302839B2 (ja) | 光通信用ユニット | |
| JP2002289978A (ja) | 発光装置 | |
| US20230275396A1 (en) | Back-pumped semiconductor membrane laser | |
| US8432609B2 (en) | Photo-pumped semiconductor optical amplifier | |
| JP2000277850A (ja) | 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、及びその作製方法 | |
| KR100212460B1 (ko) | 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조방법 | |
| JP2023146319A (ja) | レーザモジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |