JPH0582064U - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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- JPH0582064U JPH0582064U JP031162U JP3116292U JPH0582064U JP H0582064 U JPH0582064 U JP H0582064U JP 031162 U JP031162 U JP 031162U JP 3116292 U JP3116292 U JP 3116292U JP H0582064 U JPH0582064 U JP H0582064U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁基板のビアホールに形成する充填電極の
脱落を防止する。 【構成】 絶縁基板1に設けるビアホール2の板厚方向
にネック部2Aを形成する。充填電極3はこのネック部
2Aによって支えられるので、ビアホール2から脱落す
ることはなくなる。
脱落を防止する。 【構成】 絶縁基板1に設けるビアホール2の板厚方向
にネック部2Aを形成する。充填電極3はこのネック部
2Aによって支えられるので、ビアホール2から脱落す
ることはなくなる。
Description
【0001】
本考案は、絶縁基板のビアホールに形成した充填電極を介して磁電変換部と外 部リードとを導通する磁電変換素子に関する。
【0002】
磁電変換素子として、図5に示すように、絶縁基板1の一方の面に磁電変換部 及び引き回し電極4を形成すると共に、その他方の面に導電部5に半田7を介し て接続するように外部リード6を形成し、絶縁基板1に設けたビアホール2に充 填電極3を形成して、この充填電極3を介して磁電変換部及び引き回し電極4と 外部リード6とを導通するようにした構造が知られている。図6は図1の斜視図 である。
【0003】 このように絶縁基板1の一方の面に形成した磁電変換部をその他方の面に引き 出して磁電変換素子を組み立てることにより、磁電変換素子を磁気ドラム等の被 検出体に対向配置させる場合、磁電変換部を近接させるように配置できるので高 精度の検出動作が可能となる。また、ビアホール2には充填電極3を形成したの で、対湿対策としての保護膜は表裏の2面だけで済むし、ウエハープロセスにお いて、真空吸着系の装置が使用できるので自由度がアップする。
【0004】
ところで従来の磁電変換素子では、充填電極3を形成するビアホール2が板厚 方向に均一な形状となっているので、充填電極3が脱落するおそれがあるという 問題がある。
【0005】 充填電極3の形成は予め絶縁基板1にビアホール2を設けた後、このビアホー ル2に導電性ペーストを充填、焼成することによって、あるいは導電性フリット を圧縮充填、焼結することによって行なわれるが、導電ペーストの場合はバイン ダーであるガラスの量が多いと、メルティング時の表面張力によって収縮が大き くなるので、絶縁基板1との間に隙間が発生するようになる。このためガラス量 を抑えると絶縁基板1との密着性が悪くなる。導電性フリットのような焼結タイ プの場合も同様な傾向にある。従ってビアホール2から充填電極3が脱落し易く なる。
【0006】 本考案は以上のような問題に対処してなされたもので、ビアホールから充填電 極の脱落を防止するようにした磁電変換素子を提供することを目的とするもので ある。
【0007】
上記目的を達成するために本考案は、絶縁基板の一方の面及び他方の面にそれ ぞれ形成した磁電変換部及び外部リードとを、絶縁基板のビアホールに形成した 充填電極を介して導通する磁電変換素子において、前記ビアホールの板厚方向に ネック部を形成したことを特徴とするものである。
【0008】
絶縁基板に設けるビアホールにその板厚方向にネック部を形成するようにした ので、充填電極はこのネック部によって支えられるためビアホールから脱落する のは防止される。
【0009】
以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。 図1は本考案の磁電変換素子の実施例を示す断面図で、1は絶縁基板で例えば 各種ガラス、結晶化ガラス(リチウムケイ酸系、コディエライト系等)やアルミ ナ等を主成分とするセラミックから成っている。2は絶縁基板1の上下面を貫通 するように形成されたビアホールで、このビアホール2内には貫通電極3が形成 されている。貫通電極3は導電性ペーストを充填、焼成することによって、ある いは導電性フリットを圧縮充填、焼結することによって行なわれる。図2は図1 の斜視図を示している。
【0010】 ここでビアホール2の形状は板厚方向に沿って異なるように形成され、上端部 及び下端部よりも中央部が小さくなるように形成され、これによって中央部には ネック部2Aが形成されている。4は絶縁基板1の上面に充填電極3に導通する ように形成された磁電変換部及び引き回し電極、5は絶縁基板1の下面に充填電 極3に導通するように形成された導電部、6はこの導電部5に半田7を介して半 田付けされた外部リードである。
【0011】 ビアホール2の加工はガラスを用いた場合はエッチングによって行ない、グリ ーンシートタイプのセラミックの場合はプレスによって行なう。また感光性ガラ スを用いた場合はフォトリソグラフィー技術によって複雑な形状の穴の加工が可 能である。なお、グリーンシートタイプのセラミックの場合は表面精度が悪いた めグレーズ等の表面処理が必要になる。
【0012】 このような本実施例によれば、絶縁基板1のビアホール2の板厚方向にネック 部2Aを形成するようにしたので、ビアホール2は板厚方向に均一な形状になっ ていないため、充填電極3のビアホール2からの脱落を防止することができる。 すなわち、充填電極3はネック部2Aによって支えられるためビアホール2から 抜けることはない。
【0013】 図3及び図4は本考案の他の実施例を示すもので、ビアホール2の形状を板厚 方向に沿って湾曲するように形成することにより、その中央部の径を小さくして ネック部2Bを形成した例を示すものである。このような本実施例によってもビ アホール2は板厚方向に均一な形状になっていないため、充填電極3のビアホー ル2からの脱落を防止することができる。
【0014】 ビアホール2に形成するネック部の形状は本文の各実施例に示したものに限ら ず、充填電極3の脱落を防止するような形状になっていれば任意の形状を選ぶこ とができる。また、絶縁基板1の上面に形成する磁電変換部及び引き回し電極4 は、磁電変換部と引き回し電極を別々な材料で形成するようにしてもよい。
【0015】
以上述べたように本考案によれば、絶縁基板に設けるビアホールにその板厚方 向にネック部を形成するようにしたので、ビアホールから充填電極の脱落を防止 することができる。
【図1】本考案の磁電変換素子の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図2】本実施例を示す斜視図である。
【図3】本考案の他の実施例を示す断面図である。
【図4】他の実施例を示す斜視図である。
【図5】従来の磁電変換素子を示す断面図である。
【図6】従来の磁電変換素子を示す斜視図である。
1 絶縁基板 2 ビアホール 2A,2B ネック部 3 充填電極 4 磁電変換部及び引き回し電極 6 外部リード
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁基板の一方の面及び他方の面にそれ
ぞれ形成した磁電変換部及び外部リードとを、絶縁基板
のビアホールに形成した充填電極を介して導通する磁電
変換素子において、前記ビアホールの板厚方向にネック
部を形成したことを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP031162U JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP031162U JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582064U true JPH0582064U (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=12323750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP031162U Pending JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0582064U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02297085A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JPH0391291A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Toshiba Corp | 配線基板 |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP031162U patent/JPH0582064U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02297085A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JPH0391291A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Toshiba Corp | 配線基板 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980113 |