JPH0582615A - 半導体装置のバーンインテスト装置 - Google Patents

半導体装置のバーンインテスト装置

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Publication number
JPH0582615A
JPH0582615A JP3240698A JP24069891A JPH0582615A JP H0582615 A JPH0582615 A JP H0582615A JP 3240698 A JP3240698 A JP 3240698A JP 24069891 A JP24069891 A JP 24069891A JP H0582615 A JPH0582615 A JP H0582615A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lsi
burn
lsis
test
dynamic
Prior art date
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Pending
Application number
JP3240698A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Sano
祐一 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP3240698A priority Critical patent/JPH0582615A/ja
Publication of JPH0582615A publication Critical patent/JPH0582615A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ダイナミックBTを行なうBT板上に、BT中
にLSIが異常動作を行なった事を確認するための装置
を取り付け、BT中のLSIの異常を検出するBT装置
をより簡便に提供することにある。 【構成】LSI102,LSI103は、内蔵するメモ
リに格納したBT用プログラムによりダイナミックBT
を実行する。BT板101上には、LSI102,10
3から出力される信号112,113を入力とする記憶
手段104,105と、記憶手段104,105の内容
を表示する表示装置106,107を設ける。BT中に
LSIが異常動作した時、LSIの出力信号112又は
113は内部メモリに格納するBT用プログラムにより
LOW→HIGHに変化し記憶手段104又は105は
HIGHを記憶して、表示装置106,107に表示す
る事により、LSIの異常動作を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置(以下,L
SIとする)のバーンインテスト(以下BTとする)装
置にかかり、特にダイナミックBTを行なうBT装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイナミックBT装置に装着する
BT板は、図4に示す様に、BT板401に装置するL
SI102,103と、LSI102,103に電源電
圧を供給するための電源電圧供給線111と、LSI1
02,103にクロック信号を供給するクロック信号線
109と、LSI102,103にリセット信号を供給
するリセット信号線108を含んで構成される。
【0003】次に、図4を用いて、ダイナミックBT装
置の動作について説明する。まず、電源電圧供給線11
0より電源電圧が、接地レベル供給線111より、接地
レベルが、LSI102,103に供給される。
【0004】次に、クロック信号線109よりクロック
信号がLSI102,103に入力され、リセット信号
線108よりリセット信号が入力されると、LSI10
2,103は内部のメモリに格納されたBT用のプログ
ラムが起動し、そのプログラムを使用してダイナミック
BTを行なっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来のダイナミッ
クBT装置では、ダイナミックBT実行中に、LSIの
動作確認を外部で行なう事ができないため、正常にダイ
ナミックBTが実行されていない場合であっても、確認
する事ができないという問題点があった。
【0006】また、外部にLSIテスタを装備する事に
より、ダイナミックBT中のLSIの動作確認は行なう
事ができるが、BTを行なう設備が高価になり大型化す
るという問題点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のダイナミックB
T装置は、BT炉と、BT炉に電源電圧を供給する定電
圧源と、BT炉に第1,第2の信号を供給する信号供給
手段と、BT板装着端子に装着するBT板と含んで構成
され、BT板上に装着する複数のLSIの出力信号を入
力とする記憶手段と、記憶手段の出力により制御される
表示装置を備えている。
【0008】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て説明しながら説明する。
【0009】図1は、本発明の一実施例のBT板図、図
2は図1に示した記憶手段の構成図、図3は図1に示し
たBT板を装着するBT装置の構成図である。
【0010】図1〜図3に示す本発明の実施例のBT装
置は、BT炉301と、BT炉301に電源電圧を供給
する定電圧源302と、クロック信号,リセット信号を
供給する信号発生源303,304と、BT炉内のBT
板装着端子に装着するとBT板101で構成される。
【0011】また、BT板101は、BT板101に装
着するLSI102,103と、LSI102,103
に電源電圧を供給する電源供給線110と、LSI10
2,103に接地レベルを供給する接地供給線111
と、LSI102,103にクロック信号を供給するク
ロック信号線109と、LSI102,103にリセッ
ト信号を供給するリセット信号線108と、LSI10
2,103と配線112,113により接続され、LS
I102,103の出力信号を入力とする記憶手段10
4,105と、記憶手段104,105と配線114,
115で接続され、記憶手段104,105の出力によ
り制御されるLED106,107を含んで構成してい
る。
【0012】次に本発明の実施例のダイナミックBT装
置の動作について説明する。
【0013】LSI102,103に対し、電源電圧が
電源供給線110より供給され、接地レベルが接地線1
11より供給される。次にLSI102,103にクロ
ック信号がクロック信号線109より供給され、リセッ
ト信号がリセット信号供給線108より供給され、LS
I102,103はメモリに格納したBT用プログラム
を実行し、ダイナミックBTを行なう。今、LSI内に
内蔵するメモリに格納するBT用プログラムは、LSI
の出力端子に対し、正常動作している場合はLOW,異
常動作している場合はHIGHとなる値を出力するよう
になっている。
【0014】図2に示す様に、記憶手段104は、2入
力NORゲート201,202と、201の入力信号1
11(今は接地レベルとする)と、202の入力信号1
12と、201の出力信号114で構成されている。L
SI102,103が正常動作の場合は、LSI10
2,103の出力がLOWで2入力NOR201の出力
はLOWとなり、この出力信号に接続するLEDは点燈
しない。もしLSI102,103が異常動作した場合
は、LSI102,103の出力がHIGHとなり、こ
の値が記憶手段にとり込まれて、記憶され2入力NOR
201の出力はHIGHとなり、この出力信号に接続す
るLEDを点燈させる。尚、電源投入時の記憶手段には
LOWが記憶されているものとする。
【0015】また、ダイナミックBT実行中に、LSI
102,103がリセットされたとしても、LSIが異
常動作を行なった事は記憶手段104,105に保持さ
れ続け、消去されないので、BT試験終了時に異常動作
を行なったLSIを判別できる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、BT板上
にLSIの出力信号を入力とし、LSIの異常動作を記
憶する記憶手段と、記憶手段の出力により制御される表
示装置を有するので、外部にLSIテスタを装備せず
に、LSIの正常動作が確認でき、BT装置が安価なも
ので構成できるという効果がある。
【0017】尚、本実施例では記憶手段としてフリップ
フロップを使用し、表示装置としてLEDを使用した
が、同じ機能を有する装置であればかまわない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のBT板の構成図。
【図2】図2は図1に示した記憶手段の構成図。
【図3】図3は図1に示したBT板を装着するBT装置
の構成図。
【図4】従来技術のBT板の構成図。
【符号の説明】
101,401 BT板 102,103 BTを行なうLSI 104,105 記憶手段 106,107 LED 108,109,110,111,112,113,1
14,115 配線 201,202 2入力NORゲート 301 BT装置 302 定電圧源 303,304 信号発生器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バーンインテスト炉と、前記バーンイン
    テスト炉に電源電圧を供給する定電圧源と、前記バーン
    インテスト炉に第1,第2の信号を供給する信号供給手
    段と、バーンインテスト板装着端子に装着するバーンイ
    ンテスト板とを含んで構成され、前記バーンインテスト
    板上に装着する半導体装置の出力信号を入力とする記憶
    手段と、前記記憶手段の出力により制御される表示装置
    とを有し、前記半導体装置に前記第1,第2の信号と電
    源電圧を供給する事を特徴とする半導体装置のバーンイ
    ンテスト装置。
JP3240698A 1991-09-20 1991-09-20 半導体装置のバーンインテスト装置 Pending JPH0582615A (ja)

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JPH0582615A true JPH0582615A (ja) 1993-04-02

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