JPH0582064U - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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- JPH0582064U JPH0582064U JP031162U JP3116292U JPH0582064U JP H0582064 U JPH0582064 U JP H0582064U JP 031162 U JP031162 U JP 031162U JP 3116292 U JP3116292 U JP 3116292U JP H0582064 U JPH0582064 U JP H0582064U
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁基板のビアホールに形成する充填電極の
脱落を防止する。 【構成】 絶縁基板１に設けるビアホール２の板厚方向
にネック部２Ａを形成する。充填電極３はこのネック部
２Ａによって支えられるので、ビアホール２から脱落す
ることはなくなる。
脱落を防止する。 【構成】 絶縁基板１に設けるビアホール２の板厚方向
にネック部２Ａを形成する。充填電極３はこのネック部
２Ａによって支えられるので、ビアホール２から脱落す
ることはなくなる。
Description
【０００１】
本考案は、絶縁基板のビアホールに形成した充填電極を介して磁電変換部と外 部リードとを導通する磁電変換素子に関する。
【０００２】
磁電変換素子として、図５に示すように、絶縁基板１の一方の面に磁電変換部 及び引き回し電極４を形成すると共に、その他方の面に導電部５に半田７を介し て接続するように外部リード６を形成し、絶縁基板１に設けたビアホール２に充 填電極３を形成して、この充填電極３を介して磁電変換部及び引き回し電極４と 外部リード６とを導通するようにした構造が知られている。図６は図１の斜視図 である。
【０００３】 このように絶縁基板１の一方の面に形成した磁電変換部をその他方の面に引き 出して磁電変換素子を組み立てることにより、磁電変換素子を磁気ドラム等の被 検出体に対向配置させる場合、磁電変換部を近接させるように配置できるので高 精度の検出動作が可能となる。また、ビアホール２には充填電極３を形成したの で、対湿対策としての保護膜は表裏の２面だけで済むし、ウエハープロセスにお いて、真空吸着系の装置が使用できるので自由度がアップする。
【０００４】
ところで従来の磁電変換素子では、充填電極３を形成するビアホール２が板厚 方向に均一な形状となっているので、充填電極３が脱落するおそれがあるという 問題がある。
【０００５】 充填電極３の形成は予め絶縁基板１にビアホール２を設けた後、このビアホー ル２に導電性ペーストを充填、焼成することによって、あるいは導電性フリット を圧縮充填、焼結することによって行なわれるが、導電ペーストの場合はバイン ダーであるガラスの量が多いと、メルティング時の表面張力によって収縮が大き くなるので、絶縁基板１との間に隙間が発生するようになる。このためガラス量 を抑えると絶縁基板１との密着性が悪くなる。導電性フリットのような焼結タイ プの場合も同様な傾向にある。従ってビアホール２から充填電極３が脱落し易く なる。
【０００６】 本考案は以上のような問題に対処してなされたもので、ビアホールから充填電 極の脱落を防止するようにした磁電変換素子を提供することを目的とするもので ある。
【０００７】
上記目的を達成するために本考案は、絶縁基板の一方の面及び他方の面にそれ ぞれ形成した磁電変換部及び外部リードとを、絶縁基板のビアホールに形成した 充填電極を介して導通する磁電変換素子において、前記ビアホールの板厚方向に ネック部を形成したことを特徴とするものである。
【０００８】
絶縁基板に設けるビアホールにその板厚方向にネック部を形成するようにした ので、充填電極はこのネック部によって支えられるためビアホールから脱落する のは防止される。
【０００９】
以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。 図１は本考案の磁電変換素子の実施例を示す断面図で、１は絶縁基板で例えば 各種ガラス、結晶化ガラス（リチウムケイ酸系、コディエライト系等）やアルミ ナ等を主成分とするセラミックから成っている。２は絶縁基板１の上下面を貫通 するように形成されたビアホールで、このビアホール２内には貫通電極３が形成 されている。貫通電極３は導電性ペーストを充填、焼成することによって、ある いは導電性フリットを圧縮充填、焼結することによって行なわれる。図２は図１ の斜視図を示している。
【００１０】 ここでビアホール２の形状は板厚方向に沿って異なるように形成され、上端部 及び下端部よりも中央部が小さくなるように形成され、これによって中央部には ネック部２Ａが形成されている。４は絶縁基板１の上面に充填電極３に導通する ように形成された磁電変換部及び引き回し電極、５は絶縁基板１の下面に充填電 極３に導通するように形成された導電部、６はこの導電部５に半田７を介して半 田付けされた外部リードである。
【００１１】 ビアホール２の加工はガラスを用いた場合はエッチングによって行ない、グリ ーンシートタイプのセラミックの場合はプレスによって行なう。また感光性ガラ スを用いた場合はフォトリソグラフィー技術によって複雑な形状の穴の加工が可 能である。なお、グリーンシートタイプのセラミックの場合は表面精度が悪いた めグレーズ等の表面処理が必要になる。
【００１２】 このような本実施例によれば、絶縁基板１のビアホール２の板厚方向にネック 部２Ａを形成するようにしたので、ビアホール２は板厚方向に均一な形状になっ ていないため、充填電極３のビアホール２からの脱落を防止することができる。 すなわち、充填電極３はネック部２Ａによって支えられるためビアホール２から 抜けることはない。
【００１３】 図３及び図４は本考案の他の実施例を示すもので、ビアホール２の形状を板厚 方向に沿って湾曲するように形成することにより、その中央部の径を小さくして ネック部２Ｂを形成した例を示すものである。このような本実施例によってもビ アホール２は板厚方向に均一な形状になっていないため、充填電極３のビアホー ル２からの脱落を防止することができる。
【００１４】 ビアホール２に形成するネック部の形状は本文の各実施例に示したものに限ら ず、充填電極３の脱落を防止するような形状になっていれば任意の形状を選ぶこ とができる。また、絶縁基板１の上面に形成する磁電変換部及び引き回し電極４ は、磁電変換部と引き回し電極を別々な材料で形成するようにしてもよい。
【００１５】
以上述べたように本考案によれば、絶縁基板に設けるビアホールにその板厚方 向にネック部を形成するようにしたので、ビアホールから充填電極の脱落を防止 することができる。
【図１】本考案の磁電変換素子の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本実施例を示す斜視図である。
【図３】本考案の他の実施例を示す断面図である。
【図４】他の実施例を示す斜視図である。
【図５】従来の磁電変換素子を示す断面図である。
【図６】従来の磁電変換素子を示す斜視図である。
１ 絶縁基板 ２ ビアホール ２Ａ，２Ｂ ネック部 ３ 充填電極 ４ 磁電変換部及び引き回し電極 ６ 外部リード
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板の一方の面及び他方の面にそれ
ぞれ形成した磁電変換部及び外部リードとを、絶縁基板
のビアホールに形成した充填電極を介して導通する磁電
変換素子において、前記ビアホールの板厚方向にネック
部を形成したことを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP031162U JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP031162U JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582064U true JPH0582064U (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=12323750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP031162U Pending JPH0582064U (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582064U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297085A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| JPH0391291A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Toshiba Corp | 配線基板 |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP031162U patent/JPH0582064U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297085A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| JPH0391291A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Toshiba Corp | 配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980113 |